JP2002333632A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 柱状スペーサにより安定したギャップを形成
することができ、かつ高品質の液晶表示装置を製造す
る。 【解決手段】 開示される液晶表示装置の製造方法は、
ＴＦＴ基板１とＣＦ基板２との間に液晶３を封入するギ
ャップを確保する柱状スペーサ３０を形成した後、最終
的にギャップを決定する加圧封孔を０．１５ｋｇ／ｃｍ
2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加圧封孔荷重を加えて
行う。
することができ、かつ高品質の液晶表示装置を製造す
る。 【解決手段】 開示される液晶表示装置の製造方法は、
ＴＦＴ基板１とＣＦ基板２との間に液晶３を封入するギ
ャップを確保する柱状スペーサ３０を形成した後、最終
的にギャップを決定する加圧封孔を０．１５ｋｇ／ｃｍ
2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加圧封孔荷重を加えて
行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置の
製造方法に係り、詳しくは、駆動素子基板と対向基板と
の間に液晶を封入するギャップを確保するための柱状ス
ペーサが配置されてなる液晶表示装置の製造方法に関す
る。
製造方法に係り、詳しくは、駆動素子基板と対向基板と
の間に液晶を封入するギャップを確保するための柱状ス
ペーサが配置されてなる液晶表示装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】各種の情報機器等のディスプレイとして
液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置は、
液晶を駆動する駆動素子（スイッチング素子）として動
作するＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジス
タ）が形成されたＴＦＴ基板（駆動素子基板）と、ＣＦ
(Color Filter;カラーフィルタ)が形成されたＣＦ基板
（対向基板）との間のギャップに液晶が封入された構成
を基本としている。ここで、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との
間のギャップを確保するために、従来から球状スペーサ
を用いて両基板間に配置することが行われている。
液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置は、
液晶を駆動する駆動素子（スイッチング素子）として動
作するＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジス
タ）が形成されたＴＦＴ基板（駆動素子基板）と、ＣＦ
(Color Filter;カラーフィルタ)が形成されたＣＦ基板
（対向基板）との間のギャップに液晶が封入された構成
を基本としている。ここで、ＴＦＴ基板とＣＦ基板との
間のギャップを確保するために、従来から球状スペーサ
を用いて両基板間に配置することが行われている。
【０００３】図１０は、そのように球状スペーサを配置
する方法を概略的に示す図である。まず、図１０（ａ）
に示すように、いずれか一方の基板例えばＴＦＴ基板１
０１を用いて、予め用意した樹脂等から成る直径が４〜
８μｍの球状スペーサ１０２をそのＴＦＴ基板１０１上
に散布する。次に、図１０（ｂ）に示すように、ＣＦ基
板１０３を球状スペーサ１０２に接するようにＴＦＴ基
板１０１上に重ね合わせた後、両基板を張り合わせて液
晶セルを形成する。ここで、ＴＦＴ基板１０１及びＣＦ
基板１０３には、それぞれＴＦＴやＣＦ等の必要な構成
要素（部品）が既に形成されているものとする。そし
て、両基板１０１、１０３間に液晶（図示せず）を注入
した後、液晶セルに周辺駆動回路を接続して液晶表示装
置を完成させる。
する方法を概略的に示す図である。まず、図１０（ａ）
に示すように、いずれか一方の基板例えばＴＦＴ基板１
０１を用いて、予め用意した樹脂等から成る直径が４〜
８μｍの球状スペーサ１０２をそのＴＦＴ基板１０１上
に散布する。次に、図１０（ｂ）に示すように、ＣＦ基
板１０３を球状スペーサ１０２に接するようにＴＦＴ基
板１０１上に重ね合わせた後、両基板を張り合わせて液
晶セルを形成する。ここで、ＴＦＴ基板１０１及びＣＦ
基板１０３には、それぞれＴＦＴやＣＦ等の必要な構成
要素（部品）が既に形成されているものとする。そし
て、両基板１０１、１０３間に液晶（図示せず）を注入
した後、液晶セルに周辺駆動回路を接続して液晶表示装
置を完成させる。
【０００４】このように、球状スペーサを用いる液晶表
示装置の製造方法では、上述したように、球状スペーサ
１０２を一方の基板１０１上に散布すればよいので、ス
ペーサを設ける工程が簡単になるという利点がある。そ
の反面、球状スペーサ１０２は基板１０１上にランダム
に散布されるので散布密度（配置密度）がばらついた
り、球状ゆえに製造工程時に基板１０１上を転がり易い
ために周囲に移動し易い等の不具合が生ずるので、いわ
ゆる面内の均一性が悪化する。また、表示画素内にも球
状スペーサが存在するようになるので、液晶表示装置の
コントラストが低下するのが避けられない。
示装置の製造方法では、上述したように、球状スペーサ
１０２を一方の基板１０１上に散布すればよいので、ス
ペーサを設ける工程が簡単になるという利点がある。そ
の反面、球状スペーサ１０２は基板１０１上にランダム
に散布されるので散布密度（配置密度）がばらついた
り、球状ゆえに製造工程時に基板１０１上を転がり易い
ために周囲に移動し易い等の不具合が生ずるので、いわ
ゆる面内の均一性が悪化する。また、表示画素内にも球
状スペーサが存在するようになるので、液晶表示装置の
コントラストが低下するのが避けられない。
【０００５】それゆえ、最近の液晶表示装置では、球状
スペーサに代えて柱状スペーサをＴＦＴ基板とＣＦ基板
との間に配置することが行われている。例えば、特開平
１１−３０５２３９号公報には、そのように両基板間に
柱状スペーサを配置するようにした構成の液晶表示装置
が開示されている。この柱状スペーサは、例えばカラー
フィルタを形成するとき同時に同材料を利用してＣＦ基
板上に形成することが行われている。
スペーサに代えて柱状スペーサをＴＦＴ基板とＣＦ基板
との間に配置することが行われている。例えば、特開平
１１−３０５２３９号公報には、そのように両基板間に
柱状スペーサを配置するようにした構成の液晶表示装置
が開示されている。この柱状スペーサは、例えばカラー
フィルタを形成するとき同時に同材料を利用してＣＦ基
板上に形成することが行われている。
【０００６】次に、図１１を参照して、柱状スペーサを
用いた従来の液晶表示装置の製造方法を概略的に説明す
る。まず、図１１（ａ）に示すように、予め必要な構成
部品を形成した例えばＣＦ基板１０３のＴＦＴ基板との
対向面となる面にアクリル樹脂を主成分とするフォトレ
ジスト膜１０４を塗布した後、露光、現像処理を施して
フォトレジスト膜１０４をパターニングして、柱状スペ
ーサ１０５を形成する。これによって、柱状スペーサ１
０５がＣＦ基板１０３上に固定されるように形成され
る。したがって、柱状スペーサ１０５は、球状スペーサ
のように配置密度がばらつくことはなく、また製造工程
時に基板１０３上を移動することはないので、面内の均
一性が悪化しない。さらに、柱状スペーサ１０５の配置
位置を任意に選べるので、表示画素内に存在させないよ
うに調整できるので、コントラストの低下も避けられる
利点がある。
用いた従来の液晶表示装置の製造方法を概略的に説明す
る。まず、図１１（ａ）に示すように、予め必要な構成
部品を形成した例えばＣＦ基板１０３のＴＦＴ基板との
対向面となる面にアクリル樹脂を主成分とするフォトレ
ジスト膜１０４を塗布した後、露光、現像処理を施して
フォトレジスト膜１０４をパターニングして、柱状スペ
ーサ１０５を形成する。これによって、柱状スペーサ１
０５がＣＦ基板１０３上に固定されるように形成され
る。したがって、柱状スペーサ１０５は、球状スペーサ
のように配置密度がばらつくことはなく、また製造工程
時に基板１０３上を移動することはないので、面内の均
一性が悪化しない。さらに、柱状スペーサ１０５の配置
位置を任意に選べるので、表示画素内に存在させないよ
うに調整できるので、コントラストの低下も避けられる
利点がある。
【０００７】次に、図１１（ｂ）に示すように、例えば
ポリイミド膜から成る配向膜１０６を印刷により全面に
形成する。次に、配向膜１０６内から溶剤を除去するた
め、ＣＦ基板１０３に対して配向焼成処理を施す。次
に、配向膜１０６の所定位置に例えばエポキシ樹脂から
成るシール１０７を印刷により形成する。このシール１
０７の側面には液晶を注入するための注入孔１０９が形
成される。
ポリイミド膜から成る配向膜１０６を印刷により全面に
形成する。次に、配向膜１０６内から溶剤を除去するた
め、ＣＦ基板１０３に対して配向焼成処理を施す。次
に、配向膜１０６の所定位置に例えばエポキシ樹脂から
成るシール１０７を印刷により形成する。このシール１
０７の側面には液晶を注入するための注入孔１０９が形
成される。
【０００８】一方、図１１（ｃ）に示すように、予めＴ
ＦＴを含めた必要な構成部品が形成されたＴＦＴ基板１
０１を用いて、ＴＦＴ基板１０１を柱状スペーサ１０５
に接するようにＣＦ基板１０３上に重ね合わせる。この
重ね合わせは、両基板１０１、１０３に所定の重ね合わ
せ荷重Ｗ１を加えながら、両基板１０１、１０３が所定
の位置関係となるようにＴＦＴ基板１０１を柱状スペー
サ１０５に対して横方向Ｘにずらして、アライメント動
作を行うようにする。従来における重ね合わせは、球状
スペーサを用いた場合と略同じ値である０．３ｋｇ／ｃ
ｍ2〜０．６ｋｇ／ｃｍ2の重ね合わせ荷重Ｗ１を加えな
がら、シール１０７を潰ぶしながら行う。次に、重ね合
わせた両基板１０１、１０３を、球状スペーサを用いた
場合と略同じ値である略０．５ｋｇ／ｃｍ2のシール焼
成荷重Ｗ２（図示せず）を加えながら、シール１０７を
加熱して柱状スペーサ１０５を硬化させるシール焼成を
行う。これによって、ＴＦＴ基板１０１とＣＦ基板１０
３との間に、柱状スペーサ１０５によりギャップ１０８
が確保された液晶セルが形成される。
ＦＴを含めた必要な構成部品が形成されたＴＦＴ基板１
０１を用いて、ＴＦＴ基板１０１を柱状スペーサ１０５
に接するようにＣＦ基板１０３上に重ね合わせる。この
重ね合わせは、両基板１０１、１０３に所定の重ね合わ
せ荷重Ｗ１を加えながら、両基板１０１、１０３が所定
の位置関係となるようにＴＦＴ基板１０１を柱状スペー
サ１０５に対して横方向Ｘにずらして、アライメント動
作を行うようにする。従来における重ね合わせは、球状
スペーサを用いた場合と略同じ値である０．３ｋｇ／ｃ
ｍ2〜０．６ｋｇ／ｃｍ2の重ね合わせ荷重Ｗ１を加えな
がら、シール１０７を潰ぶしながら行う。次に、重ね合
わせた両基板１０１、１０３を、球状スペーサを用いた
場合と略同じ値である略０．５ｋｇ／ｃｍ2のシール焼
成荷重Ｗ２（図示せず）を加えながら、シール１０７を
加熱して柱状スペーサ１０５を硬化させるシール焼成を
行う。これによって、ＴＦＴ基板１０１とＣＦ基板１０
３との間に、柱状スペーサ１０５によりギャップ１０８
が確保された液晶セルが形成される。
【０００９】次に、図１１（ｄ）に示すように、シール
１０７の注入孔１０９から液晶１１０を注入した後、最
終的にギャップを決定する加圧封孔を行う。この加圧封
孔は、液晶セル内の余分な液晶を排出し、かつ均一なギ
ャップを確保するために、略０．６ｋｇ／ｃｍ2以上の
加圧封孔荷重Ｗ３を加えながら行う。続いて、液晶セル
に周辺駆動回路を接続して液晶表示装置を完成させる。
１０７の注入孔１０９から液晶１１０を注入した後、最
終的にギャップを決定する加圧封孔を行う。この加圧封
孔は、液晶セル内の余分な液晶を排出し、かつ均一なギ
ャップを確保するために、略０．６ｋｇ／ｃｍ2以上の
加圧封孔荷重Ｗ３を加えながら行う。続いて、液晶セル
に周辺駆動回路を接続して液晶表示装置を完成させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
液晶表示装置の製造方法では、柱状スペーサを形成した
後の製造工程における熱あるいは荷重により柱状スペー
サが影響を受けるので、柱状スペーサにより安定したギ
ャップを形成するのが困難になる、という問題がある。
まず、柱状スペーサを形成した後の配向焼成工程におい
て、配向焼成処理における熱の影響で柱状スペーサが収
縮してしまうので、柱状スペーサの高さが減少してしま
うようになる。図１２はこの様子を説明する図で、図１
２（ａ）に示すように、ＣＦ基板１０３上に柱状スペー
サ１０５を形成してから、全面に配向膜１０６を印刷し
た後に配向焼成処理を施すと、この配向焼成処理におけ
る熱の影響で柱状スペーサ１０５が、図１２（ｂ）に矢
印で示すように、収縮したままになるため、ＴＦＴ基板
１０１との間に形成されるギャップ１０８が狭くなる。
液晶表示装置の製造方法では、柱状スペーサを形成した
後の製造工程における熱あるいは荷重により柱状スペー
サが影響を受けるので、柱状スペーサにより安定したギ
ャップを形成するのが困難になる、という問題がある。
まず、柱状スペーサを形成した後の配向焼成工程におい
て、配向焼成処理における熱の影響で柱状スペーサが収
縮してしまうので、柱状スペーサの高さが減少してしま
うようになる。図１２はこの様子を説明する図で、図１
２（ａ）に示すように、ＣＦ基板１０３上に柱状スペー
サ１０５を形成してから、全面に配向膜１０６を印刷し
た後に配向焼成処理を施すと、この配向焼成処理におけ
る熱の影響で柱状スペーサ１０５が、図１２（ｂ）に矢
印で示すように、収縮したままになるため、ＴＦＴ基板
１０１との間に形成されるギャップ１０８が狭くなる。
【００１１】また、最終的にギャップを決定する加圧封
孔工程において、均一なギャップを形成するためには大
きな加圧封孔荷重を加えることにより余分な液晶を排出
することが望ましいが、大きな加圧封孔荷重の影響によ
り、液晶表示装置が使用される環境温度が変化した場
合、液晶の体積の収縮に柱状スペーサの収縮が追従でき
なくなる。図１３はこの様子を説明する図で、図１３
（ａ）に示すように、加圧封孔時に大きな加圧封孔荷重
Ｗ３（例えば略０．６ｋｇ／ｃｍ2）を加えた場合、柱
状スペーサ１０５は圧縮されるようになる。ここで、図
１３（ａ）に示すように、柱状スペーサ１０５が十分に
圧縮されていれば、環境温度が高温（例えば７０〜８０
℃）になった場合でも、液晶１１０が膨脹しても柱状ス
ペーサ１０５はその弾性特性により液晶１１０の膨張に
追従できるので、均一なギャップが確保できるようにな
る。しかしながら、柱状スペーサ１０５の圧縮分以上に
液晶１１０が膨張したときには、図１３（ｂ）に示すよ
うに、柱状スペーサ１０５は矢印方向の液晶１１０の膨
張に追従できないので、柱状スペーサ１０５がＴＦＴ基
板１０１から離れてしまうようになるため、均一なギャ
ップが確保できなくなる。
孔工程において、均一なギャップを形成するためには大
きな加圧封孔荷重を加えることにより余分な液晶を排出
することが望ましいが、大きな加圧封孔荷重の影響によ
り、液晶表示装置が使用される環境温度が変化した場
合、液晶の体積の収縮に柱状スペーサの収縮が追従でき
なくなる。図１３はこの様子を説明する図で、図１３
（ａ）に示すように、加圧封孔時に大きな加圧封孔荷重
Ｗ３（例えば略０．６ｋｇ／ｃｍ2）を加えた場合、柱
状スペーサ１０５は圧縮されるようになる。ここで、図
１３（ａ）に示すように、柱状スペーサ１０５が十分に
圧縮されていれば、環境温度が高温（例えば７０〜８０
℃）になった場合でも、液晶１１０が膨脹しても柱状ス
ペーサ１０５はその弾性特性により液晶１１０の膨張に
追従できるので、均一なギャップが確保できるようにな
る。しかしながら、柱状スペーサ１０５の圧縮分以上に
液晶１１０が膨張したときには、図１３（ｂ）に示すよ
うに、柱状スペーサ１０５は矢印方向の液晶１１０の膨
張に追従できないので、柱状スペーサ１０５がＴＦＴ基
板１０１から離れてしまうようになるため、均一なギャ
ップが確保できなくなる。
【００１２】一方、環境温度が低温（例えば−１０〜−
２０℃）になった場合には、上述したように柱状スペー
サ１０５が十分に圧縮されていると、図１３（ｃ）に示
すように矢印方向に液晶１１０が収縮したときに、柱状
スペーサ１０５はそれ以上収縮できないため、液晶１１
０の収縮に追従できなくなる。この結果、液晶１１０に
含まれているガスにより気泡１１１が発生するようにな
り、この気泡１１１は光の透過率を低下させることにな
る。このように、加圧封孔時に大きな加圧封孔荷重を加
えると、完成された液晶表示装置が使用される環境温度
が常温以外の高温あるいは低温にさらされた場合、柱状
スペーサ１０５の膨張あるいは収縮が、液晶１１０のそ
れに追従できなくなるので、均一なギャップの形成が困
難になる。
２０℃）になった場合には、上述したように柱状スペー
サ１０５が十分に圧縮されていると、図１３（ｃ）に示
すように矢印方向に液晶１１０が収縮したときに、柱状
スペーサ１０５はそれ以上収縮できないため、液晶１１
０の収縮に追従できなくなる。この結果、液晶１１０に
含まれているガスにより気泡１１１が発生するようにな
り、この気泡１１１は光の透過率を低下させることにな
る。このように、加圧封孔時に大きな加圧封孔荷重を加
えると、完成された液晶表示装置が使用される環境温度
が常温以外の高温あるいは低温にさらされた場合、柱状
スペーサ１０５の膨張あるいは収縮が、液晶１１０のそ
れに追従できなくなるので、均一なギャップの形成が困
難になる。
【００１３】また、従来の液晶表示装置の製造方法で
は、柱状スペーサ１０５を形成した後の製造工程におけ
る熱あるいは加圧により柱状スペーサ１０５が影響を受
けるので、柱状スペーサ１０５により高品質の液晶表示
装置を製造するのが困難になる、という問題がある。
は、柱状スペーサ１０５を形成した後の製造工程におけ
る熱あるいは加圧により柱状スペーサ１０５が影響を受
けるので、柱状スペーサ１０５により高品質の液晶表示
装置を製造するのが困難になる、という問題がある。
【００１４】すなわち、重ね合わせ工程において、大き
な重ね合わせ荷重で加圧しながらＴＦＴ基板とＣＦ基板
との重ね合わせを行うと、アライメント動作が困難にな
る。図１４はこの様子を説明する図で、図１４（ａ）に
示すように、ＴＦＴ基板１０１を配置した後、図１４
（ｂ）に示すように、重ね合わせ時に大きな重ね合わせ
荷重Ｗ１（例えば０．３ｋｇ／ｃｍ2〜０．６ｋｇ／ｃ
ｍ2）を加えた場合、荷重が大きいので、ＣＦ基板１０
３上の柱状スペーサ１０５に対するＴＦＴ基板１０１の
摩擦力が大きくなる。このため、ＴＦＴ基板１０１を横
方向にずらすことが困難になるので、アライメント動作
が難しくなり、無理にＴＦＴ基板１０１をずらそうとす
ると、ＴＦＴ基板１０１の表面を柱状スペーサ１０５に
より損傷させることになり、その表面に形成されている
ＴＦＴあるいは配向膜等を不良にするおそれがある。し
たがって、液晶表示装置の製造歩留まりを低下させるの
で、高品質の液晶表示装置の製造が困難になる。
な重ね合わせ荷重で加圧しながらＴＦＴ基板とＣＦ基板
との重ね合わせを行うと、アライメント動作が困難にな
る。図１４はこの様子を説明する図で、図１４（ａ）に
示すように、ＴＦＴ基板１０１を配置した後、図１４
（ｂ）に示すように、重ね合わせ時に大きな重ね合わせ
荷重Ｗ１（例えば０．３ｋｇ／ｃｍ2〜０．６ｋｇ／ｃ
ｍ2）を加えた場合、荷重が大きいので、ＣＦ基板１０
３上の柱状スペーサ１０５に対するＴＦＴ基板１０１の
摩擦力が大きくなる。このため、ＴＦＴ基板１０１を横
方向にずらすことが困難になるので、アライメント動作
が難しくなり、無理にＴＦＴ基板１０１をずらそうとす
ると、ＴＦＴ基板１０１の表面を柱状スペーサ１０５に
より損傷させることになり、その表面に形成されている
ＴＦＴあるいは配向膜等を不良にするおそれがある。し
たがって、液晶表示装置の製造歩留まりを低下させるの
で、高品質の液晶表示装置の製造が困難になる。
【００１５】また、重ね合わせ工程に続いて行うシール
焼成工程においては、シール焼成荷重による加圧だけで
なく加熱を伴うので、柱状スペーサがその影響で容易に
変形してしまうようになる。図１５はこの様子を説明す
る図で、図１５（ａ）に示したようなシール焼成前の柱
状スペーサ１０５は、図１５（ｂ）に示すように、シー
ル焼成荷重Ｗ２及び加熱によるシール焼成時に硬度が下
がるので容易に変形して、図１５（ｃ）に示すように、
シール焼成後にも柱状スペーサ１０５には変形が残った
ままになる。したがって、この場合にも均一なギャップ
が確保できなくなる。
焼成工程においては、シール焼成荷重による加圧だけで
なく加熱を伴うので、柱状スペーサがその影響で容易に
変形してしまうようになる。図１５はこの様子を説明す
る図で、図１５（ａ）に示したようなシール焼成前の柱
状スペーサ１０５は、図１５（ｂ）に示すように、シー
ル焼成荷重Ｗ２及び加熱によるシール焼成時に硬度が下
がるので容易に変形して、図１５（ｃ）に示すように、
シール焼成後にも柱状スペーサ１０５には変形が残った
ままになる。したがって、この場合にも均一なギャップ
が確保できなくなる。
【００１６】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、柱状スペーサにより安定したギャップを形成す
ることができ、かつ高品質の液晶表示装置を製造するこ
とができるようにした液晶表示装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
もので、柱状スペーサにより安定したギャップを形成す
ることができ、かつ高品質の液晶表示装置を製造するこ
とができるようにした液晶表示装置の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、駆動素子が形成された駆動
素子基板と、該駆動素子基板と対向する対向基板との間
のギャップに液晶が封入され、上記ギャップを確保する
柱状スペーサが上記駆動素子板と上記対向基板との間に
配置されてなる液晶表示装置の製造方法であって、上記
駆動素子基板あるいは上記対向基板のいずれか一方に上
記柱状スペーサを形成する柱状スペーサ形成工程と、上
記柱状スペーサを形成した基板に上記両基板を貼り合わ
せるためのシールを形成するシール形成工程と、上記シ
ールによって上記両基板を貼り合わせた後、上記シール
に予め形成した注入孔を通じて液晶を注入する液晶注入
工程と、上記注入孔を通じて上記液晶の余分量を排出し
た後上記注入孔を封止して最終的に上記ギャップを決定
するために、上記両基板に０．１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．
６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加圧封孔荷重を加える加圧封
孔工程とを含むことを特徴としている。
に、請求項１記載の発明は、駆動素子が形成された駆動
素子基板と、該駆動素子基板と対向する対向基板との間
のギャップに液晶が封入され、上記ギャップを確保する
柱状スペーサが上記駆動素子板と上記対向基板との間に
配置されてなる液晶表示装置の製造方法であって、上記
駆動素子基板あるいは上記対向基板のいずれか一方に上
記柱状スペーサを形成する柱状スペーサ形成工程と、上
記柱状スペーサを形成した基板に上記両基板を貼り合わ
せるためのシールを形成するシール形成工程と、上記シ
ールによって上記両基板を貼り合わせた後、上記シール
に予め形成した注入孔を通じて液晶を注入する液晶注入
工程と、上記注入孔を通じて上記液晶の余分量を排出し
た後上記注入孔を封止して最終的に上記ギャップを決定
するために、上記両基板に０．１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．
６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加圧封孔荷重を加える加圧封
孔工程とを含むことを特徴としている。
【００１７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記シール形成工
程と、上記液晶注入工程との間に、上記シールを潰して
上記両基板を貼り合わせるために、上記両基板に０．０
３ｋｇ／ｃｍ2〜０．１２ｋｇ／ｃｍ2の範囲の重ね合わ
せ荷重を加える重ね合わせ工程を含むことを特徴として
いる。
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記シール形成工
程と、上記液晶注入工程との間に、上記シールを潰して
上記両基板を貼り合わせるために、上記両基板に０．０
３ｋｇ／ｃｍ2〜０．１２ｋｇ／ｃｍ2の範囲の重ね合わ
せ荷重を加える重ね合わせ工程を含むことを特徴として
いる。
【００１８】また、請求項３記載の発明は、請求項２記
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記重ね合わせ工
程の後に、上記シールを焼成するために、上記両基板に
上記加圧封孔工程における上記加圧封孔荷重よりも小さ
なシール焼成荷重を加えるシール焼成工程を含むことを
特徴としている。
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記重ね合わせ工
程の後に、上記シールを焼成するために、上記両基板に
上記加圧封孔工程における上記加圧封孔荷重よりも小さ
なシール焼成荷重を加えるシール焼成工程を含むことを
特徴としている。
【００１９】また、請求項４記載の発明は、請求項１、
２又は３記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記柱
状スペーサ形成工程の後に、該柱状スペーサを覆うよう
に配向膜を形成する配向膜形成工程を含むことを特徴と
している。
２又は３記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記柱
状スペーサ形成工程の後に、該柱状スペーサを覆うよう
に配向膜を形成する配向膜形成工程を含むことを特徴と
している。
【００２０】また、請求項５記載の発明は、請求項４記
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記配向膜形成工
程の後に、該配向膜から溶剤を除去するように焼成処理
を行う配向膜焼成工程を含むことを特徴としている。
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記配向膜形成工
程の後に、該配向膜から溶剤を除去するように焼成処理
を行う配向膜焼成工程を含むことを特徴としている。
【００２１】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記配向膜焼成工
程を、１５０℃〜２３０℃の範囲で、１時間〜３時間の
範囲で行うことを特徴としている。
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記配向膜焼成工
程を、１５０℃〜２３０℃の範囲で、１時間〜３時間の
範囲で行うことを特徴としている。
【００２２】また、請求項７記載の発明は、請求項１乃
至６のいずれか１に記載の液晶表示装置の製造方法に係
り、上記柱状スペーサ形成工程を、上記いずれか一方の
基板にフォトレジスト膜を塗布した後該フォトレジスト
膜を所望の形状にパターニングして行うことを特徴とし
ている。
至６のいずれか１に記載の液晶表示装置の製造方法に係
り、上記柱状スペーサ形成工程を、上記いずれか一方の
基板にフォトレジスト膜を塗布した後該フォトレジスト
膜を所望の形状にパターニングして行うことを特徴とし
ている。
【００２３】また、請求項８記載の発明は、請求項７記
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記フォトレジス
ト膜としてネガタイプを用いることを特徴としている。
載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記フォトレジス
ト膜としてネガタイプを用いることを特徴としている。
【００２４】また、請求項９記載の発明は、請求項１乃
至８のいずれか１に記載の液晶表示装置の製造方法に係
り、上記柱状スペーサを遮光領域に形成することを特徴
としている。
至８のいずれか１に記載の液晶表示装置の製造方法に係
り、上記柱状スペーサを遮光領域に形成することを特徴
としている。
【００２５】また、請求項１０記載の発明は、請求項９
記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記遮光領域は
ブラックマトリクス層が形成されている領域に選ばれる
ことを特徴としている。
記載の液晶表示装置の製造方法に係り、上記遮光領域は
ブラックマトリクス層が形成されている領域に選ばれる
ことを特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１乃至図３は、この発明の第１実施例である液晶表示
装置の製造方法の構成を工程順に示す工程図、図４は同
液晶表示装置の製造方法において、柱状スペーサが重ね
合わせ荷重の影響を受けない様子を説明する図、図５は
同液晶表示装置の製造方法において、柱状スペーサがシ
ール焼成の影響を受けない様子を説明する図、図６は同
液晶表示装置の製造方法において、柱状スペーサが加圧
封孔荷重の影響を受けない様子を説明する図である。ま
た、図７は同液晶表示装置の製造方法において、シール
焼成有無による柱状スペーサの荷重（縦軸）と変形量
（横軸）との関係を示す図、図８は同液晶表示装置の製
造方法において、柱状スペーサが配置される領域の例を
概略的に示す平面図である。以下、図１〜図３を参照し
て同液晶表示装置の製造方法について工程順に説明す
る。なお、この例では透過型液晶表示装置に適用した例
で示す。まず、図１（ａ）に示すように、予めＴＦＴ１
０が形成されたＴＦＴ基板１を用意する。このＴＦＴ基
板１は、ガラス等から成る第１の透明基板５と、第１の
透明基板５の表面の一部分に形成されてゲート電極を兼
ねる走査線（ゲートライン）６と、走査線６を覆うよう
に形成されてゲート絶縁膜を兼ねる第１の層間絶縁膜７
と、走査線６の上方の第１の層間絶縁膜７上に形成され
た半導体層８と、半導体層８の端部にそれぞれ形成され
たドレイン電極９及びソース電極１１と、ドレイン電極
９に接続されて走査線６と直交するように形成された信
号線１２と、半導体層８、ドレイン電極９及びソース電
極１１等を覆うように形成された第２の層間絶縁膜１３
と、第２の層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホー
ル１４を介してソース電極１１に接続されて第２の層間
絶縁膜１３の表面に引き出されるように形成された画素
電極１５と、画素電圧１５を覆うように形成された第１
の配向膜１６を備えている。ここで、走査線６、半導体
層８、ドレイン電極９及びソース電極１１は、ＴＦＴ１
０を構成している。
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１乃至図３は、この発明の第１実施例である液晶表示
装置の製造方法の構成を工程順に示す工程図、図４は同
液晶表示装置の製造方法において、柱状スペーサが重ね
合わせ荷重の影響を受けない様子を説明する図、図５は
同液晶表示装置の製造方法において、柱状スペーサがシ
ール焼成の影響を受けない様子を説明する図、図６は同
液晶表示装置の製造方法において、柱状スペーサが加圧
封孔荷重の影響を受けない様子を説明する図である。ま
た、図７は同液晶表示装置の製造方法において、シール
焼成有無による柱状スペーサの荷重（縦軸）と変形量
（横軸）との関係を示す図、図８は同液晶表示装置の製
造方法において、柱状スペーサが配置される領域の例を
概略的に示す平面図である。以下、図１〜図３を参照し
て同液晶表示装置の製造方法について工程順に説明す
る。なお、この例では透過型液晶表示装置に適用した例
で示す。まず、図１（ａ）に示すように、予めＴＦＴ１
０が形成されたＴＦＴ基板１を用意する。このＴＦＴ基
板１は、ガラス等から成る第１の透明基板５と、第１の
透明基板５の表面の一部分に形成されてゲート電極を兼
ねる走査線（ゲートライン）６と、走査線６を覆うよう
に形成されてゲート絶縁膜を兼ねる第１の層間絶縁膜７
と、走査線６の上方の第１の層間絶縁膜７上に形成され
た半導体層８と、半導体層８の端部にそれぞれ形成され
たドレイン電極９及びソース電極１１と、ドレイン電極
９に接続されて走査線６と直交するように形成された信
号線１２と、半導体層８、ドレイン電極９及びソース電
極１１等を覆うように形成された第２の層間絶縁膜１３
と、第２の層間絶縁膜１３に形成されたコンタクトホー
ル１４を介してソース電極１１に接続されて第２の層間
絶縁膜１３の表面に引き出されるように形成された画素
電極１５と、画素電圧１５を覆うように形成された第１
の配向膜１６を備えている。ここで、走査線６、半導体
層８、ドレイン電極９及びソース電極１１は、ＴＦＴ１
０を構成している。
【００２７】次に、図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基
板１と対向して用いられるＣＦ基板２を用意する。この
ＣＦ基板２は、ガラス等から成る第２の透明基板２１
と、第２の透明基板２１の表面に形成されてＴＦＴ基板
１のＴＦＴ１０の光入射防止あるいは表示に関係のない
部分を遮光するための遮光膜として働くブラックマトリ
ックス（Black Matrix）層２２と、カラーフィルタを構
成する赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇ及び青
色フィルタ２３Ｂと、ブラックマトリックス層２２及び
各フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂを覆うように形成さ
れた平坦化膜２４と、平坦化膜２４を覆うように形成さ
れた共通電極２５とを備えている。
板１と対向して用いられるＣＦ基板２を用意する。この
ＣＦ基板２は、ガラス等から成る第２の透明基板２１
と、第２の透明基板２１の表面に形成されてＴＦＴ基板
１のＴＦＴ１０の光入射防止あるいは表示に関係のない
部分を遮光するための遮光膜として働くブラックマトリ
ックス（Black Matrix）層２２と、カラーフィルタを構
成する赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇ及び青
色フィルタ２３Ｂと、ブラックマトリックス層２２及び
各フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂを覆うように形成さ
れた平坦化膜２４と、平坦化膜２４を覆うように形成さ
れた共通電極２５とを備えている。
【００２８】次に、図１（ｃ）に示すように、一方の基
板であるＣＦ基板２を用いてＴＦＴ基板１との対向面と
なる面の全面にアクリル樹脂を主成分とするネガタイプ
のフォトレジスト膜２７を塗布した後、柱状スペーサを
形成すべき位置に開口２８が形成されたフォトマスク２
９でフォトレジスト膜２７を覆う。次に、フォトマスク
２９を通じて紫外線を照射して露光処理を行った後、フ
ォトマスク２９を取り除く。
板であるＣＦ基板２を用いてＴＦＴ基板１との対向面と
なる面の全面にアクリル樹脂を主成分とするネガタイプ
のフォトレジスト膜２７を塗布した後、柱状スペーサを
形成すべき位置に開口２８が形成されたフォトマスク２
９でフォトレジスト膜２７を覆う。次に、フォトマスク
２９を通じて紫外線を照射して露光処理を行った後、フ
ォトマスク２９を取り除く。
【００２９】次に、ＣＦ基板２を現像液に浸漬してフォ
トレジスト膜２７の現像処理を行うことにより、フォト
マスク２９の開口２８に対応して紫外線が照射された部
分以外のフォトレジスト膜２７が除去されて、図２
（ｄ）に示すように、柱状スペーサ３０が形成される。
この柱状スペーサ３０は共通電極２５上に固定されるよ
うに形成される。柱状スペーサ３０は、光透過性に影響
を与えないように表示画素外の領域に配置されるように
形成され、例えば図８に示したように、ブラックマトリ
ックス層２３上の領域に形成される。一例として、柱状
スペーサ３０は高さを４．４５μｍ、柱面積を１０×１
２μｍ2に形成した。また、フォトレジスト膜２７とし
て特にネガタイプのものを用いることにより、精度の高
い柱状スペーサ３０の加工が可能となる。
トレジスト膜２７の現像処理を行うことにより、フォト
マスク２９の開口２８に対応して紫外線が照射された部
分以外のフォトレジスト膜２７が除去されて、図２
（ｄ）に示すように、柱状スペーサ３０が形成される。
この柱状スペーサ３０は共通電極２５上に固定されるよ
うに形成される。柱状スペーサ３０は、光透過性に影響
を与えないように表示画素外の領域に配置されるように
形成され、例えば図８に示したように、ブラックマトリ
ックス層２３上の領域に形成される。一例として、柱状
スペーサ３０は高さを４．４５μｍ、柱面積を１０×１
２μｍ2に形成した。また、フォトレジスト膜２７とし
て特にネガタイプのものを用いることにより、精度の高
い柱状スペーサ３０の加工が可能となる。
【００３０】次に、図２（ｄ）に示すように、柱状スペ
ーサ３０を含むＣＦ基板２の全面に膜厚が０．０４μｍ
〜０．０５０μｍのポリイミド（ＰＩ）膜を印刷して第
２の配向膜２６を形成する。この段階での柱状スペーサ
３０の高さは略４．５μｍとなった。次に、配向膜２６
からポリアミック酸のような溶剤を除去するため、ＣＦ
基板２を、１５０〜２３０℃で１〜３時間熱処理して、
配向焼成処理を施こす。このような配向焼成処理時に、
この例の製造方法によれば熱処理条件を上述したような
範囲に選ぶことにより、柱状スペーサ３０を構成してい
るアクリル樹脂を主成分とするフォトレジスト膜の重合
が未完了で未硬化であったのが、重合を完了させて硬化
させることができる。したがって、この段階で柱状スペ
ーサ３０が収縮することはほとんどなくなる。この段階
での柱状スペーサ３０の高さは略４．２９μｍとなっ
た。
ーサ３０を含むＣＦ基板２の全面に膜厚が０．０４μｍ
〜０．０５０μｍのポリイミド（ＰＩ）膜を印刷して第
２の配向膜２６を形成する。この段階での柱状スペーサ
３０の高さは略４．５μｍとなった。次に、配向膜２６
からポリアミック酸のような溶剤を除去するため、ＣＦ
基板２を、１５０〜２３０℃で１〜３時間熱処理して、
配向焼成処理を施こす。このような配向焼成処理時に、
この例の製造方法によれば熱処理条件を上述したような
範囲に選ぶことにより、柱状スペーサ３０を構成してい
るアクリル樹脂を主成分とするフォトレジスト膜の重合
が未完了で未硬化であったのが、重合を完了させて硬化
させることができる。したがって、この段階で柱状スペ
ーサ３０が収縮することはほとんどなくなる。この段階
での柱状スペーサ３０の高さは略４．２９μｍとなっ
た。
【００３１】次に、第２の配向膜２６にラビング、ラビ
ング洗浄、ラビング乾燥等の一連のラビング処理を施し
た後、図２（ｅ）に示すように、ＣＦ基板２の所定位置
に例えばエポキシ樹脂を印刷してシール３２を形成して
ＣＦ基板２を完成させる。このシール３２は、ＴＦＴ基
板１とＣＦ基板２とを貼り合わせるために用いる。ま
た、図１（ａ）に示したようなＴＦＴ基板１の第１の配
向膜１６に対しても、上記と同様な一連のラビング処理
を施してＴＦＴ基板１を完成させるものとする。
ング洗浄、ラビング乾燥等の一連のラビング処理を施し
た後、図２（ｅ）に示すように、ＣＦ基板２の所定位置
に例えばエポキシ樹脂を印刷してシール３２を形成して
ＣＦ基板２を完成させる。このシール３２は、ＴＦＴ基
板１とＣＦ基板２とを貼り合わせるために用いる。ま
た、図１（ａ）に示したようなＴＦＴ基板１の第１の配
向膜１６に対しても、上記と同様な一連のラビング処理
を施してＴＦＴ基板１を完成させるものとする。
【００３２】次に、図２（ｆ）に示すように、上述した
ようにして形成されたＴＦＴ基板１及びＣＦ基板２を用
いて、ＴＦＴ基板１を柱状スペーサ３０に接するように
ＣＦ基板２上に重ね合わせる。この重ね合わせは、両基
板１、２に以下のような重ね合わせ荷重Ｗ１を加えなが
ら、シール３２を潰すことにより、両基板１、２が所定
の位置関係となるようにＴＦＴ基板１を柱状スペーサ３
０に対して横方向Ｘにずらして、アライメント動作を行
った。すなわち、重ね合わせ荷重Ｗ１を０．０３ｋｇ／
ｃｍ2、０．１２ｋｇ／ｃｍ2、０．１８ｋｇ／ｃｍ2、
０．２４ｋｇ／ｃｍ2及び０．６０ｋｇ／ｃｍ2の５種類
に設定して重ね合わせを行った。その結果、表１に示す
ような結果が得られた。
ようにして形成されたＴＦＴ基板１及びＣＦ基板２を用
いて、ＴＦＴ基板１を柱状スペーサ３０に接するように
ＣＦ基板２上に重ね合わせる。この重ね合わせは、両基
板１、２に以下のような重ね合わせ荷重Ｗ１を加えなが
ら、シール３２を潰すことにより、両基板１、２が所定
の位置関係となるようにＴＦＴ基板１を柱状スペーサ３
０に対して横方向Ｘにずらして、アライメント動作を行
った。すなわち、重ね合わせ荷重Ｗ１を０．０３ｋｇ／
ｃｍ2、０．１２ｋｇ／ｃｍ2、０．１８ｋｇ／ｃｍ2、
０．２４ｋｇ／ｃｍ2及び０．６０ｋｇ／ｃｍ2の５種類
に設定して重ね合わせを行った。その結果、表１に示す
ような結果が得られた。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１は、各重ね合わせ荷重に対応して、
（１）重ね動作、（２）シートずれ、（３）キズがどの
ように行われ、あるいは発生したかを、その度合いに応
じてランク付けて示している。表１において、○印は問
題なし、△印は多少問題あり、×印は問題ありを示し、
○印の問題なしの場合を合格とみなして、後の製造工程
に流すことができることを意味している。表１から明ら
かなように、０．０３ｋｇ／ｃｍ2、０．１２ｋｇ／ｃ
ｍ2の２種類の重ね合わせ荷重を加えて重ね合わせを行
った場合のみ、（１）重ね動作、（２）シートずれ、
（３）キズの点で、全て問題がないことを示している。
それ以外の、０．１８ｋｇ／ｃｍ2、０．２４ｋｇ／ｃ
ｍ2及び０．６０ｋｇ／ｃｍ2の３種類の重ね合わせ荷重
を加えて重ね合わせを行った場合は、重ね合わせ動作が
できなかったり、重ね合わせ動作はできるが時間がかか
ったり、シートがずれてＴＦＴや配向膜等の表示部にキ
ズが発生して、問題があることを示している。すなわ
ち、この例では０．１８ｋｇ／ｃｍ2以上の重ね合わせ
荷重を加えて重ね合わせを行うと、従来のような欠点が
発生することを示している。したがって、０．１２ｋｇ
／ｃｍ2以下の重ね合わせ荷重で、望ましくは０．０３
ｋｇ／ｃｍ2〜０．１２ｋｇ／ｃｍ2の範囲の重ね合わせ
荷重を加えて重ね合わせを行うと均一なギャップが形成
されるようになる。これにより、重ね合わせ時に、ＴＦ
Ｔ基板１の表面に形成されているＴＦＴあるいは配向膜
等を不良にするおそれがなくなるので、液晶表示装置の
製造歩留まりを低下させることがなく、高品質の液晶表
示装置の製造が容易になる。
（１）重ね動作、（２）シートずれ、（３）キズがどの
ように行われ、あるいは発生したかを、その度合いに応
じてランク付けて示している。表１において、○印は問
題なし、△印は多少問題あり、×印は問題ありを示し、
○印の問題なしの場合を合格とみなして、後の製造工程
に流すことができることを意味している。表１から明ら
かなように、０．０３ｋｇ／ｃｍ2、０．１２ｋｇ／ｃ
ｍ2の２種類の重ね合わせ荷重を加えて重ね合わせを行
った場合のみ、（１）重ね動作、（２）シートずれ、
（３）キズの点で、全て問題がないことを示している。
それ以外の、０．１８ｋｇ／ｃｍ2、０．２４ｋｇ／ｃ
ｍ2及び０．６０ｋｇ／ｃｍ2の３種類の重ね合わせ荷重
を加えて重ね合わせを行った場合は、重ね合わせ動作が
できなかったり、重ね合わせ動作はできるが時間がかか
ったり、シートがずれてＴＦＴや配向膜等の表示部にキ
ズが発生して、問題があることを示している。すなわ
ち、この例では０．１８ｋｇ／ｃｍ2以上の重ね合わせ
荷重を加えて重ね合わせを行うと、従来のような欠点が
発生することを示している。したがって、０．１２ｋｇ
／ｃｍ2以下の重ね合わせ荷重で、望ましくは０．０３
ｋｇ／ｃｍ2〜０．１２ｋｇ／ｃｍ2の範囲の重ね合わせ
荷重を加えて重ね合わせを行うと均一なギャップが形成
されるようになる。これにより、重ね合わせ時に、ＴＦ
Ｔ基板１の表面に形成されているＴＦＴあるいは配向膜
等を不良にするおそれがなくなるので、液晶表示装置の
製造歩留まりを低下させることがなく、高品質の液晶表
示装置の製造が容易になる。
【００３５】図４は、重ね合わせ荷重の条件を上述の範
囲に選んで重ね合わせを行った場合に、重ね合わせ荷重
の影響を受けることなくアライメント動作が容易に行わ
れる様子を説明する図である。図４（ａ）に示すよう
に、重ね合わせ前の柱状スペーサ３０は、図４（ｂ）に
示すように、重ね合わせ荷重Ｗ１による初期加圧により
加圧を開始しても摩擦力が小さいため、図４（ｃ）に示
すように、ＴＦＴ基板１を柱状スペーサ３０に対して横
方向にスムーズにずらすことができる。このため、上述
したように、アライメントが容易になり、無理にＴＦＴ
基板１をずらす必要がないので、ＴＦＴ基板１の表面を
柱状スペーサ３０により損傷させることがなくなる。
囲に選んで重ね合わせを行った場合に、重ね合わせ荷重
の影響を受けることなくアライメント動作が容易に行わ
れる様子を説明する図である。図４（ａ）に示すよう
に、重ね合わせ前の柱状スペーサ３０は、図４（ｂ）に
示すように、重ね合わせ荷重Ｗ１による初期加圧により
加圧を開始しても摩擦力が小さいため、図４（ｃ）に示
すように、ＴＦＴ基板１を柱状スペーサ３０に対して横
方向にスムーズにずらすことができる。このため、上述
したように、アライメントが容易になり、無理にＴＦＴ
基板１をずらす必要がないので、ＴＦＴ基板１の表面を
柱状スペーサ３０により損傷させることがなくなる。
【００３６】次に、アライメントが終了した両基板１、
２を、所定のシール焼成荷重を加えながら、シール３２
を加熱して柱状スペーサ３０を硬化させるシール焼成を
行って、液晶セルを形成する。このシール焼成における
シール焼成荷重は、従来のような欠点を避けるために、
この後に最終的にギャップを決定する加圧封孔工程にお
ける加圧封孔荷重よりも小さく選ぶようにする。これに
よって、柱状スペーサ３０の弾性特性を劣化させること
がなくなるので、柱状スペーサ３０の変形量が少なくな
る。一例として、シール焼成は、略０．４６ｋｇ／ｃｍ
2のシール焼成荷重を加えて、略１５０℃の焼成温度で
行った。この段階での柱状スペーサ３０の高さは略４．
１５μｍとなった。図７は、シール焼成有無による柱状
スペーサ３０の荷重（縦軸）と変形量（横軸）との関係
を示す図である。特性Ａはシール焼成あり、特性Ｂはシ
ール焼成なしを示している。
２を、所定のシール焼成荷重を加えながら、シール３２
を加熱して柱状スペーサ３０を硬化させるシール焼成を
行って、液晶セルを形成する。このシール焼成における
シール焼成荷重は、従来のような欠点を避けるために、
この後に最終的にギャップを決定する加圧封孔工程にお
ける加圧封孔荷重よりも小さく選ぶようにする。これに
よって、柱状スペーサ３０の弾性特性を劣化させること
がなくなるので、柱状スペーサ３０の変形量が少なくな
る。一例として、シール焼成は、略０．４６ｋｇ／ｃｍ
2のシール焼成荷重を加えて、略１５０℃の焼成温度で
行った。この段階での柱状スペーサ３０の高さは略４．
１５μｍとなった。図７は、シール焼成有無による柱状
スペーサ３０の荷重（縦軸）と変形量（横軸）との関係
を示す図である。特性Ａはシール焼成あり、特性Ｂはシ
ール焼成なしを示している。
【００３７】図７から明らかなように、同一荷重をかけ
ても、シール焼成ありの特性Ａはシール焼成なしの特性
Ｂと比較して、変形量が少なくなっており、硬度が上が
ることにより変形しにくくなったことを示している。図
５は、シール焼成の最適化により柱状スペーサの変形量
が少なくなる様子を説明する図である。図５（ａ）に示
したようなシール焼成前の柱状スペーサ３０は、図５
（ｂ）に示すように、低荷重シール焼成を行うことによ
り柱状スペーサ３０の変形量を最小限に抑えることがで
きるので、図５（ｃ）に示すように、シール焼成後の柱
状スペーサ３０には変形量はシール焼成前とあまり変わ
りなくなる。したがって、均一なギャップの確保ができ
るようになる。
ても、シール焼成ありの特性Ａはシール焼成なしの特性
Ｂと比較して、変形量が少なくなっており、硬度が上が
ることにより変形しにくくなったことを示している。図
５は、シール焼成の最適化により柱状スペーサの変形量
が少なくなる様子を説明する図である。図５（ａ）に示
したようなシール焼成前の柱状スペーサ３０は、図５
（ｂ）に示すように、低荷重シール焼成を行うことによ
り柱状スペーサ３０の変形量を最小限に抑えることがで
きるので、図５（ｃ）に示すように、シール焼成後の柱
状スペーサ３０には変形量はシール焼成前とあまり変わ
りなくなる。したがって、均一なギャップの確保ができ
るようになる。
【００３８】次に、図３に示すように、シール３２の側
面に予め形成されている注入孔３３から液晶３を注入し
た後、最終的にギャップを決定する加圧封孔を行う。こ
の加圧封孔は、液晶セル内の余分な液晶３を排出し、か
つ均一なギャップを確保するために行い、以下のような
加圧封孔荷重を加えて行った。すなわち、加圧封孔荷重
を０ｋｇ／ｃｍ2、０．１０ｋｇ／ｃｍ2、０．１５ｋｇ
／ｃｍ2、０．３０ｋｇ／ｃｍ2、０．６０ｋｇ／ｃ
ｍ2、０．７５ｋｇ／ｃｍ2及び０．８０ｋｇ／ｃｍ2の
７種類に設定して加圧封孔行った。その結果、表２に示
すような結果が得られた。
面に予め形成されている注入孔３３から液晶３を注入し
た後、最終的にギャップを決定する加圧封孔を行う。こ
の加圧封孔は、液晶セル内の余分な液晶３を排出し、か
つ均一なギャップを確保するために行い、以下のような
加圧封孔荷重を加えて行った。すなわち、加圧封孔荷重
を０ｋｇ／ｃｍ2、０．１０ｋｇ／ｃｍ2、０．１５ｋｇ
／ｃｍ2、０．３０ｋｇ／ｃｍ2、０．６０ｋｇ／ｃ
ｍ2、０．７５ｋｇ／ｃｍ2及び０．８０ｋｇ／ｃｍ2の
７種類に設定して加圧封孔行った。その結果、表２に示
すような結果が得られた。
【００３９】
【表２】
【００４０】表２は、各加圧封孔荷重による加圧封孔を
行って、完成させた液晶表示装置の使用される環境温度
が（１）常温時、（２）高温時（例えば７０〜８０
℃）、（３）低温時（例えば−１０〜−２０℃）の場合
に、製品がどのように変化するかを見ばい評価して、製
品として問題がないものに○印を付けて示した。表２か
ら明らかなように、０．１５ｋｇ／ｃｍ2、０．３０ｋ
ｇ／ｃｍ2、０．６０ｋｇ／ｃｍ2の３種類の加圧封孔荷
重を加えて加圧封孔を行った場合のみ、製品として問題
がないものを製造することができた。それ以外の、０ｋ
ｇ／ｃｍ 2、０．１０ｋｇ／ｃｍ2、０．７５ｋｇ／ｃｍ
2及び０．８０ｋｇ／ｃｍ2の４種類の加圧封孔荷重を加
えて加圧封孔を行った場合は、環境温度に応じて面内の
均一性が悪くなったり、ギャップがばらついて表示の色
味が変化したり、気泡が発生がする等の製品として問題
が生じることを示している。すなわち、この例では０．
１０ｋｇ／ｃｍ2以下、あるいは０．７５ｋｇ／ｃｍ2以
上の加圧封孔荷重を加えて加圧封孔を行うと、従来のよ
うな欠点が発生することを示している。したがって、
０．１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の荷
重を加えて加圧封孔を行うことにより、完成された液晶
表示装置が使用される環境温度が常温以外の高温あるい
は低温にさらされた場合でも、柱状スペーサの膨張ある
いは収縮が、液晶のそれに追従できるようになるので、
均一なギャップの形成が容易となる。
行って、完成させた液晶表示装置の使用される環境温度
が（１）常温時、（２）高温時（例えば７０〜８０
℃）、（３）低温時（例えば−１０〜−２０℃）の場合
に、製品がどのように変化するかを見ばい評価して、製
品として問題がないものに○印を付けて示した。表２か
ら明らかなように、０．１５ｋｇ／ｃｍ2、０．３０ｋ
ｇ／ｃｍ2、０．６０ｋｇ／ｃｍ2の３種類の加圧封孔荷
重を加えて加圧封孔を行った場合のみ、製品として問題
がないものを製造することができた。それ以外の、０ｋ
ｇ／ｃｍ 2、０．１０ｋｇ／ｃｍ2、０．７５ｋｇ／ｃｍ
2及び０．８０ｋｇ／ｃｍ2の４種類の加圧封孔荷重を加
えて加圧封孔を行った場合は、環境温度に応じて面内の
均一性が悪くなったり、ギャップがばらついて表示の色
味が変化したり、気泡が発生がする等の製品として問題
が生じることを示している。すなわち、この例では０．
１０ｋｇ／ｃｍ2以下、あるいは０．７５ｋｇ／ｃｍ2以
上の加圧封孔荷重を加えて加圧封孔を行うと、従来のよ
うな欠点が発生することを示している。したがって、
０．１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の荷
重を加えて加圧封孔を行うことにより、完成された液晶
表示装置が使用される環境温度が常温以外の高温あるい
は低温にさらされた場合でも、柱状スペーサの膨張ある
いは収縮が、液晶のそれに追従できるようになるので、
均一なギャップの形成が容易となる。
【００４１】図６は、加圧封孔の条件を上述の範囲に選
んだ場合に、環境温度が高温あるいは低温にさらされた
場合でも、柱状スペーサの膨張あるいは収縮が、液晶の
それに追従できるようになる様子を説明する図である。
図６（ａ）に示すように、加圧封孔時に上記加圧封孔荷
重Ｗ３が加えられて柱状スペーサ３０は破線位置から実
線位置まで圧縮されるようになる。ここで、環境温度が
高温（例えば７０〜８０℃）になった場合、柱状スペー
サ３０は十分に圧縮されているので、その弾性特性によ
り柱状スペーサ３０が液晶３の膨張に追従できるため、
均一なギャップが確保できるようになる。また、圧縮分
以上に液晶３が膨張したときでも、柱状スペーサ３０は
最適加圧封孔荷重で加圧封孔されているので、液晶３の
膨張に追従できるため、柱状スペーサ３０がＴＦＴ基板
１から離れてしまうようにはならず、均一なギャップが
確保できるようになる。
んだ場合に、環境温度が高温あるいは低温にさらされた
場合でも、柱状スペーサの膨張あるいは収縮が、液晶の
それに追従できるようになる様子を説明する図である。
図６（ａ）に示すように、加圧封孔時に上記加圧封孔荷
重Ｗ３が加えられて柱状スペーサ３０は破線位置から実
線位置まで圧縮されるようになる。ここで、環境温度が
高温（例えば７０〜８０℃）になった場合、柱状スペー
サ３０は十分に圧縮されているので、その弾性特性によ
り柱状スペーサ３０が液晶３の膨張に追従できるため、
均一なギャップが確保できるようになる。また、圧縮分
以上に液晶３が膨張したときでも、柱状スペーサ３０は
最適加圧封孔荷重で加圧封孔されているので、液晶３の
膨張に追従できるため、柱状スペーサ３０がＴＦＴ基板
１から離れてしまうようにはならず、均一なギャップが
確保できるようになる。
【００４２】一方、環境温度が低温（例えば−１０〜−
２０℃）になった場合でも、上述したように柱状スペー
サ３０が十分に圧縮されているので、図６（ｂ）に示す
ように、液晶３が収縮したときでも柱状スペーサ３０が
それ以上収縮できるため、図６（ｃ）に示すように、柱
状スペーサ３０は液晶３の収縮に追従できる。この結
果、液晶にガスが含まれていても気泡は発生しなくな
る。このように、加圧封孔時に最適加圧封孔荷重で加圧
することにより、完成された液晶表示装置が使用される
環境温度が常温以外の高温あるいは低温にさらされた場
合でも、柱状スペーサの膨張あるいは収縮が、液晶のそ
れに追従できるようになるので、均一なギャップの形成
が容易になる。
２０℃）になった場合でも、上述したように柱状スペー
サ３０が十分に圧縮されているので、図６（ｂ）に示す
ように、液晶３が収縮したときでも柱状スペーサ３０が
それ以上収縮できるため、図６（ｃ）に示すように、柱
状スペーサ３０は液晶３の収縮に追従できる。この結
果、液晶にガスが含まれていても気泡は発生しなくな
る。このように、加圧封孔時に最適加圧封孔荷重で加圧
することにより、完成された液晶表示装置が使用される
環境温度が常温以外の高温あるいは低温にさらされた場
合でも、柱状スペーサの膨張あるいは収縮が、液晶のそ
れに追従できるようになるので、均一なギャップの形成
が容易になる。
【００４３】これ以降の工程は、通常の液晶表示装置の
製造方法と略同様に、ＴＦＴ基板１を構成する第１の透
明基板５及びＣＦ基板２を構成する第２の透明基板２１
の外側にそれぞれ偏光板（図示せず）を形成した後、液
晶セルに周辺駆動回路を接続して液晶表示装置を完成さ
せる。表３は、以上のような一連の製造工程を経て製造
された液晶表示装置において、予め形成された柱状スペ
ーサ３０が主要工程の熱あるいは荷重の影響をうけて、
高さが変化する様子を示している。
製造方法と略同様に、ＴＦＴ基板１を構成する第１の透
明基板５及びＣＦ基板２を構成する第２の透明基板２１
の外側にそれぞれ偏光板（図示せず）を形成した後、液
晶セルに周辺駆動回路を接続して液晶表示装置を完成さ
せる。表３は、以上のような一連の製造工程を経て製造
された液晶表示装置において、予め形成された柱状スペ
ーサ３０が主要工程の熱あるいは荷重の影響をうけて、
高さが変化する様子を示している。
【００４４】
【表３】
【００４５】表３から明らかなように、柱状スペーサ３
０が各主要工程における熱あるいは荷重により受ける影
響はわずかであり、形成初期の高さは最終的に略８．２
％減少したに過ぎない。これはこの例により、ギャップ
を安定に確保することができることを示している。
０が各主要工程における熱あるいは荷重により受ける影
響はわずかであり、形成初期の高さは最終的に略８．２
％減少したに過ぎない。これはこの例により、ギャップ
を安定に確保することができることを示している。
【００４６】このように、この例の液晶表示装置の製造
方法によれば、ＴＦＴ基板１とＣＦ基板２との間に液晶
３を封入するギャップを確保する柱状スペーサ３０を形
成した後、最終的にギャップを決定する加圧封孔を０．
１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加圧封
孔荷重を加えて行うようにしたので、完成された液晶表
示装置が使用される環境温度が常温以外の高温あるいは
低温にさらされた場合でも、柱状スペーサの膨張あるい
は収縮が、液晶のそれに追従できるようになるので、均
一なギャップの形成が容易となる。したがって、柱状ス
ペーサにより安定したギャップを形成することができ、
かつ高品質の液晶表示装置を製造することができる。
方法によれば、ＴＦＴ基板１とＣＦ基板２との間に液晶
３を封入するギャップを確保する柱状スペーサ３０を形
成した後、最終的にギャップを決定する加圧封孔を０．
１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加圧封
孔荷重を加えて行うようにしたので、完成された液晶表
示装置が使用される環境温度が常温以外の高温あるいは
低温にさらされた場合でも、柱状スペーサの膨張あるい
は収縮が、液晶のそれに追従できるようになるので、均
一なギャップの形成が容易となる。したがって、柱状ス
ペーサにより安定したギャップを形成することができ、
かつ高品質の液晶表示装置を製造することができる。
【００４７】◇第２実施例 図９は、この発明の第２実施例である液晶表示装置の製
造方法の構成を工程順に示す工程図である。この発明の
第２実施例である液晶表示装置の製造方法の構成が、上
述した第１実施例の構成と大きく異なるところは、柱状
スペーサをＴＦＴ基板に形成するようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置の製造方法は、図９
（ａ）に示すように、予めＴＦＴ１０が形成されたＴＦ
Ｔ基板１を用意した後、ＴＦＴ基板１を用いてＣＦ基板
２との対向面となる面の全面にアクリル樹脂を主成分と
するネガタイプのフォトレジスト膜２７を塗布した後、
柱状スペーサを形成すべき位置に開口２８が形成された
フォトマスク２９でフォトレジスト膜２７を覆う。次
に、フォトマスク２９を通じて紫外線を照射して露光処
理を行った後、フォトマスク２９を取り除く。
造方法の構成を工程順に示す工程図である。この発明の
第２実施例である液晶表示装置の製造方法の構成が、上
述した第１実施例の構成と大きく異なるところは、柱状
スペーサをＴＦＴ基板に形成するようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置の製造方法は、図９
（ａ）に示すように、予めＴＦＴ１０が形成されたＴＦ
Ｔ基板１を用意した後、ＴＦＴ基板１を用いてＣＦ基板
２との対向面となる面の全面にアクリル樹脂を主成分と
するネガタイプのフォトレジスト膜２７を塗布した後、
柱状スペーサを形成すべき位置に開口２８が形成された
フォトマスク２９でフォトレジスト膜２７を覆う。次
に、フォトマスク２９を通じて紫外線を照射して露光処
理を行った後、フォトマスク２９を取り除く。
【００４８】次に、ＴＦＴ基板１を現像液に浸漬してフ
ォトレジスト膜２７の現像処理を行うことにより、フォ
トマスク２９の開口２８に対応して紫外線が照射された
部分以外のフォトレジスト膜２７が除去されて、図９
（ｂ）に示すように、柱状スペーサ３０が形成される。
この柱状スペーサ３０は画素電極１５上に固定されるよ
うに形成される。柱状スペーサ３０は、ＣＦ基板２上に
形成する場合と同様に光透過性に影響を与えないように
表示画素外の領域に形成される。以下の工程は、第１実
施例の工程を略同様に繰り返せばよい。したがって、以
下の工程については説明を省略する。
ォトレジスト膜２７の現像処理を行うことにより、フォ
トマスク２９の開口２８に対応して紫外線が照射された
部分以外のフォトレジスト膜２７が除去されて、図９
（ｂ）に示すように、柱状スペーサ３０が形成される。
この柱状スペーサ３０は画素電極１５上に固定されるよ
うに形成される。柱状スペーサ３０は、ＣＦ基板２上に
形成する場合と同様に光透過性に影響を与えないように
表示画素外の領域に形成される。以下の工程は、第１実
施例の工程を略同様に繰り返せばよい。したがって、以
下の工程については説明を省略する。
【００４９】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることが
できる。
【００５０】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、実施例
では液晶を駆動する駆動素子としてはＴＦＴを用いる例
で説明したが、駆動素子はＴＦＴに限ることなくＭＩＭ
（Metal Insulator Metal）型素子、ダイオード型素
子、バリスタ型素子等の二端子素子を用いてもよい。ま
た、実施例では駆動素子基板としてはガラス等の透明基
板を用いる透明型の液晶表示装置の例で説明したが、駆
動素子基板は透明基板に限ることなく多結晶シリコン等
の不透明基板を用いてもよい。この場合には、液晶表示
装置は反射型となり、画素電極が反射板を兼ねた反射電
極として動作することになる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、実施例
では液晶を駆動する駆動素子としてはＴＦＴを用いる例
で説明したが、駆動素子はＴＦＴに限ることなくＭＩＭ
（Metal Insulator Metal）型素子、ダイオード型素
子、バリスタ型素子等の二端子素子を用いてもよい。ま
た、実施例では駆動素子基板としてはガラス等の透明基
板を用いる透明型の液晶表示装置の例で説明したが、駆
動素子基板は透明基板に限ることなく多結晶シリコン等
の不透明基板を用いてもよい。この場合には、液晶表示
装置は反射型となり、画素電極が反射板を兼ねた反射電
極として動作することになる。
【００５１】また、カラーフィルタは対向基板に形成し
た例で説明したが、カラーフィルタは駆動素子基板側に
形成するようにしてもよい。また、表示方式の違いにか
かわらず、ＴＮ(Twisted Nematic)型あるいはＩＰＳ(In
-Plane Switching)型のいずれの液晶表示装置に適用す
ることもできる。
た例で説明したが、カラーフィルタは駆動素子基板側に
形成するようにしてもよい。また、表示方式の違いにか
かわらず、ＴＮ(Twisted Nematic)型あるいはＩＰＳ(In
-Plane Switching)型のいずれの液晶表示装置に適用す
ることもできる。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置の製造方法によれば、駆動素子基板と対向基板と
の間に液晶を封入するギャップを確保する柱状スペーサ
を形成した後、最終的にギャップを決定する加圧封孔を
０．１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加
圧封孔荷重を加えて行うようにしたので、完成された液
晶表示装置が使用される環境温度が常温以外の高温ある
いは低温にさらされた場合でも、柱状スペーサの膨張あ
るいは収縮が、液晶のそれに追従できるようになるの
で、均一なギャップの形成が容易となる。したがって、
柱状スペーサにより安定したギャップを形成することが
でき、かつ高品質の液晶表示装置を製造することができ
る。
示装置の製造方法によれば、駆動素子基板と対向基板と
の間に液晶を封入するギャップを確保する柱状スペーサ
を形成した後、最終的にギャップを決定する加圧封孔を
０．１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．６０ｋｇ／ｃｍ2の範囲の加
圧封孔荷重を加えて行うようにしたので、完成された液
晶表示装置が使用される環境温度が常温以外の高温ある
いは低温にさらされた場合でも、柱状スペーサの膨張あ
るいは収縮が、液晶のそれに追従できるようになるの
で、均一なギャップの形成が容易となる。したがって、
柱状スペーサにより安定したギャップを形成することが
でき、かつ高品質の液晶表示装置を製造することができ
る。
【図１】この発明の第１実施例である液晶表示装置の製
造方法の構成を工程順に示す工程図である。
造方法の構成を工程順に示す工程図である。
【図２】同液晶表示装置の製造方法の構成を工程順に示
す工程図である。
す工程図である。
【図３】同液晶表示装置の製造方法の構成を工程順に示
す工程図である。
す工程図である。
【図４】同液晶表示装置の製造方法において、柱状スペ
ーサが重ね合わせ荷重の影響を受けない様子を説明する
図である。
ーサが重ね合わせ荷重の影響を受けない様子を説明する
図である。
【図５】同液晶表示装置の製造方法において、柱状スペ
ーサがシール焼成の影響を受けない様子を説明する図で
ある。
ーサがシール焼成の影響を受けない様子を説明する図で
ある。
【図６】同液晶表示装置の製造方法において、柱状スペ
ーサがシール加圧封孔荷重の影響を受けない様子を説明
する図である。
ーサがシール加圧封孔荷重の影響を受けない様子を説明
する図である。
【図７】同液晶表示装置の製造方法において、シール焼
成有無による柱状スペーサの荷重（縦軸）と変形量（横
軸）との関係を示す図である。
成有無による柱状スペーサの荷重（縦軸）と変形量（横
軸）との関係を示す図である。
【図８】同液晶表示装置の製造方法において、柱状スペ
ーサが配置される領域の例を概略的に示す平面図であ
る。
ーサが配置される領域の例を概略的に示す平面図であ
る。
【図９】この発明の第２実施例である液晶表示装置の製
造方法の構成を工程順に示す工程図である。
造方法の構成を工程順に示す工程図である。
【図１０】球状スペーサを用いる従来の液晶表示装置の
製造方法の構成を概略的に示す図である。
製造方法の構成を概略的に示す図である。
【図１１】柱状スペーサを用いる従来の液晶表示装置の
製造方法の構成を概略的に示す図である。
製造方法の構成を概略的に示す図である。
【図１２】同液晶表示装置の製造方法において、柱状ス
ペーサが配向焼成処理の影響を受ける様子を説明する図
である。
ペーサが配向焼成処理の影響を受ける様子を説明する図
である。
【図１３】同液晶表示装置の製造方法において、柱状ス
ペーサが加圧封孔荷重の影響を受ける様子を説明する図
である。
ペーサが加圧封孔荷重の影響を受ける様子を説明する図
である。
【図１４】同液晶表示装置の製造方法において、柱状ス
ペーサが重ね合わせ荷重の影響を受ける様子を説明する
図である。
ペーサが重ね合わせ荷重の影響を受ける様子を説明する
図である。
【図１５】同液晶表示装置の製造方法において、柱状ス
ペーサがシール焼成荷重の影響を受ける様子を説明する
図である。
ペーサがシール焼成荷重の影響を受ける様子を説明する
図である。
１ ＴＦＴ基板（駆動素子基板） ２ ＣＦ基板（対向基板） ３ 液晶 ５ 第１の透明基板 ６ 走査線（ゲートライン） ７ 第１の層間絶縁膜 ８ 半導体層 ９ ドレイン電極 １０ ＴＦＴ １１ ソース電極 １２ 信号線 １３ 第２の層間絶縁膜 １４ コンタクトホール １５ 画素電極 １６ 第１の配向膜 ２１ 第２の透明基板 ２２ ブラックマトリックス層 ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂ カラーフィルタ ２４ 平坦化膜 ２５ 共通電極 ２６ 第２の配向膜 ２７ フォトレジスト膜 ２８ 開口 ２９ フォトマスク ３０ 柱状スペーサ ３２ シール ３３ 封入孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA09 NA05 NA14 NA21 NA40 NA45 PA06 QA14 TA01 TA04 TA09 TA12 2H090 HB11 HC15 MB01 2H091 FA02Y FA34Y GA01 GA06 GA08 GA09 GA13 LA12 LA18
Claims (10)
- 【請求項１】 駆動素子が形成された駆動素子基板と、
該駆動素子基板と対向する対向基板との間のギャップに
液晶が封入され、前記ギャップを確保する柱状スペーサ
が前記駆動素子板と前記対向基板との間に配置されてな
る液晶表示装置の製造方法であって、 前記駆動素子基板あるいは前記対向基板のいずれか一方
に前記柱状スペーサを形成する柱状スペーサ形成工程
と、 前記柱状スペーサを形成した基板に前記両基板を貼り合
わせるためのシールを形成するシール形成工程と、 前記シールによって前記両基板を貼り合わせた後、前記
シールに予め形成した注入孔を通じて液晶を注入する液
晶注入工程と、 前記注入孔を通じて前記液晶の余分量を排出した後前記
注入孔を封止して最終的に前記ギャップを決定するため
に、前記両基板に０．１５ｋｇ／ｃｍ2〜０．６０ｋｇ
／ｃｍ2の範囲の加圧封孔荷重を加える加圧封孔工程
と、 を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記シール形成工程と、前記液晶注入工
程との間に、前記シールを潰して前記両基板を貼り合わ
せるために、前記両基板に０．０３ｋｇ／ｃｍ2〜０．
１２ｋｇ／ｃｍ2の範囲の重ね合わせ荷重を加える重ね
合わせ工程を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記重ね合わせ工程の後に、前記シール
を焼成するために、前記両基板に前記加圧封孔工程にお
ける前記加圧封孔荷重よりも小さなシール焼成荷重を加
えるシール焼成工程を含むことを特徴とする請求項２記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記柱状スペーサ形成工程の後に、該柱
状スペーサを覆うように配向膜を形成する配向膜形成工
程を含むことを特徴とする請求項１、２又は３記載の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記配向膜形成工程の後に、該配向膜か
ら溶剤を除去するように焼成処理を行う配向膜焼成工程
を含むことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項６】 前記配向膜焼成工程を、１５０℃〜２３
０℃の範囲で、１時間〜３時間の範囲で行うことを特徴
とする請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記柱状スペーサ形成工程を、前記いず
れか一方の基板にフォトレジスト膜を塗布した後該フォ
トレジスト膜を所望の形状にパターニングして行うこと
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記フォトレジスト膜としてネガタイプ
を用いることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項９】 前記柱状スペーサを遮光領域に形成する
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載の
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記遮光領域はブラックマトリクス層
が形成されている領域に選ばれることを特徴とする請求
項９記載の液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005031414A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2020529624A (ja) * | 2017-08-18 | 2020-10-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 基板 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10156771A1 (de) * | 2001-11-19 | 2003-05-28 | Bsh Bosch Siemens Hausgeraete | Elektrisches Haushaltsgerät |
| KR100904526B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2009-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴드 스페이서를 가지는 액정표시장치 |
| TWI247959B (en) * | 2004-01-30 | 2006-01-21 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display device |
| KR101039028B1 (ko) | 2004-06-22 | 2011-06-03 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의 제조방법과 그 제조장치 |
| CN100365493C (zh) * | 2004-11-03 | 2008-01-30 | 中华映管股份有限公司 | 液晶面板及其制造方法 |
| KR20060125008A (ko) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | 삼성전자주식회사 | 액정표시패널과 그 제조방법 |
| KR101030529B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2011-04-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| EP2314349B1 (en) | 2005-12-01 | 2016-03-09 | The Government of the United States of America, as represented by the Secretary, Department of Health and Human Services | Anti-viral griffithsin compounds, compositions, and methods of use |
| KR100959132B1 (ko) | 2006-05-15 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| US20130071792A1 (en) * | 2010-05-26 | 2013-03-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating liquid crystal display device |
| CN104570498B (zh) * | 2014-11-24 | 2017-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 可挠曲液晶面板及其制作方法 |
| KR20160086521A (ko) | 2015-01-09 | 2016-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| GB201901712D0 (en) * | 2019-02-07 | 2019-03-27 | Element Six Gmbh | Pick tool for road milling |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0943617A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH10104642A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Sharp Corp | 液晶パネルの製造方法 |
| JP2001013506A (ja) * | 1999-04-30 | 2001-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2640097B2 (ja) * | 1986-03-20 | 1997-08-13 | セイコー電子工業株式会社 | 多色表示装置 |
| US5963288A (en) * | 1987-08-20 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device having sealant and spacers made from the same material |
| JP3472422B2 (ja) * | 1996-11-07 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 液晶装置の製造方法 |
| US6078379A (en) * | 1997-06-13 | 2000-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device provided with seal material and spacer made of resist |
| TW493096B (en) * | 1997-08-29 | 2002-07-01 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| JP4011725B2 (ja) | 1998-04-24 | 2007-11-21 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4100529B2 (ja) * | 1998-12-05 | 2008-06-11 | 大日本印刷株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2000193988A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルの製造方法と製造装置 |
| KR20000071852A (ko) | 1999-04-30 | 2000-11-25 | 모리시타 요이찌 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| JP2001242469A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001140776A patent/JP2002333632A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-09 US US10/142,287 patent/US6811458B2/en not_active Expired - Lifetime
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- 2002-05-10 TW TW91109969A patent/TW573191B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0943617A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH10104642A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Sharp Corp | 液晶パネルの製造方法 |
| JP2001013506A (ja) * | 1999-04-30 | 2001-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005031414A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4601269B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2010-12-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2020529624A (ja) * | 2017-08-18 | 2020-10-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 基板 |
| US11338499B2 (en) | 2017-08-18 | 2022-05-24 | Lg Chem, Ltd. | Substrate |
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