JP6775453B2 - 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 - Google Patents

Description

本発明は、ハードディスクといった磁気記録媒体電子部品の研磨に使用される研磨剤組成物に関する。特に、ガラス磁気ディスク基板やアルミニウム磁気ディスク基板などの磁気記録媒体用基板の表面研磨に使用される研磨剤組成物に関する。さらには、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気ディスク基板の表面研磨に使用される研磨剤組成物に関する。

従来、アルミニウム磁気ディスク基板の無電解ニッケル−リンめっき皮膜表面を研磨するための研磨剤組成物として、生産性の観点から、高い研磨速度を実現し得る比較的粒径の大きなアルミナ粒子を水に分散させた研磨剤組成物が使用されてきた。しかし、アルミナ粒子を使用した場合、アルミナ粒子はアルミニウム磁気ディスク基板の無電解ニッケル−リンめっき皮膜に比べてかなり硬度が高いため、アルミナ粒子が基板に突き刺さり、この突き刺さった粒子が後段の研磨工程に悪影響を与えることが問題となっていた。

このような問題の解決策として、アルミナ粒子とシリカ粒子とを組み合わせた研磨剤組成物が提案されている（特許文献１〜４等）。また、アルミナ粒子を使用せず、シリカ粒子のみで研磨する方法が提案されている（特許文献５〜９）。

特開２００１−２６０００５号公報 特開２００９−１７６３９７号公報 特開２０１１−２０４３２７号公報 特開２０１２−４３４９３号公報 特開２０１０−１６７５５３号公報 特表２０１１−５２７６４３号公報 特開２０１４−２９７５４号公報 特開２０１４−２９７５５号公報 特開２０１２−１５５７８５号公報

特許文献１〜４のように、アルミナ粒子とシリカ粒子とを組み合わせることにより、基板に突き刺さったアルミナ粒子をある程度除去することは可能となる。しかしながら、このアルミナ粒子を含む研磨剤組成物を使用する限り、研磨剤組成物中に含まれるアルミナ粒子が基板に突き刺さる可能性は、依然として残っている。また、このような研磨剤組成物は、アルミナ粒子とシリカ粒子の両方を含むため、それぞれの粒子が有する特性を相互に打ち消し合い、研磨速度および表面平滑性が悪化するという問題が生じる。

そこで、アルミナ粒子を使用せずに、シリカ粒子のみで研磨する方法が提案されている。特許文献５および６では、コロイダルシリカと研磨促進剤との組み合わせが提案されている。特許文献７および８では、コロイダルシリカやヒュームドシリカ、表面修飾されたシリカ、水ガラス法で製造されたシリカなどによる研磨、特に特殊な形状のコロイダルシリカを使用する方法が提案されている。しかしながら、これらの方法では、研磨速度が不十分であり、改良が求められている。

また、特許文献９では、破砕シリカ粒子を使用することにより、アルミナ粒子に近い研磨速度を出す方法が提案されている。しかしながら、この方法では、表面平滑性が悪化するという問題があり、改良が求められている。

本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、アルミナ粒子を使用することなく、高い研磨速度を実現すると同時に、良好な表面平滑性を達成することを可能にする磁気ディスク基板用研磨剤組成物を提供することにある。

本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、特定粒子径のコロイダルシリカ、特定粒子径のヒュームドシリカ、および特定粒子径の粉砕された湿式法シリカ粒子を組み合わせることにより、高い研磨速度と良好な表面平滑性を達成することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明によれば、以下に示す磁気ディスク基板用研磨剤組成物が提供される。

［１］ 平均一次粒子径５〜２００ｎｍのコロイダルシリカと、平均粒子径３０〜８００ｎｍのヒュームドシリカと、平均粒子径１００〜１０００ｎｍの粉砕された湿式法シリカ粒子と、水と、を含み、全シリカ粒子に占める前記コロイダルシリカの割合が５〜９０質量％、前記ヒュームドシリカの割合が５〜９０質量％、粉砕された前記湿式法シリカ粒子の割合が５〜９０質量％であり、前記全シリカ粒子の濃度が１〜５０質量％である磁気ディスク基板用研磨剤組成物。

［２］ 前記コロイダルシリカの平均一次粒子径が１０〜１５０ｎｍであり、前記ヒュームドシリカの平均粒子径が６０〜６００ｎｍであり、粉砕された前記湿式法シリカ粒子の平均粒子径が２００〜８００ｎｍである前記［１］に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。

［３］ 前記全シリカ粒子に占める前記コロイダルシリカの割合が１０〜８０質量％であり、前記ヒュームドシリカの割合が１０〜８０質量％であり、粉砕された前記湿式法シリカ粒子の割合が１０〜８０質量％である前記［１］または［２］に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。

［４］ 前記全シリカ粒子の濃度が２〜４０質量％である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。

［５］ 前記研磨剤組成物が酸をさらに含有し、ｐＨ値（２５℃）が０．１〜４．０の範囲にある前記［１］〜［４］のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。

［６］ 前記研磨剤組成物が酸化剤をさらに含有した組成物である前記［１］〜［５］のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。

［７］ 無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に用いられる前記［１］〜［６］のいずれかに記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。

本発明の研磨剤組成物は、３種類のシリカ粒子を組み合わせることにより、磁気ディスク基板の表面を研磨する際に、予想外に高い研磨速度を実現すると同時に、良好な表面平滑性を達成することを可能とするものである。特に、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム基板の研磨に好ましく用いることができる。

以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。

１．研磨剤組成物
本発明の研磨剤組成物は、コロイダルシリカと、ヒュームドシリカと、粉砕された湿式法シリカ粒子と、水とを含有する水系組成物である。コロイダルシリカの平均一次粒子径は５〜２００ｎｍであり、ヒュームドシリカの平均粒子径は３０〜８００ｎｍであり、粉砕された湿式法シリカ粒子の平均粒子径は１００〜１０００ｎｍである。ここで、湿式法シリカ粒子は、その製造工程において、粉砕により解砕されたものである。即ち、湿式法シリカ粒子の製造工程は、粉砕工程を含むものである。また、全シリカ粒子に占めるコロイダルシリカの割合が５〜９０質量％、ヒュームドシリカの割合が５〜９０質量％、粉砕された湿式法シリカ粒子の割合が５〜９０質量％であり、全シリカ粒子の濃度が１〜５０質量％である。

以下、本発明の研磨剤組成物について、さらに詳細に説明する。以下の説明中、単に、「研磨剤組成物」という場合、特に断らない限り、本発明の研磨剤組成物を意味する。また、以下の説明中、単に「コロイダルシリカ」、「ヒュームドシリカ」、「湿式法シリカ粒子」と言う場合、特に断らない限り、本発明において用いられるコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、湿式法シリカ粒子を意味するものとする。

１−１．コロイダルシリカ
本発明の研磨剤組成物に含有されるコロイダルシリカは、平均一次粒子径が５〜２００ｎｍである。平均一次粒子径が５ｎｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均一次粒子径が２００ｎｍ以下であることにより、研磨後の基板の表面平滑性の悪化を抑制することができる。コロイダルシリカの平均一次粒子径は、好ましくは１０〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは３０〜１００ｎｍである。コロイダルシリカの粒子径は、透過型電子顕微鏡によって写真撮影した写真を解析することによりＨｅｙｗｏｏｄ径（投射面積円相当径）として測定したもので、小粒径側からの積算粒径分布（累積体積基準）が５０％となる粒径を平均一次粒子径（Ｄ５０）としたものである。

コロイダルシリカは、球状、金平糖型（表面に凸部を有する粒子状）、異形型などの形状が知られており、水中に一次粒子が単分散してコロイド状をなしている。本発明で使用されるコロイダルシリカとしては、球状、または球状に近いコロイダルシリカが好ましい。球状、または球状に近いコロイダルシリカを用いることで、表面平滑性をより向上させることができる。コロイダルシリカは、ケイ酸ナトリウムまたはケイ酸カリウムを原料とする水ガラス法、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解することによって得られるアルコキシシラン法などにより製造される。

１−２．ヒュームドシリカ
本発明の研磨剤組成物に含有されるヒュームドシリカは、平均粒子径が３０〜８００ｎｍである。平均粒子径が３０ｎｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均粒子径が８００ｎｍ以下であることにより、研磨後の基板の表面平滑性の悪化を抑制することができる。ヒュームドシリカの平均粒子径は、好ましくは６０〜６００ｎｍであり、さらに好ましくは８０〜４００ｎｍである。

ヒュームドシリカは、揮発性シラン化合物（一般には四塩化ケイ素が用いられる。）を酸素と水素の混合ガスの炎の中（１０００℃内外）で加水分解させたもので、極めて微細で高純度なシリカ粒子である。コロイダルシリカと比べると、コロイダルシリカが個々に分散した一次粒子として存在するのに対し、ヒュームドシリカは一次粒子が多数凝集し、鎖状につながり二次粒子を形成している。この二次粒子の形成により研磨パッドへの保持力が高くなり、研磨速度を向上させることができる。

尚、ここに開示される技術において、ヒュームドシリカの平均粒子径とは、特記しない限り、動的光散乱法に基づく体積を基準とした小径径側からの積算粒径分布が５０％となる平均粒子径（Ｄ５０）をいう。ヒュームドシリカの平均粒子径とは、一次粒子であるか二次粒子であるかを問わず、研磨剤組成物中に分散している粒子の平均粒子径をいう。

１−３．湿式法シリカ粒子
本発明で使用される湿式法シリカ粒子は、ケイ酸アルカリ水溶液と無機酸または無機酸水溶液とを反応容器に添加することにより、沈殿ケイ酸として得られる湿式法シリカから調製される粒子のことであり、湿式法シリカ粒子には上述のコロイダルシリカは含まれない。

湿式法シリカ粒子の原料であるケイ酸アルカリ水溶液としては、ケイ酸ナトリウム水溶液、ケイ酸カリウム水溶液、ケイ酸リチウム水溶液などが挙げられるが、一般的には、ケイ酸ナトリウムが好ましく使用される。無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸等を挙げることができるが、一般的には硫酸が好ましく使用される。反応終了後、反応液を濾過、水洗し、その後乾燥機で水分が６％以下になるように乾燥を行う。乾燥機は静置乾燥機、噴霧乾燥機、流動乾燥機のいずれでも良い。その後ジェットミル等の粉砕機で粉砕し、さらに分級を行い、湿式法シリカ粒子を得る。

このように粉砕により解砕された湿式法シリカ粒子の粒子形状は、角部を有しており、球状に近い粒子よりも研磨能力が高い。

湿式法シリカ粒子の平均粒子径は、１００〜１０００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは２００〜８００ｎｍであり、さらに好ましくは２００〜６００ｎｍである。平均粒子径が１００ｎｍ以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。平均粒子径が１０００ｎｍ以下であることにより、研磨後の基板の表面平滑性の悪化を抑制することができる。湿式法シリカ粒子の平均粒子径は、体積を基準とした小粒径側からの積算粒径分布が５０％となる平均粒子径（Ｄ５０）である。

全シリカ粒子に占めるコロイダルシリカの割合は、５〜９０質量％であり、好ましくは１０〜８０質量％であり、さらに好ましくは１０〜７０質量％である。全シリカ粒子に占めるヒュームドシリカの割合は、５〜９０質量％であり、好ましくは１０〜８０質量％であり、さらに好ましくは１０〜７０質量％である。全シリカ粒子に占める湿式法シリカ粒子の割合は、５〜９０質量％であり、好ましくは１０〜８０質量％であり、さらに好ましくは１０〜７０質量％である。３種類のシリカ粒子の割合をこの範囲にすることにより、研磨速度と研磨後の表面平滑性（ピット、うねり）のバランスを向上させることができる。

全シリカ粒子の濃度は、研磨剤組成物全体の１〜５０質量％であり、好ましくは２〜４０質量％である。全シリカ粒子の濃度が１質量％以上であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。全シリカ粒子の濃度が５０質量％以下であることにより、必要以上のシリカ粒子を使用することなく十分な研磨速度を維持することができる。

１−４．その他の成分
研磨剤組成物に含有される成分として、上記成分の他に酸、酸化剤、水溶性高分子、緩衝剤、防かび剤、防菌剤などを含有してもよい。なかでも酸および／または酸化剤を含有することが好ましい。

酸としては、具体的には硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミン（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸等のカルボン酸などが挙げられる。酸の使用量は、研磨剤組成物のｐＨ値の設定に応じて適宜決められる。

酸化剤としては、過酸化物、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩などが挙げられる。具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、過マンガン酸カリウム、オルト過ヨウ素酸、メタ過ヨウ素酸ナトリウムなどが挙げられる。これらの中でも過酸化水素が好ましい。酸化剤は、研磨剤組成物中の含有量として、通常０．１〜１０．０質量％の範囲で使用される。

１−５．物性
本発明の研磨剤組成物のｐＨ値（２５℃）は０．１〜４．０であることが好ましく、より好ましくは０．５〜３．０である。研磨剤組成物のｐＨ値（２５℃）が０．１以上であることにより、表面平滑性の悪化を抑制することができる。研磨剤組成物のｐＨ値（２５℃）が４．０以下であることにより、研磨速度の低下を抑制することができる。無電解ニッケル−リンめっきにおいて、ｐＨ値（２５℃）が４．０以下の条件ではニッケルが溶解傾向に向かうため、めっきが進行しにくくなる。一方、研磨においては、例えば、ｐＨ値（２５℃）が４．０以下の条件下でニッケルが溶解傾向となるため、本発明の研磨剤組成物を用いることにより、研磨速度を高めることが可能になる。

２．磁気ディスク基板の研磨方法
本発明の研磨剤組成物は、無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板（以下、「アルミディスク」）やガラス磁気ディスク基板等の磁気ディスク基板の研磨での使用に適している。特にアルミディスクの研磨での使用に適している。

本発明の研磨剤組成物を適用することが可能な研磨方法としては、例えば、研磨機の定盤に研磨パッドを貼り付け、研磨対象物（例えばアルミディスク）の研磨する表面または研磨パッドに研磨剤組成物を供給し、研磨する表面を研磨パッドで擦り付ける方法（ポリッシングと呼ばれている）がある。例えば、アルミディスクのおもて面と裏面を同時に研磨する場合には、上定盤および下定盤それぞれに研磨パッドを貼り付けた両面研磨機を用いる方法がある。この方法では、上定盤および下定盤に貼りつけた研磨パッドの間に研磨剤組成物を供給し、２つの研磨パッドを同時に回転させることによって、アルミディスクのおもて面と裏面を研磨する。

研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでなく、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の態様で実施できることはいうまでもない。

（１）研磨剤組成物の調製方法
実施例１〜６および比較例１〜８で使用した研磨剤組成物は、下記の材料を、下記の含有量で含んだ研磨剤組成物である。尚、全ての実施例と比較例で全シリカ粒子の濃度は４質量％であり、研磨剤組成物のｐＨは１．３である。これらの研磨剤組成物を使用して研磨試験を行った結果を表１に示した。

［コロイダルシリカ１］（平均一次粒子径（Ｄ５０）：５０ｎｍ、市販のコロイダルシリカ） 全シリカ粒子中の割合は３０質量％であり、実施例１、３、５、比較例１、３、５で使用した。

［コロイダルシリカ２］（平均一次粒子径（Ｄ５０）：８０ｎｍ、市販のコロイダルシリカ） 全シリカ粒子中の割合は３０質量％であり、実施例２、４、６、比較例２、４、６で使用した。

［ヒュームドシリカ］（平均粒子径（Ｄ５０）：２７０ｎｍ、市販のヒュームドシリカ） 全シリカ粒子中の割合は表１に示した。実施例１〜６、比較例１、２、７、８で使用した。

［湿式法シリカ粒子１］（平均粒子径（Ｄ５０）：２８０ｎｍ、市販の湿式法シリカ粒子） 全シリカ粒子中の割合は表１に示した。実施例１、２、３、４、比較例３、４、７で使用した。

［湿式法シリカ粒子２］（平均粒子径（Ｄ５０）：３５０ｎｍ、市販の湿式法シリカ粒子） 全シリカ粒子中の割合は表１に示した。実施例５、６、比較例５、６、８で使用した。

［硫酸］ 研磨剤組成物のｐＨが１．３になるように添加量を調整した。実施例１〜６、比較例１〜８で使用した。

［過酸化水素］ ０．８９質量％ 実施例１〜６、比較例１〜８で使用した。

（２）シリカ粒子の粒径測定方法
コロイダルシリカの粒子径（Ｈｅｙｗｏｏｄ径）は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日本電子（株）製、透過型電子顕微鏡ＪＥＭ２０００ＦＸ（２００ｋＶ）を用いて倍率１０万倍の視野の写真を撮影し、この写真を解析ソフト（マウンテック（株）製、Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ．４．０）を用いて解析することによりＨｅｙｗｏｏｄ径（投射面積円相当径）として測定した。コロイダルシリカの平均一次粒子径は、前述の方法で２０００個程度のコロイダルシリカの粒子径を解析し、小粒径側からの積算粒径分布（累積体積基準）が５０％となる粒径を上記解析ソフト（マウンテック（株）製、Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ ４．０）を用いて算出した平均一次粒子径（Ｄ５０）である。

ヒュームドシリカの平均粒子径は、動的光散乱式粒度分布測定装置（日機装（株）製、マイクロトラックＵＰＡ）を用いて測定した。ヒュームドシリカの平均粒子径は、体積を基準とした小粒径側からの積算粒径分布が５０％となる平均粒子径（Ｄ５０）である。

湿式法シリカ粒子の平均粒子径は、動的光散乱式粒度分布測定装置（日機装（株）製、マイクロトラックＵＰＡ）を用いて測定した。湿式法シリカ粒子の平均粒子径は、体積を基準とした小粒径側からの積算粒径分布が５０％となる平均粒子径（Ｄ５０）である。

（３）研磨条件
無電解ニッケル−リンめっきした外径９５ｍｍのアルミディスクを研磨対象の基板として、下記研磨条件で研磨を行った。
研磨機：システム精工（株）製、９Ｂ両面研磨機
研磨パッド：（株）ＦＩＬＷＥＬ社製、Ｐ１パッド
定盤回転数：上定盤 −９．０ｍｉｎ^−１
下定盤 １２．０ｍｉｎ^−１
研磨剤組成物供給量： ９０ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間：研磨量が１．２〜１．５μｍ／片面となる時間まで研磨する（２４０〜７２０秒）。
加工圧力：１２０ｋＰａ

（４）研磨速度比
研磨速度は、研磨後に減少したアルミディスクの質量を測定し、下記式に基づいて算出した。
研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）＝アルミディスクの質量減少量（ｇ）／研磨時間（ｍｉｎ）／アルミディスク片面の面積（ｃｍ^２）／無電解ニッケル−リンめっき皮膜の密度（ｇ／ｃｍ^３）／２×１０^４
（ただし、上記式中、アルミディスク片面の面積は６５．９ｃｍ^２、無電解ニッケル−リンめっき皮膜の密度は、８．０ｇ／ｃｍ^３）
研磨速度比は、上記式を用いて求めた比較例１の研磨速度を１（基準）とした場合の相対値である。尚、比較例１の研磨速度は０．１７０μｍ／ｍｉｎであった。

（５）ピット
ピットはＺｙｇｏ社製の走査型白色干渉法を利用した三次元表面構造解析顕微鏡を用いて測定した。Ｚｙｇｏ社製の測定装置（Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ８３００（レンズ：１．４倍、ズーム：１．０倍）とＺｙｇｏ社製の解析ソフト（Ｍｘ）を用いて測定した。得られた形状プロファイルにおいて、ピットがほとんど認められない場合に「○（良）」と評価した。ピットが若干認められた場合に「△（可）」と評価した。ピットが多数認められた場合に「×（不可）」と評価した。評価が「×（不可）」の場合には、目視でもピットを観察することができた。

（６）うねり（Ｚｙｇｏ−Ｓａ）
アルミディスクのうねり（Ｓａ）は、Ｚｙｇｏ社製の走査型白色干渉法を利用した三次元表面構造解析顕微鏡を用いて測定した（以下、この方法によって測定したうねりを、「Ｚｙｇｏ−Ｓａ」という）。測定条件は、Ｚｙｇｏ社製の測定装置（Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ８３００（レンズ：１．４倍、ズーム：１．０倍）、波長１００〜５００μｍとし、測定エリアは６ｍｍ×６ｍｍとし、Ｚｙｇｏ社製の解析ソフト（Ｍｘ）を用いて解析を行った。うねりが「測定不可」とは、ピットが認められ、上記測定方法でうねりが測定できない状態であることを示している。

（７）考察
表１の結果から、実施例１〜６のコロイダルシリカとヒュームドシリカと湿式法シリカ粒子の３つの異なるシリカ粒子を組み合わせた研磨剤組成物は、比較例１〜８の２つの異なるシリカ粒子を組み合わせた研磨剤組成物（コロイダルシリカとヒュームドシリカの組み合わせ、コロイダルシリカと湿式法シリカ粒子の組み合わせ、ヒュームドシリカと湿式法シリカ粒子の組み合わせ）よりも研磨速度と研磨後の表面平滑性（ピット、うねり）のバランスが向上していることがわかる。以下に各比較例と各実施例の対比について、具体的に説明する。

比較例１は、コロイダルシリカとヒュームドシリカの組み合わせであるが、ヒュームドシリカの一部を湿式法シリカ粒子に置き換えた実施例１は、研磨速度が明確に増大しており、しかもピット、うねりは同等となっている。
比較例２は、比較例１において、コロイダルシリカの平均一次粒子径が大きくなった研磨剤組成物であるが、その中でヒュームドシリカの一部を湿式法シリカに置き換えた実施例２は、研磨速度が明確に増大しており、しかもピット、うねりは同等となっている。

比較例３は、コロイダルシリカと湿式法シリカ粒子の組み合わせであるが、湿式法シリカ粒子の一部をヒュームドシリカに置き換えた実施例３は、研磨速度が明確に増大しており、しかもピットは同等で、さらにうねりは顕著に改善されている。比較例４は、比較例３において、コロイダルシリカの平均一次粒子径が大きくなった研磨剤組成物であるが、その中で湿式法シリカ粒子の一部をヒュームドシリカに置き換えた実施例４は、研磨速度、ピットは同等であり、うねりは顕著に改善されている。

比較例５は、比較例３において、湿式法シリカ粒子の平均粒子径が大きくなった研磨剤組成物であるが、その中で湿式法シリカ粒子の一部をヒュームドシリカに置き換えた実施例５は、研磨速度、ピットは同等であり、うねりは顕著に改善されている。比較例６は、比較例４において、湿式法シリカ粒子の平均粒子径が大きくなった研磨剤組成物であるが、その中で湿式法シリカ粒子の一部をヒュームドシリカに置き換えた実施例６は、研磨速度、ピットは同等であり、うねりは顕著に改善されている。

比較例７は、ヒュームドシリカと湿式法シリカ粒子の組み合わせであるが、ピットが多数発生し、うねりは測定不可となっている。比較例８は、比較例７において、湿式法シリカ粒子の平均粒子径が大きくなった研磨剤組成物であるが、比較例７と同様に、ピットが多数発生し、うねりは測定不可となっている。

以上、各比較例と各実施例の対比において明らかなように、比較例１〜８の２つの異なるシリカ粒子の組み合わせから予想される研磨速度に対して、実施例１〜６の３つの異なるシリカ粒子の組み合わせの研磨速度は、予想を有意に上回る結果になっている。これはコロイダルシリカとヒュームドシリカと湿式法シリカの間で、研磨性能面で相互補完的な関係が生じ、相乗効果として研磨速度を向上させていると考えられる。

研磨速度に関する考察と同様に、実施例１〜６の３つの異なるシリカ粒子を組み合わせた研磨剤組成物は、ピットやうねり等の表面平滑性においても、研磨性能が向上している。ここでも、コロイダルシリカとヒュームドシリカと湿式法シリカ粒子の間で、表面平滑性において相互補完的な関係が生じ、相乗効果として表面平滑性が向上したと考えられる。

本発明の磁気ディスク基板用研磨剤組成物は、ハードディスクといった磁気記録媒体電子部品の研磨に使用することができる。特に、ガラス磁気ディスク基板やアルミニウム磁気ディスク基板などの磁気記録媒体用基板の表面研磨に使用することができる。さらには、アルミニウム合金製の基板表面に無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成した磁気記録媒体用アルミニウム磁気基板の表面研磨に使用することができる。

Claims (7)

1. 平均一次粒子径５〜２００ｎｍのコロイダルシリカと、
   平均粒子径３０〜８００ｎｍのヒュームドシリカと、
   平均粒子径１００〜１０００ｎｍの粉砕された湿式法シリカ粒子と、
   水と、を含み、
   全シリカ粒子に占める前記コロイダルシリカの割合が５〜９０質量％、前記ヒュームドシリカの割合が５〜９０質量％、粉砕された前記湿式法シリカ粒子の割合が５〜９０質量％であり、前記全シリカ粒子の濃度が１〜５０質量％である磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
2. 前記コロイダルシリカの平均一次粒子径が１０〜１５０ｎｍであり、前記ヒュームドシリカの平均粒子径が６０〜６００ｎｍであり、粉砕された前記湿式法シリカ粒子の平均粒子径が２００〜８００ｎｍである請求項１に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
3. 前記全シリカ粒子に占める前記コロイダルシリカの割合が１０〜８０質量％であり、前記ヒュームドシリカの割合が１０〜８０質量％であり、粉砕された前記湿式法シリカ粒子の割合が１０〜８０質量％である請求項１または２に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
4. 前記全シリカ粒子の濃度が２〜４０質量％である請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
5. 前記研磨剤組成物が酸をさらに含有し、ｐＨ値（２５℃）が０．１〜４．０の範囲にある請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
6. 前記研磨剤組成物が酸化剤をさらに含有した組成物である請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。
7. 無電解ニッケル−リンめっきされたアルミニウム磁気ディスク基板の研磨に用いられる請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ディスク基板用研磨剤組成物。