JP6735793B2 - Composite substrate and rigid substrate - Google Patents

Description

本発明は、リジッド基板とフレキシブル基板が接合された複合基板に関する。 The present invention relates to a composite substrate in which a rigid substrate and a flexible substrate are joined together.

各種電子機器において、可撓性を有しないリジッド基板と、可撓性を有するフレキシブル基板を接合した複合基板が多く利用されている。リジッド基板とフレキシブル基板の接合態様については、各種のものが開発されている。 In various electronic devices, a composite substrate in which a rigid substrate having no flexibility and a flexible substrate having flexibility are joined is often used. Various methods have been developed for joining the rigid substrate and the flexible substrate.

例えば、特許文献１には、リジッド基板にフレキシブル基板を積層したリジッドフレキシブルプリント回路が開示されている。ベース基板にキャビティを設けることによってベース基板を部分的に除去し、ベース基板の残余物による汚染を防止することが可能とされている。 For example, Patent Document 1 discloses a rigid flexible printed circuit in which a flexible substrate is laminated on a rigid substrate. By providing a cavity in the base substrate, it is possible to partially remove the base substrate and prevent contamination by residues of the base substrate.

また、特許文献２には、フレキシブル基板がリジッド基板によって挟まれている複合配線基板が開示されている。リジッド基板にダミーのビアを設けることによって、フレキシブル基板に均等な圧力をかけ、フレキシブル基板の歪みを防止することが可能とされている。 Further, Patent Document 2 discloses a composite wiring board in which a flexible board is sandwiched between rigid boards. By providing dummy vias on the rigid substrate, it is possible to apply uniform pressure to the flexible substrate and prevent distortion of the flexible substrate.

特開２０１２−１３４４９０号公報JP2012-134490A 特開２００５−０１１８５９号公報JP, 2005-011859, A

しかしながら、特許文献１や２に記載のような複合基板では、フレキシブル基板とリジッド基板が積重されているため、複合基板の薄型化が困難であるという問題がある。近年の電子機器の小型化により、複合基板の薄型化が求められている。また、一般的に複合基板は、リジッド基板とフレキシブル基板の接合後に個片化されるが、その際にリジッド基板の一部が無駄となり、製造コストを低減することが困難であった。 However, in the composite substrate as described in Patent Documents 1 and 2, there is a problem that it is difficult to make the composite substrate thin because the flexible substrate and the rigid substrate are stacked. With the recent miniaturization of electronic devices, there is a demand for thinner composite substrates. Further, generally, the composite substrate is separated into individual pieces after joining the rigid substrate and the flexible substrate, but at that time, a part of the rigid substrate is wasted and it is difficult to reduce the manufacturing cost.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、薄型化に適し、かつ生産性に優れた構造を有する複合基板及びリジッド基板を提供することにある。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a composite substrate and a rigid substrate that are suitable for thinning and have a structure with excellent productivity.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る複合基板は、リジッド基板と、フレキシブル基板とを具備する。
上記リジッド基板は、コア層と、絶縁層と、配線層とが積層され、第１の厚みを有し、少なくとも一辺にキャビティが設けられ、第１の接続端子が上記キャビティから露出する。
上記フレキシブル基板は、上記キャビティに接合され、上記第１の接続端子に電気的に接続される第２の接続端子を備え、上記第１の厚みより小さく、上記キャビティの深さより小さい第２の厚みを有する。 In order to achieve the above object, a composite substrate according to an aspect of the present invention includes a rigid substrate and a flexible substrate.
The rigid substrate has a core layer, an insulating layer, and a wiring layer that are stacked, has a first thickness, has a cavity on at least one side, and exposes the first connection terminal from the cavity.
The flexible substrate includes a second connection terminal joined to the cavity and electrically connected to the first connection terminal, and has a second thickness smaller than the first thickness and smaller than the depth of the cavity. Have.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るリジッド基板は、第１の面とその反対側の第２の面を有するコア層と、第１の絶縁層及び第１の配線層から構成され上記第１の面に積層された第１の層内配線層と、第２の絶縁層及び第２の配線層から構成され上記第２の面に積層された第２の層内配線層とを具備し、上記第１の層内配線層及び上記コア層が除去されてキャビティが形成されている。 In order to achieve the above object, a rigid substrate according to an aspect of the present invention includes a core layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a first insulating layer, and a first wiring layer. A first in-layer wiring layer laminated on the first surface, and a second in-layer wiring layer composed of a second insulating layer and a second wiring layer and laminated on the second surface. The cavity is formed by removing the first in-layer wiring layer and the core layer.

本発明の第１の実施形態に係る複合基板の斜視図である。It is a perspective view of the composite substrate which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 同複合基板の分解斜視図である。It is an exploded perspective view of the same composite substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の斜視図である。It is a perspective view of a rigid substrate which constitutes the composite substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の斜視図である。It is a perspective view of a rigid substrate which constitutes the composite substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の平面図である。It is a top view of the rigid board|substrate which comprises the same composite board|substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の平面図である。It is a top view of the rigid board|substrate which comprises the same composite board|substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の断面図である。It is sectional drawing of the rigid board|substrate which comprises the same composite board|substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の斜視図である。It is a perspective view of a rigid substrate which constitutes the composite substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の平面図である。It is a top view of the rigid board|substrate which comprises the same composite board|substrate. 同複合基板を構成するリジッド基板の断面図である。It is sectional drawing of the rigid board|substrate which comprises the same composite board|substrate. 同複合基板を構成するフレキシブル基板の斜視図である。It is a perspective view of the flexible substrate which comprises the same composite substrate. 同複合基板を構成するフレキシブル基板の断面図である。It is sectional drawing of the flexible substrate which comprises the same composite substrate. 同複合基板の断面図である。It is sectional drawing of the same composite substrate. 同複合基板の厚みの関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the relationship of the thickness of the same composite substrate. 比較例に係る複合基板の断面図である。It is sectional drawing of the composite substrate which concerns on a comparative example. 比較例に係る複合基板の断面図である。It is sectional drawing of the composite substrate which concerns on a comparative example. 本発明の第１の実施形態に係る複合基板であって、表層部品が実装された複合基板の断面図である。It is a composite board which concerns on the 1st Embodiment of this invention, Comprising: It is sectional drawing of the composite board by which the surface layer component was mounted. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 本発明の第２の実施形態に係る複合基板を構成するリジッド基板の断面図である。It is sectional drawing of the rigid board|substrate which comprises the composite board|substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 同複合基板を構成するフレキシブル基板の断面図である。It is sectional drawing of the flexible substrate which comprises the same composite substrate. 同複合基板の断面図である。It is sectional drawing of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 同複合基板の製造プロセスを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the manufacturing process of the same composite substrate. 本発明の変形例に係る複合基板の断面図である。It is sectional drawing of the composite substrate which concerns on the modification of this invention. 本発明の変形例に係る複合基板の断面図である。It is sectional drawing of the composite substrate which concerns on the modification of this invention.

本発明の一実施形態に係る複合基板は、リジッド基板と、フレキシブル基板とを具備する。
上記リジッド基板は、コア層と、絶縁層と、配線層とが積層され、第１の厚みを有し、少なくとも一辺にキャビティが設けられ、第１の接続端子が上記キャビティから露出する。
上記フレキシブル基板は、上記キャビティに接合され、上記第１の接続端子に電気的に接続される第２の接続端子を備え、上記第１の厚みより小さく、上記キャビティの深さより小さい第２の厚みを有する。 A composite substrate according to an exemplary embodiment of the present invention includes a rigid substrate and a flexible substrate.
The rigid substrate has a core layer, an insulating layer, and a wiring layer that are stacked, has a first thickness, has a cavity on at least one side, and exposes the first connection terminal from the cavity.
The flexible substrate includes a second connection terminal joined to the cavity and electrically connected to the first connection terminal, and has a second thickness smaller than the first thickness and smaller than the depth of the cavity. Have.

この構成によれば、リジッド基板に接合されたフレキシブル基板は、リジッド基板に設けられたキャビティ内に収容され、キャビティから突出しない。このため、複合基板の最大の厚みはリジッド基板の厚みに留まり、フレキシブル基板の接合による複合基板の厚みの増加を防止するこが可能となる。 According to this structure, the flexible substrate bonded to the rigid substrate is housed in the cavity provided in the rigid substrate and does not protrude from the cavity. Therefore, the maximum thickness of the composite substrate is limited to the thickness of the rigid substrate, and it is possible to prevent the thickness of the composite substrate from increasing due to the bonding of the flexible substrates.

上記第１の接続端子は、上記配線層によって形成されていてもよい。 The first connection terminal may be formed by the wiring layer.

この構成によれば、配線層を接続端子として利用することが可能であり、別途接続端子を設ける必要がないため、製造プロセスの工程数削減が可能となる。 According to this configuration, the wiring layer can be used as a connection terminal and it is not necessary to separately provide a connection terminal, so that the number of steps in the manufacturing process can be reduced.

上記コア層は金属からなり、
上記第１の接続端子は、上記コア層によって形成されていてもよい。 The core layer is made of metal,
The first connection terminal may be formed by the core layer.

この構成によれば、コア層を接続端子として利用することが可能であり、別途接続端子を設ける必要がないため、製造プロセスの工程数削減が可能となる。 According to this configuration, the core layer can be used as a connection terminal and it is not necessary to separately provide a connection terminal, so that the number of steps in the manufacturing process can be reduced.

上記第１の接続端子は、上記配線層と、上記配線層上に積層された導電層によって形成されていてもよい。 The first connection terminal may be formed of the wiring layer and a conductive layer laminated on the wiring layer.

この構成によれば、接続端子を周囲の絶縁層と同一面とし、あるいは周囲の絶縁層から突出させることが可能となる。これにより、後述するＮＣＰやＮＣＦを利用して、リジッド基板とフレキシブル基板を接合することが可能となる。 According to this configuration, the connection terminal can be flush with the surrounding insulating layer or can be projected from the surrounding insulating layer. Thereby, it becomes possible to bond the rigid substrate and the flexible substrate by using NCP or NCF described later.

