JP6713887B2 - 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 - Google Patents
半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6713887B2 JP6713887B2 JP2016179876A JP2016179876A JP6713887B2 JP 6713887 B2 JP6713887 B2 JP 6713887B2 JP 2016179876 A JP2016179876 A JP 2016179876A JP 2016179876 A JP2016179876 A JP 2016179876A JP 6713887 B2 JP6713887 B2 JP 6713887B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- ceria
- mass
- preferable
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 168
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 141
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 159
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 150
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 39
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 37
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 15
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 claims description 15
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002348 vinylic group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 123
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 77
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 50
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 41
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 35
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 29
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 23
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,4-triol Chemical compound OC1=CC=C(O)C(O)=C1 GGNQRNBDZQJCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 13
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 12
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 10
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- -1 organic acid compound Chemical class 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 8
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 8
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 8
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 8
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 8
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 6
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 6
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 6
- SPSPIUSUWPLVKD-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibutyl-6-methylphenol Chemical compound CCCCC1=CC=C(C)C(O)=C1CCCC SPSPIUSUWPLVKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CIWBSHSKHKDKBQ-DUZGATOHSA-N D-isoascorbic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-DUZGATOHSA-N 0.000 description 5
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N Phloroglucinol Natural products CCC=CCC=CCC=CCC=CCCCCC(=O)C1=C(O)C=C(O)C=C1O JPYHHZQJCSQRJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 5
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 235000010350 erythorbic acid Nutrition 0.000 description 5
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 5
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 5
- 229940026239 isoascorbic acid Drugs 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 5
- XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-2-[(1-oxo-2-propenyl)amino]-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C XHZPRMZZQOIPDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 229960004337 hydroquinone Drugs 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 4
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 4
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 229920000536 2-Acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid Polymers 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KOQQKLZTINXBAS-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-prop-2-enoxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(O)COCC=C KOQQKLZTINXBAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 3
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZPFAVCIQZKRBGF-UHFFFAOYSA-N 1,3,2-dioxathiolane 2,2-dioxide Chemical compound O=S1(=O)OCCO1 ZPFAVCIQZKRBGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMRVLXHIZWDOOK-UHFFFAOYSA-N 2-butylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(CCCC)=CC=C21 BMRVLXHIZWDOOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWMKPJYJDJSEHR-UHFFFAOYSA-N 2-propylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(CCC)=CC=C21 FWMKPJYJDJSEHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N Diammonium sulfite Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])=O PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical group CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N ammonium thiosulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])(=O)=S XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C21 KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- HRZFUMHJMZEROT-UHFFFAOYSA-L sodium disulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)S([O-])(=O)=O HRZFUMHJMZEROT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010262 sodium metabisulphite Nutrition 0.000 description 2
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHDULMPBFOTNIM-UHFFFAOYSA-N 1-octoxyoctane;sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O.CCCCCCCCOCCCCCCCC ZHDULMPBFOTNIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylazaniumyl)acetate Chemical compound OCCNCC(O)=O FOUZISDNESEYLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 2-[(1s)-1,2-dihydroxyethyl]-3,4-dihydroxy-2h-furan-5-one Chemical compound OC[C@H](O)C1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 0.000 description 1
