JP6801387B2 - 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 - Google Patents
塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6801387B2 JP6801387B2 JP2016221651A JP2016221651A JP6801387B2 JP 6801387 B2 JP6801387 B2 JP 6801387B2 JP 2016221651 A JP2016221651 A JP 2016221651A JP 2016221651 A JP2016221651 A JP 2016221651A JP 6801387 B2 JP6801387 B2 JP 6801387B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- coating liquid
- coating
- substrate
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 175
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 556
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 155
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
基板を鉛直軸周りに回転自在な基板保持部に水平に保持する工程と、
塗布液ノズルの先端側に、自重で落下しない塗布液の液玉を形成している状態で、基板の中心部に当該液玉を接触させる工程と、
次いで前記塗布液ノズルから吐出する塗布液が途切れないようにかつ当該塗布液ノズルの先端部が基板上の塗布液に埋没しないように当該塗布液ノズルを動作させ、当該塗布液ノズルから塗布液を吐出して液溜まりを形成する工程と、
その後、基板を回転させて基板上の前記液溜まりを基板の表面全体に広げる工程と、を含むことを特徴とする。
基板を鉛直軸周りに回転自在な基板保持部に水平に保持する工程と、
塗布液ノズルの先端側に塗布液の液玉を形成する工程と、
前記液玉を塗布液ノズルとの間の塗布液の液柱が途切れないように下降させて基板の中心部に塗布液を接触させる工程と、
次いで前記塗布液ノズルから塗布液を途切れないように吐出して液溜まりを形成する工程と、
その後、基板を回転させて基板上の前記液溜まりを基板の表面全体に広げる工程と、を含み、
前記基板の中心部に塗布液を接触させる工程は、塗布液の吐出を停止した状態、または前記液溜まりを形成する工程における塗布液の吐出流量よりも少ない流量であって、液玉を基板に接触させたときに塗布液中に気泡を巻き込まない流量で塗布液を吐出した状態で行うことを特徴とする。
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
前記基板に塗布膜を形成するための塗布液を供給する塗布液ノズルと、
前記塗布液ノズルを移動させる移動機構と、
塗布液ノズルの先端側に、自重で落下しない塗布液の液玉を形成している状態で、基板の中心部に当該液玉を接触させるステップと、次いで前記塗布液ノズルから吐出する塗布液が途切れないようにかつ当該塗布液ノズルの先端部が基板上の塗布液に埋没しないように当該塗布液ノズルを動作させ、当該塗布液ノズルから塗布液を吐出して液溜まりを形成するステップと、その後、基板を回転させて基板上の前記液溜まりを基板の表面全体に広げるステップと、を実行する制御部と、を備えることを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布膜形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする。
また他の発明によれば塗布液ノズルの先端に形成した液玉を塗布液ノズルとの間の塗布液の液柱が途切れないように下降させて基板の中心部に塗布液を接触させるため、塗布液が基板に勢いよく衝突することを避けることができ、同様の効果を得ることができる。
レジスト液が供給されると、ウエハWの表面に図7に示すようにレジスト液の液溜まりが形成される。レジスト液は粘度が高いため、流動性が低い。そのためレジスト液の吐出を開始すると、ウエハWの表面の液溜まりにおけるレジスト液の供給される部分の液膜が急激に厚くなる。
レジスト液の吐出を開始したときに、レジスト液ノズル5の高さ位置が低いと、ウエハWの表面に形成される液溜まりにレジスト液ノズル5の先端が埋没するおそれがある。そしてレジスト液ノズル5の先端部にレジスト液が付着してしまうと、パーティクルの発生の要因となる。
さらにウエハWにレジスト液を吐出して液溜まりを形成する工程において、ウエハWの回転数を徐々に上げるようにしてもよい。例えばウエハWにレジスト液を吐出して液溜まりを形成するときにウエハWの回転数を、10、30、60及び150rpmの回転数に設定して、この順で各々10秒づつ回転させるようにしてもよい。ウエハWの表面において外周側は速度が速く乾燥しやすい。そのため液溜まりを速く広げてしまうと、外周側に速く広がってしまい乾燥が速くなってしまうおそれがある。ウエハWの回転速度を徐々に速くすることで、液溜まりが徐々に広がるため、外周側の乾燥を抑制することができる。
またレジスト液ノズル5の先端側に、自重で落下しないレジスト液の液玉を形成する工程は、レジスト液供給部53に設けられたポンプの制御により行ってもよい。
また液玉の大きさを測定した後、サックバックバルブ52により、レジスト液の吸引や押し出しを行い、液玉の大きさを調整するようにしてもよい。
第2の実施の形態に係る塗布膜形成方法について図13〜図18を参照して説明する。この例では、図2に示すレジスト塗布装置において、レジスト液ノズル5の内径を4.5mmに設定する。なお図13〜図18中の53Aは、レジスト液供給部53に設けられたバルブであり、閉じられたバルブ53Aについて、ハッチングを付けて示している。ウエハWにレジスト液を塗布するにあたっては、予めサックバックバルブ52にレジスト液を引き込み、さらにレジスト液供給部53からレジスト液の供給を停止、例えばレジスト液供給部53におけるバルブ53Aを閉じた状態とする。次いでウエハWを停止した状態で、レジスト液ノズル5の先端をウエハWの中心部上方、ウエハWの表面から10〜20mmの高さに位置させる。その後図13に示すようにバルブ53Aを閉じた状態でサックバックバルブ52からレジスト液供給管51に、例えば1秒間レジスト液を押し出す。これによりレジスト液ノズル5の先端部に液玉が形成される。この時サックバックバルブ52から押し出す液量、即ち液玉を形成するためにレジスト液ノズル5の先端から吐出する液量は、レジスト液の吐出を停止したときに、液玉がレジスト液が途切れずにウエハWに落下する量に設定される。具体的には、レジスト液ノズル5の内径が4.5mmの場合には、処理液の粘度にもよるが5〜10mlに設定される。
