JP2020009913A - 実装基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 153
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 79
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 69
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 34
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012463 white pigment Substances 0.000 description 1
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- Led Device Packages (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
パターン13の厚み幅方向(紙面Z軸方向)の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成されている。そして、電極部12C下面の絶縁基板11には、絶縁基板11を貫通するスルーホール11Bが形成されている。上述したように、スルーホール11Bは、電解メッキ法によるCuメッキ層19により埋設され、Cuメッキ層19は、第2の導電パターン13と接続している。
パターン13の厚み幅方向(紙面Z軸方向)の側面には、内側へと湾曲する窪み部18が形成されている。尚、図3(C)に示す断面では、シリコーン樹脂層14のアンカー部14Cは形成されていないが、窪み部18を利用したアンカー効果を高めるために、絶縁基板11の裏面側にアンカー部14Cを形成する場合でも良い。
11 絶縁基板
11A、11B スルーホール
12 第1の導電パターン
12A ランド部
12B、12C 電極部
13 第2の導電パターン
13A、13B 電極部
14 シリコーン樹脂層
14A 第1のリフレクタ部
14B 第2のリフレクタ部
14C アンカー部
17 セル
18 窪み部
19 Cuメッキ層
20 メッキ層
31、32 導電箔
42 発光素子
47 発光装置
Claims (8)
- 絶縁基板の一主面側に形成される第1の導電パターンと、
前記絶縁基板の他の主面側に形成されると共に、前記第1の導電パターンと電気的に接続する第2の導電パターンと、
前記絶縁基板の少なくとも前記一主面側を被覆するシリコーン樹脂層と、を備え、
前記シリコーン樹脂層は、
前記絶縁基板の前記一主面側に形成され、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、
前記絶縁基板の前記一主面側に形成され、前記第1の導電パターンを囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を有し、
前記第1のリフレクタ部は、前記第1の導電パターンの厚み方向の側面に形成される内側へと湾曲する窪み部内も埋設して形成され、前記シリコーン樹脂層を前記絶縁基板に係止させることを特徴とする実装基板。 - 前記第1の導電パターンの厚みは、前記第2の導電パターンの厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の実装基板。
- 前記第2のリフレクタ部下面の前記絶縁基板には、前記絶縁基板を厚み方向に貫通するスルーホールが形成され、
前記シリコーン樹脂層は、前記スルーホールを埋設すると共に、前記スルーホールの開口面積よりも広く、前記絶縁基板の前記他の主面側を被覆するアンカー部と、を有し、
前記アンカー部は、前記第1のリフレクタ部及び前記第2のリフレクタ部と一体に形成され、前記シリコーン樹脂層を前記絶縁基板に係止させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の実装基板。 - 前記第1の導電パターンは、発光素子が固着されるランド部と、前記発光素子の電極と電気的に接続される電極部と、を有し、
前記ランド部は、前記電極部と分離した島状に形成されると共に、前記ランド部の側面には、環状の前記窪み部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の実装基板。 - 前記第1の導電パターンと前記第2の導電パターンにて形成される個別セルは、前記絶縁基板に行列状に多数個配列されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の実装基板。
- その一主面に貼着される第1の導電箔及びその他の主面に貼着される第2の導電箔を有する絶縁基板を準備する工程と、
前記第2の導電箔を選択的にエッチングし、前記第2の導電箔をマスクとして前記絶縁基板を貫通し、前記第1の導電箔の裏面を露出する複数のスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールを電解メッキにより埋設して前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔と接続する第1のメッキ層を形成する工程と、
前記第1の導電箔及び前記第2の導電箔を選択的にウェットエッチングし、前記絶縁基板の前記一主面側に第1の導電パターン及び前記絶縁基板の前記他の主面側に第2の導電パターンを形成する工程と、
前記第1の導電パターン及び前記第2の導電パターンの表面に第2のメッキ層を形成する工程と、
前記絶縁基板を金型内に配置し、前記金型内にシリコーン樹脂を注入し、前記第1の導電パターン間を埋設する第1のリフレクタ部と、前記絶縁基板の前記一主面側に前記第1の導電パターンを囲む外輪状の第2のリフレクタ部と、を一体に形成する工程と、を備えることを特徴とする実装基板の製造方法。 - 前記スルーホールを形成する工程では、前記第2のリフレクタ部の形成領域に同時に前記絶縁基板を貫通する追加のスルーホールを形成し、
前記スルーホールを前記第1のメッキ層にて埋設する工程では、前記追加のスルーホールには絶縁材料を埋設し、前記追加のスルーホールが前記第1のメッキ層にて埋設されることを防止した後、前記絶縁材料を除去し、単なる貫通孔として維持し、
前記金型内に前記シリコーン樹脂を注入する工程では、前記追加のスルーホールに前記シリコーン樹脂を充填して、前記絶縁基板の前記他の主面側に前記第2のリフレクタ部と一体となるアンカー部を形成することを特徴とする請求項6に記載の実装基板の製造方法。 - 前記第1の導電箔の厚みは、前記第2の導電箔の厚みよりも厚く、
前記第1の導電パターン及び前記第2の導電パターンをウェットエッチングにより形成する工程では、前記第1の導電パターンの厚み方向の側面に形成される内側へと湾曲する窪み部の深さを、前記第2の導電パターンの厚み方向の側面に形成される内側へと湾曲する窪み部の深さよりも深くなるように形成し、
前記シリコーン樹脂を注入する工程では、少なくとも前記第1の導電パターンの前記窪み部内にも前記シリコーン樹脂を充填することを特徴とする請求項6または請求項7に記載の実装基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020009913A true JP2020009913A (ja) | 2020-01-16 |
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JP (1) | JP6877010B2 (ja) |
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