- JCRMBLKUFLUWPU-UHFFFAOYSA-N 2-ethylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(CC)=CC=C21 JCRMBLKUFLUWPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUEBZMGRFLTABC-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-2-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(C)(C)CNC(=O)C=C OUEBZMGRFLTABC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WODGMMJHSAKKNF-UHFFFAOYSA-N 2-methylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(C)=CC=C21 WODGMMJHSAKKNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYKSKBIRAIJXJT-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 YYKSKBIRAIJXJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 3-mercaptopropanoic acid Chemical compound OC(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoxyprop-1-ene Chemical compound C=CCOCC=C ATVJXMYDOSMEPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZZLEIFVOMYRRJ-UHFFFAOYSA-N 4-butylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCCC)=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=C1 GZZLEIFVOMYRRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNQDGZFXUYJVGQ-UHFFFAOYSA-N 4-ethylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CC)=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=C1 YNQDGZFXUYJVGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEXKBGUQCSJZAD-UHFFFAOYSA-N 4-propylnaphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCC)=CC(S(O)(=O)=O)=CC2=C1 MEXKBGUQCSJZAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPFAIXXTXSKEKQ-UHFFFAOYSA-N 5-butylnaphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C2C(CCCC)=CC=CC2=C1 XPFAIXXTXSKEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXJIZCYGEBTLGO-UHFFFAOYSA-N 7-methylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C(S(O)(=O)=O)C2=CC(C)=CC=C21 BXJIZCYGEBTLGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUGQQBPUAULKPK-UHFFFAOYSA-N 7-methylnaphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC(S(O)(=O)=O)=CC2=CC(C)=CC=C21 LUGQQBPUAULKPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006539 C12 alkyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XXCWVEQUQSGYCV-UHFFFAOYSA-N CCCc1ccc2ccc(cc2c1)S(O)(=O)=O Chemical compound CCCc1ccc2ccc(cc2c1)S(O)(=O)=O XXCWVEQUQSGYCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001174 Diethylhydroxylamine Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N Inositol-hexakisphosphate Chemical compound OP(O)(=O)O[C@H]1[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H]1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N 0.000 description 1
- 239000002211 L-ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000000069 L-ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N Phytic acid Natural products OP(O)(=O)OC1C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical class [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N diethylhydroxylamine Chemical compound CCN(O)CC FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- SMVRDGHCVNAOIN-UHFFFAOYSA-L disodium;1-dodecoxydodecane;sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCC SMVRDGHCVNAOIN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002689 maleic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005702 oxyalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229940068041 phytic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000467 phytic acid Substances 0.000 description 1
- 235000002949 phytic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- YWPOLRBWRRKLMW-UHFFFAOYSA-M sodium;naphthalene-2-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C21 YWPOLRBWRRKLMW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical group 0.000 description 1
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-L thiosulfate(2-) Chemical compound [O-]S([S-])(=O)=O DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000004764 thiosulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000012929 ultra trace analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
さらに、基板表面に残留する研磨くずや研磨砥粒由来の異物は、一旦基板から剥離しても、基板表面へ再付着しやすいため、洗浄剤組成物には異物の高い分散性を有することも求められる。特に、研磨砥粒にセリア及びシリカが含まれる場合、洗浄剤組成物にはセリア及びシリカの高い分散性が求められる。
また、本開示に係る洗浄剤組成物では、成分A及び成分Bの2種類のポリマーを併用することで、成分A及び成分Bに共通するスルホン酸基が相互に親和し、成分Bの芳香環による立体障害が大きいことから、成分Aのスルホン酸基に起因する立体的な障壁をさらに強固にすることができ、上述した立体反発の作用がより効果的に生じ、セリアに対する洗浄性を向上できると考えられる。
また、洗浄剤組成物中の成分Aのポリマーが基板表面に吸着することにより、必要以上に硫酸(成分C)及び還元剤(成分D)と基板表面とが接触しなくなるため、硫酸(成分C)及び還元剤(成分D)による溶解反応が抑制され、スクラッチや表面荒れを抑制した平坦で高品質な基板を得ることができると推測される。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
さらに、本開示に係る洗浄剤組成物は、セリア−シリカ分散性も向上可能であるため、セリア及びシリカを含む研磨液組成物を用いたCMP後の基板の洗浄にも好適に用いられうる。本開示において「セリア−シリカ分散性」とは、洗浄剤組成物中におけるセリア及びシリカの分散性をいう。
本開示に係る洗浄剤組成物に含まれる成分Aは、カルボン酸基を有するビニル系モノマーa1由来の構成単位a1及びスルホン酸基を有するビニル系モノマーa2由来の構成単位a2を含むポリマーである。本開示において成分Aは、1種又は2種以上を混合して用いることができる。
モノマーa1は、カルボン酸基を有するビニル系モノマーであって、セリア溶解促進、セリア分散性向上、セリア−シリカ分散性向上及び基板表面清浄性向上の観点から、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸及びそれらの塩から選ばれる1種又は2種以上が好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸及びそれらの塩から選ばれる1種又は2種以上がより好ましく、アクリル酸、メタクリル酸及びマレイン酸から選ばれる1種又は2種以上がさらに好ましく、アクリル酸がさらにより好ましい。塩としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属;カルシウム等のアルカリ土類金属;アンモニウム;トリエタノールアミン等のアルカノールアミン;等が挙げられ、これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、セリア溶解促進、セリア分散性向上、セリア−シリカ分散性向上及び基板表面清浄性向上の観点から、アルカリ金属及びアルカノールアミンが好ましく、アルカリ金属がより好ましく、ナトリウム及びカリウムがさらに好ましく、ナトリウムがさらにより好ましい。モノマーa1としては、すすぎ性向上の観点から、上述した酸であることが好ましい。
モノマーa2は、スルホン酸基を有するビニル系モノマーであって、セリア溶解促進、セリア分散性向上、セリア−シリカ分散性向上及び基板表面清浄性向上の観点から、2−ヒドロキシ−3−(アリルオキシ)−1−プロパンスルホン酸(HAPS)、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(AMPS)、アクリルアミド−t−ブチルスルホン酸(ATBS)、ビニルスルホン酸、スチレンスルホン酸及びそれらの塩から選ばれる1種又は2種以上が好ましく、HAPS、AMPS、ATBS、スチレンスルホン酸及びそれらの塩から選ばれる1種又は2種以上がより好ましく、HAPS、AMPS、スチレンスルホン酸及びその塩から選ばれる1種又は2種以上がさらに好ましく、HAPS及びその塩の少なくとも一方がさらにより好ましい。塩としては、上述したモノマーa1の塩を用いることができる。モノマーa2としては、すすぎ性向上の観点から、上述した酸であることが好ましい。
本開示に係る洗浄剤組成物に含まれる成分Bは、スルホン酸基を有する芳香族モノマーb1由来の構成成分b1を含む、成分A以外のポリマーである。本開示において成分Bは、1種又は2種以上を混合して用いることができる。
モノマーb1は、スルホン酸基を有する芳香族モノマーであって、セリア溶解促進、セリア分散性向上、セリア−シリカ分散性向上及び基板表面清浄性向上の観点から、スチレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、メチルナフタレンスルホン酸、エチルナフタレンスルホン酸、プロピルナフタレンスルホン酸、ブチルナフタレンスルホン酸及びそれらの塩から選ばれる1種又は2種以上が好ましく、スチレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸、7−メチル−1−ナフタレンスルホン酸、7−メチル−2−ナフタレンスルホン酸、4−エチル−1−ナフタレンスルホン酸、7−プロピル−2−ナフタレンスルホン酸、4−プロピル−2−ナフタレンスルホン酸、2−プロピル−1−ナフタレンスルホン酸、4−ブチル−1−ナフタレンスルホン酸、5−ブチル−2−ナフタレンスルホン酸、8−ブチル−1−ナフタレンスルホン酸及びそれらの塩から選ばれる1種又は2種以上がより好ましく、スチレンスルホン酸、2−ナフタレンスルホン酸及びその塩から選ばれる1種又は2種以上がさらに好ましい。塩としては、上述したモノマーa1の塩を用いることができる。モノマーb1としては、すすぎ性向上の観点から、上述した酸であることが好ましい。
本開示に係る洗浄剤組成物は、硫酸(成分C)を含む。
本開示に係る洗浄剤組成物は、還元剤(成分D)を含む。
本開示に係る洗浄剤組成物は、水(成分E)を含む。成分Eの水としては、イオン交換水、RO水、蒸留水、純水、超純水が使用されうる。水の含有量は、本開示に係る洗浄剤組成物の使用態様にあわせて適宜設定すればよい。
本開示に係る洗浄剤組成物は、式(I)で表される化合物及び式(II)で表される化合物の少なくとも1種の化合物(成分F)をさらに含有することができる。本開示において成分Fは、単独で又は2種以上を混合して用いることができる。
本開示に係る洗浄剤組成物は、上記成分A〜F以外に、必要に応じて任意成分を含有することができる。任意成分としては、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ2酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、シリコーン系消泡剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄時における任意成分の含有量は、本開示の効果を妨げない観点から、0質量%以上2.0質量%以下が好ましく、0質量%以上1.5質量%以下がより好ましく、0質量%以上1.3質量%以下がさらに好ましく、0質量%以上1.0質量%以下がさらにより好ましい。
本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄時のpHは、セリアに対する洗浄性向上の観点から、5以下が好ましく、4以下がより好ましく、3以下がさらに好ましく、2以下がさらにより好ましい。本開示に係る洗浄剤組成物のpHの調整は、成分Cの硫酸を用いて行うことができるが、例えば、硝酸等の無機酸;オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸;及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の塩基性物質;等を用いて行うこともできる。本開示において「洗浄時のpH」とは、25℃における洗浄剤組成物の使用時(希釈後)のpHであり、pHメータを用いて測定できる。具体的には実施例に記載の方法により測定できる。
本開示に係る洗浄剤組成物は、前記成分A〜E及び必要に応じて成分F及び任意成分を公知の方法で配合することにより製造できる。例えば、本開示に係る洗浄剤組成物は、少なくとも前記成分A〜Eを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、少なくとも前記成分A〜Eを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分A〜E及び必要に応じて成分F及び任意成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示に係る洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の配合量は、上述した本開示に係る洗浄剤組成物の各成分の含有量と同じとすることができる。
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、セリアを含む研磨液組成物(セリアスラリー)を用いた研磨後の基板の洗浄、セリア及びシリカを含む研磨液組成物を用いた研磨後の基板の洗浄、セリアスラリーを用いたCMP後の基板の洗浄、セリア及びシリカを含む研磨液組成物を用いたCMP後の基板の洗浄、基板表面にセリア砥粒由来の異物が付着した基板の洗浄、又は、基板表面にセリア及びシリカ砥粒由来の異物が付着した基板の洗浄に使用されうる。本開示に係る洗浄剤組成物は、種々の材料及び形状の被洗浄基板に対して使用できる。被洗浄基板としては、例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板が挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物が適用可能な被洗浄基板の表面材料は特に限定されず、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、熱シリコン酸化膜、ノンドープシリケートガラス膜、リンドープシリケートガラス膜、ボロンドープシリケートガラス膜、リンボロンドープシリケートガラス膜、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)膜、プラズマCVD酸化膜、シリコン窒化膜、シリコンカーバイド膜、シリコンオキサイドカーバイド膜、又はシリコンオキサイドカーバイドナイトライド膜等が挙げられる。さらに、ガラス、石英、水晶、セラミックス等も挙げられる。被洗浄基板としては、これら材料単独で構成されるものでもよいし、2種以上の材料がある分布を持ってパターニングされたものや積層されたものでもよい。
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、基板洗浄方法(以下、「本開示に係る洗浄方法」ともいう)に関する。被洗浄基板としては、上述した基板を用いることができる。前記洗浄工程は、一又は複数の実施形態において、被洗浄基板に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる工程を含むことができる。被洗浄基板を本開示に係る洗浄剤組成物を用いて洗浄する方法としては、例えば、洗浄槽に浸漬して接触させる方法、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法、回転させている被洗浄基板上に洗浄剤組成物を吐出させたり、吹き付けたりして接触させる方法、超音波を洗浄剤組成物に印加しながらスプレー状に射出して接触させる方法及び洗浄剤組成物を吹きかけながらブラシ等を介して接触させる方法等が挙げられる。
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄剤組成物を用いて、被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含む、半導体デバイス用基板の製造方法(以下、「本開示に係る基板製造方法」ともいう)に関する。被洗浄基板としては、上述した基板を用いることができる。本開示に係る基板製造方法の洗浄工程における洗浄方法や洗浄条件は、上述した本開示に係る洗浄方法の洗浄工程と同じとすることができる。本開示に係る基板製造方法は、例えば、素子分離構造を形成する工程で行われるセリアを含む研磨液組成物(セリアスラリー)を用いてCMPを行う工程、及び本開示に係る洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する工程を含むことができる。
まず、シリコン基板を酸化炉内で酸素に晒して二酸化シリコン層を含むシリコン基板を形成する。次いで、シリコン基板の二酸化シリコン層側、例えば二酸化シリコン層上に、窒化珪素(Si3N4)膜を、例えばCVD法(化学気相成長法)にて形成する。次に、このようにして得られたシリコン基板と前記シリコン基板の一方の主面側に配置された窒化珪素膜とを含む基板、例えば、シリコン基板とシリコン基板の一方の主面上に配置された窒化珪素膜とを含む基板、又はシリコン基板とシリコン基板の一方の主面上に配置された窒化珪素膜とからなる基板に、フォトリソグラフィー技術を用いて窒化珪素膜を貫通し溝底がシリコン基板内に達したトレンチを形成する。次いで、例えばシランガスと酸素ガスを用いたCVD法により、トレンチ埋め込み用の酸化珪素(SiO2)膜を形成し、前記トレンチに酸化珪素が埋め込まれ、トレンチ及び窒化珪素膜が酸化珪素膜で覆われた被研磨基板を得る。酸化珪素膜の形成により、前記トレンチは酸化珪素膜の酸化珪素で満たされ、窒化珪素膜の前記シリコン基板側の面の反対面は酸化珪素膜によって被覆される。このようにして形成された酸化珪素膜のシリコン基板側の面の反対面は、下層の凸凹に対応して形成された、段差を有する。次いで、CMP法により、酸化珪素膜を、少なくとも窒化珪素膜のシリコン基板側の面の反対面が露出するまでセリアスラリーで研磨し、より好ましくは、酸化珪素膜の表面と窒化珪素膜の表面とが面一になるまで酸化珪素膜を研磨する。
本開示は、一態様において、本開示に係る洗浄方法及び/又は本開示に係る基板製造方法に使用するためのキットであって、本開示に係る洗浄剤組成物を構成する前記成分A〜Eのうちの少なくとも1成分を他の成分と混合されない状態で含む、キットに関する。
本開示に係るキットの一実施形態としては、例えば、成分Aを含有する溶液(第1液)と、成分B〜Eを含有する溶液(第2液)とを、相互に混合されていない状態で含み、これらが使用時に混合されるキット(2液型洗浄剤組成物)が挙げられる。前記第1液及び第2液の各々には、必要に応じて上述した成分F及び任意成分が混合されていてもよい。
本開示に係るキットの他の実施形態としては、例えば、成分A及びBを含有する溶液(第1液)と、成分Cを含有する溶液(第2液)と、成分Dを含有する溶液(第3液)とを、相互に混合されていない状態で含み、第2液及び第3液の少なくとも一方は成分Eをさらに含有し、第1液、第2液及び第3液が使用時に混合されるキット(3液型洗浄剤組成物)が挙げられ、前記第1液、第2液及び第3液の各々には、必要に応じて上述した成分F及び任意成分が混合されていてもよい。
1.ポリマー(成分A及びB)
(成分A)
A1:アクリル酸/2−ヒドロキシ−3−(アリルオキシ)−1−プロパンスルホン酸(質量比70/30)共重合物のナトリウム塩(50質量%水溶液)
A2:アクリル酸/2−ヒドロキシ−3−(アリルオキシ)−1−プロパンスルホン酸(質量比60/40)共重合物のナトリウム塩(50質量%水溶液)
A3:アクリル酸/2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸(質量比80/20)共重合物のナトリウム塩(40質量%水溶液)
(非成分A)
A4:ポリアクリル酸アンモニウム(40質量%水溶液)
A5:ポリ2−ヒドロキシ−3−(アリルオキシ)−1−プロパンスルホン酸ナトリウム(50質量%水溶液)
(成分B)
B1:β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩(40質量%水溶液)
B2:スチレン−スチレンスルホン酸(質量比40/60)共重合物のナトリウム塩(40質量%水溶液)
使用した各ポリマーの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下「GPC」ともいう)法を用いて下記条件で測定した。測定結果を表1に示した。
<GPC条件>
カラム:G4000PWXL+G2500PWXL(東ソー株式会社製)
溶離液:0.2Mリン酸バッファー/CH3CN=9/1(体積比)
流量:1.0mL/min
カラム温度:40℃
検出:RI
サンプルサイズ:0.5mg/mL
標準物質:ポリエチレングリコール換算
100mLガラスビーカーに、表2に示す含有量となるように、各成分を秤量し、下記条件で混合することにより、実施例1〜18及び比較例1〜10の洗浄剤組成物の濃縮物を調製した。表2中の各成分の数値は、断りのない限り、質量%であり、有効分で示す。各洗浄剤組成物の濃縮物の40倍(比較例10は50倍)希釈後のpHを、洗浄時のpHとして表2に示した。pHは、25℃における洗浄剤組成物のpHであり、pHメータ(亜電波工業株式会社、HM−30G)を用いて測定し、電極を洗浄剤組成物に浸漬して40分後の数値である。
・液温度:25℃
・攪拌機:マグネチックスターラー(50mm回転子)
・回転数:300rpm
・攪拌時間:10分
<成分C:酸>
C1:硫酸(和光純薬工業株式会社製、高純度特級)
C2:リン酸(和光純薬工業株式会社製、試薬特級、85質量%)(非成分C)
C3:ふっ化水素酸(和光純薬工業株式会社製、超微量分析用、50質量%)(非成分C)
<成分D:還元剤>
D1:過酸化水素(和光純薬工業株式会社製、精密分析用、33質量%)
D2:アスコルビン酸(関東化学株式会社製、L(+)‐アスコルビン酸(特級))
D3:1,2,4−ベンゼントリオール(和光純薬工業株式会社製)
<成分E:水>
E:栗田工業株式会社製の連続純水製造装置(ピュアコンティ PC-2000VRL型)とサブシステム(マクエース KC-05H型)を用いて製造した超純水
<成分F>
F1:ポリエチレングリコールジ硫酸エステルナトリウム塩(重量平均分子量:1600)(R2:−SO3Q、n:31、Q:Na)
F2:ポリエチレングリコールジ硫酸エステルナトリウム塩(重量平均分子量:3900)(R2:−SO3Q、n:83、Q:Na)
F3:ポリオキシエチレン(18)ラウリルエーテル硫酸ナトリウム(R1:炭素数12のアルキル基、m:18、M:Na)
F4:ポリオキシエチレン(18)オクチルエーテル硫酸ナトリウム(R1:炭素数8のアルキル基、m:18、M:Na)
F5:ラウリル硫酸ナトリウム(花王株式会社製、エマール O)(R1:炭素数12のアルキル基、m:0、M:Na)
調製した実施例1〜18及び比較例1〜10の洗浄剤組成物を用いて下記の評価を行った。
ポリエチレン製50mL広口瓶に、各洗浄剤組成物の濃縮物0.5gと水19.5g(比較例10は洗浄剤組成物の濃縮物0.4gと水19.6g)とを添加し、セリア(平均粒径200nm)1.5gを添加しマグネチックスターラーを用いて回転数200rpmで15分間撹拌する。その後、フィルター(メンブレンフィルター(セルロース混合エステル)VMWP02500 孔径0.05μm メルク株式会社製)にて濾過する。ろ液を下記セリア濃度測定方法にて測定し、得られたセリウム(Ce)イオン濃度からセリア(CeO2)溶解量(ppm)を算出する。算出結果を表2に示す。セリア溶解量から、洗浄性を評価することができる。セリア溶解量が多いほど、洗浄性に優れることを示す。
<セリア濃度測定方法>
ろ液0.5gに超純水9.5gを添加して20倍希釈溶液を調製し、測定試料中のセリウムイオンの濃度をICP発光分光分析装置(パーキンエルマー社製、Optima 5300)を用いて測定する。
下記スラリーを用いて、下記手順でセリア沈降安定性試験及びセリア−シリカ沈降安定性試験を行い、セリア分散性及びセリア−シリカ分散性を評価した。
・セリアスラリー:セリア粒子の濃度10%、セリアの平均粒径200nm、水媒体
・シリカスラリー:シリカ粒子の濃度20%、シリカの平均粒径200nm、水媒体
沈降安定性=(1時間後の上澄みの吸光度÷振とう直後の上澄みの吸光度)×100
清浄なTEOS膜基板を、各洗浄剤組成物の濃縮物を超純水で2.5質量%希釈液(40倍希釈)(比較例10は2質量%希釈液(50倍希釈))としたものに30秒間浸漬し、超純水ですすぎ、エアブローで乾燥させ、中心付近の5か所の酸化珪素膜の厚さを光干渉式膜厚計(ラムダエースVM−1000、大日本スクリーン製造株式会社製)で測定し、その平均値を求め、浸漬前後の酸化珪素膜厚さの差から、エッチング量(Å)を算出する。算出結果を表2に示す。エッチング量から、平坦性を評価することができる。表2では、エッチング量が少ないほど、表面の荒れが少なく、洗浄後の基板の表面粗さの悪化抑制効果が大きい、すなわち、平坦性が高いことを示す。
下記評価用基板を研磨・洗浄試験機(ChaMP−332、株式会社東京精密製))を用いて研磨及び洗浄を行った。研磨及び洗浄は、研磨工程、プラテン洗浄工程、スクラブ工程、リンス工程、メガソニックシャワー、乾燥工程の順番に行った。プラテン洗浄工程及びスクラブ工程で使用する洗浄液には、各洗浄剤組成物の濃縮物を超純水で2.5質量%希釈液(40倍希釈)(比較例10では2質量%希釈液(50倍希釈))としたものを用いた。
<評価用基板>
TEOS膜基板:シリコンウェハー(12インチ)の片面に、TEOS−プラズマCVD法で厚さ2000nmの酸化珪素膜(酸化膜)を形成したもの
<研磨工程>
研磨液:セリアスラリー(セリア粒子の濃度10%、セリアの平均粒径200nm、水媒体)
研磨パッド:IC−1000/Sub400(ニッタ・ハース株式会社製)
研磨液組成:セリアスラリー/水=1/10
研磨液組成物供給量:300mL/分
ヘッド回転数:97rpm
プラテン回転数:70rpm
ウェハー圧:2.0psi
研磨時間:30秒
<プラテン洗浄工程>
プラテン洗浄パッド:IC−1000/Sub400(ニッタ・ハース株式会社製)
洗浄液供給量:200mL/分
ヘッド回転数:100rpm
プラテン回転数:80rpm
ウェハー圧:1.0psi
<スクラブ工程>
スクラブ洗浄時間:30秒
洗浄液供給量:100mL/分
ブラシ回転数:300rpm
ウェハー回転数:37rpm
<リンス工程>
リンス時間:30秒
ウェハー回転数:37rpm
<メガソニックシャワー>
シャワー時間:25秒
超音波周波数:950kHz
ウェハー回転数:400rpm
<乾燥工程>
回転数:1350rpm
<評価方法>
研磨・洗浄したTEOS膜基板の表面欠陥数を下記条件で測定した。実施例1、15及び比較例2、4、10の洗浄剤組成物それぞれにつき3枚ずつの基板について前記測定を行い、平均値を得た。結果を表2に示す。表面欠陥数から、基板表面の清浄性を評価することができる。表2では、表面欠陥数が少ないほど、基板表面上からの異物の除去効果が大きく、清浄性に優れることを示す。
ウェハー表面検査装置: WM−3000(株式会社トプコンテクノハウス製)
検出サイズ:0.14〜1μm
Claims (6)
- カルボン酸基を有するビニル系モノマーa1由来の構成単位a1及びスルホン酸基を有するビニル系モノマーa2由来の構成単位a2を含むポリマー(成分A)、スルホン酸基を有する芳香族モノマーb1由来の構成単位b1を含む、成分A以外のポリマー(成分B)、硫酸(成分C)、還元剤(成分D)及び水(成分E)を含有する、半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物であって、
洗浄剤組成物中の水以外の成分の合計質量に対する成分A及び成分Bの合計含有量が、15質量%以上60質量%以下であり、
成分Bに対する成分Aの質量比A/Bが、0.1以上15以下である、洗浄剤組成物。 - 洗浄時の成分A及び成分Bの合計含有量が、0.05質量%以上0.3質量%以下である、請求項1に記載の洗浄剤組成物。
- 成分Aの全構成単位中の構成単位a2に対する構成単位a1の質量比a1/a2が、0.5以上20以下である、請求項1又は2に記載の洗浄剤組成物。
- さらに、下記式(I)で表される化合物及び(II)で表される化合物の少なくとも1種の化合物(成分F)を含有する、請求項1から3のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
R1O−(AO)m−SO3M (I)
(式(I)中、R1は炭素数1以上24以下の炭化水素基を示し、AOは炭素数2以上4以下のアルキレンオキシド基を示し、mはAOの平均付加モル数であって0以上90以下の数であり、Mは水素原子又は陽イオンである。)
R2O−(AO)n−SO3Q (II)
(式(II)中、R2は水素原子又は−SO3Qを示し、AOは炭素数2以上4以下のアルキレンオキシド基を示し、nはAOの平均付加モル数であって10以上130以下の数であり、Qは水素原子又は陽イオンである。) - 請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、
前記被洗浄基板は、セリアを含む研磨液組成物を用いた研磨後の基板である、基板洗浄方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて被洗浄基板を洗浄する洗浄工程を含み、
前記被洗浄基板は、セリアを含む研磨液組成物を用いた研磨後の基板である、半導体デバイス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016179876A JP6713887B2 (ja) | 2016-09-14 | 2016-09-14 | 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016179876A JP6713887B2 (ja) | 2016-09-14 | 2016-09-14 | 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018046153A JP2018046153A (ja) | 2018-03-22 |
JP6713887B2 true JP6713887B2 (ja) | 2020-06-24 |
Family
ID=61695139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016179876A Active JP6713887B2 (ja) | 2016-09-14 | 2016-09-14 | 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6713887B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020191365A (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | 花王株式会社 | 半導体デバイス用基板に用いる洗浄剤組成物 |
JP7316112B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2023-07-27 | 花王株式会社 | 基板の洗浄方法 |
JP7495317B2 (ja) * | 2020-09-25 | 2024-06-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法、および半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5410943B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2014-02-05 | 三洋化成工業株式会社 | 電子材料用洗浄剤 |
JP5819638B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2015-11-24 | 花王株式会社 | 電子材料基板用酸性洗浄剤組成物 |
-
2016
- 2016-09-14 JP JP2016179876A patent/JP6713887B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018046153A (ja) | 2018-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102041624B1 (ko) | 전자 디바이스용 세정액 조성물 | |
JP6594201B2 (ja) | 半導体デバイス用基板用の酸性洗浄剤組成物 | |
JP6713887B2 (ja) | 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 | |
JP6847657B2 (ja) | 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 | |
KR102626654B1 (ko) | 반도체 세정용 조성물 및 세정 방법 | |
JPWO2012161270A1 (ja) | 洗浄剤およびガラス基板の洗浄方法 | |
KR20040064641A (ko) | 반도체 기판용 세정액 | |
KR20170126782A (ko) | 반도체 처리용 조성물 및 처리 방법 | |
US10319605B2 (en) | Semiconductor treatment composition and treatment method | |
JP2021077853A (ja) | 半導体デバイス用基板に用いる洗浄剤組成物 | |
US20190122896A1 (en) | Semiconductor treatment composition | |
JP4485786B2 (ja) | 半導体基板用洗浄液 | |
JP7316113B2 (ja) | 半導体デバイス用基板に用いる洗浄剤組成物 | |
JP7021014B2 (ja) | 半導体デバイス用基板用の洗浄剤組成物 | |
JP7375450B2 (ja) | 半導体処理用組成物及び処理方法 | |
JP7316112B2 (ja) | 基板の洗浄方法 | |
JP7349897B2 (ja) | 半導体基板用浸漬液組成物 | |
JP2008147449A (ja) | 洗浄剤組成物 | |
KR20220077201A (ko) | 표면 처리 조성물 및 이를 이용한 표면 처리 방법 | |
JP2019108462A (ja) | ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物 | |
JP2024085482A (ja) | 半導体処理用組成物及び処理方法 | |
KR20200077912A (ko) | 세정액 조성물 및 그것을 이용한 세정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190603 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200330 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200604 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6713887 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |