KR102050741B1 - 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents
반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102050741B1 KR102050741B1 KR1020180060164A KR20180060164A KR102050741B1 KR 102050741 B1 KR102050741 B1 KR 102050741B1 KR 1020180060164 A KR1020180060164 A KR 1020180060164A KR 20180060164 A KR20180060164 A KR 20180060164A KR 102050741 B1 KR102050741 B1 KR 102050741B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- die
- collet
- magnet
- substrate
- head
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
콜릿 홀더에 자석을 내장하면, 외부로 자력이 누설되어 센서 등 주변 자기 회로에 영향을 미치는 경우가 있다. 반도체 제조 장치는, 자석으로 콜릿을 보유 지지하는 콜릿 홀더와, 선단에 해당 콜릿 홀더를 구비하고, 상기 콜릿으로 다이를 흡착하여 픽업하는 헤드를 구비한다. 상기 콜릿 홀더는, 상기 자석의 위쪽에 설치되고, 상기 자석의 자계를 차폐하는 차폐부와, 상기 자석의 아래쪽에 설치되고, 상기 자석의 자계를 통과하는 통과부를 구비한다.
Description
본 개시는 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 예를 들어 콜릿 홀더에 자석을 내장한 다이 본더에 적용 가능하다.
반도체 장치의 제조 공정 일부에 반도체 칩(이하, 단순히 '다이'라고 함)을 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 단순히 '기판'이라고 함)에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 '웨이퍼'라고 함)로부터 다이를 분할하는 공정과, 분할한 다이를 기판 위에 탑재하는 본딩 공정이 있다. 본딩 공정에 사용되는 반도체 제조 장치가 다이 본더 등의 다이 본딩 장치이다.
본딩 공정은, 웨이퍼로부터 분할된 다이를 다이싱 테이프로부터 1개씩 박리하고, 콜릿이라 불리는 흡착 지그를 사용하여 기판 위에 본딩한다.
콜릿을 보유 지지하는 콜릿 홀더에는, 자석을 내장하여 콜릿을 고정하는 것이 있다(예를 들어, 일본 특허공개 제2014-56978호 공보(특허문헌 1)).
특허문헌 1과 같이 콜릿 홀더에 자석을 내장하면, 외부로 자력이 누설되어 센서 등 주변 자기 회로에 영향을 주는 경우가 있다.
본 개시의 과제는, 자력 누설을 저감하는 콜릿 홀더를 구비하는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.
그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 밝혀질 것이다.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
즉, 반도체 제조 장치는, 자석으로 콜릿을 보유 지지하는 콜릿 홀더와, 선단에 해당 콜릿 홀더를 구비하고, 상기 콜릿으로 다이를 흡착하여 픽업하는 헤드를 구비한다. 상기 콜릿 홀더는, 상기 자석의 위쪽에 설치되고, 상기 자석의 자계를 차폐하는 차폐부와, 상기 자석의 아래쪽에 설치되고, 상기 자석의 자계를 통과하는 통과부를 구비한다.
상기 반도체 제조 장치에 의하면, 자력 누설을 저감할 수 있다.
도 1은, 다이 본더의 구성예를 나타내는 개략 상면도.
도 2는, 도 1에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 개략 구성을 설명하는 도면.
도 3은, 도 1의 다이 공급부의 구성을 나타내는 외관 사시도.
도 4는, 도 2의 다이 공급부의 주요부를 나타내는 개략 단면도.
도 5는, 실시예에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
도 6은, 비교예 1에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
도 7은, 비교예 2에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
도 8은, 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도.
도 9는, 변형예에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
도 2는, 도 1에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때의 개략 구성을 설명하는 도면.
도 3은, 도 1의 다이 공급부의 구성을 나타내는 외관 사시도.
도 4는, 도 2의 다이 공급부의 주요부를 나타내는 개략 단면도.
도 5는, 실시예에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
도 6은, 비교예 1에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
도 7은, 비교예 2에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
도 8은, 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도.
도 9는, 변형예에 따른 콜릿 홀더의 구조를 설명하는 도면.
이하, 실시예에 대하여, 도면을 이용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙여 반복되는 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해서, 실제의 형태에 비하여, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례로서, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.
<실시예>
도 1은 실시예에 따른 다이 본더의 개략을 나타내는 상면도이다. 도 2는 도 1에 있어서 화살표 A 방향에서 보았을 때, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.
다이 본더(10)는, 크게 구별하여, 1개 또는 여러 개의 최종 1 패키지로 되는 제품 에어리어(이하, '패키지 에어리어 P'라고 함)를 프린트한 기판 S에 실장하는 다이 D를 공급하는 다이 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 제어 장치(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이며, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 앞쪽에 배치되고, 본딩부(4)가 안쪽에 배치된다.
우선, 다이 공급부(1)는 기판 S의 패키지 에어리어 P에 실장하는 다이 D를 공급한다. 다이 공급부(1)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동하고, 픽업하는 다이 D를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.
픽업부(2)는, 다이 D를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어 올려진 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)(도 2도 참조)을 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.
중간 스테이지부(3)는, 다이 D를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 위의 다이 D를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.
본딩부(4)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하고, 반송되어 오는 기판 S의 패키지 에어리어 P 위에 본딩하거나, 또는 이미 기판 S의 패키지 에어리어 P 위에 본딩된 다이의 위에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 2도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식 마크(도시생략)를 촬상하고, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다.
이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는, 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하고, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판 S의 패키지 에어리어 P에 다이 D를 본딩한다.
반송부(5)는, 기판 S를 파지하여 반송하는 기판 반송 갈고리(51)와, 기판 S가 이동하는 반송 레인(52)을 갖는다. 기판 S는, 반송 레인(52)에 설치된 기판 반송 갈고리(51)의 너트를 반송 레인(52)을 따라 설치된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동한다. 이와 같은 구성에 의해, 기판 S는, 기판 공급부(6)로부터 반송 레인(52)을 따라 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판 S를 전달한다.
제어 장치(8)는, 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하여 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.
다음으로, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 3 및 도 4를 이용하여 설명한다. 도 3은 다이 공급부의 외관 사시도를 나타내는 도면이다. 도 4는 다이 공급부의 주요부를 나타내는 개략 단면도이다.
다이 공급부(1)는, 수평 방향(XY 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되고 여러 개의 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.
다이 공급부(1)는, 다이 D의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 쭉 늘여져 다이 D의 간격이 넓어지고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 D 아래쪽으로부터 다이 D를 밀어올려, 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 액상으로부터 필름 형상으로 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16)의 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라 불리는 필름 형상의 접착 재료를 접착하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대해서 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다.
픽업 헤드(21)는, 중심에 흡착 에어가 흐르는 흡착 구멍(도시생략)을 갖고, 선단측에 콜릿 홀더(25)에 접속되는 콜릿 생크(도시생략)와, 콜릿 홀더(25)를 콜릿 생크에 고정하는 콜릿 고정부(도시생략)를 구비한다. 본딩 헤드(41)는 픽업 헤드(21)와 마찬가지이다.
다음으로, 콜릿 홀더에 대하여 도 5를 이용하여 설명한다. 도 5는 실시예에 따른 콜릿 홀더를 설명하기 위한 도면으로, 도 5의 (A)는 콜릿 홀더의 측면도이며, 도 5의 (B)는 콜릿 홀더의 분해 사시도이다.
콜릿 홀더(25)는 자계가 통과하는 투자율이 낮은 콜릿 부착부(251)와 자계를 차폐하는 투자율이 높은 차폐판(252)을 구비한다. 콜릿 부착부(251)는 대향하는 2개의 코너에 절결을 갖고, 위쪽으로부터 콜릿을 확인할 수 있게 되어 있다. 또한, 4변의 각 중앙 부근에 절결을 갖고, 콜릿 교환 지그가 콜릿을 파지(클램프하여 보유 지지)할 수 있도록 되어 있다. 차폐판(252)은 중앙 부근에 개구부를 갖고, 콜릿 부착부(251) 위에 접착, 용접 또는 자력으로 고정된다. 콜릿 부착부(251)는, 중심에 픽업 헤드(21)의 흡착 구멍에 연통하는 흡착 구멍(251a)과, 콜릿[22(42)]을 고정하는 자석(251)을 구비한다. 콜릿 부착부(251)의 비투자율은 1 근변이 바람직하고, 예를 들어 오스테나이트계 스테인리스강이나 SKD(고탄소의 합금 공구강) 등을 사용한다. 차폐판(252)의 비투자율은 2000 이상이 바람직하고, 차폐판(252)에는, 예를 들어 계철(요크)인 강판(SS400)을 사용한다.
고투자율 재료(강자성체)로 덮음으로써 자기 차폐할 수 있는 이유는, 자계는 자력선의 통과이며, 자력선은 보다 통과하기 쉬운 곳을 통과한다는 성질이 있기 때문에, 자기로부터 차폐하고 싶은 것을, 자기가 통과하기 쉬운 것으로 덮음으로써, 자력선을 그쪽으로 유도하여, 결과적으로 내용물을 자력선이 통과하지 않도록 하기 때문이다. 자력선의 통과 용이함을 투자율이라 하며, 진공을 1로 했을 때의 비(비 투자율)로 나타낸다. 통상의 강판(SS400)으로 2000 내지 3000 정도이다.
콜릿[22(42)]은 자석으로 고정할 수 있도록 실리콘 고무 등의 탄성체의 이면에 스테인리스강(SUS(자성))을 용착하고, 4변을 콜릿 홀더(25)에 보유 지지하고, 다이 D를 흡착하기 위해서 흡착 구멍(251a)에 연통하는 여러 개의 흡착 구멍(도시생략)을 구비한다.
(비교예 1)
비교예 1에 따른 콜릿 홀더에 대하여 도 6을 이용하여 설명한다. 도 6은 비교예 1에 따른 콜릿 홀더를 설명하기 위한 도면으로, 도 6의 (A)는 콜릿 홀더의 측면도이며, 도 6의 (B)는 콜릿 홀더의 분해 사시도이다.
비교예 1에 따른 콜릿 홀더(25R)는 자계를 차폐하는 투자율이 높은 콜릿 부착부(251R)와 자계가 통과하는 투자율이 낮은 차폐판(252R)을 구비한다. 비교예 1에서는 콜릿 홀더에 의한 콜릿의 흡착력이 없어, 누설 자력도 크다.
(비교예 2)
비교예 2에 따른 콜릿 홀더에 대하여 도 7을 이용하여 설명한다. 도 7은 비교예 2에 따른 콜릿 홀더를 설명하기 위한 도면으로, 도 7의 (A)는 콜릿 홀더의 측면도이며, 도 7의 (B)는 콜릿 홀더의 사시도이다.
비교예 2에 따른 콜릿 홀더(25S)는 자계가 통과하는 투자율이 낮은 콜릿 부착부(251S)를 구비하지만, 자계를 차폐하는 투자율이 높은 차폐판(252)을 구비하지 않는다. 비교예 2에서는 콜릿 홀더에 의한 콜릿의 흡착력은 있지만, 누설 자력이 크다.
실시예에 의하면, 상부는 차폐판(252)의 효과에 의해 외부로 자력이 누설되기 어렵고, 하부는 콜릿 부착에 의해 자력이 누설되기 어렵다. 이에 의해, 콜릿 홀더에 의한 콜릿의 흡착력을 확보하여 누설 자력을 억제할 수 있다. 또한, 누설 자력에 의한 센서 등의 주변 자기 회로에 대한 영향을 저감시켜, 오검출이나 정밀도 저하를 방지할 수 있다.
다음으로, 실시예에 따른 다이 본더를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8은 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
스텝 S11: 웨이퍼(11)로부터 분할된 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 보유 지지한 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트(도시생략)에 저장하고, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어 장치(8)는 웨이퍼 링(14)이 충전된 웨이퍼 카세트로부터 웨이퍼 링(14)을 다이 공급부(1)에 공급한다. 또한, 기판 S를 준비하고, 다이 본더(10)에 반입한다. 제어 장치(8)는 기판 공급부(6)에서 기판 S를 반송 레인(52)에 적재한다.
스텝 S12: 제어 장치(8)는 웨이퍼 링(14)에 보유 지지된 다이싱 테이프(16)로부터 다이 D를 픽업한다.
스텝 S13: 제어 장치(8)는 픽업한 다이 D를 기판 S의 패키지 에어리어 P 위에 탑재 또는 이미 본딩한 다이의 위에 적층한다. 보다 구체적으로는, 제어 장치(8)는 다이싱 테이프(16)로부터 픽업한 다이 D를 중간 스테이지(31)에 적재하고, 본딩 헤드(41)로 중간 스테이지(31)로부터 다시 다이 D를 픽업하고, 반송되어 온 기판 S의 패키지 에어리어 P에 본딩한다.
스텝 S14: 제어 장치(8)는 기판 반송 갈고리(51)로 기판 S를 기판 반출부(7)까지 이동하여 기판 반출부(7)에 기판 S를 전달하고 다이 본더(10)로부터 기판 S를 반출한다(기판 언로딩).
<변형예>
이하, 대표적인 변형예에 대하여 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 전술한 실시예에서 설명되어 있는 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 전술한 실시예와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있도록 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 전술한 실시예에 있어서의 설명이 적절히 원용될 수 있도록 한다. 또한, 전술한 실시예의 일부, 및 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 적절히 복합적으로 적용될 수 있다.
변형예에 따른 콜릿 홀더에 대하여 도 9를 이용하여 설명한다. 도 9는 변형예에 따른 콜릿 홀더를 설명하기 위한 도면으로, 도 9의 (A)는 픽업 헤드, 콜릿 홀더 및 콜릿의 단면도이며, 도 9의 (B)는 콜릿 홀더의 저면도이다.
픽업 헤드(21)는, 중심에 흡착 에어가 흐르는 흡착 구멍(21a)을 갖고, 선단측에 콜릿 홀더(25A)에 접속되는 콜릿 생크(21b)와, 콜릿 홀더(25A)를 콜릿 생크(21b)에 고정하는 콜릿 고정부(21c)를 구비한다.
콜릿 홀더(25A)는 자계를 차폐하는 투자율이 높은 재료로 제작된 콜릿 부착부(251A)를 구비한다. 콜릿 부착부(251A)는, 중심에 픽업 헤드(21)의 흡착 구멍(21a)에 연통하는 흡착 구멍(251a)과, 콜릿(22)을 고정하는 자석(251b)을 구비한다. 콜릿 부착부(251A)의 비투자율은 2000 이상이 바람직하고, 예를 들어 통상의 강판(SS400)을 사용한다. 자석(251b)은 콜릿 부착면에 배치되고, 예를 들어 φ 2.5㎜×1㎜의 크기이다.
콜릿(22)은 자석으로 고정할 수 있도록 실리콘 고무 등의 탄성체(22a)의 이면에 스테인리스강 SUS(자성)(22b)를 용착하고, 4변을 콜릿 홀더(25A)에 보유 지지하고, 다이 D를 흡착하기 위해서 흡착 구멍(251a)에 연통하는 여러 개의 흡착 구멍(도시생략)을 구비한다. 탄성체(22a)의 표면에는 다이 D와 접촉하여 보유 지지하는 보유 지지부(22c)를 갖는다. 보유 지지부(22c)는 탄성체(22a)와 일체적으로 형성되고, 다이 D와 동일 정도의 크기이다.
자석(251b)의 위쪽은 투자율이 높은 콜릿 부착부(251A)로 덮이고, 자석(251b)의 저면은 콜릿 부착부(251A)로부터 노출되어 투자율이 높은 재료로는 덮이지 않으므로, 실시예와 마찬가지의 효과를 갖는다.
픽업 헤드(21)에 대하여 설명하였지만, 본딩 헤드(41)도 마찬가지이다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시예 및 변형예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은, 상기 실시예 및 변형예로 한정되는 것이 아니라, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들어, 픽업부와 얼라인먼트부와 본딩부를 포함하는 실장부 및 반송 레인을 복수 조 구비한 다이 본더여도 되고, 픽업부와 얼라인먼트부와 본딩부를 포함하는 실장부를 복수 조 구비하고, 반송 레인은 하나 구비하여도 된다.
또한, 실시예에서는, 다이 어태치 필름을 사용하는 예를 설명하였지만, 기판에 접착제를 도포하는 프리폼부를 설치하여 다이 어태치 필름을 사용하지 않아도 된다.
또한, 실시예에서는, 다이 공급부로부터 다이를 픽업 헤드로 픽업하여 중간 스테이지에 적재하고, 중간 스테이지에 적재된 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에 대하여 설명하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니라, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하는 반도체 제조 장치에 적용 가능하다.
예를 들어, 중간 스테이지와 픽업 헤드가 없고, 다이 공급부의 다이를 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 다이 본더에도 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지가 없고, 다이 공급부로부터 다이를 픽업하고 다이 픽업 헤드를 위로 회전하여 다이를 본딩 헤드에 전달하고 본딩 헤드로 기판에 본딩하는 플립 칩 본더에 적용 가능하다.
또한, 중간 스테이지와 본딩 헤드가 없고, 다이 공급부로부터 픽업 헤드로 픽업한 다이를 트레이 등에 적재하는 다이 소터에 적용 가능하다.
10: 다이 본더
1: 다이 공급부
13: 밀어올림 유닛
2: 픽업부
21: 픽업 헤드
22: 콜릿
25: 콜릿 홀더
251: 콜릿 부착부
252: 차폐판
24: 웨이퍼 인식 카메라
3: 중간 스테이지부
31: 중간 스테이지
32: 스테이지 인식 카메라
4: 본딩부
41: 본딩 헤드
42: 콜릿
44: 기판 인식 카메라
5: 반송부
51: 기판 반송 갈고리
8: 제어 장치
BS: 본딩 스테이지
D: 다이
P: 패키지 에어리어
S: 기판
1: 다이 공급부
13: 밀어올림 유닛
2: 픽업부
21: 픽업 헤드
22: 콜릿
25: 콜릿 홀더
251: 콜릿 부착부
252: 차폐판
24: 웨이퍼 인식 카메라
3: 중간 스테이지부
31: 중간 스테이지
32: 스테이지 인식 카메라
4: 본딩부
41: 본딩 헤드
42: 콜릿
44: 기판 인식 카메라
5: 반송부
51: 기판 반송 갈고리
8: 제어 장치
BS: 본딩 스테이지
D: 다이
P: 패키지 에어리어
S: 기판
Claims (13)
- 자석으로, 그 하방에 위치하는 콜릿을 보유 지지하는 콜릿 홀더와,
선단에 해당 콜릿 홀더를 구비하고, 상기 콜릿으로, 상기 콜릿의 하방에 위치하는 다이를 흡착하여 픽업하는 헤드
를 구비하고,
상기 콜릿은 그 상부에 자성을 갖는 물질을 포함하여 상기 자석에 의해 상기 콜릿 홀더의 하방측에 부착되며,
상기 콜릿 홀더는,
상기 자석의 위쪽에 설치되고, 상기 자석의 상부로 누설되는 상기 자석의 자계를 차폐하는 차폐부와,
상기 자석의 아래쪽에 설치되고, 상기 자석의 자계를 통과하는 통과부
를 구비하는, 반도체 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 통과부는, 자계를 통과시키는 재료로 형성되고, 상기 콜릿을 자석으로 고정하는 콜릿 부착부이며,
상기 차폐부는, 상기 콜릿의 부착면과는 반대측에 설치되고, 상기 자석의 자계를 차폐하는 차폐판인, 반도체 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 차폐판의 비투자율은 2000 이상인, 반도체 제조 장치. - 제3항에 있어서,
상기 차폐판의 재료는 SS400인, 반도체 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 통과부는, 상기 콜릿의 부착면이며,
상기 차폐부는, 자계를 차폐시키는 재료로 형성되고, 상기 콜릿을 자석으로 고정하는 콜릿 부착부인, 반도체 제조 장치. - 제5항에 있어서,
상기 콜릿 부착부의 비투자율은 2000 이상인, 반도체 제조 장치. - 제6항에 있어서,
상기 콜릿 부착부의 재료는 SS400인, 반도체 제조 장치. - 제1항에 있어서,
다이가 접착된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 갖는 다이 공급부를 더 구비하고,
상기 헤드는 상기 다이싱 테이프에 접착된 다이를 픽업하는 픽업 헤드인, 반도체 제조 장치. - 제8항에 있어서,
상기 픽업 헤드로 픽업한 다이가 적재되는 중간 스테이지와,
상기 중간 스테이지로부터 픽업한 다이를 기판 또는 이미 본딩된 다이의 위에 본딩하는 본딩 헤드
를 더 구비하고,
상기 본딩 헤드는 상기 콜릿 홀더를 구비하는, 반도체 제조 장치. - 제1항에 있어서,
다이가 접착된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 갖는 다이 공급부를 더 구비하고,
상기 헤드는 상기 다이싱 테이프에 접착된 다이를 픽업하여 기판 또는 이미 본딩된 다이의 위에 본딩하는 본딩 헤드인, 반도체 제조 장치. - (a) 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 제조 장치를 준비하는 공정과,
(b) 다이가 접착된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링을 반입하는 공정과,
(c) 기판을 준비 반입하는 공정과,
(d) 다이를 픽업하는 공정과,
(e) 상기 픽업한 다이를 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이의 위에 본딩하는 공정
을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 (d) 공정은 상기 다이싱 테이프에 접착된 다이를 본딩 헤드로 픽업하고,
상기 (e) 공정은 상기 본딩 헤드로 픽업한 다이를 상기 기판 또는 이미 본딩된 다이의 위에 본딩하는, 반도체 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 (d) 공정은,
(d1) 상기 다이싱 테이프에 접착된 다이를 픽업 헤드로 픽업하는 공정과,
(d2) 상기 픽업 헤드로 픽업한 다이를 중간 스테이지에 적재하는 공정
을 갖고,
상기 (e) 공정은,
(e1) 상기 중간 스테이지에 적재된 다이를 본딩 헤드로 픽업하는 공정과,
(e2) 상기 본딩 헤드로 픽업한 다이를 상기 기판에 적재하는 공정
을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017108048A JP6868471B2 (ja) | 2017-05-31 | 2017-05-31 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JPJP-P-2017-108048 | 2017-05-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180131426A KR20180131426A (ko) | 2018-12-10 |
KR102050741B1 true KR102050741B1 (ko) | 2019-12-02 |
Family
ID=64542723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180060164A KR102050741B1 (ko) | 2017-05-31 | 2018-05-28 | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6868471B2 (ko) |
KR (1) | KR102050741B1 (ko) |
CN (1) | CN108987291B (ko) |
TW (1) | TWI710034B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI744850B (zh) * | 2019-04-15 | 2021-11-01 | 日商新川股份有限公司 | 封裝裝置 |
KR102284150B1 (ko) * | 2019-08-06 | 2021-07-30 | 세메스 주식회사 | 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200425068Y1 (ko) | 2006-04-28 | 2006-09-01 | 한양정밀 (주) | 칩 이송장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000091794A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装装置 |
US6753534B2 (en) * | 2000-12-08 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Positioning stage with stationary and movable magnet tracks |
JP2007019090A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
KR101335275B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2013-11-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 본딩 장치 |
CN101409248A (zh) * | 2007-10-12 | 2009-04-15 | 深圳市大族精密机电有限公司 | 二维运动平台 |
JP5075013B2 (ja) * | 2008-05-27 | 2012-11-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP5734081B2 (ja) * | 2010-10-18 | 2015-06-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理装置の温度制御方法、及び基板処理装置の加熱方法 |
KR20120062309A (ko) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 주식회사 태한이엔씨 | 자력을 이용한 이송 장치 |
CN201985154U (zh) * | 2011-01-28 | 2011-09-21 | 浙江机电职业技术学院 | 极性自动检测的led供料设备 |
JP5889537B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2016-03-22 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ |
JP5764002B2 (ja) * | 2011-07-22 | 2015-08-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空成膜装置 |
JP2013184281A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 真空吸着ノズル |
JP6086680B2 (ja) | 2012-09-13 | 2017-03-01 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ及びボンディング方法 |
KR101422356B1 (ko) * | 2012-11-23 | 2014-07-23 | 세메스 주식회사 | 다이 픽업 유닛 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치 |
CN104517876B (zh) * | 2013-09-30 | 2018-11-27 | 韩华泰科株式会社 | 封装件运送器组件 |
JP6470088B2 (ja) * | 2015-04-02 | 2019-02-13 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
JP6584234B2 (ja) * | 2015-08-31 | 2019-10-02 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-05-31 JP JP2017108048A patent/JP6868471B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-09 TW TW107115690A patent/TWI710034B/zh active
- 2018-05-28 KR KR1020180060164A patent/KR102050741B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-29 CN CN201810531504.4A patent/CN108987291B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200425068Y1 (ko) | 2006-04-28 | 2006-09-01 | 한양정밀 (주) | 칩 이송장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6868471B2 (ja) | 2021-05-12 |
CN108987291A (zh) | 2018-12-11 |
TW201903913A (zh) | 2019-01-16 |
TWI710034B (zh) | 2020-11-11 |
JP2018206844A (ja) | 2018-12-27 |
KR20180131426A (ko) | 2018-12-10 |
CN108987291B (zh) | 2022-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102112776B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR102399836B1 (ko) | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR102066874B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI734030B (zh) | 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法 | |
TW201732961A (zh) | 黏晶裝置及半導體裝置的製造方法 | |
KR102050741B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20190107571A (ko) | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2017212255A (ja) | 半導体製造装置及び製造方法 | |
KR20210108306A (ko) | 다이 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 박리 장치 | |
KR102062121B1 (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20200034600A (ko) | 반도체 제조 장치, 밀어올림 지그 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20180124962A (ko) | 박리 장치 | |
KR20190110026A (ko) | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP6587493B2 (ja) | 接着ヘッド及びそれを用いた半導体製造装置 | |
JP2010141179A (ja) | 半導体吸着用コレット | |
JP4627649B2 (ja) | 半導体チップのピックアップ装置、ピックアップ方法及び実装装置 | |
JP7128697B2 (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
KR100310282B1 (ko) | 본딩 장치 | |
US20030102483A1 (en) | Method of manufacturing optical semiconductor device | |
WO2011007398A1 (ja) | ピックアップ装置 | |
KR102430326B1 (ko) | 다이 본딩 장치, 박리 유닛, 콜릿 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP7291586B2 (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
US20230022883A1 (en) | Die ejecting apparatus and die bonding equipment including same | |
WO2022004151A1 (ja) | 物品の製造装置、物品の製造方法 | |
JPH06244245A (ja) | 半導体素子接合装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |