JP6874452B2 - 半導体モジュール - Google Patents

Description

本発明は、半導体モジュールに関するものである。

半導体チップを搭載した基板を樹脂ケース内に取り付け、樹脂ケース内に封止樹脂を充填した半導体モジュールが知られている（たとえば、特許文献１参照）。

特開平６−１８８３３５号公報

上記した半導体モジュールを製造する際には、まず半導体チップを搭載した基板を製造し、ケース内に収容する。そして、ゲル状の樹脂をケース内に注入してケース内に樹脂を充填させた後、樹脂を硬化させて封止する。ここで、樹脂中に気泡を含んだ状態で封止すると、結果として半導体モジュールの耐圧が低くなるおそれがある。よって、耐圧の高い半導体モジュールを得るためには、封止時において樹脂中に気泡を含めないようにすることが好ましい。

そこで、耐圧の低下を防止することができる半導体モジュールを提供することを目的の１つとする。

本発明に従った半導体モジュールは、半導体チップと、半導体チップを搭載して半導体チップと電気的に接続される基板と、基板を収容する容器と、容器内を充填して半導体チップを封止する第一の樹脂と、第一の端部が基板と接続され、第一の端部と異なる第二の端部が第一の樹脂の外部に露出するように設けられ、基板に対向する対向面を有し、半導体チップと半導体モジュールの外部とを導通させる端子とを備える。端子には、第一の樹脂による封止時に生ずる気泡が対向面に留まることを回避する回避機構が対向面を含む領域に設けられている。

上記半導体モジュールは、耐圧の低下を防止することができる。

本発明の一実施形態に係る半導体モジュールの構造を示す概略斜視図である。 図１に示す半導体モジュールにおいて、第一の樹脂を取り除いた状態を示す概略斜視図である。 図１に示す半導体モジュールにおいて、容器を取り除いた状態を示す概略斜視図である。 図１において補助端子が取り付けられた領域を上側から見た拡大図である。 補助端子を図４中のＶ−Ｖで示す平面で切断した場合の断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子の一部を示す断面図である。 この発明の他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子の一部を示す断面図である。 この発明のさらに他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子の一部を示す断面図である。

［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願発明に係る半導体モジュールは、半導体チップと、半導体チップを搭載して半導体チップと電気的に接続される基板と、基板を収容する容器と、容器内を充填して半導体チップを封止する第一の樹脂と、第一の端部が基板と接続され、第一の端部と異なる第二の端部が第一の樹脂の外部に露出するように設けられ、基板に対向する対向面を有し、半導体チップと半導体モジュールの外部とを導通させる端子とを備える。端子には、第一の樹脂による封止時に生ずる気泡が対向面に留まることを回避する回避機構が対向面を含む領域に設けられている。

容器内に第一の樹脂を注入して第一の樹脂を充填させた後に第一の樹脂中に含まれる気泡を取り除くため、脱泡が行われる場合がある。脱泡時において、第一の樹脂中に含まれる気泡は第一の樹脂の表面側に向かって第一の樹脂内を上昇する。気泡が第一の樹脂の表面に到達することにより、第一の樹脂中から気泡が取り除かれる。ここで、基板の付近で発生した気泡が端子のうちの基板に対向する面である対向面に向かって上昇する場合、対向面で気泡の上昇が妨げられることがある。そうすると、気泡が対向面の下側に留まってしまうおそれがある。本願発明に係る半導体モジュールは、端子のうちの対向面を含む領域に、第一の樹脂による封止時に生ずる気泡が対向面に留まることを回避する回避機構が備えられている。そうすると、この回避機構により、基板の付近で発生した気泡が対向面に留まることを回避することができる。したがって、第一の樹脂による封止時に第一の樹脂中に気泡が含まれるおそれを低減することができる。その結果、半導体モジュールの耐圧の低下を防止することができる。

上記回避機構は、対向面に開口が設けられ、基板の厚み方向に端子を貫通する貫通孔を含んでもよい。こうすることにより、基板側から対向面に向かって気泡が上昇し、対向面に気泡が到達した際に、気泡が貫通孔を通るようにして、端子の上側に気泡を移動させることができる。そうすると、このような気泡を第一の樹脂の表面に向かって上昇させて気泡を第一の樹脂中から取り除くことができる。したがって、第一の樹脂中に気泡が含まれるおそれをより低減することができる。

上記貫通孔は、複数設けられていてもよい。このような構成によれば、対向面の広範囲に亘って、対向面の下部側に到達した気泡を端子の上側に移動させることができる。したがって、第一の樹脂中に気泡が含まれるおそれをさらに低減することができる。

上記端子は、第一の大きさの電流を流すことが可能な補助端子と、第一の大きさよりも大きい第二の大きさの電流を流すことが可能な主端子とを含み、貫通孔は、補助端子に設けられていることとしてもよい。このような構成によれば、補助端子に貫通孔を設けて、半導体モジュールの機能への影響を小さくすることができる。

上記回避機構は、基板から対向面までの基板の厚み方向の距離が、対向面の縁に近づくにつれて大きくなる回避面を含むよう構成してもよい。このような構成によると、基板側から対向面に向かって上昇して回避面の下部側に到達した気泡を、回避面に沿って縁に向かうように移動させることができる。そして、縁に向かって移動させた気泡を縁から端子の上側に移動させることができる。したがって、硬化した第一の樹脂中に気泡が含まれるおそれを低減することができる。

上記回避面は、曲面を含んでもよい。このような回避面は、基板側から対向面に向かって上昇して回避面の下部側に到達した気泡を、曲面を利用して円滑に縁に向かうように移動させることができる。

上記回避機構は、対向面の表面粗さＲａを１．６μｍ以下とした面を含むよう構成してもよい。このような表面粗さの対向面であれば、対向面の滑りを良くして対向面の下部側に到達した気泡の移動を円滑にすることができる。したがって、硬化した第一の樹脂中に気泡が含まれるおそれを低減することができる。なお、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）に規定された算術平均粗さＲａを意味している。

上記回避機構は、対向面に設けられ、第一の樹脂と異なる第二の樹脂を含み、第二の樹脂の表面の表面粗さＲａを０．１μｍ以下であるよう構成してもよい。こうすることにより、対向面に設けられた第二の樹脂を利用して、容易に基板に対向する側の面について、表面粗さＲａを０．１μｍ以下とすることができる。そして、対向面の下部側に至った気泡の移動を円滑にすることができる。

［本願発明の実施形態の詳細］
次に、本発明に係る半導体モジュールの一実施の形態を、図１〜図４を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

図１は、本発明の一実施形態に係る半導体モジュールの構造を示す概略斜視図である。図２は、図１に示す半導体モジュールにおいて、第一の樹脂を取り除いた状態を示す概略斜視図である。図２は、第一の樹脂を充填する前の状態を示している。図３は、図１に示す半導体モジュールにおいて、容器を取り除いた状態を示す概略斜視図である。図３は、第一の樹脂を硬化させた後の状態を示している。理解の容易の観点から図２および図３を示している。また、図１に示す配置の状態において、下から上に向かう向きを矢印Ｚで示し、後ろから前に向かう向きを矢印Ｘで示し、左から右に向かう向きを矢印Ｙで示している。図１以降についても、同様である。なお、Ｘ−Ｙ平面が、基板の主面に平行な面であり、Ｚ軸方向が、基板の厚み方向となる。

図１〜図３を参照して、この発明の一実施形態に係る半導体モジュール１１は、いわゆるパワー半導体モジュールである。すなわち、半導体モジュール１１は、大きな電力を制御するために用いられるものであり、電源装置等に利用される。したがって、半導体モジュール１１は、高い耐圧性能を有することが求められる。

半導体モジュール１１は、複数の半導体チップ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆと、複数の半導体チップ１２ａ〜１２ｆを搭載した基板１３とを備える。すなわち、基板１３の上、具体的には、基板１３の一方側の主面１８ａ上には複数の半導体チップ１２ａ〜１２ｆが搭載されている。半導体チップ１２ａ〜１２ｆと基板１３とは電気的に接続されている。基板１３の外形形状については、Ｚ軸方向から見た場合に矩形状である。ここで、基板１３については、放熱板、絶縁基板、および種々の配線パターンを含む導電領域２０ａ等を含むものである。なお、図１内に示される半導体チップ１２ａ〜１２ｆ以外の半導体チップ等の符号の図示を省略している。

半導体モジュール１１は、容器１４を備える。容器１４は、基板１３を収容可能な大きさである。容器１４は、Ｚ軸方向に延びる枠を含む構成である。枠は、基板１３の厚み方向に延びるように構成されている。基板１３は容器１４内に収容される。容器１４内に収容された基板１３は、一方の主面１８ａが上側、すなわち、図１〜図３中の矢印Ｚで示す向きに向くよう配置される。

半導体モジュール１１は、容器１４内を充填して半導体チップ１２ａ〜１２ｆを封止する第一の樹脂１５を備える。第一の樹脂１５は、容器１４内のある程度の高さの位置までゲルの状態で注入される。基板１３上における第一の樹脂１５の厚みは、図３中に示す第一の樹脂１５の表面１９ａから第一の樹脂１５の裏面１９ｂまでの厚みＴ_１で示される。ゲル状の第一の樹脂１５を容器１４内に注入して充填させた後、３０分〜４０分程度真空にして脱泡する。その後、加熱して第一の樹脂１５を硬化させる。なお、硬化後の第一の樹脂１５は、適度な弾性を有する。また、硬化後の第一の樹脂１５は、透光性を有するため、第一の樹脂１５が配置された側から基板１３上の半導体チップ１２ａ〜１２ｆ等を視認することができる。

半導体モジュール１１は、複数の導電性を有する端子１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｅ，１７ｆ，１７ｇを備える。端子１６ａ〜１６ｄ、１７ａ〜１７ｇは、バスバーとも呼ばれる部材である。半導体モジュール１１に備えられる複数の端子１６ａ〜１６ｄ、１７ａ〜１７ｇは、第一の大きさの電流を流すことが可能な補助端子１７ａ〜１７ｇと、第一の大きさよりも大きい第二の大きさの電流を流すことが可能な主端子１６ａ〜１６ｄとを含む。主端子１６ａ〜１６ｄは、電源電圧といった高電圧を制御する際に利用される。一方、補助端子１７ａ〜１７ｇは、温度等を検知するセンサーに供給する比較的低い電圧を制御する際に利用される。なお、主端子１６ａ〜１６ｄは、基板１３の中央寄りに設けられている。補助端子１７ａ〜１７ｇは、主端子１６ａ〜１６ｄよりも基板１３の端部寄りに設けられている。

主端子１６ａ〜１６ｄ、および補助端子１７ａ〜１７ｇはそれぞれ、金属製である。主端子１６ａ〜１６ｄ、および補助端子１７ａ〜１７ｇはそれぞれ、所定の形状となるよう板状の部材を切断し、所定の箇所で立体的に折り曲げられた形状を有する。折り曲げられた主端子１６ａ〜１６ｄ、および補助端子１７ａ〜１７ｇはそれぞれ、一方側に位置する第一の端部が導電領域２０ａ等を経由して基板１３と接続される。また、他方側に位置する第二の端部が第一の樹脂１５の外部に露出するように設けられる。

ここで、上記した複数の主端子１６ａ〜１６ｄ、および補助端子１７ａ〜１７ｇのうちの一つの補助端子１７ａの構造について説明する。図４は、図１において補助端子１７ａが取り付けられた領域を上側、すなわち、矢印Ｚで示す向きと逆の向きから見た拡大図である。図５は、補助端子１７ａを図４中のＶ−Ｖで示す平面で切断した場合の断面図である。なお、図５においては、第一の樹脂１５の表面１９ａの位置を一点鎖線２１で示している。

さらに図４および図５を参照して、補助端子１７ａは、第一の部分２２ａと、第一の部分２２ａと連なる第二の部分２２ｂと、第二の部分２２ｂと連なる第三の部分２２ｃと、第三の部分２２ｃと連なる第四の部分２２ｄとを含む。第一の部分２２ａが、補助端子１７ａの第一の端部として導電領域２０ａを経由して基板１３に接続されている。第四の部分２２ｄの一部が、補助端子１７ａの第二の端部として第一の樹脂１５の表面１９ａから露出している。また、補助端子１７ａは、基板１３に対向する対向面を有する。

第一の部分２２ａは、Ｚ軸方向から見た場合に矩形状である。第一の部分２２ａは、導電領域２０ａに取り付けられている。第二の部分２２ｂは、Ｚ軸方向から見た場合に矩形状である。第二の部分２２ｂは、第一の部分２２ａと第二の部分２２ｂとの境界部分２３ａを所定の角度折り曲げることにより形成されている。第二の部分２２ｂは、第一の部分２２ａを導電領域２０ａに取り付けた際に斜め方向、すなわち、Ｚ軸方向で示す上下方向に対して傾斜して延びるよう形成されている。第三の部分２２ｃは、Ｚ軸方向から見た場合に、Ｌ字状となるように形成されている。第三の部分２２ｃは、第二の部分２２ｂと第三の部分２２ｃとの境界部分２３ｂを所定の角度折り曲げることにより形成されている。第三の部分２２ｃは、第一の部分２２ａを導電領域２０ａに取り付けた際に基板１３と平行となるように形成されている。すなわち、第三の部分２２ｃの下側に位置し、基板１３に対向する対向面２４ａは、基板１３、具体的には、基板１３の主面１８ａと平行である。第四の部分２２ｄは、Ｘ軸方向から見た場合に矩形状である。第四の部分２２ｄは、第三の部分２２ｃと第四の部分２２ｄとの境界部分２３ｃを所定の角度折り曲げることにより形成されている。この場合、具体的には、第四の部分２２ｄは、第三の部分２２ｃに対して境界部分２３ｃを９０度の角度で折り曲げて形成されている。すなわち、第四の部分２２ｄは、境界部分２３ｃからＺ軸方向に延びるように設けられる。なお、第四の部分２２ｄには、厚み方向、この場合、Ｘ軸方向に貫通する孔２５が設けられている。第四の部分２２ｄのうちの孔２５が設けられている領域は、第一の樹脂１５の外部に露出している。

ここで、補助端子１７ａには、回避機構としての四つの貫通孔２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄが設けられている。具体的には、補助端子１７ａのうち、第三の部分２２ｃには、それぞれ間隔を空けて四つの貫通孔２６ａ〜２６ｄが設けられている。四つの貫通孔２６ａ〜２６ｄについては、それぞれ対向面２４ａ側に開口が設けられている。一つの貫通孔２６ａを参照して具体的に説明すると、貫通孔２６ａは、丸孔状である。すなわち、図４で示すように、基板１３の厚み方向から見た場合に、貫通孔２６ａを取り囲む壁面２７は、円形状となっている。また、壁面２７は、図５で示すように基板１３の厚み方向でもある板状の補助端子１７ａの厚み方向に真っ直ぐに延びている。貫通孔２６ｂ〜２６ｄの形状も貫通孔２６ａの形状と同じである。なお、他の補助端子１７ｂ〜１７ｆについても、同様の貫通孔が設けられている。

このような構成によれば、第一の樹脂１５による封止時に第一の樹脂１５中に気泡が含まれるおそれを低減することができる。すなわち、脱泡時において基板１３側から対向面２４ａに向かって気泡が上昇し、対向面２４ａに気泡が到達した際に、気泡が貫通孔２６ａ〜２６ｄを通るようにして気泡を補助端子１７ａの上側に移動させることができる。すなわち、気泡を貫通孔２６ａ〜２６ｄから補助端子１７ａの上側に逃がすことができる。そうすると、このような気泡を第一の樹脂１５の表面１９ａに向かって上昇させて気泡を第一の樹脂１５中から取り除くことができる。したがって、第一の樹脂１５中に気泡が含まれるおそれをより低減することができる。

また、本実施形態によれば、貫通孔２６ａ〜２６ｄは複数、具体的には、四つ設けられているため、対向面２４ａの広範囲に亘って、対向面２４ａの下部側に到達した気泡を補助端子１７ａの上側に移動させることができる。したがって、第一の樹脂１５中に気泡が含まれるおそれをさらに低減することができる。

また、本実施形態によれば、補助端子１７ａに貫通孔２６ａ〜２６ｄが設けられている構成であるため、補助端子１７ａに貫通孔２６ａ〜２６ｄを設けて、半導体モジュール１１の機能への影響を小さくすることができる。

なお、上記の実施の形態においては、貫通孔２６ａ〜２６ｄは複数設けられていることとしたが、これに限らず、貫通孔は一つ設けられていてもよい。

また、上記の実施の形態においては、貫通孔２６ａ〜２６ｄは補助端子１７ａ〜１７ｇに設けられていることとしたが、これに限らず、貫通孔は主端子１６ａ〜１６ｄに設けられていてもよい。この場合、主端子１６ａ〜１６ｄにおいて抵抗値を大きくしない程度の大きさの貫通孔を設けることが好ましい。こうすることにより、主端子１６ａ〜１６ｄに大きな電流を流す際の電圧の上昇を抑制することができる。

なお、回避機構については、基板１３から対向面２４ａまでの基板１３の厚み方向の距離が、対向面２４ａの縁に近づくにつれて大きくなる回避面を含むよう構成してもよい。また、この回避面については、曲面を含むこととしてもよい。

図６および図７は、この発明の他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子の一部を示す断面図である。図６に示す断面は、図５に示す断面に相当する。図７は、この発明の他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子３１を、図５中のＶＩＩ−ＶＩＩで示す平面に相当する平面で切断した場合の断面図である。

図６および図７をさらに参照して、この発明の他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子３１に含まれる第三の部分３２のうち、対向面には、基板１３から対向面までの基板１３の厚み方向の距離が、対向面の縁３３に近づくにつれて大きくなる回避面としての曲面３４が設けられている。曲面３４は、図６に示す断面において、幅方向の中央３５が基板１３側に突出した形状である。すなわち、図６において、曲面３４のうちＹ軸方向で示される幅方向の中央３５と基板１３の主面１８ａとの基板１３の厚み方向の距離Ｌ_１が最も小さく、幅方向の端部となる縁３３と基板の主面１８ａとの基板１３の厚み方向の距離が最も大きくなっている。なお、幅方向の中央３５と縁３３との間の領域３６と基板１３の主面１８ａとの基板１３の厚み方向の距離Ｌ_３は、距離Ｌ_１と距離Ｌ_２との間の距離となる。

このような構成によると、基板１３側から対向面としての曲面３４に向かって上昇して曲面３４の下部側に到達した気泡を、曲面３４に沿って縁３３に向かうように移動させることができる。そして、縁３３に向かって移動させた気泡を縁３３の縁から補助端子３１の上側に移動させることができる。したがって、硬化した第一の樹脂１５中に気泡が含まれるおそれを低減することができる。

なお、回避機構については、対向面の表面粗さＲａを１．６μｍ以下とすることにしてもよい。すなわち、補助端子は、回避機構として、対向面の表面粗さＲａを１．６μｍ以下とする面を含むこととしてもよい。このような表面粗さの対向面であれば、いわゆる対向面の滑りを良くして対向面の下部側に到達した気泡の移動を円滑にすることができる。したがって、硬化した第一の樹脂中に気泡が含まれるおそれを低減することができる。具体的には、たとえば、対向面に鏡面加工を施して、対向面の表面粗さＲａを１．６μｍ以下とする。鏡面状態は、たとえば、対向面の研磨で達成される。

また、回避機構については、対向面に設けられ、第一の樹脂１５と異なる第二の樹脂を含み、第二の樹脂の表面の表面粗さＲａを０．１μｍ以下であるよう構成してもよい。

図８は、この発明のさらに他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子の一部を示す断面図である。図８に示す断面は、図５および図６に示す断面に相当する。なお、理解の容易の観点から、図５および図６に対して拡大して図示している。また、理解の容易の観点から、図８において第二の樹脂の厚みを誇張して厚く図示している。

図８をさらに参照して、この発明のさらに他の実施形態に係る半導体モジュールに備えられる補助端子４１に含まれる第三の部分４２のうち、対向面には、回避面としての曲面４３が設けられている。そして、曲面４３には、第二の樹脂４４が設けられている。第二の樹脂４４は、たとえば、曲面４３への第二の樹脂４４の塗布により設けられる。そして、第二の樹脂４４の表面４５の表面粗さＲａを０．１μｍ以下としている。第二の樹脂４４としては、テフロン（登録商標）やポリカーボネート等が用いられる。

こうすることにより、対向面に設けられた第二の樹脂４４を利用して、容易に基板に対向する側の面について、表面粗さＲａを０．１μｍ以下とすることができる。そして、対向面の下部側に至った気泡の移動を円滑にすることができる。

なお、上記の実施の形態においては、回避面については曲面としたが、これに限らず、幅方向の中央から縁に向かって傾斜した面であってもよい。また、上記した貫通孔と回避面とを組み合わせた構成としてもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本願の半導体モジュールは、耐圧の低下の防止が求められる場合に、特に有利に適用され得る。

１１ 半導体モジュール
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ 半導体チップ
１３ 基板
１４ 容器
１５ 第一の樹脂
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｅ，１７ｆ，１７ｇ，３１，４１ 端子
１８ａ 主面
１９ａ，４５ 表面
１９ｂ 裏面
２０ａ 導電領域
２１ 一点鎖線
２２ａ 第一の部分
２２ｂ 第二の部分
２２ｃ，３２，４２ 第三の部分
２２ｄ 第四の部分
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ 境界部分
２４ａ 対向面
２５ 孔
２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ 貫通孔
２７ 壁面
３３ 縁
３４，４３ 曲面
３５ 中央
３６ 領域
４４ 第二の樹脂

Claims (7)

1. 半導体モジュールであって、
   半導体チップと、
   前記半導体チップを搭載して前記半導体チップと電気的に接続される基板と、
   前記基板を収容する容器と、
   前記容器内を充填して前記半導体チップを封止する第一の樹脂と、
   第一の端部が前記基板と接続され、前記第一の端部と異なる第二の端部が前記第一の樹脂の外部に露出するように設けられ、前記基板に対向する対向面を有し、前記半導体チップと前記半導体モジュールの外部とを導通させる端子とを備え、
   前記端子には、前記第一の樹脂による封止時に生ずる気泡が前記対向面に留まることを回避する回避機構が前記対向面を含む領域に設けられており、
   前記回避機構は、前記基板から前記対向面までの前記基板の厚み方向の距離が、前記対向面の縁に近づくにつれて大きくなる回避面を含む、半導体モジュール。
2. 前記回避機構は、前記対向面側に開口が設けられ、前記基板の厚み方向に前記端子を貫通する貫通孔を含む、請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 前記貫通孔は、複数設けられている、請求項２に記載の半導体モジュール。
4. 前記端子は、第一の大きさの電流を流すことが可能な補助端子と、前記第一の大きさよりも大きい第二の大きさの電流を流すことが可能な主端子とを含み、
   前記貫通孔は、前記補助端子に設けられている、請求項２または請求項３に記載の半導体モジュール。
5. 前記回避面は、曲面を含む、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
6. 前記回避機構は、前記対向面の表面粗さＲａを１．６μｍ以下とした面を含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
7. 前記回避機構は、前記対向面に設けられ、前記第一の樹脂と異なる第二の樹脂を含み、
   前記第二の樹脂の表面の表面粗さＲａは、０．１μｍ以下である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体モジュール。

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