JP6868471B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ボンディング工程は、ウェハから分割されたダイをダイシングテープから1個ずつ剥離し、コレットと呼ばれる吸着治具を使って基板上にボンディングする。
コレットを保持するコレットホルダには、磁石を内蔵してコレットを固定するものがある(例えば、特開2014−56978号公報(特許文献1))。
本開示の課題は、磁力漏れを低減するコレットホルダを備える半導体製造装置を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
すなわち、半導体製造装置は、磁石でコレットを保持するコレットホルダと、先端に該コレットホルダを備え、前記コレットでダイを吸着しピックアップするヘッドと、を備える。前記コレットホルダは、前記磁石の上方に設けられ、前記磁石の磁界を遮蔽する遮蔽部と、前記磁石の下方に設けられ、前記磁石の磁界を通過する通過部と、を備える。
このような構成によって、ボンディングヘッド41は、ステージ認識カメラ32の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ31からダイDをピックアップし、基板認識カメラ44の撮像データに基づいて基板SのパッケージエリアPにダイDをボンディングする。
比較例1に係るコレットホルダについて図6を用いて説明する。図6は比較例1に係るコレットホルダを説明するための図であり、図6(A)はコレットホルダの側面図であり、図6(B)はコレットホルダの分解斜視図である。
比較例2に係るコレットホルダについて図7を用いて説明する。図7は比較例2に係るコレットホルダを説明するための図であり、図7(A)はコレットホルダの側面図であり、図7(B)はコレットホルダの斜視図である。
<変形例>
以下、代表的な変形例について例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施例にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施例と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施例における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
また、中間ステージがなく、ダイ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
また、中間ステージとボンディングヘッドがなく、ダイ供給部からピックアップヘッドでピックアップしたダイをトレイ等に載置するダイソータに適用可能である。
1・・・ダイ供給部
13・・・突上げユニット
2・・・ピックアップ部
21・・・ピックアップヘッド
22・・・コレット
25・・・コレットホルダ
251・・・コレット取付部
252・・・遮蔽板
24・・・ウェハ認識カメラ
3・・・アライメント部
31・・・中間ステージ
32・・・ステージ認識カメラ
4・・・ボンディング部
41・・・ボンディングヘッド
42・・・コレット
44・・・基板認識カメラ
5・・・搬送部
51・・・基板搬送爪
8・・・制御装置
BS・・・ボンディングステージ
D・・・ダイ
P・・・パッケージエリア
S・・・基板
Claims (13)
- 磁石でコレットを保持するコレットホルダと、
先端に該コレットホルダを備え、前記コレットでダイを吸着しピックアップするヘッドと、
を備え、
前記コレットホルダは、
前記磁石の上方に設けられ、前記磁石の磁界を遮蔽する遮蔽部と、
前記磁石の下方に設けられ、前記磁石の磁界を通過する通過部と、
を備える
半導体製造装置。 - 請求項1において、
前記通過部は、磁界を通過させる材料で形成され、前記コレットを磁石で固定するコレット取付部であり、
前記遮蔽部は、前記コレットの取付け面とは反対側に設けられ、前記磁石の磁界を遮蔽する遮蔽板である
半導体製造装置。 - 請求項2において、
前記遮蔽板の比透磁率は2000以上である半導体製造装置。 - 請求項3において、
前記遮蔽板の材料はSS400である半導体製造装置。 - 請求項1において、
前記通過部は、前記コレットの取付け面であり、
前記遮蔽部は、磁界を遮蔽させる材料で形成され、前記コレットを磁石で固定するコレット取付部である
半導体製造装置。 - 請求項5において、
前記コレット取付部の比透磁率は2000以上である半導体製造装置。 - 請求項6において、
前記コレット取付部の材料はSS400である半導体製造装置。 - 請求項1において、さらに、
ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングを有するダイ供給部を備え、
前記ヘッドは前記ダイシングテープに貼付されたダイをピックアップするピックアップヘッドである
半導体製造装置。 - 請求項8において、さらに、
前記ピックアップヘッドでピックアップしたダイが載置される中間ステージと、
前記中間ステージからピックアップしたダイを基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングするボンディングヘッドと、
を備え、
前記ボンディングヘッドは前記コレットホルダを備える
半導体製造装置。 - 請求項1において、さらに、
ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングを有するダイ供給部を備え、
前記ヘッドは前記ダイシングテープに貼付されたダイをピックアップし基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングするボンディングヘッドである
半導体製造装置。 - (a)請求項1乃至10のいずれか一つの半導体製造装置を準備する工程と、
(b)ダイが貼付されたダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
(c)基板を準備搬入する工程と、
(d)ダイをピックアップする工程と、
(e)前記ピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする工程と、
を備える、
半導体装置の製造方法。 - 請求項11において、
前記(d)工程は前記ダイシングテープに貼付されたダイをボンディングヘッドでピックアップし、
前記(e)工程は前記ボンディングヘッドでピックアップしたダイを前記基板または既にボンディングされたダイの上にボンディングする
半導体装置の製造方法。 - 請求項11において、
前記(d)工程は、
(d1)前記ダイシングテープに貼付されたダイをピックアップヘッドでピックアップする工程と、
(d2)前記ピックアップヘッドでピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程と、
を有し、
前記(e)工程は、
(e1)前記中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドでピックアップする工程と、
(e2)前記ボンディングヘッドでピックアップしたダイを前記基板に載置する工程と、
を備える
半導体装置の製造方法。
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