その後レジスト液を停止し、レジスト液ノズル5のレジスト液とウエハW表面のレジスト液が途切れた後、レジスト液ノズル5をウエハWの上方から退避させると共に、ウエハWを例えば600〜2000rpmの回転数で回転させる。これにより液溜まりを形成するレジスト液がウエハWの表面全体に広がる。
(比較例1)
図2に示したレジスト塗布装置において、レジスト液ノズル5を先端がウエハWの中心部上方10〜20mmの高さに位置させてバルブ53Aを開いて15mlのレジスト液を吐出し、ウエハWの表面にレジスト液を供給した。続いてウエハWを1000rpmの回転数で回転させてウエハWの表面にレジスト液を広げた例を比較例1とした。
(比較例2)
レジスト液ノズル5の内径を4.5mmとしたことを除いて比較例1と同様に操作した例を比較例2とした。
(実施例)
第2の実施の形態に従いウエハWにレジスト液を供給してレジスト膜を成膜した例を実施例とした。
比較例1においては、25枚中15枚のウエハWにおいてレジスト膜中の気泡が確認された。また比較例2においては、25枚中9枚のウエハWにおいてレジスト膜中の気泡が確認された。これに対して実施例においては、すべてのウエハWにおいてレジスト膜中の気泡は確認されなかった。
5 レジスト液ノズル
9 カメラ
10 制御部
11 スピンチャック
13 回転機構
31 溶剤ノズル
52 サックバックバルブ
57 移動機構
W ウエハ
Claims (9)
- 200cP以上、8000cP以下の粘度の塗布液を基板に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
基板を鉛直軸周りに回転自在な基板保持部に水平に保持する工程と、
塗布液ノズルの先端側に、自重で落下しない塗布液の液玉を形成している状態で、基板の中心部に当該液玉を接触させる工程と、
次いで前記塗布液ノズルから吐出する塗布液が途切れないようにかつ当該塗布液ノズルの先端部が基板上の塗布液に埋没しないように当該塗布液ノズルを動作させ、当該塗布液ノズルから塗布液を吐出して液溜まりを形成する工程と、
その後、基板を回転させて基板上の前記液溜まりを基板の表面全体に広げる工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。 - 前記基板の中心部に液玉を接触させる工程は、塗布液ノズルの先端側に自重で落下しない塗布液の液玉を形成する工程と、次いで前記塗布液ノズルを下降させて当該液玉を基板に接触させる工程と、を含むことを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成方法。
- 前記液溜まりを形成する工程は、前記液玉を接触させた後、前記塗布液ノズルを上昇させた位置で塗布液を吐出する工程を含むことを特徴とする請求項1または2記載の塗布膜形成方法。
- 前記液溜まりを形成する工程は、前記液玉を接触させた後、前記塗布液ノズルを上昇させた位置にて塗布液を吐出して基板上に液溜まりを形成する工程と、次いで前記塗布液ノズルを更に上昇させた位置にて塗布液の吐出を継続する工程と、を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記液溜まりを形成する工程は、前記液玉を接触させた後、前記塗布液ノズルを上昇させた位置にて塗布液を吐出して基板上に液溜まりを形成する工程と、次いで前記塗布液ノズルを基板の周縁側に移動させながら塗布液の吐出を継続する工程と、を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 前記液溜まりを形成する工程は、基板を200rpm以下の回転数で回転させながら行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
- 200cP以上、8000cP以下の粘度の塗布液を基板に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
基板を鉛直軸周りに回転自在な基板保持部に水平に保持する工程と、
塗布液ノズルの先端側に塗布液の液玉を形成する工程と、
前記液玉を塗布液ノズルとの間の塗布液の液柱が途切れないように下降させて基板の中心部に塗布液を接触させる工程と、
次いで前記塗布液ノズルから塗布液を途切れないように吐出して液溜まりを形成する工程と、
その後、基板を回転させて基板上の前記液溜まりを基板の表面全体に広げる工程と、を含み、
前記基板の中心部に塗布液を接触させる工程は、塗布液の吐出を停止した状態、または前記液溜まりを形成する工程における塗布液の吐出流量よりも少ない流量であって、0.3ml/秒以下の流量で塗布液を吐出した状態で行うことを特徴とする塗布膜形成方法。 - 200cP以上、8000cP以下の粘度の塗布液を基板に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転機構と、
前記基板に塗布膜を形成するための塗布液を供給する塗布液ノズルと、
前記塗布液ノズルを移動させる移動機構と、
塗布液ノズルの先端側に、自重で落下しない塗布液の液玉を形成している状態で、基板の中心部に当該液玉を接触させるステップと、次いで前記塗布液ノズルから吐出する塗布液が途切れないようにかつ当該塗布液ノズルの先端部が基板上の塗布液に埋没しないように当該塗布液ノズルを動作させ、当該塗布液ノズルから塗布液を吐出して液溜まりを形成するステップと、その後、基板を回転させて基板上の前記液溜まりを基板の表面全体に広げるステップと、を実行する制御部と、を備えることを特徴とする塗布膜形成装置。 - 基板保持部に基板を保持させてスピンコーティングにより塗布液を基板に塗布する装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし7のいずれか一項に記載された塗布膜形成方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105137168A TWI664028B (zh) | 2015-11-16 | 2016-11-15 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成裝置及記錄媒體 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015224186 | 2015-11-16 | ||
JP2015224186 | 2015-11-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017094324A JP2017094324A (ja) | 2017-06-01 |