上記複合基板は、上記リジッド基板と上記フレキシブル基板の間に配置され、上記第１の接続端子と上記第２の接続端子を電気的に接続する接合層であって、導電性部材からなる接合層をさらに具備してもよい。 The composite substrate is a bonding layer that is disposed between the rigid substrate and the flexible substrate and electrically connects the first connection terminal and the second connection terminal, and is a bonding layer made of a conductive member. May be further provided.

この構成によれば、接合層によってリジッド基板とフレキシブル基板を接合し、かつリジッド基板とフレキシブル基板を電気的に接続することが可能となる。 According to this configuration, the rigid substrate and the flexible substrate can be joined by the joining layer, and the rigid substrate and the flexible substrate can be electrically connected.

上記導電性部材は、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）又はＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）であってもよい。 The conductive member may be ACP (Anisotropic Conductive Paste) or ACF (Anisotropic Conductive Film).

ＡＣＰ及びＡＣＦは、絶縁性材料中に導電性粒子が含有されており、加熱、押圧されると、絶縁性材料が押し出され、残留した導電性粒子によって電気的接続がなされる。このため、第１の接続端子と第２の接続端子が離間していても、第１の接続端子と第２の接続端子の間にＡＣＰ又はＡＣＦからなる接合層を配置することにより、両端子の電気的接続が可能となる。 In ACP and ACF, conductive particles are contained in an insulating material, and when heated and pressed, the insulating material is extruded and the remaining conductive particles make an electrical connection. Therefore, even if the first connection terminal and the second connection terminal are separated from each other, by arranging the bonding layer made of ACP or ACF between the first connection terminal and the second connection terminal, both terminals can be arranged. Can be electrically connected.

上記導電性部材は、ＮＣＰ（Non-anisotropic Conductive Paste）又はＮＣＦ（Non-anisotropic Conductive Film）であってもよい。 The conductive member may be NCP (Non-anisotropic Conductive Paste) or NCF (Non-anisotropic Conductive Film).

ＮＣＰ及びＮＣＦは、絶縁性材料中に導電性粒子が含有されておらず、接合対象の二端子を接触させた状態で固定することにより、両端氏を電気的に接続する。上記構成によれば、第１の接続端子の厚みを増加させる導電層が形成されており、第１の接続端子と第２の接続端子を物理的に接触させることが可能となるため、接合層としてＮＣＰ又はＮＣＦ
の利用が可能となる。 NCP and NCF do not contain conductive particles in the insulating material and fix the two terminals to be joined in contact with each other to electrically connect both ends. According to the above configuration, the conductive layer that increases the thickness of the first connection terminal is formed, and the first connection terminal and the second connection terminal can be physically brought into contact with each other. As NCP or NCF
Can be used.

上記リジッド基板は、第１の面とその反対側の第２の面を有するコア層と、第１の絶縁層及び第１の配線層から構成され上記第１の面に積層された第１の層内配線層と、第２の絶縁層及び第２の配線層から構成され上記第２の面に積層された第２の層内配線層とを備え、上記キャビティは上記第１の絶縁層及び上記コア層が除去されて形成されていてもよい。 The rigid substrate includes a core layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a first insulating layer, and a first wiring layer, and is laminated on the first surface. An intra-layer wiring layer; and a second intra-layer wiring layer formed of a second insulating layer and a second wiring layer and stacked on the second surface, wherein the cavity has the first insulating layer and The core layer may be removed and formed.

本発明の一実施形態に係るリジッド基板は、第１の面とその反対側の第２の面を有するコア層と、第１の絶縁層及び第１の配線層から構成され上記第１の面に積層された第１の層内配線層と、第２の絶縁層及び第２の配線層から構成され上記第２の面に積層された第２の層内配線層とを具備し、上記第１の絶縁層及び上記コア層が除去されてキャビティが形成されている。 A rigid substrate according to an embodiment of the present invention includes a core layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a first insulating layer, and a first wiring layer, and the first surface. A first in-layer wiring layer laminated on the second surface, and a second in-layer wiring layer formed of a second insulating layer and a second wiring layer and laminated on the second surface. The first insulating layer and the core layer are removed to form a cavity.

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る複合基板について説明する。 (First embodiment)
The composite substrate according to the first embodiment of the present invention will be described.

図１は、本発明の第１の実施形態に係る複合基板１００の斜視図であり、図２は複合基板１００の分解斜視図である。図１及び図２に示すように、複合基板１００は、リジッド基板２００とフレキシブル基板３００が接合されて構成されている。 FIG. 1 is a perspective view of a composite substrate 100 according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of the composite substrate 100. As shown in FIGS. 1 and 2, the composite substrate 100 is configured by joining a rigid substrate 200 and a flexible substrate 300.

[リジッド基板について]
リジッド基板２００は、可撓性を有しない基板であり、後述する表層部品（ＩＣ等）が実装される基板である。以下、リジッド基板２００のうち、フレキシブル基板３００が接合される側の面を下面とし、その反対側の面を上面とする。図３はリジッド基板２００を下面側からみた斜視図であり、図４はリジッド基板２００を上面側からみた斜視図である。また、図５はリジッド基板２００の下面を示す平面図であり、図６はリジッド基板２００の上面を示す平面図である。図７は、リジッド基板２００の断面図であり、図３乃至図６における線Ａの断面図である。 [About rigid board]
The rigid substrate 200 is a substrate that does not have flexibility, and is a substrate on which surface layer components (IC and the like) described later are mounted. Hereinafter, of the rigid substrate 200, the surface on the side to which the flexible substrate 300 is bonded is referred to as the lower surface, and the surface on the opposite side is referred to as the upper surface. 3 is a perspective view of the rigid substrate 200 as seen from the lower surface side, and FIG. 4 is a perspective view of the rigid substrate 200 as seen from the upper surface side. 5 is a plan view showing the lower surface of the rigid substrate 200, and FIG. 6 is a plan view showing the upper surface of the rigid substrate 200. FIG. 7 is a cross-sectional view of the rigid substrate 200, which is a cross-sectional view taken along the line A in FIGS. 3 to 6.

リジッド基板２００のサイズは特に限定されないが、例えば長辺１６ｍｍ、短辺１０ｍｍであるものとすることができる。その形状も矩形に限られず、リジッド基板２００に実装される部品のレイアウト等に応じて適宜変更することが可能である。 The size of the rigid substrate 200 is not particularly limited, but may be, for example, a long side of 16 mm and a short side of 10 mm. The shape is not limited to the rectangular shape, and can be appropriately changed according to the layout of the components mounted on the rigid board 200.

図３及び図７に示すように、リジッド基板２００には、キャビティ２０１が形成されている。キャビティ２０１は、リジッド基板２００の少なくとも一辺に形成され、リジッド基板２００が段状に窪んでいる部分である。キャビティ２０１の形成方法については後述する。キャビティ２０１のサイズは特に限定されないが、例えばキャビティ幅（長辺）８．２４ｍｍとすることができる。 As shown in FIGS. 3 and 7, a cavity 201 is formed in the rigid substrate 200. The cavity 201 is a portion that is formed on at least one side of the rigid substrate 200 and that the rigid substrate 200 is recessed in a stepwise manner. The method of forming the cavity 201 will be described later. The size of the cavity 201 is not particularly limited, but may be, for example, a cavity width (long side) of 8.24 mm.

図３に示すように、キャビティ２０１の両側部には、側壁２０２が設けられている。側壁２０２はリジッド基板２００のキャビティ２０１が形成された一辺において、キャビティ２０１が設けられていない部分である。側壁２０２は必ずしも設けられなくてもよいが、側壁２０２によってリジッド基板２００の強度を維持することが可能となる。 As shown in FIG. 3, sidewalls 202 are provided on both sides of the cavity 201. The side wall 202 is a part of the rigid substrate 200 where the cavity 201 is formed and is not provided with the cavity 201. Although the side wall 202 is not necessarily provided, the side wall 202 makes it possible to maintain the strength of the rigid substrate 200.

図３及び図５に示すように、キャビティ２０１内には、接続端子２０３が形成されている。接続端子２０３は、キャビティ２０１の面に形成されているものとすることができる。接続端子２０３は絶縁体に隔てられた複数の端子を含むものとすることができ、接続端子２０３のサイズは例えば端子長０．７ｍｍ、端子幅０．１ｍｍ、端子間隔０．１ｍｍとすることができる。 As shown in FIGS. 3 and 5, the connection terminal 203 is formed in the cavity 201. The connection terminal 203 may be formed on the surface of the cavity 201. The connection terminal 203 can include a plurality of terminals separated by an insulator, and the size of the connection terminal 203 can be, for example, a terminal length of 0.7 mm, a terminal width of 0.1 mm, and a terminal interval of 0.1 mm.

接続端子２０３の形状や数は限定されない。図８及び図９は接続端子２０３の別の形状を示す斜視図及び断面図である。これらの図に示すように接続端子２０３は、複数列で配列されてもよい。この場合の接続端子２０３のサイズは、例えば端子長０．４ｍｍ、端子幅０．１ｍｍ、端子間隔０．１ｍｍとすることができる。 The shape and number of the connection terminals 203 are not limited. 8 and 9 are a perspective view and a sectional view showing another shape of the connection terminal 203. As shown in these figures, the connection terminals 203 may be arranged in a plurality of rows. The size of the connection terminal 203 in this case can be, for example, a terminal length of 0.4 mm, a terminal width of 0.1 mm, and a terminal interval of 0.1 mm.

図５及び図６に示すように、リジッド基板２００の上面及び下面には、接続パッド２０４が設けられている。接続パッド２０４は、リジッド基板２００の上面及び下面に実装される表層部品（後述）を電気的に接続するための部分である。接続パッド２０４の配置や数は特に限定されず、表層部品のレイアウトに応じて設けられる。なお、接続パッド２０４は、リジッド基板２００の上面と下面のいずれかにのみ設けられてもよい。 As shown in FIGS. 5 and 6, connection pads 204 are provided on the upper and lower surfaces of the rigid substrate 200. The connection pads 204 are portions for electrically connecting surface layer components (described later) mounted on the upper surface and the lower surface of the rigid board 200. The arrangement and number of the connection pads 204 are not particularly limited, and they are provided according to the layout of the surface layer components. The connection pad 204 may be provided only on either the upper surface or the lower surface of the rigid substrate 200.

図１０は、図７の拡大図であり、リジッド基板２００におけるキャビティ２０１の近傍を示す図である。同図に示すように、リジッド基板２００は、コア層２０５、第１層内配線層２０６、第２層内配線層２０７、第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９が積層されて構成されているものとすることができる。 FIG. 10 is an enlarged view of FIG. 7, and is a view showing the vicinity of the cavity 201 in the rigid substrate 200. As shown in the figure, the rigid substrate 200 is configured by stacking a core layer 205, a first inner wiring layer 206, a second inner wiring layer 207, a first solder resist layer 208, and a second solder resist layer 209. It can be.

コア層２０５は、銅や銅合金等の金属材料からなり、リジッド基板２００の積層構造を支持する。リジッド基板２００は、コア層２０５に対して加工、成膜等を施すことにより形成されるものとすることができる。また、コア層２０５は、リジッド基板２００のグランドとして機能するものとすることができる。なお、コア層２０５にはスルーホール２０５ａが設けられているものとすることができる。 The core layer 205 is made of a metal material such as copper or a copper alloy, and supports the laminated structure of the rigid substrate 200. The rigid substrate 200 can be formed by subjecting the core layer 205 to processing, film formation, or the like. Further, the core layer 205 can function as the ground of the rigid substrate 200. The core layer 205 may be provided with a through hole 205a.

コア層２０５のキャビティ２０１側端部には、絶縁性材料からなる絶縁部２１０が設けられている。また、絶縁部２１０は、スルーホール２０５ａの周囲に形成されるものとすることができる。当該絶縁性材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等を利用することができる。また、これらの樹脂に二酸化ケイ素等からなる補強フィラーを含有させたものを利用してもよい。 An insulating portion 210 made of an insulating material is provided at the end of the core layer 205 on the cavity 201 side. Further, the insulating part 210 may be formed around the through hole 205a. As the insulating material, epoxy resin, polyimide, bismaleimide triazine resin, or the like can be used. Moreover, you may utilize what made these resins contain the reinforcement filler which consists of silicon dioxide etc.

第１層内配線層２０６は、コア層２０５の下面側に積層されており、配線層２１１と絶縁層２１２が積層されて構成されている。配線層２１１は、銅等の導電性材料からなり、部分的に絶縁層２１２によって隔てられている。配線層２１１の一部は第１ソルダーレジスト層２０８から露出して接続パッド２０４を構成する。配線層２１１は、接続パッド２０４に接合される表層部品の信号線として機能し、あるいは表層部品とグランド（コア層２０５）の接続線として機能する。 The first in-layer wiring layer 206 is laminated on the lower surface side of the core layer 205, and is constituted by laminating the wiring layer 211 and the insulating layer 212. The wiring layer 211 is made of a conductive material such as copper, and is partially separated by the insulating layer 212. A part of the wiring layer 211 is exposed from the first solder resist layer 208 to form the connection pad 204. The wiring layer 211 functions as a signal line of a surface layer component joined to the connection pad 204 or a connection line between the surface layer component and the ground (core layer 205).

接続パッド２０４を構成する配線層２１１の表面には、めっき層Ｍが形成されているものとすることができる。めっき層ＭはＡｕ又はＣｕからなるものとすることができる。めっき層Ｍの厚さは例えば０．０５μｍ以上１μｍ以下とすることができる。配線層２１１は、図１０に示すように、複数層が形成されてもよく一層が形成されてもよい。また、配線層２１１は、同図に示すように層間で電気的に接続されるものとすることができる。 The plating layer M may be formed on the surface of the wiring layer 211 forming the connection pad 204. The plating layer M can be made of Au or Cu. The thickness of the plating layer M can be, for example, 0.05 μm or more and 1 μm or less. As shown in FIG. 10, the wiring layer 211 may have a plurality of layers or a single layer. Further, the wiring layer 211 can be electrically connected between the layers as shown in FIG.

絶縁層２１２は、絶縁性材料からなる。当該絶縁性材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等を利用することができる。また、これらの樹脂に二酸化ケイ素等からなる補強フィラーを含有させたものを利用してもよい。絶縁層２１２と絶縁部２１０の絶縁性材料は同一であってもよく、異なってもよい。 The insulating layer 212 is made of an insulating material. As the insulating material, epoxy resin, polyimide, bismaleimide triazine resin, or the like can be used. Moreover, you may utilize what made these resins contain the reinforcement filler which consists of silicon dioxide etc. The insulating materials of the insulating layer 212 and the insulating portion 210 may be the same or different.

第２層内配線層２０７は、コア層２０５の上面側に積層されており、第１層内配線層２０６と同様に、配線層２１１と絶縁層２１２が積層されて構成されている。配線層２１１の一部は第２ソルダーレジスト層２０９から露出して接続パッド２０４を構成する。配線層２１１は、接続パッド２０４に接合される表層部品の信号線として機能し、あるいは表層部品とグランド（コア層２０５）の接続線として機能する。 The second in-layer wiring layer 207 is stacked on the upper surface side of the core layer 205, and, similarly to the first-in-layer wiring layer 206, is formed by stacking a wiring layer 211 and an insulating layer 212. A part of the wiring layer 211 is exposed from the second solder resist layer 209 to form the connection pad 204. The wiring layer 211 functions as a signal line of a surface layer component joined to the connection pad 204 or a connection line between the surface layer component and the ground (core layer 205).

第２層内配線層２０７は、コア層２０５及び第１層内配線層２０６から突出して形成されており、キャビティ２０１の面を構成している。第２層内配線層２０７における配線層２１１の一部は、当該面に露出しており、上述した接続端子２０３を構成する。接続端子２０３を構成する配線層２１１の表面には、めっき層Ｍが形成されているものとすることができる。めっき層Ｍの材料は、後述するリジッド基板２００とフレキシブル基板３００の接合方法に応じて選択することが可能であり、例えばＡｕ又はＣｕであるものとすることができる。 The second inner wiring layer 207 is formed so as to project from the core layer 205 and the first inner wiring layer 206, and constitutes the surface of the cavity 201. A part of the wiring layer 211 in the second intra-layer wiring layer 207 is exposed on the surface and constitutes the connection terminal 203 described above. The plating layer M may be formed on the surface of the wiring layer 211 forming the connection terminal 203. The material of the plating layer M can be selected according to the joining method of the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300 described later, and can be Au or Cu, for example.

第１層内配線層２０６と第２層内配線層２０７の配線層２１１は互いに接続されるものとすることも可能である。図１０に示すように、スルーホール２０５ａ内にスルーホール配線２１１ａが設けられることにより、第１層内配線層２０６と第２層内配線層２０７の配線層２１１はスルーホール配線２１１ａを介して互いに電気的に接続されるものとすることができる。 The wiring layers 211 of the first inner wiring layer 206 and the second inner wiring layer 207 may be connected to each other. As shown in FIG. 10, since the through-hole wiring 211a is provided in the through-hole 205a, the wiring layers 211 of the first-layer wiring layer 206 and the second-layer wiring layer 207 are mutually connected via the through-hole wiring 211a. It may be electrically connected.

第１ソルダーレジスト層２０８は、絶縁性材料からなり、第１層内配線層２０６に積層されている。絶縁性材料は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等を利用することができる。また、これらの樹脂に二酸化ケイ素等からなる補強フィラーを含有させたものを利用してもよい。第１ソルダーレジスト層２０８の厚さは例えば５μｍ以上７０μｍ以下とすることができる。第１ソルダーレジスト層２０８には、部分的に開口が設けられ、当該開口から露出する配線層２１１が接続パッド２０４を構成する。第１ソルダーレジスト層２０８は、接続パッド２０４に表層部品が実装される際、表層部品を接続パッド２０４に接合するためのはんだに対するソルダーレジストとして機能する。 The first solder resist layer 208 is made of an insulating material and is laminated on the first in-layer wiring layer 206. As the insulating material, epoxy resin, acrylic resin, polyimide, bismaleimide triazine resin or the like can be used. Moreover, you may utilize what made these resins contain the reinforcement filler which consists of silicon dioxide etc. The thickness of the first solder resist layer 208 can be, for example, 5 μm or more and 70 μm or less. An opening is partially provided in the first solder resist layer 208, and the wiring layer 211 exposed from the opening constitutes the connection pad 204. The first solder resist layer 208 functions as a solder resist for solder for joining the surface layer component to the connection pad 204 when the surface layer component is mounted on the connection pad 204.

第２ソルダーレジスト層２０９は、絶縁性材料からなり、第２層内配線層２０７に積層されている。絶縁性材料は、第１ソルダーレジスト層２０８と同様の材料を利用することができる。第２ソルダーレジスト層２０９の厚さは例えば５μｍ以上７０μｍ以下とすることができる。第２ソルダーレジスト層２０９には、部分的に開口が設けられ、当該開口から露出する配線層２１１が接続パッド２０４を構成する。第２ソルダーレジスト層２０９は、接続パッド２０４に表層部品が実装される際、表層部品を接続パッド２０４に接合するためのハンダに対するソルダーレジストとして機能する。 The second solder resist layer 209 is made of an insulating material and is laminated on the second in-layer wiring layer 207. As the insulating material, the same material as the first solder resist layer 208 can be used. The thickness of the second solder resist layer 209 may be, for example, 5 μm or more and 70 μm or less. An opening is partially provided in the second solder resist layer 209, and the wiring layer 211 exposed from the opening constitutes the connection pad 204. The second solder resist layer 209 functions as a solder resist for solder for joining the surface layer component to the connection pad 204 when the surface layer component is mounted on the connection pad 204.

リジッド基板２００は以上のような構成を有する。リジッド基板２００の厚みについては後述する。 The rigid substrate 200 has the above configuration. The thickness of the rigid substrate 200 will be described later.

[フレキシブル基板について]
フレキシブル基板３００は、可撓性を有する基板であり、配線等が内蔵され、リジッド基板２００と他の電子部品（ディスプレイ等）を電気的に接続する基板である。図１１は、フレキシブル基板３００の一部を示す斜視図であり、リジッド基板２００と接合される側の面を示す。 [About flexible substrate]
The flexible substrate 300 is a substrate having flexibility, and is a substrate in which wiring and the like are built in and which electrically connects the rigid substrate 200 and another electronic component (display or the like). FIG. 11 is a perspective view showing a part of the flexible substrate 300 and shows a surface on the side to be joined to the rigid substrate 200.

フレキシブル基板３００のサイズは特に限定されないが、図２に示すようにフレキシブル基板３００の幅がキャビティ２０１に収まる幅とすることができる。図１１に示すように、フレキシブル基板３００には接続端子３０１が設けられている。接続端子３０１は、フレキシブル基板３００がリジッド基板２００に接合されると、リジッド基板２００の接続端子２０３に電気的に接続されるため、接続端子２０３の形状、数に応じて配置される。 Although the size of the flexible substrate 300 is not particularly limited, the width of the flexible substrate 300 can be set within the cavity 201 as shown in FIG. As shown in FIG. 11, the flexible substrate 300 is provided with connection terminals 301. The connection terminals 301 are electrically connected to the connection terminals 203 of the rigid board 200 when the flexible board 300 is joined to the rigid board 200, and thus are arranged according to the shape and number of the connection terminals 203.

図１２は、フレキシブル基板３００の断面図であり、図１１におけるＢ−Ｂ線の断面図である。同図に示すように、フレキシブル基板３００は、基材３０２、配線層３０３、カバーレイ３０４及び接着材層３０５から構成されている。 12 is a cross-sectional view of the flexible substrate 300, which is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. As shown in the figure, the flexible substrate 300 includes a base material 302, a wiring layer 303, a cover lay 304, and an adhesive material layer 305.

基材３０２は、フレキシブル基板３００の基材であり、ポリイミド等の絶縁性材料からなる。基材３０２は可撓性を有する程度の厚みを有するものとすることができる。基材３０２にはスルーホール３０２ａが設けられているものとすることができる。 The base material 302 is a base material of the flexible substrate 300 and is made of an insulating material such as polyimide. The base material 302 can have a thickness such that it has flexibility. The substrate 302 may be provided with through holes 302a.

配線層３０３は、銅等の導電性材料からなり、接着材層３０５を介して基材３０２に積層されている。配線層３０３の一部は、カバーレイ３０４から露出しており、接続端子３０１を構成する。配線層３０３の表面には、めっき層（図示略）が形成されてもよい。めっき層の材料は、後述するリジッド基板２００とフレキシブル基板３００の接合方法に応じて選択することが可能であり、例えばＡｕであるものとすることができる。配線層３０３は、スルーホール３０２ａを介して電気的に接続されているものとすることができる。 The wiring layer 303 is made of a conductive material such as copper and is laminated on the base material 302 with the adhesive layer 305 interposed therebetween. A part of the wiring layer 303 is exposed from the cover lay 304 and constitutes the connection terminal 301. A plating layer (not shown) may be formed on the surface of the wiring layer 303. The material of the plating layer can be selected according to the joining method of the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300 described later, and can be Au, for example. The wiring layer 303 can be electrically connected through the through hole 302a.

カバーレイ３０４は、絶縁性材料からなり、配線層３０３を被覆する。カバーレイ３０４は、接着材層３０５を介して配線層３０３に積層されている。 The coverlay 304 is made of an insulating material and covers the wiring layer 303. The cover lay 304 is laminated on the wiring layer 303 via the adhesive layer 305.

接着材層３０５は、接着材が硬化した層であり、基材３０２と配線層３０３の間及び配線層３０３とカバーレイ３０４の間を接着する。 The adhesive layer 305 is a layer in which the adhesive is hardened, and adheres between the base material 302 and the wiring layer 303 and between the wiring layer 303 and the coverlay 304.

フレキシブル基板３００は以上のような構成を有する。フレキシブル基板３００の厚みについては後述する。 The flexible substrate 300 has the above structure. The thickness of the flexible substrate 300 will be described later.

[リジッド基板とフレキシブル基板の接合について]
上述のように、リジッド基板２００とフレキシブル基板３００が接合され、複合基板１００を構成する。図１３は、複合基板１００の拡大断面図である。 [Joining rigid and flexible substrates]
As described above, the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300 are bonded to each other to form the composite substrate 100. FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of the composite substrate 100.

同図に示すように、フレキシブル基板３００とリジッド基板２００は、接合層４００によって接合されている。接合層４００は、リジッド基板２００とフレキシブル基板３００を固定し、かつリジッド基板２００の接続端子２０３とフレキシブル基板３００の接続端子３０１を電気的に接続する。 As shown in the figure, the flexible substrate 300 and the rigid substrate 200 are joined by the joining layer 400. The bonding layer 400 fixes the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300, and electrically connects the connection terminal 203 of the rigid substrate 200 and the connection terminal 301 of the flexible substrate 300.

具体的には、接合層４００は、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste：異方性導電ペースト）からなるものとすることができる。ＡＣＰは、絶縁性樹脂の中に、導電性粒子が分散しているペーストであり、ＡＣＰが接続端子２０３とフレキシブル基板３００によって押圧されると、接続端子２０３と接続端子３０１間の樹脂が端子間から押し出され、導電性粒子が残留する。この状態でさらに、リジッド基板２００とフレキシブル基板３００を互いに押圧すると、導電性粒子がつぶれ、両端子間が電気的に接続される。押し出された樹脂は隣接する端子との間に充填され、隣接する端子間を絶縁する。 Specifically, the bonding layer 400 can be made of ACP (Anisotropic Conductive Paste). ACP is a paste in which conductive particles are dispersed in an insulating resin, and when ACP is pressed by the connecting terminal 203 and the flexible substrate 300, the resin between the connecting terminal 203 and the connecting terminal 301 causes a gap between the terminals. Are extruded from the conductive particles, and the conductive particles remain. When the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300 are further pressed against each other in this state, the conductive particles are crushed and the terminals are electrically connected. The extruded resin is filled between the adjacent terminals to insulate the adjacent terminals.

また、接合層４００は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電フィルム）からなるものであってもよい。ＡＣＦはＡＣＰがフィルム状になったものであり、ＡＣＰと同様に接続端子２０３と接続端子３０１を電気的に接続する。 Further, the bonding layer 400 may be made of ACF (Anisotropic Conductive Film). The ACF is a film of ACP, and electrically connects the connection terminal 203 and the connection terminal 301 similarly to the ACP.

接合層４００がＡＣＰ又はＡＣＦである場合、接続される端子は共にＡｕ表面を有している必要がある。このため、接続端子２０３のめっき層ＭはＡｕであるものとすることができる。また、接続端子３０１にもＡｕめっきが施されているものとすることができる。ただし、ＡｕのかわりにＣｕを接続端子２０３にめっきが施されてもよい。 When the bonding layer 400 is ACP or ACF, both terminals to be connected need to have Au surfaces. Therefore, the plating layer M of the connection terminal 203 can be made of Au. Also, the connection terminal 301 may be plated with Au. However, Cu may be plated on the connection terminal 203 instead of Au.

以上のように、リジッド基板２００とフレキシブル基板３００は、接合層４００によって接合され、複合基板１００を構成する。 As described above, the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300 are bonded by the bonding layer 400 to form the composite substrate 100.

[リジッド基板とフレキシブル基板の厚みについて]
リジッド基板２００とフレキシブル基板３００の厚みについて説明する。図１４は、リジッド基板２００とフレキシブル基板３００の模式的な断面図である。同図に示すように、リジッド基板２００の厚みを第１の厚みＤ１とし、フレキシブル基板３００の厚みを第２の厚みＤ２とする。また、キャビティ２０１の深さをキャビティ深さＤ３とする。 [About thickness of rigid and flexible substrates]
The thickness of the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300 will be described. FIG. 14 is a schematic sectional view of the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300. As shown in the figure, the thickness of the rigid substrate 200 is a first thickness D1, and the thickness of the flexible substrate 300 is a second thickness D2. Further, the depth of the cavity 201 is referred to as a cavity depth D3.

ここで、第２の厚みＤ２は第１の厚みＤ１より小さく、かつ第２の厚みＤ２はキャビティ深さＤ３より小さい厚みである。これにより、フレキシブル基板３００はキャビティ２０１から突出することなく、複合基板１００の最大の厚みはリジッド基板２００の厚みに留まる。 Here, the second thickness D2 is smaller than the first thickness D1, and the second thickness D2 is smaller than the cavity depth D3. As a result, the flexible substrate 300 does not protrude from the cavity 201, and the maximum thickness of the composite substrate 100 remains at the thickness of the rigid substrate 200.

図１５及び図１６は、比較例に係る複合基板の構造を示す断面図である。図１５に示す複合基板５００及び図１６に示す複合基板６００は、リジッド基板５１０とフレキシブル基板５２０が接合層５３０によって接合されて構成されている。リジッド基板５１０は、接続端子５１１、接続パッド５１２、コア層５１３、配線層５１４、絶縁層５１５及びソルダーレジスト層５１６から構成されている。フレキシブル基板５２０は、接続端子５２１、基材５２２、配線層５２３、カバーレイ５２４及び接着材層５２５から構成されている。 15 and 16 are cross-sectional views showing the structure of the composite substrate according to the comparative example. The composite substrate 500 shown in FIG. 15 and the composite substrate 600 shown in FIG. 16 are configured by bonding a rigid substrate 510 and a flexible substrate 520 with a bonding layer 530. The rigid substrate 510 includes connection terminals 511, connection pads 512, a core layer 513, a wiring layer 514, an insulating layer 515, and a solder resist layer 516. The flexible substrate 520 includes a connection terminal 521, a base material 522, a wiring layer 523, a cover lay 524, and an adhesive material layer 525.

図１５及び図１６に示す構造はいずれも、リジッド基板５１０とフレキシブル基板５２０の接合によって、両基板の厚みの合計が複合基板の最大の厚みとなっている。これに対し、本実施形態に係る複合基板１００においては、上述のように最大の厚みがリジッド基板２００の厚みであり、リジッド基板２００とフレキシブル基板３００を接合することによる複合基板１００の厚みの増加は発生しない。即ち、複合基板１００は、図１５や図１６に示す構造を有する複合基板に比較してその厚みを低減することが可能である。 In both of the structures shown in FIGS. 15 and 16, the combined thickness of the rigid substrate 510 and the flexible substrate 520 makes the total thickness of both substrates the maximum thickness of the composite substrate. On the other hand, in the composite substrate 100 according to the present embodiment, the maximum thickness is the thickness of the rigid substrate 200 as described above, and the thickness of the composite substrate 100 is increased by joining the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300. Does not occur. That is, the thickness of the composite substrate 100 can be reduced as compared with the composite substrate having the structure shown in FIGS. 15 and 16.

[表層部品の実装について]
複合基板１００には、表層部品が実装される。図１７は、表層部品９００が実装された複合基板１００を示す断面図である。同図に示すように表層部品９００は、はんだHによって接続パッド２０４に接合され、接続パッド２０４に電気的に接続されている。第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９は、溶融したはんだHの接続パッド２０４からの流出を防止する。 [About mounting surface parts]
Surface layer components are mounted on the composite substrate 100. FIG. 17 is a cross-sectional view showing the composite substrate 100 on which the surface layer component 900 is mounted. As shown in the figure, the surface layer component 900 is joined to the connection pad 204 by solder H and is electrically connected to the connection pad 204. The first solder resist layer 208 and the second solder resist layer 209 prevent molten solder H from flowing out from the connection pad 204.

[複合基板の製造方法について]
複合基板１００の製造方法について説明する。図１８〜図２５は、複合基板１００の製造プロセスを示す模式図である。 [About manufacturing method of composite substrate]
A method of manufacturing the composite substrate 100 will be described. 18 to 25 are schematic views showing the manufacturing process of the composite substrate 100.

図１８（ａ）に示すようにコア層２０５を準備し、図１８（ｂ）に示すようにコア層２０５に貫通孔２０５ｂを形成する。貫通孔２０５ｂは、コア層２０５の貫通孔２０５ｂとする領域以外の領域をエッチングマスクで被覆し、エッチングすることにより形成することが可能である。 A core layer 205 is prepared as shown in FIG. 18A, and a through hole 205b is formed in the core layer 205 as shown in FIG. 18B. The through hole 205b can be formed by covering a region of the core layer 205 other than the region to be the through hole 205b with an etching mask and etching.

続いて、図１８（ｃ）に示すように、貫通孔２０５ｂ内に絶縁性材料からなる絶縁部２１０を形成する。まず、コア層２０５の一面に仮固定フィルム２２１を貼付する。続いて、絶縁性材料の硬化前剤（プリプレグ）を貫通孔２０５ｂに充填し、加熱によって硬化前剤を硬化させることにより絶縁部２１０を形成することができる。絶縁性材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等を利用することができる。また、これらの樹脂に二酸化ケイ素等からなる補強フィラーを含有させたものを利用してもよい。絶縁部２１０の厚さは例えば３０μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 18C, the insulating portion 210 made of an insulating material is formed in the through hole 205b. First, the temporary fixing film 221 is attached to one surface of the core layer 205. Subsequently, the pre-curing agent (prepreg) of an insulating material is filled in the through holes 205b, and the pre-curing agent is cured by heating to form the insulating portion 210. As the insulating material, epoxy resin, polyimide, bismaleimide triazine resin or the like can be used. Moreover, you may utilize what made these resins contain the reinforcement filler which consists of silicon dioxide etc. The thickness of the insulating portion 210 may be, for example, about 30 μm to 200 μm.

続いて、図１９（ａ）に示すように、仮固定フィルム２２１を除去する。 Subsequently, as shown in FIG. 19A, the temporary fixing film 221 is removed.

続いて、図１９（ｂ）に示すように、コア層２０５の上面と下面に絶縁性材料からなる絶縁層２１２を形成する。絶縁性材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等を利用することができる。また、これらの樹脂に二酸化ケイ素等からなる補強フィラーを含有させたものを利用してもよい。なお、絶縁性材料は、絶縁部２１０の絶縁性材料と同じものであってもよく、異なってもよい。絶縁層２１２の厚さは例えば１０μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。絶縁層２１２は、絶縁性材料の硬化前剤(プリプレグ）からなるシートをコア層２０５の上下両面に貼付し、加熱処理によって硬化させることにより形成することが可能である。 Subsequently, as shown in FIG. 19B, an insulating layer 212 made of an insulating material is formed on the upper surface and the lower surface of the core layer 205. As the insulating material, epoxy resin, polyimide, bismaleimide triazine resin or the like can be used. Moreover, you may utilize what made these resins contain the reinforcement filler which consists of silicon dioxide etc. The insulating material may be the same as or different from the insulating material of the insulating portion 210. The thickness of the insulating layer 212 can be, for example, about 10 μm to 30 μm. The insulating layer 212 can be formed by applying sheets made of a pre-curing agent (prepreg) of an insulating material to both upper and lower surfaces of the core layer 205 and curing the sheet by heat treatment.

続いて、図１９（ｃ）に示すように、コア層２０５の上面と下面に配線層２１１を形成する。配線層２１１は、銅や銅合金等の導電性材料からなるものとすることができる。具体的には、配線層２１１は、レーザー加工等により絶縁層２１２を穿孔した上でコア層２０５を基材として電解めっきを行い、そのめっき層をパターニングして形成することができる。パターニングは、エッチングにより行うことができ、例えば銅や銅合金に対するエッチャント（塩化第二鉄等）を用いたフォトエッチングにより行うことができる。このようなエッチャントは絶縁層２１２に反応しないため、フォトエッチングの際に絶縁層２１２に変質や粗面化等は生じない。配線層２１１のうち、コア層２０５に接続したものはグランド配線として機能し、コア層２０５に接続していないものは信号線として機能する。 Subsequently, as shown in FIG. 19C, the wiring layer 211 is formed on the upper surface and the lower surface of the core layer 205. The wiring layer 211 can be made of a conductive material such as copper or a copper alloy. Specifically, the wiring layer 211 can be formed by perforating the insulating layer 212 by laser processing or the like and then performing electrolytic plating using the core layer 205 as a base material and patterning the plated layer. Patterning can be performed by etching, for example, photoetching using an etchant (ferric chloride or the like) for copper or a copper alloy. Since such an etchant does not react with the insulating layer 212, alteration or roughening of the insulating layer 212 does not occur during photoetching. Of the wiring layers 211, those connected to the core layer 205 function as ground wirings, and those not connected to the core layer 205 function as signal lines.

続いて、図２０（ａ）に示すように、配線層２１１上にさらに絶縁層２１２を形成する。絶縁層２１２は上述のように、絶縁性材料からなるシートを貼付し、加熱することによって形成することが可能である。さらに、同図に示すように、絶縁層２１２上に配線層２１１を形成する。配線層２１１は、絶縁層２１２を穿孔した上で電解めっきを行い、そのめっき層をパターニングして形成することができる。以下、同様にして、配線層２１１と絶縁層２１２を交互に積層し、配線層２１１と絶縁層２１２を任意の層数とする。配線層２１１のうち、最も表層側に積層されたものは接続パッド２０４を構成する。 Subsequently, as shown in FIG. 20A, an insulating layer 212 is further formed on the wiring layer 211. As described above, the insulating layer 212 can be formed by attaching a sheet made of an insulating material and heating it. Further, as shown in the figure, the wiring layer 211 is formed on the insulating layer 212. The wiring layer 211 can be formed by perforating the insulating layer 212, performing electrolytic plating, and patterning the plated layer. Hereinafter, similarly, the wiring layers 211 and the insulating layers 212 are alternately laminated, and the wiring layers 211 and the insulating layers 212 have an arbitrary number of layers. Of the wiring layers 211, those that are laminated on the most surface layer side constitute the connection pads 204.

続いて、図２０（ｂ）に示すように、絶縁層２１２及び接続パッド２０４上に第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９を形成する。第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等を利用することができる。また、これらの樹脂に二酸化ケイ素等からなる補強フィラーを含有させたものを利用してもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 20B, a first solder resist layer 208 and a second solder resist layer 209 are formed on the insulating layer 212 and the connection pads 204. The first solder resist layer 208 and the second solder resist layer 209 may be made of epoxy resin, acrylic resin, polyimide, bismaleimide triazine resin, or the like. Moreover, you may utilize what made these resins contain the reinforcement filler which consists of silicon dioxide etc.

第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９の厚さは例えば５μｍ以上７０μｍ以下とすることができる。第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９は、絶縁層２１２及び接続パッド２０４上に材料を積層し、接続パッド２０４上に開口が生じるようにパターングすることによって形成することが可能である。材料の積層は例えば真空ラミネート加工によってすることができ、パターニングは例えばフォトエッチングによって行うことができる。 The thickness of the first solder resist layer 208 and the second solder resist layer 209 may be, for example, 5 μm or more and 70 μm or less. The first solder resist layer 208 and the second solder resist layer 209 can be formed by stacking materials on the insulating layer 212 and the connection pad 204, and patterning so that an opening is formed on the connection pad 204. .. The material can be laminated by, for example, vacuum lamination, and the patterning can be performed by, for example, photo etching.

続いて、図２１（ａ）に示すように、第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９上に保護レジスト層２２２を形成する。保護レジスト層２２２は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂等からなるものとすることができる。また、これらの樹脂に二酸化ケイ素等からなる補強フィラーを含有させたものを利用してもよい。保護レジスト層２２２の厚さは例えば５μｍ以上７５μｍ以下とすることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 21A, a protective resist layer 222 is formed on the first solder resist layer 208 and the second solder resist layer 209. The protective resist layer 222 may be made of epoxy resin, acrylic resin, polyimide, bismaleimide triazine resin, or the like. Moreover, you may utilize what made these resins contain the reinforcement filler which consists of silicon dioxide etc. The thickness of the protective resist layer 222 can be, for example, 5 μm or more and 75 μm or less.

保護レジスト層２２２は、第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９上に材料を積層し、パターングすることによって形成することが可能である。材料の積層は例えば真空ラミネート加工によってすることができ、パターニングは例えばフォトエッチングによって行うことができる。 The protective resist layer 222 can be formed by stacking a material on the first solder resist layer 208 and the second solder resist layer 209 and patterning. The material can be laminated by, for example, vacuum lamination, and the patterning can be performed by, for example, photo etching.

続いて、図２１（ｂ）に示すように、絶縁層２１２を部分的に除去し、コア層２０５を露出させる。絶縁層２１２は、ルーター（切削工具）による切削加工によって除去することができる。同図に示すように、コア層２０５の表層部まで切削される程度の深さで、絶縁層２１２を切削することが好適である。 Subsequently, as shown in FIG. 21B, the insulating layer 212 is partially removed to expose the core layer 205. The insulating layer 212 can be removed by cutting with a router (cutting tool). As shown in the figure, it is preferable to cut the insulating layer 212 to a depth such that the surface layer of the core layer 205 is cut.

続いて、図２２（ａ）に示すように、キャビティ２０１を形成する。キャビティ２０１は、エッチングによりコア層２０５を除去することにより形成することができる。塩化第２鉄等のエッチャントは絶縁部２１０、絶縁層２１２及び保護レジスト層２２２とは反応しない。また、接続パッド２０４は、保護レジスト層２２２によってエッチャントから保護されている。これにより、絶縁部２１０の間のコア層２０５のみを除去することが可能である。 Subsequently, as shown in FIG. 22A, a cavity 201 is formed. The cavity 201 can be formed by removing the core layer 205 by etching. An etchant such as ferric chloride does not react with the insulating portion 210, the insulating layer 212 and the protective resist layer 222. Further, the connection pad 204 is protected from the etchant by the protective resist layer 222. This makes it possible to remove only the core layer 205 between the insulating portions 210.

続いて、図２２（ｂ）に示すように、保護レジスト層２２２を除去する。保護レジスト層２２２は、レジスト剥離液を用いて除去することができる。レジスト剥離液は例えば、水酸化ナトリウムやアミン系溶液を用いることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 22B, the protective resist layer 222 is removed. The protective resist layer 222 can be removed using a resist stripping solution. As the resist stripping solution, for example, sodium hydroxide or amine solution can be used.

続いて、図２３（ａ）に示すように、キャビティ２０１の底面にあたる絶縁層２１２を除去し、その下層に位置する配線層２１１を露出させる。絶縁層２１２は、絶縁層２１２にレーザーを照射することによって除去することが可能である。絶縁層２１２から露出した配線層２１１は接続端子２０３を構成する。 Subsequently, as shown in FIG. 23A, the insulating layer 212 corresponding to the bottom surface of the cavity 201 is removed, and the wiring layer 211 located therebelow is exposed. The insulating layer 212 can be removed by irradiating the insulating layer 212 with a laser. The wiring layer 211 exposed from the insulating layer 212 constitutes the connection terminal 203.

続いて、図２３（ｂ）に示すように、接続パッド２０４及び接続端子２０３を構成する配線層２１１の表面にめっき層Ｍを形成する。めっき層Ｍは、Ａｕからなるものとすることができる。 Subsequently, as shown in FIG. 23B, a plating layer M is formed on the surface of the wiring layer 211 forming the connection pad 204 and the connection terminal 203. The plating layer M can be made of Au.

続いて、図２４（ａ）に示すように、絶縁部２１０と接続端子２０３の間で、絶縁層２１２及び第２ソルダーレジスト層２０９を切断する。この切断は、ダイサーによってすることが可能である。これにより、図１０に示すリジッド基板２００が形成される。 Subsequently, as shown in FIG. 24A, the insulating layer 212 and the second solder resist layer 209 are cut between the insulating portion 210 and the connection terminal 203. This cutting can be done by a dicer. As a result, the rigid substrate 200 shown in FIG. 10 is formed.

続いて、図２４（ｂ）に示すように、接続端子２０３及びその周囲の絶縁層２１２上に接合層４００を配置する。接合層４００は、ＡＣＰをディスペンサーによって塗布し、又はＡＣＦを載置することによって配置することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 24B, the bonding layer 400 is arranged on the connection terminal 203 and the insulating layer 212 around the connection terminal 203. The bonding layer 400 can be arranged by applying ACP by a dispenser or mounting ACF.

続いて、フレキシブル基板３００を接合層４００上に配置し、加熱することによりリジッド基板２００とフレキシブル基板３００を接合し、接続端子２０３と接続端子３０１を電気的に接続する。これにより、図１３に示す複合基板１００が形成される。 Subsequently, the flexible substrate 300 is placed on the bonding layer 400 and heated to bond the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300, and electrically connect the connection terminals 203 and the connection terminals 301. As a result, the composite substrate 100 shown in FIG. 13 is formed.

複合基板１００は以上のようにして製造することが可能である。 The composite substrate 100 can be manufactured as described above.

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る複合基板について説明する。なお、本実施形態において第１の実施形態と同様の構成については第１の実施形態と同一の符号を付し、説明を省略する。 (Second embodiment)
A composite substrate according to the second embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

本実施形態に係る複合基板は、第１の実施形態と同様にリジッド基板とフレキシブル基板が接合されて構成されている。 The composite substrate according to the present embodiment is configured by joining a rigid substrate and a flexible substrate as in the first embodiment.

［複合基板について］
図２５は、本実施形態に係るリジッド基板７００の拡大断面図である。リジッド基板７００は、第１の実施形態に係るリジッド基板２００と同様に、可撓性を有しない基板であり、表層部品が実装される基板である。リジッド基板７００には、キャビティ２０１が形成されており、キャビティ２０１の形状や深さは第１の実施形態と同様である。 [Composite substrate]
FIG. 25 is an enlarged cross-sectional view of the rigid substrate 700 according to this embodiment. The rigid board 700 is a board which does not have flexibility like the rigid board 200 according to the first embodiment, and is a board on which surface layer components are mounted. A cavity 201 is formed in the rigid substrate 700, and the shape and depth of the cavity 201 are similar to those in the first embodiment.

リジッド基板７００は、第１の実施形態と同様にコア層２０５、第１層内配線層２０６、第２層内配線層２０７、第１ソルダーレジスト層２０８及び第２ソルダーレジスト層２０９が積層されて構成されている。第１層内配線層２０６及び第２層内配線層２０７は、配線層２１１及び絶縁層２１２が積層されて構成されている。また、配線層２１１の一部によって接続パッド２０４が構成されている。 The rigid substrate 700 includes the core layer 205, the first in-layer wiring layer 206, the second-in-layer wiring layer 207, the first solder resist layer 208, and the second solder resist layer 209, which are laminated as in the first embodiment. It is configured. The first inner wiring layer 206 and the second inner wiring layer 207 are configured by laminating the wiring layer 211 and the insulating layer 212. Further, the connection pad 204 is configured by a part of the wiring layer 211.

リジッド基板７００は、接続端子７０１を有する。接続端子７０１は、配線層２１１と、配線層２１１上に積層された導電層７０２によって構成されている。導電層７０２は、導電性材料からなり、例えばＮｉめっきであるものとすることができる。また、導電層７０２は、Ｎｉめっきの他にも金属や導電性樹脂からなるものとすることができる。導電層７０２の厚さは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。 The rigid substrate 700 has a connection terminal 701. The connection terminal 701 includes a wiring layer 211 and a conductive layer 702 stacked on the wiring layer 211. The conductive layer 702 is made of a conductive material and may be Ni plating, for example. Further, the conductive layer 702 can be made of metal or conductive resin other than Ni plating. The thickness of the conductive layer 702 can be, for example, 3 μm or more and 30 μm or less.

導電層７０２の表面には、めっき層Ｍが形成されているものとすることができる。めっき層Ｍの材料は、後述するリジッド基板２００とフレキシブル基板３００の接合方法に応じて選択することが可能であり、例えばＡｕ又はＣｕであるものとすることができる。導電層７０２の厚みは、導電層７０２とめっき層Ｍの合計の厚みが、絶縁層２１２と同一面となるか、又はめっき層Ｍが絶縁層２１２から数μｍ突出する厚みが好適である。 The plating layer M may be formed on the surface of the conductive layer 702. The material of the plating layer M can be selected according to the joining method of the rigid substrate 200 and the flexible substrate 300 described later, and can be Au or Cu, for example. The thickness of the conductive layer 702 is preferably such that the total thickness of the conductive layer 702 and the plating layer M is flush with the insulating layer 212, or the plating layer M projects from the insulating layer 212 by several μm.

リジッド基板７００は以上のような構成を有する。リジッド基板７００の形状や厚みは、第１の実施形態に係るリジッド基板２００と同様である。即ち、リジッド基板７００は第１の厚みＤ１を有し、キャビティ２０１は深さＤ３を有する（図１４参照）。 The rigid substrate 700 has the above configuration. The shape and thickness of the rigid substrate 700 are similar to those of the rigid substrate 200 according to the first embodiment. That is, the rigid substrate 700 has a first thickness D1 and the cavity 201 has a depth D3 (see FIG. 14).

［フレキシブル基板について］
図２６は、本実施形態に係るフレキシブル基板８００の拡大断面図である。フレキシブル基板８００は、可撓性を有する基板であり、配線等が内蔵され、リジッド基板２００と他の電子部品（ディスプレイ等）を電気的に接続する基板である。 [About flexible substrate]
FIG. 26 is an enlarged cross-sectional view of the flexible substrate 800 according to this embodiment. The flexible substrate 800 is a substrate that has flexibility, has wirings and the like built therein, and electrically connects the rigid substrate 200 and other electronic components (such as a display).

フレキシブル基板８００は、第１の実施形態に係るフレキシブル基板３００と同様に、基材３０２、配線層３０３、カバーレイ３０４及び接着材層３０５が積層されて構成されている。フレキシブル基板８００においては、配線層３０３の一部が接着材層３０５から突出し、接続端子３０１を構成している。 Similar to the flexible substrate 300 according to the first embodiment, the flexible substrate 800 is configured by laminating a base material 302, a wiring layer 303, a cover lay 304, and an adhesive material layer 305. In the flexible substrate 800, part of the wiring layer 303 protrudes from the adhesive layer 305 to form the connection terminal 301.

フレキシブル基板８００は以上のような構成を有する。フレキシブル基板８００の形状や厚みは、第１の実施形態に係るフレキシブル基板３００と同様である。即ち、フレキシブル基板３００は第２の厚みＤ２を有する（図１４参照）。 The flexible substrate 800 has the above structure. The shape and thickness of the flexible substrate 800 are similar to those of the flexible substrate 300 according to the first embodiment. That is, the flexible substrate 300 has the second thickness D2 (see FIG. 14).

[リジッド基板とフレキシブル基板の接合について]
上述のように、フレキシブル基板８００はリジッド基板７００に接合され、複合基板１１００を構成する。図２７は、複合基板１１００の拡大断面図である。 [Joining rigid and flexible substrates]
As described above, the flexible substrate 800 is bonded to the rigid substrate 700 to form the composite substrate 1100. FIG. 27 is an enlarged cross-sectional view of the composite substrate 1100.

同図に示すように、フレキシブル基板８００とリジッド基板７００は、接合層１２００によって接合されている。接合層１２００は、リジッド基板７００とフレキシブル基板８００を固定し、かつリジッド基板７００の接続端子７０１とフレキシブル基板８００の接続端子３０１を電気的に接続する。 As shown in the figure, the flexible substrate 800 and the rigid substrate 700 are joined by a joining layer 1200. The bonding layer 1200 fixes the rigid substrate 700 and the flexible substrate 800, and electrically connects the connection terminal 701 of the rigid substrate 700 and the connection terminal 301 of the flexible substrate 800.

接合層１２００は、ＮＣＰ（Non-anisotropic Conductive Paste：非異方性導電ペースト）からなるものとすることができる。ＮＣＰは絶縁性樹脂からなり、フレキシブル基板８００とリジッド基板７００を固定することにより、接続端子７０１と接続端子３０１とを接触させ、両者を電気的に接続する。リジッド基板７００においては接続端子７０１において導電層７０２が積層されているため、接続端子７０１が接続端子３０１と物理的に接触する。このため、接合層１２００としてＮＣＰを利用することが可能である。 The bonding layer 1200 may be made of NCP (Non-anisotropic Conductive Paste). NCP is made of an insulating resin, and by fixing the flexible board 800 and the rigid board 700, the connection terminal 701 and the connection terminal 301 are brought into contact with each other to electrically connect them. In the rigid substrate 700, the conductive layer 702 is stacked on the connection terminal 701, so that the connection terminal 701 physically contacts the connection terminal 301. Therefore, NCP can be used as the bonding layer 1200.

また、接合層１２００は、ＮＣＦ（Non-anisotropic Conductive Film：非異方性導電フィルム）からなるものであってもよい。ＮＣＦはＮＣＰがフィルム状になったものであり、ＮＣＰと同様に接続端子７０１と接続端子３０１を電気的に接続する。 The bonding layer 1200 may be made of NCF (Non-anisotropic Conductive Film). The NCF is a film of the NCP and electrically connects the connection terminal 701 and the connection terminal 301 like the NCP.

なお、接合層１２００としてＡＣＰ又はＡＣＦを利用することも可能である。この場合、ＡＣＰ又はＡＣＦに含まれる導電性粒子が接続端子７０１と接続端子３０１の間に残り、両者を電気的に接続する。 Note that ACP or ACF can be used as the bonding layer 1200. In this case, the conductive particles contained in ACP or ACF remain between the connection terminal 701 and the connection terminal 301 to electrically connect them.

接合層１２００がＮＣＰ又はＮＣＦである場合、電気的に接続される端子は共にＣｕ表面を有している必要がある。このため、接続端子７０１のめっき層ＭはＣｕであるものとすることができる。接続端子３０１は、銅からなるものとすることができるため、めっき層は形成されていなくてもよい。接合層１２００がＡＣＰ又はＡＣＦである場合、接続端子７０１のめっき層ＭはＡｕであるものとすることができ、接続端子３０１の表面にもＡｕめっきが施されているものとすることができる。 When the bonding layer 1200 is NCP or NCF, both terminals to be electrically connected need to have a Cu surface. Therefore, the plating layer M of the connection terminal 701 can be made of Cu. Since the connection terminal 301 can be made of copper, the plating layer may not be formed. When the bonding layer 1200 is ACP or ACF, the plating layer M of the connection terminal 701 can be Au, and the surface of the connection terminal 301 can also be Au-plated.

以上のように、リジッド基板７００とフレキシブル基板８００は、接合層１２００によって接合され、複合基板１１００を構成する。複合基板１１００の接続パッド２０４には、第１の実施形態と同様に表層部品が実装されるものとすることが可能である。 As described above, the rigid substrate 700 and the flexible substrate 800 are bonded by the bonding layer 1200 to form the composite substrate 1100. The surface layer components may be mounted on the connection pads 204 of the composite substrate 1100 as in the first embodiment.

[複合基板の製造方法について]
複合基板１１００の製造方法について説明する。図２８及び図２９は、複合基板１１００の製造プロセスを示す模式図である。なお、キャビティ２０１の形成後、キャビティ２０１の底面にあたる絶縁層を除去する（図２３（ａ））までの製造プロセスは、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。 [About manufacturing method of composite substrate]
A method of manufacturing the composite substrate 1100 will be described. 28 and 29 are schematic views showing the manufacturing process of the composite substrate 1100. Note that the manufacturing process after the formation of the cavity 201 until the insulating layer corresponding to the bottom surface of the cavity 201 is removed (FIG. 23A) is the same as that of the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted.

図２８（ａ）に示すように、露出した配線層２１１上に導電層７０２を形成する。導電層７０２は、配線層２１１上にＮｉめっきを施すことにより形成することができる。また、導電層７０２は、導電性ペーストを配線層２１１上に充填することにより形成してもよく、配線層２１１上に導電性ペーストを充填し、その上にＮｉめっきを施すことにより形成してもよい。さらに、導電層７０２は、配線層２１１上にＣｕめっきを施し、その上にＮｉめっきを施すことによって形成してもよい。 As shown in FIG. 28A, a conductive layer 702 is formed on the exposed wiring layer 211. The conductive layer 702 can be formed by plating the wiring layer 211 with Ni. The conductive layer 702 may be formed by filling the wiring layer 211 with a conductive paste, or may be formed by filling the wiring layer 211 with the conductive paste and applying Ni plating thereon. Good. Further, the conductive layer 702 may be formed by plating the wiring layer 211 with Cu and then plating it with Ni.

続いて、図２８（ｂ）に示すように、接続パッド２０４及び接続端子７０１を構成する配線層２１１の表面にめっき層Ｍを形成する。めっき層Ｍは、接合層１２００としてＡＣＰ又はＡＣＦを利用する場合、ＡｕもしくはＣｕめっきであるものとすることができ、接合層１２００としてＮＣＰ又はＮＣＦを利用する場合、Ｃｕめっきであるものとすることができる。ただし、接合層１２００としてＮＣＰ又はＮＣＦを利用する場合、接続端子７０１の表面はめっき層Ｍのかわりに半田によりコーティングされていてもよい。 Subsequently, as shown in FIG. 28B, a plating layer M is formed on the surfaces of the wiring layers 211 that form the connection pads 204 and the connection terminals 701. The plating layer M can be Au or Cu plating when using ACP or ACF as the bonding layer 1200, and can be Cu plating when using NCP or NCF as the bonding layer 1200. You can However, when NCP or NCF is used as the bonding layer 1200, the surface of the connection terminal 701 may be coated with solder instead of the plating layer M.

続いて、図２９（ａ）に示すように、絶縁部２１０と接続端子７０１の間で、絶縁層２１２及び第２ソルダーレジスト層２０９を切断する。この切断は、ダイサーによってすることが可能である。これにより、図２５に示すリジッド基板７００が形成される。 Subsequently, as shown in FIG. 29A, the insulating layer 212 and the second solder resist layer 209 are cut between the insulating portion 210 and the connection terminal 701. This cutting can be done by a dicer. As a result, the rigid substrate 700 shown in FIG. 25 is formed.

続いて、図２９（ｂ）に示すように、接続端子７０１及びその周囲の絶縁層２１２上に接合層１２００を配置する。接合層１２００は、ＡＣＰ又はＮＣＰをディスペンサーによって塗布し、あるいはＡＣＦ又はＮＣＦを載置することによって配置することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 29B, the bonding layer 1200 is arranged on the connection terminal 701 and the insulating layer 212 around the connection terminal 701. The bonding layer 1200 can be arranged by applying ACP or NCP by a dispenser or mounting ACF or NCF.

続いて、フレキシブル基板８００を接合層１２００上に配置し、加熱することによりリジッド基板７００とフレキシブル基板８００を接合し、接続端子７０１と接続端子３０１を電気的に接続する。これにより、図２７に示す複合基板１１００が形成される。 Subsequently, the flexible substrate 800 is placed on the bonding layer 1200 and heated to bond the rigid substrate 700 and the flexible substrate 800, and the connection terminals 701 and 301 are electrically connected. As a result, the composite substrate 1100 shown in FIG. 27 is formed.

（変形例）
本発明に係る複合基板の変形例について説明する。図３０は、変形例に係る複合基板１００の断面図である。同図に示すように、接続端子２０３は、配線層２１１ではなく、コア層２０５の一部によって構成されていてもよい。当該複合基板１００は、上述した製造プロセスにおいてコア層２０５を除去し、キャビティ２０１を形成する際、エッチャントではなくルーターによってコア層２０５を掘削し、所定の厚みでコア層２０５を残すことにより製造することが可能である。 (Modification)
A modified example of the composite substrate according to the present invention will be described. FIG. 30 is a cross-sectional view of the composite substrate 100 according to the modification. As shown in the figure, the connection terminal 203 may be configured not by the wiring layer 211 but by a part of the core layer 205. The composite substrate 100 is manufactured by removing the core layer 205 in the manufacturing process described above and excavating the core layer 205 by a router instead of an etchant when the cavity 201 is formed, and leaving the core layer 205 with a predetermined thickness. It is possible.

また、図３１は別の変形例に係る複合基板１００の断面図である。コア層２０５は、金属材料ではなく、合成樹脂からなるものとすることも可能である。合成樹脂は、例えばガラスエポキシ樹脂を利用することが可能である。当該複合基板１００は、上述した製造プロセスにおいてコア層２０５を除去し、キャビティ２０１を形成する際、エッチャントではなくルーターによってコア層２０５を掘削し、除去することにより製造することが可能である。 In addition, FIG. 31 is a cross-sectional view of a composite substrate 100 according to another modification. The core layer 205 may be made of a synthetic resin instead of a metal material. As the synthetic resin, for example, glass epoxy resin can be used. The composite substrate 100 can be manufactured by excavating and removing the core layer 205 by a router instead of an etchant when the core layer 205 is removed and the cavity 201 is formed in the above manufacturing process.

１００，１１００…複合基板
２００，７００…リジッド基板
２０１…キャビティ
２０２…側壁
２０３，７０１…接続端子
２０４…接続パッド
２０５…コア層
２０６…第１層内配線層
２０７…第２層内配線層
２０８…第１ソルダーレジスト層
２０９…第２ソルダーレジスト層
２１０…絶縁部
２１１…配線層
２１２…絶縁層
３００，８００…フレキシブル基板
３０１…接続端子
３０２…基材
３０３…配線層
３０４…カバーレイ
３０５…接着材層
４００，１２００…接合層
７０２…導電層
９００…表層部品 100, 1100... Composite substrate 200, 700... Rigid substrate 201... Cavity 202... Side wall 203, 701... Connection terminal 204... Connection pad 205... Core layer 206... First layer inner wiring layer 207... Second layer inner wiring layer 208... 1st solder resist layer 209... 2nd solder resist layer 210... Insulation part 211... Wiring layer 212... Insulation layer 300,800... Flexible substrate 301... Connection terminal 302... Base material 303... Wiring layer 304... Coverlay 305... Adhesive material Layer 400, 1200... Joining layer 702... Conductive layer 900... Surface layer component

Claims (7)

第１の面とその反対側の第２の面を有するコア層と、第１の絶縁層及び第１の配線層から構成され前記第１の面に積層された第１の層内配線層と、第２の絶縁層及び第２の配線層から構成され前記第２の面に積層された第２の層内配線層とを備え、前記第１の層内配線層及び前記コア層が除去されてキャビティが形成され、前記キャビティの底面に前記第２の層内配線層が露出し、前記キャビティの底面に第１の接続端子が設けられたリジッド基板と、
前記キャビティに挿入され、前記第１の接続端子に電気的に接続される第２の接続端子を備えるフレキシブル基板と、
を具備し、
前記コア層は金属材料からなり、前記リジット基板の積層構造を支持し、
前記コア層の前記キャビティ側の端面は絶縁性材料からなる絶縁部によって被覆され、
前記リジッド基板は、前記第１の層内配線層と前記コア層によって構成され、前記第２の層内配線層からそれぞれ突出し、前記フレキシブル基板に沿って延伸し、前記キャビティの内壁面を形成する一対の側壁を有し、
前記一対の側壁の間で前記コア層と前記フレキシブル基板とは重なる
複合基板。 A core layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface; a first in-layer wiring layer formed of a first insulating layer and a first wiring layer and laminated on the first surface; A second in-layer wiring layer formed of a second insulating layer and a second wiring layer and laminated on the second surface, wherein the first in-layer wiring layer and the core layer are removed. A rigid substrate in which a cavity is formed, the second in-layer wiring layer is exposed on the bottom surface of the cavity, and the first connection terminal is provided on the bottom surface of the cavity;
A flexible substrate having a second connection terminal inserted into the cavity and electrically connected to the first connection terminal;
Equipped with,
The core layer is made of a metal material, supports the laminated structure of the rigid substrate,
The cavity-side end surface of the core layer is covered with an insulating portion made of an insulating material,
The rigid substrate includes the first in-layer wiring layer and the core layer, protrudes from the second in-layer wiring layer, extends along the flexible substrate, and forms an inner wall surface of the cavity. Has a pair of side walls,
A composite substrate in which the core layer and the flexible substrate overlap between the pair of sidewalls. 請求項１に記載の複合基板であって、
前記第１の接続端子は、前記第２の配線層によって形成されている
複合基板。 The composite substrate according to claim 1 , wherein
A composite substrate in which the first connection terminal is formed by the second wiring layer. 請求項１に記載の複合基板であって、
前記第１の接続端子は、前記第２の配線層と、前記第２の配線層上に積層された導電層によって形成されている
複合基板。 The composite substrate according to claim 1 , wherein
The composite substrate, wherein the first connection terminal is formed of the second wiring layer and a conductive layer laminated on the second wiring layer. 請求項２又は３に記載の複合基板であって、
前記リジッド基板と前記フレキシブル基板の間に配置され、前記第１の接続端子と前記第２の接続端子を電気的に接続する接合層であって、導電性部材からなる接合層
をさらに具備する複合基板。 The composite substrate according to claim 2 or 3 , wherein
A composite layer, which is disposed between the rigid substrate and the flexible substrate, electrically connects the first connection terminal and the second connection terminal, and further comprises a connection layer made of a conductive member. substrate. 請求項４に記載の複合基板であって、
前記導電性部材は、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）又はＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）である
複合基板。 The composite substrate according to claim 4 , wherein
The composite substrate, wherein the conductive member is ACP (Anisotropic Conductive Paste) or ACF (Anisotropic Conductive Film). 請求項４に記載の複合基板であって、
前記導電性部材は、ＮＣＰ（Non-anisotropic Conductive Paste）又はＮＣＦ（Non-anisotropic Conductive Film）である
複合基板。 The composite substrate according to claim 4 , wherein
The composite substrate, wherein the conductive member is NCP (Non-anisotropic Conductive Paste) or NCF (Non-anisotropic Conductive Film). 第１の面とその反対側の第２の面を有するコア層と、第１の絶縁層及び第１の配線層から構成され前記第１の面に積層された第１の層内配線層と、第２の絶縁層及び第２の配線層から構成され前記第２の面に積層された第２の層内配線層とを備え、前記第１の層内配線層及び前記コア層が除去されてキャビティが形成され、前記キャビティの底面に前記第２の層内配線層が露出し、前記キャビティの底面に第１の接続端子が設けられたリジッド基板であって、
前記コア層は金属材料からなり、前記リジット基板の積層構造を支持し、
前記コア層の前記キャビティ側の端面は絶縁性材料からなる絶縁部によって被覆され、
前記キャビティに挿入され、前記第１の接続端子に電気的に接続される第２の接続端子を備えるフレキシブル基板が接続可能であり、
前記リジッド基板は、前記第１の層内配線層と前記コア層によって構成され、前記第２の層内配線層からそれぞれ突出し、前記フレキシブル基板に沿って延伸し、前記キャビティの内壁面を形成する一対の側壁を有し、
前記一対の側壁の間で前記コア層と前記フレキシブル基板とは重なる
リジッド基板。 A core layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface; a first in-layer wiring layer formed of a first insulating layer and a first wiring layer and laminated on the first surface; A second in-layer wiring layer formed of a second insulating layer and a second wiring layer and laminated on the second surface, wherein the first in-layer wiring layer and the core layer are removed. A cavity is formed, the second in-layer wiring layer is exposed at the bottom of the cavity, and the first connection terminal is provided at the bottom of the cavity.
The core layer is made of a metal material, supports the laminated structure of the rigid substrate,
The cavity-side end surface of the core layer is covered with an insulating portion made of an insulating material,
A flexible substrate having a second connection terminal inserted into the cavity and electrically connected to the first connection terminal is connectable,
The rigid substrate includes the first in-layer wiring layer and the core layer, protrudes from the second in-layer wiring layer, extends along the flexible substrate, and forms an inner wall surface of the cavity. Has a pair of side walls,
A rigid substrate in which the core layer and the flexible substrate overlap each other between the pair of sidewalls.

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