JP6711568B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1〜図6に基づき、本発明の実施形態にかかる半導体装置A10について説明する。説明の便宜上、平面図の左右方向を第1方向X、第1方向Xに対して直角である平面図の上下方向を第2方向Yとそれぞれ定義する。第1方向Xおよび第2方向Yは、ともに半導体装置A10(または後述する基板1)の厚さ方向Zに対して直角である。
図17〜図19に基づき、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置A20について説明する。
1:基板
11:主面
12:裏面
13:外側面
14:凹部
141:底面
141a:第1底面
141b:第2底面
141c:起立面
142:内側面
15:貫通孔
151:孔壁
20:導電層
201:無電解めっき層
202:電解めっき層
21:底面導電部
22:裏面導電部
23:連絡導電部
231:閉塞領域
31:半導体素子
32:接合層
33:ツェナーダイオード
4:封止樹脂
41:樹脂主面
5:ボンディングワイヤ
81:基板
811:主面
812:裏面
814:凹部
814a:底面
814b:内側面
815:貫通孔
815a:孔壁
82:導電層
821:底面導電部
822:裏面導電部
823:連絡導電部
823a:閉塞領域
824:無電解めっき層
824a:導電領域
824b:非導電領域
825:電解めっき層
825a:Cu層
825b:Ni層
825c:Au層
831:半導体素子
832:接合層
84:封止樹脂
85:ボンディングワイヤ
X:第1方向
Y:第2方向
Z:厚さ方向
Claims (12)
- 厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面、並びに前記主面から窪むように形成された凹部を有するとともに、熱可塑性の合成樹脂からなる基板と、
前記凹部に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子に導通し、かつ前記基板に形成された導電層と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記凹部は、前記厚さ方向において前記主面と前記裏面との間に位置する底面と、前記底面および前記主面につながり、かつ前記厚さ方向に沿った内側面と、を有し、
前記底面は、前記裏面から最も近くに位置する第1底面と、前記第1底面と前記主面との間に位置する第2底面と、前記第1底面および前記第2底面につながり、かつ前記厚さ方向に沿った起立面と、を含み、
前記基板には、前記第2底面および前記裏面を貫通する複数の貫通孔が形成され、
前記導電層は、前記底面に形成され、かつ前記封止樹脂に覆われた底面導電部と、前記裏面に形成された裏面導電部と、前記複数の貫通孔のそれぞれの孔壁に沿って形成され、かつ前記底面導電部および前記裏面導電部につながる連絡導電部と、を含み、
前記半導体素子は、前記第1底面に形成された前記底面導電部に搭載され、
前記底面導電部は、前記第1底面、前記第2底面および前記起立面を一体的に覆う部分を含み、
前記複数の貫通孔が、前記連絡導電部によりいずれも閉塞され、
前記裏面と前記第1底面との間に挟まれた前記基板の部分には、当該部分を前記厚さ方向に貫通する領域が存在せず、
前記底面導電部は、前記内側面に囲まれ、かつ前記内側面から離れて位置し、
前記封止樹脂は、前記内側面に接していることを特徴とする、半導体装置。 - 前記厚さ方向に対する前記複数の貫通孔の各々の横断形状は、前記裏面から前記第2底面に向かうにしたがって徐々に縮小している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の貫通孔は、前記第2底面寄りの端部において、前記連絡導電部によりいずれも閉塞されている、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記基板は、前記厚さ方向において前記主面と前記裏面との間に挟まれ、かつ外側を向く外側面をさらに有し、
前記主面および前記外側面は、ともに外部に露出している、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記裏面導電部は、前記裏面と前記外側面との境界から離間して形成されている、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、発光ダイオードであり、
前記封止樹脂は、透光性を有する合成樹脂からなる、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記発光ダイオードと並列接続されたツェナーダイオードをさらに備え、
前記ツェナーダイオードは、前記第2底面に形成された前記底面導電部に搭載されている、請求項6に記載の半導体装置。 - 前記導電層は、無電解めっき層と、前記無電解めっき層を覆って積層された電解めっき層と、を有し、
前記無電解めっき層は、前記基板と前記電解めっき層との間に介在している、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記無電解めっき層は、Cuからなる、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記電解めっき層は、積層されたCu層およびAu層を有し、
前記Cu層は、前記無電解めっき層と前記Au層との間に介在している、請求項8または9に記載の半導体装置。 - 前記電解めっき層は、前記Cu層と前記Au層との間に介在するNi層をさらに有する、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子と前記導電層とを接続するボンディングワイヤをさらに備える、請求項1ないし11のいずれかに記載の半導体装置。
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