JP6801387B2 true JP6801387B2 (ja) | 2020-12-16 |
Family
ID=58804269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016221651A Active JP6801387B2 (ja) | 2015-11-16 | 2016-11-14 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6801387B2 (ja) |
TW (1) | TWI664028B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109946929B (zh) * | 2019-04-12 | 2024-06-14 | 江苏汇成光电有限公司 | 一种集成电路芯片光阻去除装置及工艺 |
JP7202968B2 (ja) * | 2019-05-09 | 2023-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 |
JP7344726B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 |
CN117877958B (zh) * | 2024-03-12 | 2024-05-07 | 上海谙邦半导体设备有限公司 | 一种半导体加工设备 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4799390B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2011-10-26 | 中外炉工業株式会社 | 塗布方法 |
JP5789569B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置およびノズル |
JP5790622B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
JP2015153857A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
-
2016
- 2016-11-14 JP JP2016221651A patent/JP6801387B2/ja active Active
- 2016-11-15 TW TW105137168A patent/TWI664028B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017094324A (ja) | 2017-06-01 |
TW201739520A (zh) | 2017-11-16 |
TWI664028B (zh) | 2019-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6801387B2 (ja) | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 | |
JP6020271B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP6044428B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 | |
JP2014199917A (ja) | 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体 | |
JP6465000B2 (ja) | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 | |
US8871301B2 (en) | Coating treatment apparatus, coating treatment method, and non-transitory computer storage medium | |
KR102627121B1 (ko) | 노즐 대기 장치, 액 처리 장치 및 액 처리 장치의 운전 방법 및 기억 매체 | |
KR102186415B1 (ko) | 현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 | |
JP7073658B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 | |
JP6897849B2 (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 | |
JP6481644B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 | |
JP6459938B2 (ja) | 塗布液供給装置、塗布方法及び記憶媒体 | |
JP7056746B2 (ja) | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 | |
JP6432644B2 (ja) | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 | |
JP6160554B2 (ja) | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体 | |
JP2012142396A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US11862485B2 (en) | Nozzle standby device, liquid processing apparatus and operation method of liquid processing apparatus | |
JP6930251B2 (ja) | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 | |
JP2024059806A (ja) | 塗布処理装置 | |
JP2022087527A (ja) | 液処理方法及び液処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180117 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200811 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201027 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6801387 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |