JP6859964B2 - 高周波用soiウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
いずれもシリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハとを、ボンドウェーハの表面に形成した酸化膜を介して貼り合わせ、結合強度を高めるために、結合熱処理(1050℃、2時間)を行った後、ボンドウェーハを研削・研磨により薄膜化することによって、下記のような構造をもつシリコンSOIウェーハ(直径200mm)を準備した。
シリコンSOIウェーハ
SOI層:1000nm、ボロンドープ10Ωcm、<100>
BOX層:500nm
ベースウェーハ:ボロンドープ1000Ωcm、<100>
ベースウェーハの表面に、予めポリシリコン層をCVD法により2000nm堆積し、その表面を研磨して1000nmのポリシリコン層を形成した後にボンドウェーハと貼り合わせたこと以外は、実施例1のレーザー照射前のシリコンSOIウェーハの作製条件と同一の条件でレーザー照射をしていない下記の高周波用SOIウェーハを作製した。
高周波用SOIウェーハ
SOI層:1000nm、ボロンドープ10Ωcm、<100>
BOX層:500nm
ポリシリコン層:1000nm
ベースウェーハ:ボロンドープ1000Ωcm、<100>
3、3´…ベースウェーハ、 4…ポリシリコン層、 5…BOX層、
6…SOI層、 7…酸化膜。
Claims (4)
- ベースウェーハ、ポリシリコン層、BOX層、及びSOI層がこの順に積層された構造を含む高周波用SOIウェーハの製造方法であって、
ベースウェーハ、BOX層、及びSOI層がこの順に積層された構造を含むシリコンSOIウェーハに前記SOI層表面側からレーザー照射を行い、前記ベースウェーハの一部の領域をポリシリコン化してポリシリコン層を形成することを特徴とする高周波用SOIウェーハの製造方法。 - 前記レーザーの焦点深度を調整することによって、前記ポリシリコン層の形成深さを制御することを特徴とする請求項1に記載の高周波用SOIウェーハの製造方法。
- 前記レーザー照射を行った後、前記ポリシリコン層が形成された前記シリコンSOIウェーハを1000℃から1300℃の温度範囲内でRTA処理することにより、前記SOI層の欠陥をアニールアウトすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の高周波用SOIウェーハの製造方法。
- 前記レーザー照射前のシリコンSOIウェーハの表面に、予め酸化膜を形成しておくことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の高周波用SOIウェーハの製造方法。
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