JP6757953B2 - 表面加工方法、構造体の製造方法 - Google Patents
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請求項2に記載の発明では、レーザ光照射工程では、レーザ光として連続発振のレーザ光を加工対象物(200)に照射することを特徴とする。連続発振のレーザ光を用いることにより、微細な構造体(260)を確実に形成することができる。
上記各実施形態で示された構造体260を形成する方法は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、SiC、GaN等の半導体材料、ダイヤモンド、LiTaO3、LiNbO3等のイオン注入及びレーザ光の照射が可能な材料を加工対象物としても良い。
120 集光レンズ
140 焦点
200 Siウェハ(加工対象物)
210 表面
230 イオン注入層
250 ブリスタリング
260 構造体
Claims (8)
- 加工対象物(200)の表面(210)に微細な構造体(260)を形成する表面加工方法であって、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)にイオン注入層(230)を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記加工対象物(200)にレーザ光を照射して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の照射部分を局所的に加熱して前記加工対象物(200)にブリスタリング(250)を発生させることにより、前記加工対象物(200)の前記表面(210)に前記構造体(260)として、前記表面(210)の一部が***した***構造を形成するレーザ光照射工程と、
を含み、
前記レーザ光照射工程では、前記構造体(260)として、前記加工対象物(200)の前記表面(210)に垂直な厚み方向における厚みが7μm以下のミクロンオーダーの前記***構造を形成することを特徴とする表面加工方法。 - 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として連続発振のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項1に記載の表面加工方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として赤外光のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項1または2に記載の表面加工方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記加工対象物(200)が半導体材料で構成されたものを用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の表面加工方法。
- 加工対象物(200)の表面(210)に微細な構造体(260)を形成する構造体の製造方法であって、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)にイオン注入層(230)を形成するイオン注入工程と、
前記イオン注入工程の後、前記加工対象物(200)にレーザ光を照射して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の照射部分を局所的に加熱して前記加工対象物(200)にブリスタリング(250)を発生させることにより、前記加工対象物(200)の前記表面(210)に前記構造体(260)として、前記表面(210)の一部が***した***構造を形成するレーザ光照射工程と、
を含み、
前記レーザ光照射工程では、前記構造体(260)として、前記加工対象物(200)の前記表面(210)に垂直な厚み方向における厚みが7μm以下のミクロンオーダーの前記***構造を形成することを特徴とする構造体の製造方法。 - 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として連続発振のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項5に記載の構造体の製造方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記レーザ光として赤外光のレーザ光を前記加工対象物(200)に照射することを特徴とする請求項5または6に記載の構造体の製造方法。
- 前記レーザ光照射工程では、前記加工対象物(200)が半導体材料で構成されたものを用いることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
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JP2016156702A JP6757953B2 (ja) | 2016-08-09 | 2016-08-09 | 表面加工方法、構造体の製造方法 |
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JP2018023990A JP2018023990A (ja) | 2018-02-15 |
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