JP2012142396A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、スプレノズル20と、スプレノズル20を支持部材12に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構21と、基材Wを回転させる回転駆動部14とを備える。ノズル移動機構21は、待機位置よりも上方の第1の上方位置から第2の上方位置まで基材Wに近づく方向へ水平移動させ、第2の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構21は、ウエハW上の吐出位置にスプレノズル20を水平移動させる。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明に係る実施の形態1の基板処理装置である現像装置1の主要な構成を概略的に示す図であり、図2は、図1に示した現像装置1の一部を示す平面図である。図1の構成の一部は概略断面で示されている。図1に示されるように、現像装置1は、半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」と呼ぶ。)の裏面を支持するスピンチャック(支持部材)12と、スピンチャック12を回転軸13を介して回転させる回転駆動機構14とを備える。現像装置1は、ウエハWの上面に形成されている被処理膜である感光性樹脂膜(図示せず)に対してスプレ現像方式による現像処理を施す装置である。この感光性樹脂膜は、たとえばスピンコート法により塗布形成されたレジスト膜である。このレジスト膜には、ウエハWが現像装置1に搬入される前に、露光装置によりマスク原版を通した光で露光されて当該マスク原版のパターンが転写されている。
次に、本発明に係る実施の形態2について説明する。実施の形態2の現像装置は、現像処理のシーケンスを除いて、実施の形態1の現像装置と同じ構成を有している。図8は、実施の形態2に係る現像処理のシーケンスの一例を概略的に示すタイミングチャートである。
次に、本発明に係る実施の形態3について説明する。実施の形態3の現像装置は、現像処理のシーケンスを除いて、実施の形態1の現像処置1と同じ構成を有している。図9は、実施の形態3に係る現像処理のシーケンスの一例を概略的に示すタイミングチャートである。
Claims (19)
- 被処理膜を上面に有する基材を支持する支持部材と、
前記被処理膜を処理するための薬液を吐出するスプレノズルと、
前記スプレノズルを前記支持部材に対して高さ方向及び水平方向に個別に相対移動させるノズル移動機構と、
前記基材を回転させる回転駆動部と、
前記スプレノズル移動機構の動作を制御するノズル移動制御部と、
前記スプレノズルから前記被処理膜に向けて前記薬液を吐出させる吐出制御部と、
前記回転駆動部の動作を制御する回転制御部と
を備え、
前記ノズル移動機構は、
前記基材の位置よりも高い第1の上方位置から、前記基材の外縁部よりも外側の第2の上方位置まで前記スプレノズルを前記基材に近づく方向へ水平移動させる水平移動機構と、
前記第2の上方位置から、該第2の上方位置よりも低く且つ前記基材の位置よりも高い下方位置へ前記スプレノズルを下降させる昇降機構と
を有し、
前記水平移動機構は、前記スプレノズルが前記下方位置へ移動した後に、該下方位置から前記基材の直上の吐出位置に前記スプレノズルを水平移動させる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、前記回転駆動部は、前記スプレノズルが前記下方位置に移動するまでは前記基材を回転させず、前記スプレノズルが前記第2の上方位置から前記下方位置に到達した後に前記基材の回転を開始させる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、前記回転駆動部は、前記スプレノズルが前記第2の上方位置から前記下方位置へ到達した直後に前記基材の回転を開始させることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項3に記載の基板処理装置であって、前記吐出制御部は、前記スプレノズルが前記吐出位置に到達する予定時刻よりもオフセット時間だけ前の時刻に前記スプレノズルから前記薬液の吐出を開始させることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項2に記載の基板処理装置であって、前記回転駆動部は、前記スプレノズルが前記下方位置から前記吐出位置まで移動した後に前記基材の回転を開始させることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1から5のうちのいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記基材とは反対側の方向を向く傾斜面を有する薬液規制部材をさらに備え、
前記第1の下方位置は、前記傾斜面の直上に設定されている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から6のうちのいずれか1項に記載の基板処理装置であって、前記吐出制御部は、前記基材の回転数が所定の目標回転数に達した後に、前記スプレノズルから前記被処理膜に向けて前記薬液を吐出させることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1から7のうちのいずれか1項に記載の基板処理装置であって、前記昇降機構は、前記基材の外縁部よりも外側の待機位置から前記第1の上方位置へ前記スプレノズルを上昇させることを特徴とする基板処理装置。
- 請求項1から8のうちのいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記基材の外縁部を取り囲む環状部材をさらに備え、
前記環状部材は、前記待機位置よりも高く且つ前記第1の上方位置よりも低い上端を有する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から9のうちのいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記被処理膜は、露光処理が施された感光性樹脂膜であり、
前記薬液は、前記感光性樹脂膜の露光部または非露光部を溶解させる現像液である、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、前記基材は半導体ウエハであることを特徴とする基板処理装置。
- 被処理膜を上面に有する基材を支持する支持部材と、前記被処理膜を処理するための薬液を吐出するスプレノズルと、前記スプレノズルを前記支持部材に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構と、前記基材を回転させる回転駆動部とを備える基板処理装置における基板処理方法であって、
前記スプレノズルを、前記基材の位置よりも高い第1の上方位置から、前記基材の外縁部よりも外側の第2の上方位置まで前記基材に近づく方向へ前記ノズル移動機構に水平移動させるステップと、
前記スプレノズルを、前記第2の上方位置から、該第2の上方位置よりも低く且つ前記基材の位置よりも高い下方位置へ前記ノズル移動機構に下降させるステップと、
前記スプレノズルが前記下方位置へ移動した後に、該下方位置から前記基材の直上の吐出位置に前記スプレノズルを前記ノズル移動機構に水平移動させるステップと
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項12に記載の基板処理方法であって、前記スプレノズルが前記下方位置に移動するまでは前記基材を回転させず、前記スプレノズルが前記第2の上方位置から前記下方位置に到達した後に、前記回転駆動部の動作を制御して前記基材の回転を開始させるステップをさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項13に記載の基板処理方法であって、前記基材の回転は、前記スプレノズルが前記第2の上方位置から前記下方位置へ到達した直後に開始させられることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項14に記載の基板処理方法であって、前記スプレノズルが前記吐出位置に到達する予定時刻よりもオフセット時間だけ前の時刻に前記スプレノズルから前記薬液の吐出を開始させるステップをさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項13に記載の基板処理方法であって、前記基板の回転は、前記スプレノズルが前記下方位置から前記吐出位置まで移動した後に開始させられることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項12から16のうちのいずれか1項に記載の基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、前記基材とは反対側の方向を向く傾斜面を有する薬液規制部材をさらに備え、
前記第1の下方位置は、前記傾斜面の直上に設定されている
ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項12から17のうちのいずれか1項に記載の基板処理方法であって、前記基材の回転数が所定の目標回転数に達した後に、前記スプレノズルから前記被処理膜に向けて前記薬液を吐出させるステップをさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
- 請求項12から18のうちのいずれか1項に記載の基板処理方法であって、前記スプレノズルを、前記基材の外縁部よりも外側の待機位置から前記第1の上方位置へ前記ノズル移動機構に上昇させるステップをさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
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