JP6819925B2 - 蒸着マスク、蒸着マスク製造方法および有機半導体素子製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、蒸着マスクに関する。また本発明は、蒸着マスク製造方法に関する。また本発明は、有機半導体素子製造方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラフルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。

表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の有機ＥＬ基板（被蒸着基板）に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび有機ＥＬ基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料を有機ＥＬ基板に蒸着させる蒸着工程を行う。この場合、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製するためには、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状を設計に沿って精密に再現することが求められる。

蒸着マスク製造方法として、エッチング処理による方法も知られているが、蒸着マスクの厚みを低減し得る方法として、例えば特許文献１に開示されているように、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法が知られている。例えば特許文献１に記載の方法においては、はじめに、導電性を有する基材を準備する。次に、基材の上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、蒸着マスクの貫通孔が形成されるべき位置に設けられている。その後、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、電解めっき処理によって基材の上に金属層を析出させる。その後、金属層を基材から分離させることにより、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを得ることができる。

特開２００１−２３４３８５号公報

蒸着材料を有機ＥＬ基板に蒸着させる蒸着工程においては、蒸着マスクに向かって飛来した蒸着材料は、貫通孔を通過して有機ＥＬ基板に付着する。この場合、蒸着材料は、有機ＥＬ基板に向けて蒸着マスクの法線方向に沿って移動するだけでなく、蒸着マスクの法線方向に対して大きく傾斜した方向に移動することもある。このことにより、蒸着材料の一部が貫通孔の壁面に付着し、堆積してしまい、いわゆる蒸着シャドーが発生する。この場合、蒸着材料の利用効率が低下し得るとともに、有機ＥＬ基板に付着した蒸着材料の厚みが不均一となり、蒸着品質が低下するおそれがある。蒸着材料の厚みが不均一となると、画素全体を一様の強度で発光できなくなるという問題が生じ得る。

そこで、蒸着シャドーの発生を抑制するために、蒸着マスクの厚みを薄くすることが考えられている。めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法において、例えば１０μｍ以下の厚みで蒸着マスクの金属層を製作することは実現可能である。しかしながら、金属層の厚みを薄くすると、蒸着マスクの強度が低下してしまう。このような蒸着マスクを繰り返して使用する場合、有機ＥＬ基板への蒸着マスクの着脱時や、蒸着マスクの超音波洗浄時に、蒸着マスクの変形や欠損が生じるおそれがある。

また、蒸着工程の際には、磁石からの磁力によって蒸着マスクと有機ＥＬ基板とが密着するようになるが、蒸着マスクの厚みが薄くなると、蒸着マスクに作用する吸着力が低下し、蒸着マスクと有機ＥＬ基板との密着性が低下し得る。この場合、蒸着マスクと有機ＥＬ基板との間に微小な隙間が形成され、この隙間に蒸着材料が入り込み得る。このため、蒸着材料により形成される画素の形状精度が低下し、蒸着品質が低下するおそれがある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、変形や欠損を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることができる蒸着マスク、蒸着マスク製造方法および有機半導体素子製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、蒸着マスクであって、第１金属層と、前記第１金属層に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、を備え、前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点を含み、前記第１点における前記先端部の厚みが、前記中央部の厚みより厚い蒸着マスク。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記先端部は、最も前記貫通孔の内側に位置する第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、を更に含んでいてもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記法線方向で見たときの前記第２点の位置は、前記第１金属面より前記第１点の側にあり、前記先端部は、前記法線方向に沿った断面で見たときに、前記第２点から前記先端部の前記第１金属面に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第２孔画定線を更に含んでいてもよい。

本発明は、蒸着マスクであって、第１金属層と、前記第１金属層に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、を備え、前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点と、最も前記貫通孔の内側に位置するとともに前記法線方向で見たときの位置が前記第１金属面より前記第１点の側にある第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、前記第２点から前記先端部の前記第１金属面に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第２孔画定線と、を含んでいる蒸着マスク。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記法線方向に沿った断面で見たときに、前記第２点と、前記第１金属面と前記第２孔画定線とが交わる第３点とを通る線の前記法線方向に対してなす角度は、０°よりも大きく、４５°以下であってもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１孔画定線の曲率半径は、０．５〜５μｍであってもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１金属面に、窪み部が形成されていてもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１金属面のうち、前記窪み部が形成されていない部分の幅は、０．５〜５μｍの範囲内であってもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１金属層の前記第１金属面の側とは反対側に設けられた第２金属層であって、前記貫通孔が設けられた第２金属層を更に備えていてもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１金属層の前記第１金属面の側とは反対側に設けられた第２金属層であって、前記貫通孔が設けられた第２金属層を更に備え、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１金属層と前記第２金属層とが接続される接続部の輪郭は、前記第１金属面に形成された前記窪み部の外縁を囲っていてもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記第２金属層は、めっき層であってもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１金属層は、めっき層であってもよい。

本発明による蒸着マスクにおいて、前記中央部の厚みは、５μｍ以下であってもよい。

本発明は、蒸着マスク製造方法であって、所定の導電性パターンが形成された基材を準備する工程と、前記導電性パターン上に、めっき処理によって、前記貫通孔が設けられた第１金属層を形成する工程と、を備え、前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点を含み、前記第１点における前記先端部の厚みが、前記中央部の厚みより厚い蒸着マスク製造方法。

本発明による蒸着マスク製造方法において、前記先端部は、最も前記貫通孔の内側に位置する第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、を更に含んでいてもよい。

本発明は、蒸着マスク製造方法であって、所定の導電性パターンが形成された基材を準備する工程と、前記導電性パターン上に、めっき処理によって、前記貫通孔が設けられた第１金属層を形成する工程と、を備え、前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点と、最も前記貫通孔の内側に位置するとともに前記法線方向で見たときの位置が前記第１金属面より前記第１点の側にある第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、前記第２点から前記先端部の前記第１金属面に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第２孔画定線と、を含んでいる蒸着マスク製造方法。

本発明による蒸着マスク製造方法において、前記第１金属層から前記基材を分離する工程を更に備えていてもよい。

本発明による蒸着マスク製造方法において、前記基材を分離する工程において、前記基材および前記導電性パターンから分離された前記第１金属層に、前記導電性パターンに対応する形状を有する窪み部が形成されていてもよい。

本発明による蒸着マスク製造方法において、前記第１金属層上に、めっき処理によって、前記貫通孔が設けられた第２金属層を形成する工程を更に備えていてもよい。

本発明による蒸着マスク製造方法において、前記中央部の厚みは、５μｍ以下であってもよい。

本発明は、有機半導体素子製造方法であって、本発明による蒸着マスクを準備する工程と、前記蒸着マスクを使用して、前記被蒸着基板に前記蒸着材料をパターン状に蒸着させる工程と、を備えている有機半導体素子の製造方法。

本発明によれば、変形や欠損を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることができる。

図１は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す概略平面図である。 図２Ａは、図１に示す蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図である。 図２Ｂは、図１に示す蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。 図３は、図１に示す蒸着マスクを示す部分平面図である。 図４は、図３に示す蒸着マスクのＡ−Ａ線に沿った断面形状を示す図である。 図５Ａは、図４に示す第１金属層および第２金属層を示す部分拡大図である。 図５Ｂは、図５Ａに示す第１金属層の先端部を示す部分拡大図である。 図５Ｃは、図４に示す第１金属層および第２金属層の他の例を示す部分拡大図である。 図５Ｄは、図４に示す第１金属層および第２金属層の他の例を示す部分拡大図である。 図６は、図１に示す蒸着マスクを第１面側から示す平面図である。 図７Ａは、図４に示す蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図７Ｂは、図４に示す蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図７Ｃは、図４に示す蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図７Ｄは、図４に示す蒸着マスクを製造するために用いられるパターン基板を製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図８Ａは、図４に示す蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図８Ｂは、図４に示す蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図８Ｃは、図４に示す蒸着マスクをめっき処理によって製造する方法の一例の一工程を示す図である。 図９Ａは、図４に示す蒸着マスクを有機ＥＬ基板に密着させる方法の一例の一工程を示す図である。 図９Ｂは、図４に示す蒸着マスクを有機ＥＬ基板に密着させる方法の一例の一工程を示す図である。 図９Ｃは、図４に示す蒸着マスクを有機ＥＬ基板に密着させる方法の一例の一工程を示す図である。 図１０は、図５Ａに示す第１金属層の変形例を示す部分拡大図である。 図１１は、図６に示す蒸着マスクの変形例を示す平面図である。 図１２は、図７Ｃに示す導電性パターンの変形例を示す部分拡大図である。 図１３は、図５Ａに示す第１金属層の他の変形例を示す部分拡大図である。 図１４は、図７Ｃに示す導電性パターンの他の変形例を示す部分拡大図である。 図１５は、図５Ａに示す第１金属層の他の変形例を示す部分拡大図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

図１〜図９Ｃは、本発明の一実施の形態を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスク製造方法および蒸着マスクを備えた蒸着マスク装置を、有機ＥＬ基板に密着させる方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスク製造方法に対し、本発明を適用することができる。

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。

また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

（蒸着マスク装置）
まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、図１〜図２Ｂを参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図２Ａは、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図であり、図２Ｂは、図１に示す蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。

図１及び図２Ａに示された蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０の長手方向における一対の端部において、フレーム１５に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスク２０を張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。各蒸着マスク２０には、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が設けられている。

次に、図２Ａを参照して、有機ＥＬ表示装置（有機半導体素子）１００を製造する方法について説明する。まず、蒸着マスク２０と、フレーム１５とを準備する。次に、上述したように、蒸着マスク２０をフレーム１５に取り付けることにより、蒸着マスク装置１０を作製する。その後、蒸着マスク装置１０を使用して、有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８をパターン状に蒸着させる。このようにして、図２Ｂに示すように、有機ＥＬ基板９２に、蒸着材料９８によってパターン状の画素が形成された有機ＥＬ表示装置１００が作製される。

蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２に蒸着させる際、この蒸着マスク装置１０は、図２Ａに示すように、蒸着マスク２０が蒸着対象物である基板（被蒸着基板）、例えば有機ＥＬ基板９２の下面に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、有機ＥＬ基板９２への蒸着材料９８の蒸着に使用される。

より具体的には、蒸着装置９０内では、不図示の磁石からの磁力によって、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２とが密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。蒸着装置９０内を高真空に減圧した後、るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華して有機ＥＬ基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２の表面に成膜される。図２Ａにおいて、蒸着マスク２０の面のうち蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２と対向する面（以下、第１面とも称する）が符号２０ａで表されている。また、蒸着マスク２０の面のうち第１面２０ａの反対側に位置する面（以下、第２面とも称する）が符号２０ｂで表されている。第２面２０ｂ側には、蒸着材料９８の蒸着源（ここではるつぼ９４）が配置される。

上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着機をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着機に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。

ところで蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料９８の寸法精度や位置精度が低下してしまう。このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。具体的には、３４〜３８質量％のニッケルを含むインバー材や、ニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金を、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２および第２金属層３７の材料として用いることができる。なお、本明細書において、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上かつ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

なお、蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２および第２金属層３７の材料として、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、上述の鉄合金以外の様々な材料を用いることができる。

（蒸着マスク）
次に、蒸着マスク２０について、図１、図３乃至図５Ｄを参照して詳細に説明する。ここで、図３は、蒸着マスク２０を第１面２０ａの側から示す平面図であり、図４は、めっき処理によって作製された蒸着マスク２０を、図３のＡ−Ａ線に沿って切断した場合を示す断面図である。また、図５Ａは、図４に示す第１金属層および第２金属層を示す部分拡大図であり、図５Ｂは、図５Ａに示す第１金属層の先端部を示す部分拡大図であり、図５Ｃは、図４に示す第１金属層および第２金属層の他の例を示す部分拡大図であり、図５Ｄは、図４に示す第１金属層および第２金属層の他の例を示す部分拡大図である。

図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、有機ＥＬ基板９２へ蒸着されることを意図された蒸着材料９８が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置１００用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお、図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。

図示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置１００に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。

図３に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。本実施の形態においては、貫通孔２５は、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合に格子状に配列されている。この貫通孔２５の形状などについて、以下に詳細に説明する。ここでは、蒸着マスク２０がめっき処理によって形成される場合の、貫通孔２５の形状などについて説明する。

図４に示すように、蒸着マスク２０は、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１金属層３２上に設けられ、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えている。第１金属層３２は、めっき処理によって作製された第１めっき層であって、第２金属層３７よりも蒸着マスク２０の第１面２０ａ側に配置されている。第２金属層３７は、めっき処理によって作製された第２めっき層であって、第１金属層３２よりも蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側に配置されている。図４に示す例においては、第１金属層３２が蒸着マスク２０の第１面２０ａを構成し、第２金属層３７が蒸着マスク２０の第２面２０ｂを構成している。上述したように第１面２０ａは、蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２と対向する面となっている（図２Ａ参照）。このようにして、第１金属層３２は、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２に蒸着させる際（蒸着工程の際）に、有機ＥＬ基板９２の側に配置される。

本実施の形態においては、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに連通することにより、蒸着マスク２０を貫通する貫通孔２５が構成されている。この場合、蒸着マスク２０の第１面２０ａ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される。一方、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される。言い換えると、貫通孔２５には、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される形状、および、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される形状の両方が付与されている。このようにして、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２に蒸着させる際に蒸着材料９８が通過する貫通孔２５が、第１金属層３２と第２金属層３７とに設けられている。

図３に示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０や第２開口部３５は、平面視において略多角形状になっていてもよい。ここでは第１開口部３０および第２開口部３５が、略四角形状、より具体的には略正方形状になっている例が示されている。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状になっていてもよい。なお、「略多角形状」とは、多角形の角部が丸められている形状を含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状になっていてもよい。また、平面視において第２開口部３５が第１開口部３０を囲う輪郭を有する限りにおいて、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっている必要はない。

図４において、符号４１は、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部を表している。また符号Ｓ０は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における貫通孔２５の寸法を表している。なお、図４においては、第１金属層３２と第２金属層３７とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２と第２金属層３７との間にその他の層が介在されていてもよい。例えば、第１金属層３２と第２金属層３７との間に、第１金属層３２上における第２金属層３７の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。

図４乃至図５Ｂに示すように、本実施の形態による第１金属層３２は、中央部４２と、中央部４２より貫通孔２５の側（より詳細には、貫通孔２５の中心側）に設けられた先端部４３と、を有している。また、第１金属層３２は、中央部４２および先端部４３に設けられた第１金属面３２ａと、第１金属面３２ａの側とは反対側の第２金属面３２ｂと、を有している。このうち、第１金属面３２ａは、蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２に対向する面となっている。すなわち、第１金属面３２ａが前述した蒸着マスク２０の第１面２０ａを構成する。第２金属面３２ｂは、第２金属層３７が設けられる面となっている。すなわち、第２金属面３２ｂ上に第２金属層３７が設けられている。なお、第１金属面３２ａには、後述する導電性パターン５２の形状に対応する窪み部４４が形成されている。この窪み部４４は、詳細は後述するが、中央部４２から先端部４３にわたって形成されている。

本実施の形態による中央部４２は、蒸着マスク２０の法線方向Ｎで見たときに第２金属層３７に重なる部分となっている。言い換えると、中央部４２は、一方の接続部４１から他方の接続部４１までの間の部分となっている。先端部４３は、第２金属層３７よりも貫通孔２５の内側に向って突出した部分となっている。このことにより、先端部４３を有する第１金属層３２の幅（第１面２０ａでの互いに隣り合う貫通孔２５の間における貫通孔２５の配列方向に沿った寸法）が、第２金属層３７の幅（第２面２０ｂでの互いに隣り合う貫通孔２５の間における貫通孔２５の配列方向に沿った寸法）より大きくなっている。

このように構成されていることにより、図４に示すように、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２が、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。また、接続部４１における貫通孔２５の寸法Ｓ０は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。上述した先端部４３は、第１金属層３２の第２点４５ｂ（後述、図５Ａ、図５Ｂ参照）と接続部４１との間の部分に相当する。このようにして、先端部４３によって第１開口部３０が画定されている。

以下、このような先端部４３を有する第１金属層３２と第２金属層３７を構成することの利点について説明する。

蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から蒸着マスク２０に向かって飛来する蒸着材料９８は、貫通孔２５の第２開口部３５および第１開口部３０を順に通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。有機ＥＬ基板９２のうち蒸着材料９８が付着する領域は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１や開口形状によって主に定められる。ところで、図４において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。ここで、仮に第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２が第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と同一であるとすると、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８の多くは、貫通孔２５を通過して有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に、貫通孔２５の第２開口部３５の壁面３６に到達して付着してしまう。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、第２開口部３５の開口寸法Ｓ２を大きくすることが好ましいと言える。

図４において、第２開口部３５の端部３８を通って、第１金属層３２の先端部４３と接する直線Ｌ１と、蒸着マスク２０の法線方向Ｎとがなす角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、第２開口部３５の壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。例えば角度θ１を４５°以上にすることが好ましい。このため、第１金属層３２が第２金属層３７よりも貫通孔２５の内側に向って突出している先端部４３を有することにより、角度θ１を大きくすることができる。

上述の開口寸法Ｓ０、Ｓ１、Ｓ２、第１金属層３２の幅、第２金属層３７の幅は、有機ＥＬ表示装置１００の画素密度や上述の角度θ１の所望値などを考慮して、適切に設定される。例えば、４００ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置１００を作製する場合、接続部４１における貫通孔２５の開口寸法Ｓ０は、１５〜６０μｍの範囲内に設定され得る。また、第１面２０ａにおける第１開口部３０の開口寸法Ｓ１は、１０〜５０μｍの範囲内に設定され、第２面２０ｂにおける第２開口部３５の開口寸法Ｓ２は、１５〜６０μｍの範囲内に設定され得る。一例として、４００ｐｐｉ相当の画素密度の有機ＥＬ表示装置１００において、第１開口部３０の開口寸法Ｓ１は４０μｍに、第１金属層３２の幅は２０μｍに、第２金属層３７の幅は８μｍに設定され得る。また、６００ｐｐｉ相当の画素密度の有機ＥＬ表示装置１００を作製する場合には、第１開口部３０の開口寸法Ｓ１は３０μｍに、第１金属層３２の幅は１５μｍに、第２金属層３７の幅は５μｍに設定され得る。さらに、８００ｐｐｉ相当の画素密度の有機ＥＬ表示装置１００を作製する場合には、第１開口部３０の開口寸法Ｓ１は２０μｍに、第１金属層３２の幅は１０μｍに、第２金属層３７の幅は４μｍに設定され得る。

以下に、第１金属層３２についてより詳細に説明する。

図５Ａおよび図５Ｂに示すように、先端部４３は、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った断面で見たときに、第１金属面３２ａから最も離れた第１点４５ａと、最も貫通孔２５の内側に位置する第２点４５ｂと、を含んでいる。法線方向Ｎで見たときの第２点４５ｂの位置は、第１金属面３２ａより第１点４５ａ側（第２金属層３７側）にある。ここで、法線方向Ｎで見たときの位置とは、第１金属面３２ａからの高さを意味していると置き換えることができる。従って、法線方向Ｎで見たときの第２点４５ｂの位置が第１金属面３２ａより第１点４５ａ側にあるとは、第２点４５ｂが、二次元的に第１点４５ａと第１金属面３２ａとの間にあることを意味するのではなく、第２点４５ｂの幅方向の位置に関わることなく、第２点４５ｂの高さが、第１金属面３２ａより高いことを意味している。そして、第１点４５ａが、第１金属面３２ａから最も離れているため、第１点４５ａの第１金属面３２ａからの高さが最も高く、第２点４５ｂの高さは、第１点４５ａよりも低いと言うことができる。

本実施の形態において、第１点４５ａにおける先端部４３の厚みｔ１は、中央部４２の厚みｔ２よりも厚くなっている。そして、先端部４３の厚みは、この第１点４５ａにおいて最大となっている。ここで厚みｔ１とは、図５Ａに示すように、第１金属面３２ａから、第１点４５ａまでの高さを意味している。同様に、厚みｔ２とは、第１金属面３２ａから、中央部４２の第２金属面３２ｂまでの高さを意味している。例えば、厚みｔ２は、第２金属面３２ｂにおいて幅方向に等間隔で配置された５つの点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５における、第１金属層３２の厚み（第１金属面３２ａから、中央部４２の第２金属面３２ｂまでの高さ）の平均値とすることができる。第２金属層３７の壁面３６が中央部４２の第２金属面３２ｂに垂直であるとみなせる場合には、両端の点Ｐ１、Ｐ５は接続部４１に相当する。また、図５Ｃに示すように、法線方向Ｎに沿った断面で見たときに、第２金属層３７の壁面３６と第２金属面３２ｂとの間に凹み部ｒが形成され、接続部４１が第２金属層３７の壁面３６よりも貫通孔２５の外側に設けられる場合がある。このような場合には、壁面３６のうち、中央部４２の第２金属面３２ｂに垂直であるとみなせる部分から第１金属層３２の側へ延びる仮想線Ｘを設け、当該仮想線Ｘと第２金属面３２ｂとの交点をＰ１、Ｐ５としてもよい。また、図５Ｄに示すように、法線方向Ｎに沿った断面で見たときに、第２金属層３７の壁面３６と第２金属面３２ｂとの間に凸部ｐが形成され、接続部４１が第２金属層３７の壁面３６よりも貫通孔２５の内側に設けられる場合がある。このような場合においても、壁面３６のうち、中央部４２の第２金属面３２ｂに垂直であるとみなせる部分から第１金属層３２の側へ延びる仮想線Ｘを設け、当該仮想線Ｘと第２金属面３２ｂとの交点をＰ１、Ｐ５としてもよい。この仮想線Ｘを用いて中央部４２の高さを測定する方法は、第１金属層３２と第２金属層３７との間の界面が明瞭でない場合にも適用できる。なお、本実施の形態では、中央部４２上に第２金属層３７が設けられており、中央部４２は、幅方向にわたってほぼ一定の厚みとなっている。

また、先端部４３の厚みｔ１および中央部の厚みｔ２を測定する場合には、まず、第１金属層３２を含む試料を５ｍｍ角片に切断し、樹脂包埋する。次に、図４に示す断面が得られるように、ダイヤモンドナイフでトリミング加工する。この際、ミクロトーム（例えばライカマイクロシステムズ社製のウルトラミクロトーム）を使用して、測定目的位置から３０μｍ離れた部分までトリミング加工する。次に、トリミング加工を行った切断面をけずることにより、観察用の切断面を作製する。この際、断面試料作製装置（例えばＪＯＥＬ社製のクロスセクションポリッシャー）を使用して、飛び出し幅を３０μｍ、電圧を５ｋＶ、時間を６時間に設定し、イオンビーム加工にて、切断面を削る。その後、得られた試料の切断面を測定する。この際、走査型電子顕微鏡（例えば、カールツァイス社製の走査型電子顕微鏡）を使用して、電圧を５ｋＶ、作動距離を３ｍｍ、観察倍率を５０００倍または２００００倍に設定し、切断面を観察する。このようにして、先端部４３の厚みｔ１および中央部４２の厚みｔ２を測定することができる。なお、撮影時の観察倍率基準は、Ｐｏｌａｒｏｉｄ５４５とする。

先端部４３は、法線方向Ｎに沿った断面で見たときに、第１点４５ａから第２点４５ｂに延びる第１孔画定線４６を含んでいる。この第１孔画定線４６は、貫通孔２５の内側に向かって凸となる湾曲状に形成されている。すなわち、本実施の形態による先端部４３の形状は、角を持つ矩形状に比べて、角を持たない湾曲状の形状となっている。このことにより、蒸着材料９８を蒸着させる際に、第１孔画定線４６上に蒸着材料９８が付着し、堆積することを抑制することができ、蒸着シャドーの発生を抑制することができる。また、先端部４３のうち貫通孔２５の側の部分の厚みを確保することができる。このような第１孔画定線４６の曲率半径Ｒは、０．５μｍ〜５μｍであることが好適である。０．５μｍ以上とすることにより、蒸着シャドーの発生を効果的に抑制でき、５μｍ以下とすることにより、先端部４３の厚みを効果的に確保することができる。そして、先端部の厚みを効果的に確保することにより、蒸着マスク２０の超音波洗浄時に、先端部４３の一部（とりわけ、窪み部４４が形成されている場合は、窪み部４４から先端側の部分）が変形したり欠損したりすることを抑制できる。

また、先端部４３は、法線方向Ｎに沿った断面で見たときに、第２点４５ｂから先端部４３の第１金属面３２ａに延びる第２孔画定線４７を更に含んでいる。この第２孔画定線４７は、貫通孔２５の内側に向かって凸となる湾曲状に形成されている。このことにより、有機ＥＬ基板９２への蒸着マスク２０の着脱時や、蒸着マスク２０の超音波洗浄時に、先端部４３の一部（とりわけ、窪み部４４が形成されている場合は、窪み部４４から先端側の部分）が変形したり欠損したりすることを抑制できる。

また、先端部４３は、第１点４５ａから中央部４２の第２金属面３２ｂに延びる第３孔画定線４８を更に含んでいる。このような第１孔画定線４６、第２孔画定線４７および第３孔画定線４８は、互いに滑らかに接続されて、貫通孔２５の第１開口部３０を画定している。

第２孔画定線４７と第１金属面３２ａは、法線方向Ｎに沿った断面で見たときに、第３点４５ｃによって交わって、互いに接続されている。この第３点４５ｃは、第１金属面３２ａ上における蒸着マスク２０の外縁を画定している。また、この第３点４５ｃは、第２点４５ｂよりも貫通孔２５の外側（中央部４２の側）に位置している。すなわち、第２点４５ｂと第３点４５ｃとを通る線は、当該法線方向Ｎに対して傾斜しており、第２点４５ｂと第３点４５ｃとを通る線Ｌ２の法線方向Ｎに対してなす角度θ２は、０°よりも大きく、４５°以下であることが好適である。このことにより、第１金属面３２ａと第２孔画定線４７とが交わる第３点４５ｃを、第２点４５ｂよりも貫通孔２５の外側に位置させることができる。このため、有機ＥＬ基板９２への蒸着マスク２０の着脱時に、先端部４３の一部（とりわけ、窪み部４４が形成されている場合は、窪み部４４から先端側の部分）が変形したり欠損したりすることを抑制できる。さらに、角度θ２を０°よりも大きくすることで、蒸着マスク２０の先端部４３の強度を高くすることができる。また、角度θ２を４５°以下にすることで、蒸着材料９８を蒸着させる際に、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２との間に、過剰な隙間が形成されることを抑制できる。このため、蒸着材料９８が当該隙間に回り込むことにより、所望の蒸着パターンよりも大きな形状の蒸着パターンが形成されてしまう、いわゆる蒸着パターン太りを抑制できる。

また、図５Ｂにおいて、第１金属層３２のうち後述する導電性パターン５２と重ならない部分の幅が符号ｗで表されている。幅ｗは、例えば０．５〜５μｍの範囲内になる。導電性パターン５２の寸法は、この幅ｗを考慮して設定される。

以下に、窪み部４４について詳細に説明する。

上述の実施の形態および各変形例においては、第１金属層３２を形成する第１成膜工程を実施するためのパターン基板５０として、所定の厚みを有する導電性パターン５２が設けられた基材５１を用いる。また、第１金属層３２は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成される。このため、第１金属層３２及び前記第２金属層３７を含む蒸着マスク２０をパターン基板５０の基材５１及び導電性パターン５２から分離すると、第１金属層３２によって構成される蒸着マスク２０の第１面２０ａ（第１金属面３２ａ）には、 図５Ａおよび図５Ｂに示すように、導電性パターン５２に対応する形状を有する窪み部４４が形成される。

以下の説明において、第１金属面３２ａのうち、窪み部４４が形成されていない部分を最表面３２ｃと称し、窪み部４４が形成されている部分を窪み面４４ａと称する。また、最表面３２ｃと窪み部４４の窪み面４４ａとの境界を窪み部４４の外縁４４ｅと称する。最表面３２ｃは、第１成膜工程において析出した第１金属層３２のうち、導電性パターン５２と重ならない部分に析出した第１金属層３２の表面である。蒸着マスク２０の法線方向において、最表面３２ｃと第２面２０ｂとの間の距離は、窪み面４４ａと第２面２０ｂとの間の距離よりも大きい。

窪み部４４の深さＤは、パターン基板５０の導電性パターン５２の厚みに応じて定まる。例えば、導電性パターン５２の厚みが５０〜５００ｎｍの範囲内である場合、窪み部４４の深さＤは５０〜５００ｎｍの範囲内になる。第１金属層３２の中央部４２の厚みｔ２は、上述の実施の形態の場合と同様に、０．５〜５μｍの範囲内である。

図６は、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を第１面２０ａ側から見た場合を示す平面図である。図６においては、第１金属面３２ａの最表面３２ｃおよび窪み面４４ａに、互いに異なるハッチングを付している。また、図６においては、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側に形成される第２金属層３７の端部３８、および、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部４１を点線で表している。第２金属層３７の壁面３６が蒸着マスク２０の法線方向に平行に広がる場合、平面図において、接続部４１の位置は第２金属層３７の端部３８の位置に一致する。

図６に示すように、最表面３２ｃおよび窪み部４４の外縁４４ｅは、第３点４５ｃに沿って延びており、また、貫通孔２５を囲う閉じた輪郭を有している。貫通孔２５の輪郭線に直交する方向における最表面３２ｃの幅ｗは、図５Ｂに示す、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と重ならない部分の幅ｗに等しく、例えば０．５〜５μｍの範囲内である。

好ましくは、図６に示すように、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部４１の輪郭が、窪み部４４の外縁４４ｅを囲っている。言い換えると、第２金属層３７は、第１金属層３２のうち窪み部４４が形成されている部分の上に積層されている。このように構成することの利点については後述する。蒸着マスク２０の面方向における窪み部４４の外縁４４ｅと接続部４１の輪郭との間の距離ｄは、例えば１．０〜１６．５μｍの範囲内である。

次に、図７Ａ乃至図８Ｃを参照して、図４に示す蒸着マスク２０を、めっき処理を利用して製造する方法について説明する。

（パターン基板準備工程）
はじめに、パターン基板５０を準備する。ここでパターン基板５０は、後述するように、基材５１と、基材５１上に形成された所定の導電性パターン５２と、を有するように構成されものである。このようなパターン基板５０を作製する方法の一例について以下に説明する。

はじめに、基材５１を準備する。次に図７Ａに示すように、導電性材料からなる導電層５２ａを形成する。導電層５２ａは、パターニングされることによって導電性パターン５２となる層である。

絶縁性および適切な強度を有する限りにおいて、基材５１を構成する材料や基材５１の厚みが特に限られることはない。例えば基材５１を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。

導電層５２ａを構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述するレジストパターン５５に対する高い密着性を有する材料が、導電性パターン５２を構成する材料として用いられる。例えばレジストパターン５５が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電性パターン５２を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅または銅合金が用いられることが好ましい。

後述するように、導電層５２ａをパターニングすることによって形成される導電性パターン５２の上には、導電性パターン５２を覆うように第１金属層３２が形成され、この第１金属層３２はその後の工程で導電性パターン５２から分離される。このため、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と接する側の面の上には、通常、導電性パターン５２の厚みに対応する窪み部４４が形成される。この点を考慮すると、電解めっき処理に必要な導電性を導電性パターン５２が有する限りにおいて、導電性パターン５２の厚み、すなわち導電層５２ａの厚みは小さい方が、先端部４３の強度を高くする点においては好ましい。例えば導電層５２ａの厚みは、５０〜５００ｎｍの範囲内になっている。

次に図７Ｂに示すように、導電層５２ａ上に、所定のパターンを有するレジストパターン５３を形成する。レジストパターン５３を形成する方法としては、後述するレジストパターン５５の場合と同様に、フォトリソグラフィー法などが採用され得る。その後、図７Ｃに示すように、導電層５２ａのうちレジストパターン５３によって覆われていない部分を、ウェットエッチングによって除去する。次に図７Ｄに示すように、レジストパターン５３を除去する。これによって、第１金属層３２に対応するパターンを有する導電性パターン５２が形成されたパターン基板５０を得ることができる。

（第１成膜工程）
次に、パターン基板５０を利用して、めっき処理によって上述の第１金属層３２を形成する第１成膜工程について説明する。まず図７Ｄに示すように、所定の導電性パターン５２が形成された基材５１を有するパターン基板５０を準備する。導電性パターン５２は、第１金属層３２に対応するパターンを有している。

次に、導電性パターン５２が形成された基材５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基材５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図８Ａに示すように、基材５１上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を得ることができる。第１金属層３２中央部４２の厚みは、例えば５μｍ以下になっている。

なお、めっき処理の特性上、図８Ａに示すように、第１金属層３２は、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２の端面５４と重なる部分に析出した第１金属層３２の表面にさらに第１金属層３２が析出するためである。このため、第１金属層３２は、導電性パターン５２から基材５１の法線方向に析出されて成長するだけでなく、導電性パターン５２の端面５４から基材５１の法線方向に直交する方向にも析出され成長していく。この結果、図８Ａに示すように、第１金属層３２の先端部４３の第２点４５ｂは、基材５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重ならない部分に位置するようになり得る。

このようにして、図５Ａおよび図５Ｂに示すような、先端部４３を有する第１金属層３２が得られる。ここで、先端部４３の形状は、導電性パターン５２の形状に従って金属材料が析出した結果として得られる。すなわち、導電性パターン５２の端面５４の上端（上側角部）付近で、金属材料は湾曲状に析出して成長していく。このとき、導電性パターン５２の端面５４では、めっき電流が集中している。このため、先端部４３では、めっき成長が他の部分より早くなりやすい。ここで、めっきの電流量等の条件を適切に制御することにより、先端部４３では、中央部４２よりも厚みを厚くすることが可能である。また、先端部４３は、図５Ａおよび図５Ｂに示すような第１孔画定線４６を有するように形成され得る。また、端面５４の下端（下側角部）付近では、基材５１の存在により、めっき液の攪拌および流動が起きにくくなっている。このことにより、端面５４の下端（下側角部）付近には、めっき液が入り込みにくくなっている。このため、金属材料の析出速度が低下し、第３点４５ｃが、第２点４５ｂよりも貫通孔２５の外側に位置付けられ、図５Ａおよび図５Ｂに示すような第２孔画定線４７を有するように先端部４３が形成される。

導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。この場合、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。

用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば第１金属層３２が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのｐＨ緩衝剤、サッカリンナトリウなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。

（第２成膜工程）
次に、めっき処理によって、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する第２成膜工程を実施する。まず、基材５１上および第１金属層３２の先端部４３上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程を実施する。図８Ｂは、基材５１上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図である。図８Ｂに示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２の第１開口部３０がレジストパターン５５によって覆われるとともに、レジストパターン５５の隙間５６が第１金属層３２の中央部４２上に位置するように実施される。

以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、基材５１上および第１金属層３２の先端部４３上にドライフィルムを貼り合わせることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。また、レジストパターン５５用の材料を基材５１上に塗布し、その後に必要に応じて焼成を実施することにより、レジスト膜を形成してもよい。次に、レジスト膜のうち隙間５６となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なお、レジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図８Ｂに示すように、第１金属層３２の中央部４２上に位置する隙間５６が設けられるとともに第１金属層３２の第１開口部３０を覆うレジストパターン５５を形成することができる。なお、レジストパターン５５を基材５１および第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にレジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。

次に、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２の中央部４２上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２が形成された基材５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図８Ｃに示すように、第１金属層３２の中央部４２上に第２金属層３７を形成することができる。第２金属層３７の厚みは、蒸着マスク２０全体の厚みが３〜５０μｍの範囲内になるように設定される。例えば第２金属層３７の厚みは、１〜５０μｍ、より好ましくは２〜４０μｍ、さらに好ましくは２〜３０μｍ、さらに好ましくは２〜２０μｍの範囲内になっている。

第１金属層３２の中央部４２上に第２金属層３７を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお、第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２上には適切な触媒層が設けられていてもよい。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２上に触媒層が設けられていてもよい。

用いられる第２めっき液の成分は、第１めっき液の場合と同様に、第２金属層３７に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば第２金属層３７が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、第２めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルや臭化ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸第一鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、様々な添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、ホウ酸などのｐＨ緩衝剤、サッカリンナトリウなどの一次光沢剤、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、チオ尿素などの二次光沢剤や、酸化防止剤などが用いられ得る。

なお、図８Ｃにおいては、レジストパターン５５の上面と第２金属層３７の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７の上面がレジストパターン５５の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。

その後、レジストパターン５５を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン５５を基材５１、第１金属層３２や第２金属層３７から剥離させることができる。

（分離工程）
次に、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体を、基材５１を有するパターン基板５０から分離させる分離工程を実施する。これによって、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。

次に、図９Ａ乃至図９Ｃを参照して、図４に示す蒸着マスク２０を、図２Ａに示す有機ＥＬ基板９２に密着させる方法について説明する。

（位置調整工程）
位置調整工程においては、図９Ａに示すように、蒸着マスク２０が有機ＥＬ基板９２に接触して有機ＥＬ基板９２の表面が傷ついてしまうことを抑制するため、有機ＥＬ基板９２と蒸着マスク２０の第１面２０ａとの間に所定の間隔を空けた状態で蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２の面方向に沿って移動させて、蒸着マスク２０の位置を調整する。

（密着工程）
位置調整工程の後、図９Ｂに示すように、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させる密着工程を実施する。例えば、不図示の磁石からの磁力を利用して、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２へ近づけ、蒸着マスク２０の第１面２０ａと有機ＥＬ基板９２とを接触させる。その後、有機材料などを有機ＥＬ基板９２に蒸着させる蒸着工程を実施する。なお、磁石からの磁力などの力が蒸着マスク２０に作用すると、図９Ｃに示すように、第１金属層３２のうち窪み部４４が形成されるとともに第２金属層３７とは重ならない部分が変形して窪み部４４の窪み面４４ａの一部が有機ＥＬ基板９２に接触することが考えられる。

上述のようにして蒸着マスク２０を製造することの利点について、以下に説明する。

本実施の形態において、第１点４５ａから第２点４５ｂに、貫通孔２５の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線４６が延びている。このことにより、蒸着材料９８を蒸着させる際に、第１孔画定線４６上に蒸着材料９８が付着し、堆積することを抑制することができる。このため、蒸着シャドーの発生を抑制し、蒸着品質の向上を図ることができる。また、角を持たない湾曲状でかつ厚みを効果的に確保できる本実施の形態による先端部４３の形状は、超音波マスク洗浄での先端部４３の一部（とりわけ、窪み部４４が形成されている場合は、窪み部４４から先端側の部分）が変形したり欠損したりすることを抑制できる。

また、本実施の形態においては、上述したように先端部４３が第１孔画定線４６を含んでいることにより、先端部４３のうち貫通孔２５の側の部分の厚みを確保することができ、先端部４３の強度を高くすることができる。また、第１点４５ａにおける先端部４３の厚みが、中央部４２の厚みより厚くなっている。このことによっても、蒸着マスク２０の強度を高くすることができる。

ここで、蒸着工程の際には、蒸着材料９８（図２Ａ参照）は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から飛来し、貫通孔２５の第２開口部３５および第１開口部３０を順に通過する。このため、先端部４３のうち第２金属面３２ｂに蒸着材料９８が付着し、堆積する可能性がある。このようにして蒸着材料９８が付着し、堆積した蒸着マスク２０を用いて別の有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を蒸着させる際には、この堆積した蒸着材料９８が蒸着シャドーになって、蒸着材料９８の利用効率が低下するおそれがある。そこで、堆積した蒸着材料９８を除去するために、蒸着マスク２０を洗浄（より具体的には超音波洗浄）することが好適である。しかしながら、この洗浄の際、先端部４３の強度が低いと蒸着マスク２０の先端部４３に変形や欠損が生じるおそれがある。

これに対して本実施の形態によれば、上述したように、先端部４３が第１孔画定線４６を含んでいるとともに、第１点４５ａにおける先端部４３の厚みが、中央部４２の厚みより厚くなっている。このことにより、先端部４３の強度を高くすることができる。このため、蒸着マスク２０の超音波洗浄時に、蒸着マスク２０の先端部４３（とりわけ、窪み部４４が形成されている場合は、窪み部４４から先端側の部分）に変形や欠損が生じることを抑制できる。有機ＥＬ基板９２への蒸着マスク２０の着脱時においても同様に蒸着マスク２０に変形や欠損が生じることを抑制できる。

また、先端部４３の厚みを確保できることにより、蒸着材料９８を蒸着させる際に、磁石によって先端部４３に作用する吸着力を増大させることもできる。このため、先端部４３と有機ＥＬ基板９２との密着性を向上させることができ、蒸着材料９８により形成される画素の形状精度を向上させることができる。この結果、蒸着品質の向上を図ることができる。

また、本実施の形態において、第２点４５ｂから先端部４３の第１金属面３２ａに、貫通孔２５の内側に向かって凸となる湾曲状の第２孔画定線４７が延びている。このことにより、有機ＥＬ基板９２への蒸着マスク２０の着脱時や、蒸着マスク２０の超音波洗浄時に、先端部４３の一部（とりわけ、窪み部４４が形成されている場合は、窪み部４４から先端側の部分）が変形したり欠損したりすることを抑制できる。

次に、上述のようにして蒸着マスク２０を、有機ＥＬ基板９２に密着させることの利点について、以下に説明する。

位置調整工程の際には、有機ＥＬ基板９２と蒸着マスク２０の第１面２０ａとの間の間隔が小さいほど、有機ＥＬ基板９２に対する蒸着マスク２０の相対的な位置を精度よく検出することができ、従って、蒸着マスク２０の位置を精密に調整することができる。一方、有機ＥＬ基板９２と蒸着マスク２０の第１面２０ａとの間の間隔が小さいほど、蒸着マスク２０の位置調整の誤差や蒸着マスク２０のたわみなどに起因して蒸着マスク２０が有機ＥＬ基板９２に接触する可能性が高くなる。

ここで本実施の形態によれば、蒸着マスク２０の第１面２０ａに窪み部４４が形成されている。窪み部４４の窪み面４４ａは、最表面３２ｃよりも有機ＥＬ基板９２から遠ざかる位置にある。このため、窪み面４４ａが有機ＥＬ基板９２に接触する可能性は、最表面３２ｃが有機ＥＬ基板９２に接触する可能性よりも低い。従って、第１金属面３２ａに窪み部４４を形成することにより、蒸着マスク２０の位置調整の誤差や蒸着マスク２０のたわみが生じた場合であっても、有機ＥＬ基板９２に接触する蒸着マスク２０の面積を低減することができる。このことにより、有機ＥＬ基板９２の表面が傷つくことを抑制することができる。例えば、有機ＥＬ基板９２に予め形成されている配線や電極が傷つくことを抑制することができる。

ところで、蒸着工程の際に、第１金属面３２ａと第２孔画定線４７とが交わる第３点４５ｃにおける第１金属面３２ａと、有機ＥＬ基板９２との間に隙間が空いていると、隙間に蒸着材料９８が入り込み、有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料９８の形状がばらついてしまう。従って、有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料９８の形状を精密に制御するためには、蒸着マスク２０の第１金属層３２の第３点４５ｃを有機ＥＬ基板９２に確実に接触させることが重要になる。隙間は、蒸着マスク２０の厚みが小さく、このため蒸着マスク２０にたわみや波打ち形状などが表れている場合などに生じやすい。

ここで本実施の形態によれば、第１金属面３２ａに窪み部４４が形成されているので、密着工程の際に蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２へ近づけるとき、蒸着マスク２０の最表面３２ｃが窪み面４４ａよりも有機ＥＬ基板９２に接触し易い。そして、蒸着マスク２０の第１金属層３２の第３点４５ｃ（第１金属面３２ａ上における蒸着マスク２０の外縁）は、最表面３２ｃに位置している。従って、蒸着マスク２０の第１金属層３２の第３点４５ｃをより確実に有機ＥＬ基板９２に接触させることができる。

ところで、第１金属層３２のうち蒸着マスク２０の法線方向に沿って見た場合に第２金属層３７と重ならない部分は、第１金属層３２のうち第２金属層３７と重なっている部分に比べて変形し易い。また、蒸着マスク２０の第１金属層３２に窪み部４４が形成される場合、第１金属層３２の厚みは、窪み部４４の深さＤの分だけ小さくなり、この結果、第１金属層３２がさらに変形し易くなる。このため、磁石からの磁力などの力が蒸着マスク２０に作用すると、図９Ｃに示すように、第１金属層３２のうち窪み部４４が形成されるとともに第２金属層３７とは重ならない部分が変形して窪み部４４の窪み面４４ａの一部が有機ＥＬ基板９２に接触することが考えられる。蒸着マスク２０の最表面３２ｃに加えて窪み部４４の窪み面４４ａの一部が有機ＥＬ基板９２に接触することにより、蒸着マスク２０をより強固に有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。

好ましくは、密着工程の際、はじめに、蒸着マスク２０の最表面３２ｃが有機ＥＬ基板９２に接触し、その後、蒸着マスク２０の窪み部４４の窪み面４４ａが有機ＥＬ基板９２に接触するよう、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に近づける。これによって、蒸着マスク２０の最表面３２ｃの第３点４５ｃを確実に有機ＥＬ基板９２に接触させるとともに、蒸着マスク２０を強固に有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。

また、本実施の形態によれば、先端部４３の厚みを確保できるとともに、第１金属面３２ａに窪み部４４が形成されていることにより、蒸着材料９８を蒸着させる際に、磁石によって先端部４３に作用する吸着力を増大させ、かつ、蒸着マスク２０を強固に有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。このため、先端部４３と有機ＥＬ基板９２との密着性をより向上させることができ、蒸着材料９８により形成される画素の形状精度をより向上させることができる。

以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明による蒸着マスク、蒸着マスク製造方法および有機半導体素子製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

上述した本実施の形態において、先端部４３が、第１孔画定線４６を含んでいなくてもよい。この場合においても、第１点４５ａにおける先端部４３の厚みが、中央部４２の厚みより厚くなっていることにより、蒸着マスク２０の先端部４３の変形や欠損を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることができる。

また、上述した本実施の形態において、第２孔画定線４７が、貫通孔２５の内側に向って凸となる湾曲状に形成されていなくてもよい。この場合においても、先端部４３が第１孔画定線４６を含むとともに、第１点４５ａにおける先端部４３の厚みが、中央部４２の厚みより厚くなっていることにより、蒸着マスク２０の先端部４３の変形や欠損を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることができる。

また、上述した本実施の形態において、第１点４５ａにおける先端部４３の厚みが、中央部４２の厚みと同一となっていてもよい。この場合においても、先端部４３が第１孔画定線４６および第２孔画定線４７を含むことにより、蒸着マスク２０の先端部４３の変形や欠損を抑制するとともに、蒸着品質の向上を図ることができる。

（蒸着マスクの層構造の変形例）
また、上述した本実施の形態においては、蒸着マスク２０が、第１金属層３２と、第１金属層３２上に設けられた第２金属層３７と、を備え、２層構造で形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、第１金属層３２上に第２金属層３７が形成されることなく、例えば図１０に示すような１層構造で形成されていてもよい。この場合においても、上述した本実施の形態による２層構造の蒸着マスク２０と同様の効果を得ることができる。ここで、図１０に示す形態においては、中央部４２とは、第１金属層３２を幅方向に３等分に分割した場合における中央の部分とすることができる。この場合、法線方向Ｎに沿った断面で見たときに、各先端部４３の幅と中央部４２の幅は等しくなっている。なお、図１０に示す形態では、上述した本実施の形態の場合と同様に、第１点４５ａにおける先端部４３の厚みｔ１は、中央部４２の厚みｔ２よりも厚くなっている。そして、先端部４３の厚みは、この第１点４５ａにおいて最大となっている。また、厚みｔ２は、上述した本実施の形態と同様に、第２金属面３２ｂにおいて幅方向に等間隔で配置された５つの点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５における、第１金属層３２の厚み（第１金属面３２ａから、中央部４２の第２金属面３２ｂまでの高さ）の平均値とすることができる。また、第１金属面３２ａに窪み部４４を形成することによって、有機ＥＬ基板９２に接触する蒸着マスク２０の面積を低減するという効果は、蒸着マスク２０の層構造に依らず実現され得る。図１０に示すように、蒸着マスク２０を、１つの金属層（めっき層）のみによって構成し、金属層のうち蒸着マスク２０の第１面２０ａを構成する面に、窪み部４４を形成してもよい。

（貫通孔の配列の変形例）
また、上述の本実施の形態においては、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合に複数の貫通孔２５が格子状に配列される例を示した。しかしながら、貫通孔２５の配置が特に限られることはない。例えば図１１に示すように、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合に複数の貫通孔２５が千鳥足状に配列されていてもよい。

（窪み部の形状の変形例）
また、第１金属面３２ａの窪み部４４は、上述のように、パターン基板５０の導電性パターン５２の形状に対応して形成される。従って、窪み部４４の形状は、導電性パターン５２の形状に基づいて定まる。以下、窪み部４４の形状のいくつかの例について説明する。

図１２は、ウェットエッチングによって導電層５２ａをパターニングした場合に得られるパターン基板５０の導電性パターン５２の一例を拡大して示す断面図である。また、図１３は、図１２に示すパターン基板５０を用いて第１成膜工程を実施した場合に得られる蒸着マスク２０を拡大して示す断面図である。

ウェットエッチングのように等方的に進行するエッチングが採用される場合、図１２に示すように、導電性パターン５２の端面５４に窪みが形成されることがある。この場合、図１３に示すように、蒸着マスク２０の第１金属層３２の窪み部４４の側面４４ｂは、窪み部４４に向かって突出する。この結果、第１金属層３２のうち窪み部４４が形成されている部分の、蒸着マスク２０の法線方向における変形が抑制されると考えられる。このため、有機ＥＬ基板９２の面方向における蒸着マスク２０の位置を調整する位置調整工程の際に第１金属面３２ａの窪み面４４ａが有機ＥＬ基板９２に接触してしまうことをより確実に抑制することができる。また、蒸着マスク２０の最表面３２ｃの第３点４５ｃをより確実に有機ＥＬ基板９２に接触させることができる。

図１４は、ウェットエッチングによって導電層５２ａをパターニングした場合に得られるパターン基板５０の導電性パターン５２のその他の例を拡大して示す断面図である。また、図１５は、図１４に示すパターン基板５０を用いて第１成膜工程を実施した場合に得られる蒸着マスク２０を拡大して示す断面図である。図１４に示す導電性パターン５２においては、端面５４のうち基材５１に接する部分が、端面５４のうちレジストパターン５３に接する側の部分よりも外側（導電性パターン５２の中心から遠ざかる側）に位置する。言い換えると、導電性パターン５２のすそ野部分が外側へ広がっている。図１４に示す導電性パターン５２は、導電層５２ａにウェットエッチングを施す時間が図１２に示す形態の場合よりも短い場合に得られる。例えば、導電層５２ａにウェットエッチングを施す時間を、導電層５２ａの厚みを導電層５２ａのエッチングレートで割ることによって算出される時間、いわゆるジャストエッチング時間に設定することにより、図１４に示す導電性パターン５２が得られる。

図１４に示す導電性パターン５２のすそ野部分の位置は、ウェットエッチングを施す時間に応じて敏感に変動する。また、図１５に示すように、導電性パターン５２のすそ野部分の位置が外側にずれると、その分だけ蒸着マスク２０の第１金属層３２の第３点４５ｃの位置も外側にずれる。従って、蒸着マスク２０の第１金属層３２の第３点４５ｃの位置を安定に定めるためには、図１２に示す形態のように、ウェットエッチング時間をジャストエッチング時間よりも大きくすることが好ましい。

一方、パターン基板５０上に成膜された第１金属層３２および第２金属層３７からなる蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離させる分離工程を容易化するためには、図１４に示すように導電性パターン５２が外側へ広がるすそ野部分を有することが好ましい。

（離型処理を実施する例）
蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離させる分離工程を容易化するため、第１成膜工程を実施する前にパターン基板５０に離型処理を施しておいてもよい。以下、離型処理の例について説明する。

まず、パターン基板５０の表面の油分を除去する脱脂処理を実施する。例えば、酸性の脱脂液を用いて、パターン基板５０の導電性パターン５２の表面の油分を除去する。

次に、導電性パターン５２の表面を活性化する活性化処理を実施する。例えば、その後のめっき処理において用いられるめっき液に含まれる酸性溶液と同一の酸性溶液を導電性パターン５２の表面に接触させる。例えば、めっき液がスルファミン酸ニッケルを含む場合、スルファミン酸を導電性パターン５２の表面に接触させる。

次に、導電性パターン５２の表面に有機物の膜を形成する有機膜形成処理を実施する。例えば、有機物を含む離型剤を導電性パターン５２の表面に接触させる。この際、有機膜の厚みを、有機膜の電気抵抗が、電解めっきによる第１金属層３２の析出が有機膜によって阻害されない程度に薄く設定する。

なお、脱脂処理、活性化処理および有機膜形成処理の後には、パターン基板５０を水で洗浄する水洗処理をそれぞれ実施する。

本変形例によれば、第１成膜工程を実施する前にパターン基板５０に離型処理を施すことにより、蒸着マスク２０をパターン基板５０から分離させる分離工程を容易化することができる。

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

２０ 蒸着マスク
２５ 貫通孔
３２ 第１金属層
３２ａ 第１金属面
３７ 第２金属層
４２ 中央部
４３ 先端部
４４ 窪み部
４４ｅ 外縁
４５ａ 第１点
４５ｂ 第２点
４５ｃ 第３点
４６ 第１孔画定線
４７ 第２孔画定線
５１ 基材
５２ 導電性パターン
９２ 有機ＥＬ基板
９８ 蒸着材料
１００ 有機ＥＬ表示装置
Ｎ 法線方向
Ｒ 曲率半径
ｔ１ 先端部の厚み
ｔ２ 中央部の厚み
ｗ 幅
θ２ 角度

Claims (15)

1. 被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクであって、
   第１金属層と、
   前記第１金属層に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、
   前記貫通孔が設けられた第２金属層と、を備え、
   前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、
   前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点を含み、
   前記第１点における前記先端部の厚みが、前記中央部の厚みより厚く、
   前記第２金属層は、前記第１金属層の前記第１金属面の側とは反対側に設けられ、
   前記第１金属面に、窪み部が形成され、
   前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１金属層と前記第２金属層とが接続される接続部の輪郭は、前記第１金属面に形成された前記窪み部の外縁を囲っていることを特徴とする蒸着マスク。
2. 前記先端部は、最も前記貫通孔の内側に位置する第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、を更に含んでいることを特徴とする請求項１に記載の蒸着マスク。
3. 前記法線方向で見たときの前記第２点の位置は、前記第１金属面より前記第１点の側にあり、
   前記先端部は、前記法線方向に沿った断面で見たときに、前記第２点から前記先端部の前記第１金属面に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第２孔画定線を更に含んでいることを特徴とする請求項２に記載の蒸着マスク。
4. 被蒸着基板に蒸着材料を蒸着させる蒸着マスクであって、
   第１金属層と、
   前記第１金属層に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記蒸着材料が通過する貫通孔と、
   前記貫通孔が設けられた第２金属層と、を備え、
   前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記蒸着材料を前記被蒸着基板に蒸着させる際に前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、
   前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点と、最も前記貫通孔の内側に位置するとともに前記法線方向で見たときの位置が前記第１金属面より前記第１点の側にある第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、前記第２点から前記先端部の前記第１金属面に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第２孔画定線と、を含み、
   前記第２金属層は、前記第１金属層の前記第１金属面の側とは反対側に設けられ、
   前記第１金属面に、窪み部が形成され、
   前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１金属層と前記第２金属層とが接続される接続部の輪郭は、前記第１金属面に形成された前記窪み部の外縁を囲っていることを特徴とする蒸着マスク。
5. 前記法線方向に沿った断面で見たときに、前記第２点と、前記第１金属面と前記第２孔画定線とが交わる第３点とを通る線の前記法線方向に対してなす角度は、０°よりも大きく、４５°以下であることを特徴とする請求項３または４に記載の蒸着マスク。
6. 前記第１孔画定線の曲率半径は、０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
7. 前記第１金属面のうち、前記窪み部が形成されていない部分の幅は、０．５〜５μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
8. 前記第２金属層は、めっき層であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
9. 前記第１金属層は、めっき層であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
10. 前記中央部の厚みは、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
11. 蒸着材料を被蒸着基板に蒸着させる際に、前記蒸着材料が通過する貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
    所定の導電性パターンが形成された基材を準備する工程と、
    前記導電性パターン上に、めっき処理によって、前記貫通孔が設けられた第１金属層を形成する工程と、
    前記第１金属層上に、めっき処理によって、前記貫通孔が設けられた第２金属層を形成する工程と、
    前記第１金属層から前記基材を分離する工程と、を備え、
    前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、
    前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点を含み、
    前記第１点における前記先端部の厚みが、前記中央部の厚みより厚く、
    前記基材を分離する工程において、前記基材および前記導電性パターンから分離された前記第１金属層に、前記導電性パターンに対応する形状を有する窪み部が形成され、
    前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１金属層と前記第２金属層とが接続される接続部の輪郭は、前記第１金属面に形成された前記窪み部の外縁を囲っていることを特徴とする蒸着マスク製造方法。
12. 前記先端部は、最も前記貫通孔の内側に位置する第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、を更に含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着マスク製造方法。
13. 蒸着材料を被蒸着基板に蒸着させる際に、前記蒸着材料が通過する貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
    所定の導電性パターンが形成された基材を準備する工程と、
    前記導電性パターン上に、めっき処理によって、前記貫通孔が設けられた第１金属層を形成する工程と、
    前記第１金属層上に、めっき処理によって、前記貫通孔が設けられた第２金属層を形成する工程と、
    前記第１金属層から前記基材を分離する工程と、を備え、
    前記第１金属層は、中央部と、前記中央部より前記貫通孔の側に設けられた先端部と、前記中央部および前記先端部に設けられ、前記被蒸着基板に対向する第１金属面と、を有し、
    前記先端部は、前記蒸着マスクの法線方向に沿った断面で見たときに、前記第１金属面から最も離れた第１点と、最も前記貫通孔の内側に位置するとともに前記法線方向で見たときの位置が前記第１金属面より前記第１点の側にある第２点と、前記第１点から前記第２点に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第１孔画定線と、前記第２点から前記先端部の前記第１金属面に延び、前記貫通孔の内側に向かって凸となる湾曲状の第２孔画定線と、を含み、
    前記基材を分離する工程において、前記基材および前記導電性パターンから分離された前記第１金属層に、前記導電性パターンに対応する形状を有する窪み部が形成され、
    前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１金属層と前記第２金属層とが接続される接続部の輪郭は、前記第１金属面に形成された前記窪み部の外縁を囲っていることを特徴とする蒸着マスク製造方法。
14. 前記中央部の厚みは、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。
15. 有機半導体素子製造方法であって、
    請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の蒸着マスクを準備する工程と、
    前記蒸着マスクを使用して、前記被蒸着基板に前記蒸着材料をパターン状に蒸着させる工程と、を備えたことを特徴とする有機半導体素子の製造方法。

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