JP6855840B2 - 反射型液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、反射型液晶表示素子及びその製造方法に関し、例えば品質を高めることが可能な反射型液晶表示素子及びその製造方法に関する。
カラー画像を表示する反射型液晶表示素子には、様々なタイプのものがある。例えば、３素子のそれぞれによって表示される３原色の画像を組み合わせることにより１画素当たりのカラー画像を表示するタイプ、１素子毎に表示される画像の色をフィールドシーケンシャル方式で切り替えることにより１画素当たりのカラー画像を表示するタイプ、及び、１素子毎に設けられた３原色分のカラーフィルタの組み合わせにより１画素当たりのカラー画像を表示するタイプ（特許文献１参照）などがある。
ここで、特許文献１に開示された反射型液晶表示素子では、反射膜（反射用メタル電極）及びカラーフィルタが形成された一方の基板と、透明電極が形成された他方の基板とが、液晶を介して対向配置されている。
特開２０００−１３１６８５号公報
しかしながら、特許文献１の構成では、反射膜と透明電極との間に液晶のみならずカラーフィルタも形成されるため、反射膜と透明電極とのギャップ（距離）が広くなってしまう。それにより、特許文献１の構成では、液晶を低電圧で駆動することができず、その結果、消費電力が増大してしまうという問題があった。即ち、特許文献１の構成では、反射型液晶表示素子の品質が低下してしまうという問題があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、品質を高めることが可能な反射型液晶表示素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様にかかる反射型液晶表示素子の製造方法は、第１基板の表面に電子回路とともに絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層の表面に複数の反射用メタル電極を形成するステップと、第２基板の表面に前記複数の反射用メタル電極に対応する複数のカラーフィルタを形成するステップと、前記複数のカラーフィルタを覆うようにコート層を形成するステップと、前記コート層の表面に透明電極を形成するステップと、前記第１基板と前記第２基板とを複数のスペーサを挟んで対向配置するステップと、前記第１基板と前記第２基板との間の空間領域に液晶を注入するステップと、を有する。
本発明の一態様にかかる反射型液晶表示素子は、第１基板と、前記第１基板の表面に形成された電子回路及びそれを含む絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成された複数の反射用メタル電極と、複数のスペーサと、前記第１基板と前記複数のスペーサを挟んで対向配置された第２基板と、前記第２基板の表面に形成された、前記複数の反射用メタル電極に対応する複数のカラーフィルタと、前記複数のカラーフィルタを覆うように形成されたコート層と、前記コート層の表面に形成された透明電極と、前記第１基板と前記第２基板との間の空間領域に形成された液晶と、を有する。
本発明によれば、品質を高めることが可能な反射型液晶表示素子及びそのの製造方法を提供することができる。
実施の形態１に係る反射型液晶表示素子を示す断面模式図である。 実施の形態１に係る反射型液晶表示素子を示す平面模式図である。 図１に示す反射型液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。 図１に示す反射型液晶表示素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 図１に示す反射型液晶表示素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 図１に示す反射型液晶表示素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 図１に示す反射型液晶表示素子の製造工程を説明するための断面模式図である。 実施の形態２に係る反射型液晶表示素子の製造工程を説明するための断面模式図である。
＜実施の形態１＞
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、反射型液晶表示素子１００を示す断面模式図である。
図２は、反射型液晶表示素子１００を示す平面模式図である。
図１に示すように、反射型液晶表示素子１００は、ガラス基板（第２基板）１０１と、コート層１０２と、貼り合わせ用アライメントマーク（第２アライメントマーク）１０３と、緑、赤、青のカラーフィルタ１０４〜１０６と、透明電極１０７と、封止材１０８と、導電型スペーサ１０９と、電極１１０と、貼り合わせ用アライメントマーク（第１アライメントマーク）１１１と、反射用メタル電極１１２と、液晶１１３と、非導電型スペーサ１１４と、絶縁層１１５と、メタル配線１１６と、アライメントマーク１１７，１１８と、トランジスタ１１９，１２０と、シリコン基板（第１基板）１２１と、を備える。なお、図示されていないが、液晶１１３の両面には、何れも、配向膜が設けられ、ガラス基板１０１には、偏光板が設けられている。
シリコン基板１２１上には、複数のトランジスタ１１９，１２０及びメタル配線１１６からなる電子回路と、それを含む絶縁層１１５と、アライメントマーク１１７と、が形成されている。なお、シリコン基板１２１上に形成される各構成要素の形成位置は、アライメントマーク１１７の形成位置が基準となって決定されている。本実施の形態では、シリコン基板１２１が設けられた場合について説明しているが、シリコン基板１２１の代わりにガラス基板が用いられてもよい。
また、絶縁層１１５上には、チップの内部領域（液晶１１３が形成される領域）において、複数の反射用メタル電極１１２と、貼り合わせ用アライメントマーク１１１と、が形成され、チップの外周辺領域（封止材１０８が形成される領域）において、電極１１０が形成されている。図２を参照すると、貼り合わせ用アライメントマーク１１１は、平面視して矩形状のチップの対角線上に２つ形成されている。
さらに、絶縁層１１５上には、チップの外周辺領域において、封止材１０８が形成されている。図２を参照すると、封止材１０８は、平面視して矩形状のチップの外周辺に沿って形成されている。封止材１０８の内部には、球体の複数のスペーサが形成されている。それにより、ガラス基板１０１とシリコン基板１２１との間には、均一なスペースが確保される。複数のスペーサのいくつかは、導電型スペーサ１０９であって、残りは、非導電型スペーサ１１４である。なお、導電型スペーサ１０９は、電極１１０に接触するように配置されている。
ガラス基板１０１は、シリコン基板１２１と複数のスペーサを挟んで対向配置されている。ガラス基板１０１には、アライメントマーク１１８が形成されている。なお、ガラス基板１０１上に形成される各構成要素の形成位置は、アライメントマーク１１８の形成位置が基準となって決定される。
また、ガラス基板１０１上には、チップの内部領域（液晶１１３が形成される領域）において、複数の反射用メタル電極１１２に対応する複数のカラーフィルタ１０４〜１０６と、貼り合わせ用アライメントマーク１０３と、が形成されている。図２を参照すると、貼り合わせ用アライメントマーク１０３は、貼り合わせ用アライメントマーク１１１に対向するようにして、平面視して矩形状のチップの対角線上に２つ形成されている。
また、複数のカラーフィルタ１０４〜１０６を覆うようにして、コート層１０２が形成されている。コート層１０２により、ガラス基板１０１の表面が平坦化される。さらに、コート層１０２の表面には、透明電極１０７が形成されている。
シリコン基板１２１と、ガラス基板１０１と、封止材１０８と、によって囲まれた空間領域には、液晶１１３が封入されている。
ここで、導電型スペーサ１０９は、電極１１０だけでなく、透明電極１０７の端部にも接触している。これにより、例えばトランジスタ１２０がオンすることで出力された電力は、電極１１０及び導電型スペーサ１０９を介して透明電極１０７に供給され、その結果、液晶１１３が駆動される。
反射型液晶表示素子１００では、外部からの光が、反射用メタル電極１１２で反射して、液晶１１３を通過し、カラーフィルタ１０４〜１０６により色づけされた後、画像としてモニタに表示される。
（反射型液晶表示素子の製造方法）
続いて、図３〜図７を参照しつつ、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法について説明する。図３は、実施の形態１に係る反射型液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。図４〜図７は、実施の形態１に係る反射型液晶表示素子の各製造工程を説明するための断面模式図である。
まず、シリコン基板１２１上において、液晶を駆動するための電子回路の形成を行う（図３のステップＳ１０１）。以下、図４を用いて具体的に説明する。
図４に示すように、まず、シリコン基板１２１の表面に、アライメントマーク１１７を形成する。その後、シリコン基板１２１上では、アライメントマーク１１７を基準にして各構成要素の形成が行われる。
アライメントマーク１１７の形成後、アライメントマーク１１７と同一層において複数のトランジスタ１１９及びトランジスタ１２０を形成する。なお、複数のトランジスタ１１９は、反射用メタル電極１１２に対して電力を供給するか否かを切り替えるトランジスタである。また、トランジスタ１２０は、電極１１０に対して電力を供給するか否かを切り替えるトランジスタである。
その後、絶縁層１１５を介在させながら、トランジスタ形成層よりも上層にある複数の配線層に、複数のメタル配線１１６を形成する。その後、最上位層（絶縁層１１５の表面上）では、チップの外周辺領域（封止材１０８が形成される領域）において電極１１０を形成し、チップの内部領域（液晶１１３が形成される領域）において、複数の反射用メタル電極１１２及び貼り合わせ用アライメントマーク１１１を形成する。このようにして、シリコン基板１２１上において電子回路の形成が行われる。
なお、貼り合わせ用アライメントマーク１１１は、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを貼り合わせる際の位置合わせに用いられる。図２を参照すると、反射型液晶表示素子１００には、一つのチップ当たり、対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１１１が配置されている。
次に、ガラス基板１０１上において、カラーフィルタの形成を行う（図３のステップＳ１０２）。以下、図５を用いて具体的に説明する。
図５に示すように、まず、ガラス基板１０１の表面に、アライメントマーク１１８を形成する。その後、ガラス基板１０１上では、アライメントマーク１１８を基準にして各構成要素の形成が行われる。
アライメントマーク１１８の形成後、ガラス基板１０１の表面において、緑、赤、青の３色分のカラーフィルタ１０４〜１０６を順に形成するとともに、貼り合わせ用アライメントマーク１０３を形成する。
なお、貼り合わせ用アライメントマーク１０３は、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを貼り合わせる際の位置合わせに用いられる。図２を参照すると、反射型液晶表示素子１００には、一つのチップ当たり、対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１０３が配置されている。
その後、カラーフィルタ１０４〜１０６及び貼り合わせ用アライメントマーク１０３を覆うようにして、ガラス基板１０１の表面全体に渡ってコート層１０２を形成する。それにより、ガラス基板１０１の表面が平坦化される。
その後、コート層１０２の表面に、透明電極１０７を形成する。より具体的には、コート層１０２の表面全体に透明電極１０７を形成した後、透明電極１０７の外周辺端部をエッチングにより除去する。それにより、透明電極１０７は、平面視上、チップよりも一回り小さい矩形状に形成される（図２参照）。換言すると、透明電極１０７は、チップの内部領域から外周辺領域の一部にまで張り出すようにして形成される。
次に、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との貼り合わせを行う（図３のステップＳ１０３）。以下、図６を用いて具体的に説明する。
図６に示すように、まず、シリコン基板１２１の表面（より具体的には、シリコン基板１２１上に形成された絶縁層１１５の表面）上に、チップの外周辺に沿って、封止材１０８を配置する。封止材１０８の内部には、球体の複数のスペーサを配置する。複数のスペーサのいくつかは、導電型スペーサ１０９であって、残りは、非導電型スペーサ１１４である。なお、導電型スペーサ１０９は、電極１１０に接触するように配置される。
その後、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３が対向するようにして貼り合わせる。換言すると、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置が一致するように貼り合わせる。
ここで、貼り合わせ用アライメントマーク１１１は、シリコン基板１２１の最上位層（より具体的には、シリコン基板１２１上に形成された絶縁層１１５の表面）に形成されている。それにより、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の距離を近づけた状態で、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間の位置関係を調整することができるため、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを正確に対向配置することができる。
その後、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを貼り合わせた状態で、紫外線を照射することにより、封止材１０８を硬化させる。それにより、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とが結合する。なお、このとき、導電型スペーサ１０９は、電極１１０だけでなく、透明電極１０７の端部にも接触している。これにより、トランジスタ１２０がオンすることで出力された電力は、電極１１０及び導電型スペーサ１０９を介して透明電極１０７に供給されることになる。
次に、液晶１１３の注入を行う（図３のステップＳ１０４）。
具体的には、図７に示すように、シリコン基板１２１、ガラス基板１０１及び封止材１０８によって囲まれた空間領域に対し、真空状態で、液晶１１３を注入する。
このような工程を経て、図２及び図１に示すような、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００が製造される。
このように、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法は、反射用メタル電極１１２の上層にカラーフィルタが形成される反射型液晶表示素子の場合と比較して、透明電極１０７と反射用メタル電極１１２とのギャップ（距離）を狭くすることができる。それにより、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法は、液晶１１３をより低電圧で駆動することが可能になるため、消費電力の増大を抑制することができる。即ち、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法は、素子の品質を向上させることができる。
また、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法では、複数のスペーサが、チップの外周辺に沿って配置された封止材１０８の内部に配置されており、平面視上、貼り合わせ用アライメントマーク１０３，１１１とは異なる位置に配置されている。そのため、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法では、複数のスペーサによって視界を遮られることなく、貼り合わせ用アライメントマーク１１１、１０３を用いて、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間の位置関係を調整することができる。
また、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法では、透明電極１０７の端部が、チップの内部領域（液晶１１３の形成領域）に止まらずに、チップの外周辺領域（封止材１０８の形成領域）にまで延在している。そのため、液晶１１３は、透明電極１０７の端部に集中する電界の影響を受けなくて済む。
また、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法では、トランジスタ１２０がオンすることで出力された電力が、チップ内に設けられた電極１１０及び導電型スペーサ１０９を介して透明電極１０７に供給されており、配線等の電力供給経路がチップ外に形成されない。そのため、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法は、断線による故障等を防ぐことができる。
また、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法では、貼り合わせ用アライメントマーク１１１が、反射用メタル電極１１２とともに、シリコン基板１２１の最上位層（より具体的には、シリコン基板１２１上に形成された絶縁層１１５の表面）に形成されている。それにより、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法では、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の距離を近づけた状態で、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間の位置関係を調整することができるため、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを正確に対向配置することができる。
さらに、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子１００及びその製造方法では、シリコン基板１２１上において、平面視してチップの対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１１１が形成されるとともに、ガラス基板１０１上において、平面視してチップの対角線上に２つの貼り合わせ用アライメントマーク１０３が形成されている。そのため、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とを対向配置する場合に、回転方向の位置のずれも抑制することができる。
＜実施の形態２＞
図８は、実施の形態２にかかる反射型液晶表示素子の製造工程の一部を説明するための断面模式図である。図８では、反射型液晶表示素子１００のシリコン基板１２１とガラス基板１０１とを精度良く対向配置する方法が示されている。以下、具体的に説明する。
まず、図８の（Ａ）に示すように、反射型液晶表示素子の製造装置１のステージ１１に、電子回路、反射用メタル電極１１２、及び、貼り合わせ用アライメントマーク１１１等が形成されたシリコン基板１２１を設置する。また、シリコン基板１２１上（より詳細には、シリコン基板１２１上の外周辺領域）に、封止材１０８を配置する。さらに、封止材１０８上に、カラーフィルタ１０４〜１０６、透明電極１０７、及び、貼り合わせ用アライメントマーク１０３等が形成されたガラス基板１０１を設置する。
ここで、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とは、貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３が対向するように配置される。換言すると、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とは、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置のずれが許容値（例えば、数ミクロンオーダーの許容値）の範囲内となるように対向配置される。
その後、ガラス基板１０１の上部に製造装置１の固定部材１２を設置する。それにより、シリコン基板１２１、封止材１０８及びガラス基板１０１は、ステージ１１と固定部材１２とによって挟まれ、固定される。なお、このとき、ステージ１１の高さはｈ０であり、ストッパー１３の先端部の高さはｈ１（ｈ１＞ｈ０）に設定されている。
例えば、封止材１０８の圧縮前の厚みは２０μｍ〜数十μｍであり、封止材１０８の圧縮完了後の厚みは数μｍになる。
その後、図８の（Ｂ）に示すように、ステージ１１の高さをｈ０からストッパー１３の先端部の高さｈ１まで鉛直上方向（ｚ軸プラス方向）に移動させる。それにより、シリコン基板１２１とガラス基板１０１とが密着する方向に圧縮される。
ここで、ステージ１１の高さをｈ０からｈ１に移動中（即ち、圧縮の進行中）において、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置のずれが許容値（所定値）を超えていない場合、圧縮を継続する。他方、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置のずれが許容値を超えた場合、圧縮を停止する。そして、ステージ１１の高さを圧縮停止直前の高さに維持した状態で、位置のずれが許容値以下となるようにシリコン基板１２１及びガラス基板１０１の何れかの位置を調整する。その後、圧縮を再び開始して、ステージ１１の高さををｈ１まで移動させる。
その後、図８の（Ｃ）に示すように、ストッパー１３の先端部の高さをｈ２（ｈ２＞ｈ１）に設定し直した後、ステージ１１の高さをｈ１からｈ２まで鉛直上方向（ｚ軸プラス方向）に移動させる。
ここで、ステージ１１の高さをｈ１からｈ２に移動中（即ち、圧縮の進行中）において、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置のずれが許容値を超えていない場合、圧縮を継続する。他方、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置のずれが許容値を超えた場合、圧縮を停止する。そして、ステージ１１の高さを圧縮停止直前の高さに維持した状態で、位置のずれが許容値以下となるように、シリコン基板１２１及びガラス基板１０１の何れかの位置を調整する。その後、圧縮を再び開始して、ステージ１１の高さををｈ２まで移動させる。
その後、図８の（Ｄ）に示すように、ストッパー１３を開放した後、ステージ１１の高さをｈ２からシリコン基板１２１とガラス基板１０１との間のギャップが所望する値になるまで鉛直上方向（ｚ軸プラス方向）に移動させる。
ここで、ステージ１１の高さをｈ２から上方に移動中（即ち、圧縮の進行中）において、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置のずれが許容値を超えていない場合、圧縮を継続する。他方、平面視して貼り合わせ用アライメントマーク１１１，１０３の位置のずれが許容値を超えた場合、圧縮を停止する。そして、位置のずれが許容値以下となるように、シリコン基板１２１及びガラス基板１０１の何れかの位置を調整する。その後、圧縮を再び開始して、シリコン基板１２１とガラス基板１０１との間のギャップが所望する値になるまで、ステージ１１の高さを移動させる。その後、最終的な位置ずれの調整を行った後、封止材１０８を硬化させる。
このように、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、シリコン基板とガラス基板との圧縮の進行中に、シリコン基板に形成されたアライメントマークと、ガラス基板に形成されたアライメントマークと、の位置のずれが許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲外である場合には、圧縮を停止して、位置のずれを許容範囲内に調整した後、再び圧縮を開始する。それにより、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、シリコン基板とガラス基板とを正確に対向配置することが可能となる。即ち、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、反射型液晶表示素子の品質を向上させることができる。
なお、圧縮前と圧縮完了後にのみ位置ずれの調整を行う反射型液晶表示素子の製造方法の場合、圧縮完了後の位置ずれが非常に大きくなってしまう可能性がある。その場合、高い圧力が付加された状態で位置ずれの調整を行う必要があるため、例えば、封止材中に設けられた球体の複数のスペーサによって、シリコン基板上の反射用メタル電極やガラス基板上の透明電極などが傷つけられてしまう可能性がある。また、封止材が意図しない領域にまで広がってしまう可能性もある。さらに、シリコン基板とガラス基板との間のギャップが不均一になってしまう可能性もある。
それに対し、本実施の形態に係る反射型液晶表示素子の製造方法の場合、圧縮が完了する前に（より好ましくは、圧縮の進行中に）、シリコン基板に形成されたアライメントマークと、ガラス基板に形成されたアライメントマークと、の位置のずれが許容範囲内であるか否かを判定し、必要に応じて位置のずれを調整している。それにより、最終的に付加される圧力よりも低い圧力が付加された状態で位置ずれの調整を行うことができ、かつ、位置ずれの調整をできる限り小さくすることができる。そのため、例えば、封止材中に設けられた球体の複数のスペーサによって、シリコン基板上の反射用メタル電極やガラス基板上の透明電極などが傷つけられることを防ぐことができる。また、封止材が意図しない領域にまで広がることを防ぐことができる。さらに、シリコン基板とガラス基板との間のギャップを均一にすることができる。
本実施の形態では、圧縮が３段階に分けて行われる場合について説明したが、これに限られず、圧縮は任意の段数に分けて行われてよい。また、本実施の形態では、圧縮の進行中に、位置のずれが許容範囲内であるか否かが判定される場合について説明したが、これに限られず、各段階での圧縮完了後に、位置のずれが許容範囲内であるか否かが判定されてもよい。
以上のように、上記実施の形態１に係る反射型液晶表示素子及びその製造方法は、反射用メタル電極１１２の上層にカラーフィルタが形成される反射型液晶表示素子の場合と比較して、透明電極１０７と反射用メタル電極１１２とのギャップ（距離）を狭くすることができる。それにより、上記実施の形態１に係る反射型液晶表示素子及びその製造方法は、液晶１１３をより低電圧で駆動することが可能になるため、消費電力の増大を抑制することができる。上述したその他の有利な効果も含めて、上記実施の形態１に係る反射型液晶表示素子及びその製造方法は、反射型液晶表示素子の品質を向上させることができる。
また、上記実施の形態２に係る反射型液晶表示素子の製造方法は、シリコン基板とガラス基板との圧縮の進行中に、シリコン基板に形成されたアライメントマークと、ガラス基板に形成されたアライメントマークと、の位置のずれが許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲外である場合には、圧縮を停止して、位置のずれを許容範囲内に調整した後、再び圧縮を開始する。それにより、上記実施の形態２に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、シリコン基板とガラス基板とを正確に対向配置することが可能となる。即ち、上記実施の形態２に係る反射型液晶表示素子の製造方法では、反射型液晶表示素子の品質を向上させることができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
１００ 反射型液晶表示素子
１０１ ガラス基板
１０２ コート層
１０３ 貼り合わせ用アライメントマーク
１０４ 緑のカラーフィルタ
１０５ 赤のカラーフィルタ
１０６ 青のカラーフィルタ
１０７ 透明電極
１０８ 封止材
１０９ 導電型スペーサ
１１０ 電極
１１１ 貼り合わせ用アライメントマーク
１１２ 反射用メタル電極
１１３ 液晶
１１４ 非導電型スペーサ
１１５ 絶縁層
１１６ メタル配線
１１７ アライメントマーク
１１８ アライメントマーク
１１９ トランジスタ
１２０ トランジスタ
１２１ シリコン基板
１ 反射型液晶表示素子の製造装置
１１ ステージ
１２ 固定部材
１３ ストッパー

Claims (5)

  1. 第１基板の表面に第１アライメントマークを形成するステップと、
    前記第１基板の表面に、前記第１アライメントマークを基準にして電子回路とともに絶縁層を形成するステップと、
    前記絶縁層の表面に複数の反射用メタル電極を形成するステップと、
    前記複数の反射用メタル電極とともに、前記第１アライメントマークと異なった層に複数の第２アライメントマークを形成するステップと、
    第２基板の表面に第３アライメントマークを形成するステップと、
    前記第２基板の表面に、前記第３アライメントマークを基準にして前記複数の反射用メタル電極に対応する複数のカラーフィルタを形成するステップと、
    前記複数のカラーフィルタとともに、前記第３アライメントマークと異なった層に複数の第４アライメントマークを形成するステップと、
    前記複数のカラーフィルタを覆うようにコート層を形成するステップと、
    前記コート層の表面に透明電極を形成するステップと、
    前記複数の第２アライメントマークが、平面視して、それぞれ前記複数の第４アライメントマークと同じ位置になるように、前記第１基板と前記第２基板とを複数のスペーサを挟んで対向配置するステップと、
    前記第１基板と前記第２基板との間の空間領域に液晶を注入するステップと、
    を有し、
    前記第１及び前記第３アライメントマークは、平面視して、何れも前記複数の第２及び前記複数の第４アライメントマークと異なった位置に配置されている、
    反射型液晶表示素子の製造方法。
  2. 第１基板と、
    前記第１基板の表面に形成された第１アライメントマークと、
    前記第１基板の表面に前記第１アライメントマークを基準にして形成された電子回路及びそれを含む絶縁層と、
    前記絶縁層の表面に形成された複数の反射用メタル電極と、
    前記複数の反射用メタル電極とともに形成された、前記第１アライメントマークと異なった層にある複数の第２アライメントマークと、
    複数のスペーサと、
    前記第１基板と前記複数のスペーサを挟んで対向配置された第２基板と、
    前記第２基板の表面に形成された第３アライメントマークと、
    前記第２基板の表面に前記第３アライメントマークを基準にして形成された、前記複数の反射用メタル電極に対応する複数のカラーフィルタと、
    前記複数のカラーフィルタとともに形成された、前記第３アライメントマークと異なった層にある複数の第４アライメントマークと、
    前記複数のカラーフィルタを覆うように形成されたコート層と、
    前記コート層の表面に形成された透明電極と、
    前記第１基板と前記第２基板との間の空間領域に形成された液晶と、
    を有し、
    前記複数の第２アライメントマークは、平面視して、それぞれ前記複数の第４アライメントマークと同じ位置に配置され、
    前記第１及び前記第３アライメントマークは、平面視して、何れも前記複数の第２及び前記複数の第４アライメントマークと異なった位置に配置されている、
    反射型液晶表示素子。
  3. 第１基板と、
    前記第１基板の表面に形成された電子回路及びそれを含む絶縁層と、
    前記絶縁層の表面に形成された複数の反射用メタル電極と、
    複数のスペーサと、
    前記第１基板と前記複数のスペーサを挟んで対向配置された第２基板と、
    前記第２基板の表面に形成された、前記複数の反射用メタル電極に対応する複数のカラーフィルタと、
    前記複数のカラーフィルタを覆うように形成されたコート層と、
    前記コート層の表面に形成された透明電極と、
    前記第１基板と前記第２基板との間の空間領域に形成された液晶と、
    を有し、
    前記絶縁層の表面に、前記複数の反射用メタル電極とともに形成された第１アライメントマークと、
    前記第２基板の表面に、前記複数のカラーフィルタとともに形成された第２アライメントマークと、をさらに有し、
    前記第１基板及び前記第２基板は、前記第１及び前記第２アライメントマークが対向するように配置されている、
    反射型液晶表示素子の製造方法であって、
    前記第１アライメントマークが形成された前記第１基板と、前記第１アライメントマークに対応する前記第２アライメントマークが形成された前記第２基板と、を封止材を挟んで対向配置するステップと、
    前記第１基板及び前記第２基板を圧縮するステップと、
    を有し、
    前記圧縮のステップでは、
    前記第１基板及び前記第２基板の圧縮を開始するステップと、
    平面視して前記第１及び前記第２アライメントマークの位置のずれが所定値を超えた場合に、前記第１基板及び前記第２基板の圧縮を停止するステップと、
    平面視して前記第１及び前記第２アライメントマークの位置のずれが所定値以下となるように、前記第１基板及び前記第２基板の何れかの位置を調整するステップと、
    前記第１基板及び前記第２基板の圧縮を再び開始するステップと、
    を有する、反射型液晶表示素子の製造方法。
  4. 前記圧縮のステップでは、
    平面視して前記第１及び前記第２アライメントマークの位置のずれが所定値を超えたか否かを、圧縮の進行中に判定する、
    請求項３に記載の反射型液晶表示素子の製造方法。
  5. 第１基板と、
    前記第１基板の表面に形成された電子回路及びそれを含む絶縁層と、
    前記絶縁層の表面に形成された複数の反射用メタル電極と、
    複数のスペーサと、
    封止材と、
    前記複数のスペーサ及び前記封止材を挟んで、前記第１基板と対向配置された第２基板と、
    前記第２基板の表面に形成された、前記複数の反射用メタル電極に対応する複数のカラーフィルタと、
    前記複数のカラーフィルタを覆うように形成されたコート層と、
    前記コート層の表面に形成された透明電極と、
    前記第１基板と前記第２基板と前記封止材の間の空間領域に形成された液晶と、
    を有する、反射型液晶表示素子の製造方法であって、
    前記第１基板及び前記第２基板を請求項３に記載の製造方法を用いて圧縮することにより、前記第１基板と前記第２基板とを前記複数のスペーサ及び前記封止材を挟んで対向配置する、反射型液晶表示素子の製造方法。
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