JP6624504B2 - 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 - Google Patents
蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6624504B2 JP6624504B2 JP2015236805A JP2015236805A JP6624504B2 JP 6624504 B2 JP6624504 B2 JP 6624504B2 JP 2015236805 A JP2015236805 A JP 2015236805A JP 2015236805 A JP2015236805 A JP 2015236805A JP 6624504 B2 JP6624504 B2 JP 6624504B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal layer
- deposition mask
- vapor deposition
- mask
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 75
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 200
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 200
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 86
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 75
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 72
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 57
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical group [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 description 70
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N (2,4,5-trichlorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(Cl)=C(Cl)C=C1Cl FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021585 Nickel(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002506 iron compounds Chemical class 0.000 description 1
- SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L iron(2+);disulfamate Chemical compound [Fe+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O SQZYOZWYVFYNFV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 description 1
- IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);dibromide Chemical compound [Ni+2].[Br-].[Br-] IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- TVDSBUOJIPERQY-UHFFFAOYSA-N prop-2-yn-1-ol Chemical compound OCC#C TVDSBUOJIPERQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229940085605 saccharin sodium Drugs 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
金属層と、前記金属層に設けられた複数の貫通孔と、を有する蒸着マスクであって、
前記金属層は、40μm以下の厚さを有し、
前記金属層は、ニッケルを40重量%以上55重量%以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる合金層を含む。
所定の基材上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストパターンの前記隙間において、ニッケルを40重量%以上55重量%以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる合金層を含み、厚さが40μm以下である金属層を析出させるめっき処理工程と、
前記金属層を前記基材から分離させる分離工程と、を有する。
まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、図1及び図2を参照して説明する。ここで、図1は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図2は、図1に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図である。
次に、蒸着マスク20について詳細に説明する。図1に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク20は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク20は、後述の合金層を含む金属層を有し、この金属層は、規則的な配列で貫通孔25が形成された有効領域22と、有効領域22を取り囲む周囲領域23と、を含んでいる。周囲領域23は、有効領域22を支持するための領域であり、有機EL基板92へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。例えば、有機EL表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク20においては、有効領域22は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機EL基板92の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク20内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域23に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図1に示された例において、各有効領域22は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお図示はしないが、各有効領域22は、有機EL基板92の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域22は、円形状の輪郭を有していてもよい。
F=(1/2)×(B2/μ0)×A ・・・式(1)
と表せる。したがって、吸引面の面積が一定である場合、吸引力Fを増大させるためには、磁束密度Bを増大させることが有効である。
はじめに、パターン基板50を作製する方法の一例について説明する。はじめに、基材51を準備する。次に図6Aに示すように、導電性材料からなる導電層52aを形成する。導電層52aは、パターニングされることによって導電性パターン52となる層である。
次に、パターン基板50を利用して上述の第1金属層32を作製する第1成膜工程について説明する。ここでは、導電性パターン52が形成された基材51上に第1めっき液を供給して、導電性パターン52上に第1金属層32を析出させる第1めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン52が形成された基材51を、第1めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図7Aに示すように、基材51上に、所定のパターンで第1開口部30が設けられた第1金属層32を得ることができる。第1金属層32の厚さは、例えば5μm以下になっている。
次に、第1開口部30に連通する第2開口部35が設けられた第2金属層37を第1金属層32上に形成する第2成膜工程を実施する。まず、基材51上及び第1金属層32上に、所定の隙間56を空けてレジストパターン55を形成するレジスト形成工程を実施する。図7Bは、基材51上に形成されたレジストパターン55を示す断面図である。図7Bに示すように、レジスト形成工程は、第1金属層32の第1開口部30がレジストパターン55によって覆われるとともに、レジストパターン55の隙間56が第1金属層32上に位置するように実施される。
その後、レジストパターン55を除去する除去工程を実施する。例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン55を基材51、第1金属層32や第2金属層37から剥離させることができる。
次に、第1金属層32及び第2金属層37の組み合わせ体を基材51から分離させる分離工程を実施する。これによって、所定のパターンで第1開口部30が設けられた第1金属層32と、第1開口部30に連通する第2開口部35が設けられた第2金属層37と、を備えた蒸着マスク20を得ることができる。
上述の図5及び図7A〜図7Cに示す例においては、蒸着マスク20が、第1金属層32及び第2金属層37という、少なくとも2つの金属層を積層させることによって構成される場合について説明した。しかしながら、これに限られることはなく、蒸着マスク20は、所定のパターンで複数の貫通孔25が形成された1つの金属層27によって構成されていてもよい。以下、図9A〜図10を参照して、蒸着マスク20が1つの金属層27を備える例について説明する。なお本変形例においては、蒸着マスク20の第1面20aから第2面20bに至る貫通孔25のうち第1面20a上に位置する部分を第1開口部30と称し、貫通孔25のうち第2面20b上に位置する部分を第2開口部35と称する。
上述の本実施の形態及び第1の変形例においては、めっき処理によって蒸着マスク20を作製する例について説明した。しかしながら、蒸着マスク20を作製するために採用される方法が、めっき処理に限られることはない。以下、エッチングによって金属板21に貫通孔25を形成することによって蒸着マスク20を作製する例について説明する。
図5に示した蒸着マスク20を、蒸着マスク20の板面が水平方向と平行になり且つ蒸着マスク20の第1面20aが上側となるように配置したものを図13Aに示す。図示された例では、重力が蒸着マスク20の第1面20a側から第2面20b側へ(図13Aにおいては上側から下側へ)向かって作用する。この重力により、蒸着マスク20の第1金属層32は、第2面20b側(下側)へ向かって撓み変形を生じる。具体的には、蒸着マスク20の第1金属層32のうち、第2金属層37の側面36から蒸着マスク20の板面方向に延出し、第2金属層37により支持されていない部分が、重力の作用により第2面20b側(下側)へ向かって撓む。図示された例では、第1金属層32の上面32aの蒸着マスク20の板面に沿った端部が、第1金属層32の上面32aの最下部32a2をなす。また、第1金属層32の上面32aのうち、第2金属層37により支持されている箇所に対応する領域が、第1金属層32の上面32aの最上部32a1をなす。
上述の本実施の形態及び各変形例においては、蒸着マスク20が、蒸着マスク20の長手方向に沿って一列に並べられた複数の有効領域22を含む例を示したが、これに限られることはない。例えば図14に示すように、蒸着マスク20の長手方向及び幅方向の両方に沿って、複数の有効領域22が格子状に配置されていてもよい。
15 フレーム
20 蒸着マスク
21 金属板
22 有効領域
23 周囲領域
25 貫通孔
30 第1開口部
31 壁面
32 第1金属層
32a 上面
32a1 最上部
32a2 最下部
35 第2開口部
36 壁面
37 第2金属層
41 接続部
43 トップ部
51 基材
52 導電性パターン
55 レジストパターン
56 隙間
65a 第1レジストパターン
65b 第2レジストパターン
90 蒸着装置
92 有機EL基板
93 磁石
98 蒸着材料
Claims (3)
- 金属層と、前記金属層に設けられた複数の貫通孔と、を有する蒸着マスクであって、
前記金属層は、40μm以下の厚さを有し、
前記金属層は、第1金属層と、前記第1金属層と重なる第2金属層と、を含み、
前記第1金属層及び前記第2金属層は、ニッケルを40重量%以上55重量%以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる、蒸着マスク。 - 前記金属層は、めっき層である、請求項1に記載の蒸着マスク。
- 所定の基材の上に、第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、
前記第1金属層の上に隙間を有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記レジストパターンの前記隙間に、第2金属層を析出させるめっき処理工程と、
前記第1金属層及び前記第2金属層を前記基材から分離させる分離工程と、を有し、
前記第1金属層及び前記第2金属層の合計厚さは40μm以下であり、
前記第1金属層及び前記第2金属層は、ニッケルを40重量%以上55重量%以下含有し、残部が鉄及び不可避不純物からなる、蒸着マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236805A JP6624504B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015236805A JP6624504B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017101302A JP2017101302A (ja) | 2017-06-08 |
JP6624504B2 true JP6624504B2 (ja) | 2019-12-25 |
Family
ID=59017869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015236805A Active JP6624504B2 (ja) | 2015-12-03 | 2015-12-03 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6624504B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200087184A (ko) | 2017-11-14 | 2020-07-20 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법 |
DE202019006014U1 (de) * | 2018-11-13 | 2024-01-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Metallplatte zur Herstellung von Dampfphasenabscheidungsmasken |
JP7015483B2 (ja) * | 2020-09-09 | 2022-02-15 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法 |
TW202349758A (zh) * | 2022-03-31 | 2023-12-16 | 韓商斯天克有限公司 | 金屬板和使用其的沉積遮罩及其製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4046269B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2008-02-13 | 九州日立マクセル株式会社 | 有機el素子用蒸着マスクと有機el素子用蒸着マスクの製造方法 |
JP2010116579A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Seiko Epson Corp | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法ならびに有機エレクトロルミネッセンス装置 |
-
2015
- 2015-12-03 JP JP2015236805A patent/JP6624504B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017101302A (ja) | 2017-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6688478B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク | |
TWI731199B (zh) | 蒸鍍遮罩裝置及蒸鍍遮罩裝置的製造方法 | |
KR102477941B1 (ko) | 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 금속판 | |
US11211558B2 (en) | Deposition mask device and method of manufacturing deposition mask device | |
JP6670469B2 (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスク中間体 | |
TWI792272B (zh) | 蒸鍍遮罩 | |
JP6624504B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
JP6728733B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク | |
JP7190117B2 (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスク中間体 | |
JP6716878B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
JP6372755B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク | |
WO2019082739A1 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
JP6709534B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
JP2019081962A (ja) | 蒸着マスク | |
JP2018059130A (ja) | 蒸着マスクの製造方法、及び蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法 | |
JP6770708B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機半導体素子の製造方法 | |
JP6519395B2 (ja) | 蒸着マスク製造方法 | |
JP6819931B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスク製造方法 | |
JP2018095897A (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの洗浄方法 | |
JP2021066949A (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 | |
JP2017057495A (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスク製造方法および有機半導体素子製造方法 | |
JP2019196533A (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの洗浄方法及び蒸着方法 | |
JP7232430B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法 | |
JP7015483B2 (ja) | 蒸着マスクの製造方法 | |
JP7134589B2 (ja) | 蒸着マスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190723 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6624504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |