JP6708214B2 - 組成物及びそれを用いた発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、組成物及びそれを用いた発光素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能である。発光素子の発光層に用いられる発光材料としては、例えば、下記式で表されるフルオレン化合物１及び下記式で表されるＩｒ（ｐｐｙ）₃を含有する組成物が知られている（特許文献１）。

特開２００９−１７０８１２号公報

しかしながら、この組成物を用いて製造される発光素子は、発光効率が必ずしも十分ではない。

そこで、本発明は、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な組成物を提供することを目的とする。本発明はまた、この組成物を含有する発光素子を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１４］を提供する。

［１］
式（１）で表される化合物と、燐光発光性化合物とを含有する、組成物。

［式中、
Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ¹は、１以上１４以下の整数を表す。
Ａｒ¹は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ¹が複数存在する場合、同一でも異なっていてもよい。但し、１つ以上存在するＡｒ¹のうち、少なくとも１つは式（１−Ａ）で表される基である。］

［式中、
Ｒ^1A、Ｒ^2A、Ｒ^3A、Ｒ^4A、Ｒ^5A、Ｒ^6A、Ｒ^7A及びＲ^8Aは、それぞれ独立に、結合手、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、Ｒ^1A、Ｒ^2A、Ｒ^3A及びＲ^4Aのうち、１つは結合手であり、且つ、Ｒ^5A、Ｒ^6A、Ｒ^7A及びＲ^8Aのうち、１つは結合手である。
Ｒ^1AとＲ^2A、Ｒ^2AとＲ^3A、Ｒ^3AとＲ^4A、Ｒ^4AとＲ^5A、Ｒ^5AとＲ^6A、Ｒ^6AとＲ^7A、及び、Ｒ^7AとＲ^8Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^91Aは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^92Aは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［２］
Ｒ^2A及びＲ^3Aのうち、１つが結合手であり、且つ、Ｒ^6A及びＲ^7Aのうち、１つが結合手である、［１］記載の組成物。
［３］
Ｒ^91Aが、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基である、［１］又は［２］記載の組成物。
［４］
Ｒ^92Aが、置換基を有していてもよいアリール基である、［１］〜［３］のいずれか一項記載の組成物。
［５］
Ｒ¹及びＲ²が、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｃ）で表される基である、［１］〜［４］のいずれか一項記載の組成物。

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2及びｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2及びＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2及びＡｒ^DA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6及びｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^DAは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6及びＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6及びＡｒ^DA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^DA1は、０以上の整数を表す。
Ａｒ^DA1は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［６］
式（Ｄ−Ａ）で表される基が、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基、又は、式（Ｄ−Ａ４）で表される基である、［５］記載の組成物。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2、Ｒ^p3及びＲ^p5は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1、Ｒ^p2及びＲ^p5が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は、０〜３の整数を表し、ｎｐ３は、０又は１を表し、ｎｐ５は、０〜４の整数を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
［７］
式（Ｄ−Ｂ）で表される基が、式（Ｄ−Ｂ１）で表される基、式（Ｄ−Ｂ２）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｂ３）で表される基である、［５］記載の組成物。

［式中、
Ｒ^p1、Ｒ^p2及びＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1及びＲ^p2が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は、０〜３の整数を表し、ｎｐ３は、０又は１を表す。複数存在するｎｐ１及びｎｐ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］
［８］
式（Ｄ−Ｃ）で表される基が、式（Ｄ−Ｃ１）で表される基、式（Ｄ−Ｃ２）で表される基、式（Ｄ−Ｃ３）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｃ４）で表される基である、［５］記載の組成物。

［式中、
Ｒ^p4及びＲ^p5は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p4及びＲ^p5が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ４は、０〜５の整数を表し、ｎｐ５は、０〜４の整数を表す。］
［９］
ｎ¹個のＡｒ¹の全てが、式（１−Ａ）で表される基である、［１］〜［８］のいずれか一項記載の組成物。
［１０］
燐光発光性化合物が、式（Ｍ）で表される金属錯体である、［１］〜［９］のいずれか一項記載の組成物。

［式中、
Ｍ¹は、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ^M1は１以上の整数を表し、ｎ^M2は０以上の整数を表し、ｎ^M1＋ｎ^M2は２又は３である。Ｍ¹がイリジウム原子の場合、ｎ^M1＋ｎ^M2は３であり、Ｍ¹が白金原子の場合、ｎ^M1＋ｎ^M2は２である。
Ｅ¹及びＥ²は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ¹及びＥ²の少なくとも一方は炭素原子である。
環Ｒ^M1は、芳香族複素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^M1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ^M2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^M2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ^M1が有していてもよい置換基と環Ｒ^M2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
−Ａ^D1---Ａ^D2−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1及びＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−Ａ^D1---Ａ^D2−が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［１１］
式（Ｍ）で表される金属錯体が、式Ir-1で表される金属錯体、式Ir-2で表される金属錯体、式Ir-3で表される金属錯体、式Ir-4で表される金属錯体、又は、式Ir-5で表される金属錯体である、［１０］記載の組成物。

［式中、
Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7、Ｒ^D8、Ｒ^D11、Ｒ^D12、Ｒ^D13、Ｒ^D14、Ｒ^D15、Ｒ^D16、Ｒ^D17、Ｒ^D18、Ｒ^D19、Ｒ^D20、Ｒ^D21、Ｒ^D22、Ｒ^D23、Ｒ^D24、Ｒ^D25、Ｒ^D26、Ｒ^D31、Ｒ^D32、Ｒ^D33、Ｒ^D34、Ｒ^D35、Ｒ^D36及びＲ^D37は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7、Ｒ^D8、Ｒ^D11、Ｒ^D12、Ｒ^D13、Ｒ^D14、Ｒ^D15、Ｒ^D16、Ｒ^D17、Ｒ^D18、Ｒ^D19、Ｒ^D20、Ｒ^D21、Ｒ^D22、Ｒ^D23、Ｒ^D24、Ｒ^D25、Ｒ^D26、Ｒ^D31、Ｒ^D32、Ｒ^D33、Ｒ^D34、Ｒ^D35、Ｒ^D36及びＲ^D37が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−Ａ^D1---Ａ^D2−は、前記と同じ意味を表す。
ｎ_D1は、１、２又は３を表し、ｎ_D2は、１又は２を表す。］
［１２］
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料を更に含有する、［１］〜［１１］のいずれか一項記載の組成物。
［１３］
溶媒を更に含有する、［１］〜［１２］のいずれか一項記載の組成物。
［１４］
［１］〜［１２］のいずれか一項記載の組成物を含有する発光素子。

本発明によれば、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な組成物を提供することができる。また、本発明によれば、この組成物を含有する発光素子を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×10³〜１×10⁸である重合体を意味する。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性又は輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式(B-1)-式(B-17)のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

＜式（１）で表される化合物＞
次に、本発明の組成物に含有される式（１）で表される化合物について、説明する。

Ｒ¹及びＲ²で表されるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェントレニル基、ジヒドロフェントレニル基、フルオレニル基又はピレニル基が好ましく、フェニル基、ナフチル基又はフルオレニル基がより好ましく、フェニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ¹及びＲ²で表される１価の複素環基としては、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチエニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基が好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基又はジアザカルバゾリル基がより好ましく、ピリジル基、ピリミジニル基又はトリアジニル基が更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ¹及びＲ²で表される置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の好ましい範囲は、Ｒ¹及びＲ²で表されるアリール基及び１価の複素環基の好ましい範囲と同じである。

Ｒ¹及びＲ²が有していてもよい置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、更に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、特に好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｒ¹及びＲ²は、本発明の組成物を含有する発光素子の発光効率が優れるので、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。

ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6及びｍ^DA7は、通常10以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０又は１である。ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6及びｍ^DA7は、同一の整数であることが好ましい。

Ｇ^DAは、好ましくは式(GDA-11)〜式(GDA-15)で表される基であり、より好ましくは式(GDA-11)〜式(GDA-14)で表される基であり、更に好ましくは、式(GDA-11)で表される基である。

［式中、
＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA1、式(D-B)におけるＡｒ^DA1、式(D-B)におけるＡｒ^DA2、又は、式(D-B)におけるＡｒ^DA3との結合を表す。
＊＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA2、式(D-B)におけるＡｒ^DA2、式(D-B)におけるＡｒ^DA4、又は、式(D-B)におけるＡｒ^DA6との結合を表す。
＊＊＊は、式(D-A)におけるＡｒ^DA3、式(D-B)におけるＡｒ^DA3、式(D-B)におけるＡｒ^DA5、又は、式(D-B)におけるＡｒ^DA7との結合を表す。
Ｒ^DAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^DAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6及びＡｒ^DA7は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１１）、式（ＡＡ−３３）又は式（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは式(ArDA-1)〜式(ArDA-5)で表される基であり、特に好ましくは式(ArDA-1)〜式(ArDA-3)で表される基であり、とりわけ好ましくは式(ArDA-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^DAは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^DBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^DBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^DBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｔ^DAは、好ましくは式(TDA-1)〜式(TDA-3)で表される基であり、より好ましくは式(TDA-1)で表される基である。

［式中、Ｒ^DA及びＲ^DBは、前記と同じ意味を表す。］

式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜式(D-A4)で表される基であり、より好ましくは式(D-A1)〜式(D-A3)で表される基であり、更に好ましくは式(D-A1)で表される基である。

式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜式(D-B3)で表される基であり、より好ましくは式(D-B1)で表される基である。

式(D-C)で表される基は、好ましくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基であり、より好ましくは式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、更に好ましくは式(D-C1)又は式(D-C2)で表される基であり、特に好ましくは式(D-C1)で表される基である。

ｎｐ１は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０〜２である。ｎｐ５は、好ましくは０〜２であり、より好ましくは０である。

Ｒ^p1、Ｒ^p2、Ｒ^p3、Ｒ^p4及びＲ^p5は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基である。

式(Ｄ−Ａ)で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜式（Ｄ−Ａ−１２）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Dは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又はシクロへキシルオキシ基を表す。Ｒ^Dが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

式(Ｄ−Ｂ)で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｂ−１）〜式（Ｄ−Ｂ−４）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Dは前記と同じ意味を表す。］

式(Ｄ−Ｃ)で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｃ−１）〜式（Ｄ−Ｃ−１３）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Dは前記と同じ意味を表す。］

Ｒ^Dは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることが好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基であることがより好ましい。

Ｒ¹及びＲ²は、本発明の組成物を含有する発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、置換アミノ基又は置換基を有していてもよいアリール基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいアリール基であり、更に好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、又は、式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基であり、特に好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、又は、式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、とりわけ好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、又は、式(D-C1)で表される基であり、とりわけより好ましくは、式(D-B1)、又は、式(D-C1)で表される基である。

ｎ¹は、好ましくは１以上１０以下の整数であり、より好ましくは１以上７以下の整数である。

Ａｒ¹で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-式(A-10)、式(A-19)又は式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＡｒ¹は、式（１−Ａ）で表される基である。

Ａｒ¹で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-式(AA-4)、式(AA-10)-式(AA-15)、式(AA-18)-式(AA-21)、式(AA-33)又は式(AA-34)で表される基であり、更に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)、式(AA-18)、式(AA-20)又は式(AA-33)で表される基であり、特に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)又は式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＡｒ¹は、式（１−Ａ）で表される基である。

Ａｒ¹で表される基が有してもよい置換基の好ましい範囲は、Ｒ¹及びＲ²が有していてもよい置換基の好ましい範囲と同じである。

Ａｒ¹が２つ以上存在し、且つ、２つ以上のＡｒ¹が、式（１−Ａ）で表される基である場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

Ａｒ¹は、本発明の組成物を含有する発光素子の発光効率に優れるので、式（１−Ａ）で表される基であることが好ましい。すなわち、ｎ¹個のＡｒ¹の全てが、式（１−Ａ）で表される基であることが好ましい。

［式（１−Ａ）で表される基］
次に、式（１−Ａ）で表される基について説明する。

Ｒ^2A及びＲ^3Aのうち、１つが結合手であることが好ましく、Ｒ^2Aが結合手であることがより好ましい。

Ｒ^6A及びＲ^7Aのうち、１つが結合手であることが好ましく、Ｒ^7Aが結合手であることがより好ましい。

Ｒ^2A及びＲ^3Aのうち、１つが結合手であり、且つ、Ｒ^6A及びＲ^7Aのうち、１つが結合手であることが好ましく、Ｒ^2Aが結合手であり、且つ、Ｒ^7Aが結合手であることがより好ましい。

Ｒ^1A〜Ｒ^8Aが結合手以外の場合、Ｒ^1A〜Ｒ^8Aは、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、更に好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、特に好ましくは、水素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^1A〜Ｒ^8Aで表されるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の好ましい範囲は、Ｒ¹及びＲ²で表されるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の好ましい範囲と同じである。

Ｒ^1A〜Ｒ^8Aが有していてもよい置換基の好ましい範囲は、Ｒ¹及びＲ²が有していてもよい置換基の好ましい範囲と同じである。

Ｒ^1AとＲ^2A、Ｒ^2AとＲ^3A、Ｒ^3AとＲ^4A、Ｒ^4AとＲ^5A、Ｒ^5AとＲ^6A、Ｒ^6AとＲ^7A、及び、Ｒ^7AとＲ^8Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成しないことが好ましい。

Ｒ^91Aは、本発明の組成物を含有する発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基であり、より好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基であり、更に好ましくは置換基を有さないアルキル基である。

Ｒ^92Aで表されるアリール基及び１価の複素環基の好ましい範囲は、Ｒ¹及びＲ²で表されるアリール基及び１価の複素環基の好ましい範囲と同じである。

Ｒ^92Aで表されるアリール基及び１価の複素環基としては、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。但し、Ｒ^92Aが式（Ｄ−Ａ）又は式（Ｄ−Ｂ）で表される基であり、且つ、ｍ^DA1が０である場合、式（Ｄ−Ａ）及び（Ｄ−Ｂ）中、Ａｒ^DA2及びＡｒ^DA3に結合するＧ^DAは芳香族炭化水素基又は複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^92Aは、本発明の組成物を含有する発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、置換基を有していてもよいアリール基であり、より好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、又は、式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基であり、更に好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、又は、式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、特に好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、又は、式(D-C1)で表される基であり、とりわけ好ましくは、式(D-C1)で表される基である。

Ｒ^91A及びＲ^92Aが有していてもよい置換基の好ましい範囲は、Ｒ¹及びＲ²が有していてもよい置換基の好ましい範囲と同じである。

式（１−Ａ）で表される基は、本発明の組成物を含有する発光素子の駆動電圧が低くなるので、好ましくは式（１−Ａ−Ａ１）又は式（１−Ａ−Ａ２）で表される基であり、より好ましくは式（１−Ａ−Ａ１）で表される基である。

［式中、Ｒ^2A、Ｒ^3A、Ｒ^6A、Ｒ^7A、Ｒ^91A及びＲ^92Aは、前記と同じ意味を表す。］

式（１−Ａ）で表される基としては、例えば、式（１−Ａ−１）〜式（１−Ａ−１９）で表される基が挙げられ、好ましくは、式（１−Ａ−１）〜式（１−Ａ−１６）で表される基であり、より好ましくは、式（１−Ａ−１）〜式（１−Ａ−１１）で表される基であり、更に好ましくは、式（１−Ａ−１）〜式（１−Ａ−８）で表される基である。

式（１）で表される化合物としては、例えば、式（１−１）〜式（１−１９）で表される化合物が挙げられ、好ましくは、式（１−１）〜式（１−１５）で表される化合物であり、より好ましくは式（１−１）〜式（１−８）で表される化合物であり、更に好ましくは式（１−１）〜式（１−６）で表される化合物である。

本発明の組成物において、式（１）で表される化合物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜式（１）で表される化合物の製造方法＞
次に、式（１）で表される化合物の製造方法について説明する。

式（１）で表される化合物は、Suzuki反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応及びKumada反応等の遷移金属触媒を用いる、公知のカップリング反応等を用いて、合成することができる。

［化合物（１’）の製造方法］
まず、式（１）で表される化合物において、ｎ¹が２以上である化合物（本明細書において、「化合物（１’）」と言う。）の製造方法を説明する。

例えば、化合物（１’）は、式（１’−１）で表される化合物と、式（１’−２）で表される化合物と、式（１’−３）で表される化合物と、式（１’−４）で表される化合物とを、公知のカップリング反応等を用いて反応させることにより、合成することができる。

［式中、
Ａｒ¹、Ｒ¹及びＲ²は、前記と同じ意味を表す。複数存在するＡｒ¹は、同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^C1〜Ｚ^C6は、それぞれ独立に、置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］

＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)₂Ｒ^C1（式中、Ｒ^C1は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。

＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
−ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
−Ｓｎ(Ｒ^C3)₃（式中、Ｒ^C3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C3は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

−Ｂ(ＯＲ^C2)₂で表される基としては、下記式(W-1)-(W-10)で表される基が例示される。

［合成方法１，２］
例えば、式（１’−１）で表される化合物と、式（１’−２）で表される化合物とを１回又は２回以上カップリング反応させることにより、式（１’−５）で表される化合物又は式（１’−６）で表される化合物を合成することができる。

［式中、Ａｒ¹、Ｚ^C1、Ｚ^C2及びＺ^C3は、前記と同じ意味を表す。ｎ１’は、２以上１５以下の整数を表す。］

例えば、式（１’−５）で表される化合物と、式（１’−３）で表される化合物とをカップリング反応させることにより、式（１’−７）で表される化合物を合成することができる。その後、式（１’−７）で表される化合物と、式（１’−４）で表される化合物とをカップリング反応させることにより、化合物（１’）を合成することができる（以下、「合成方法１」と言う。）。

［式中、Ａｒ¹、Ｚ^C2、Ｒ¹及びｎ１’は、前記と同じ意味を表す。］

例えば、式（１’−６）で表される化合物と、式（１’−３）で表される化合物とをカップリング反応させることにより、式（１’−８）で表される化合物を合成することができる。その後、式（１’−８）で表される化合物と、式（１’−４）で表される化合物とをカップリング反応させることにより、化合物（１’）を合成することができる（以下、「合成方法２」と言う。）。

［式中、Ａｒ¹、Ｚ^C3、Ｒ¹及びｎ１’は、前記と同じ意味を表す。］

合成方法１において、例えば、Ｚ^C1及びＺ^C2が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3、Ｚ^C4、Ｚ^C5及びＺ^C6は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。例えば、Ｚ^C1及びＺ^C2が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3、Ｚ^C4、Ｚ^C5及びＺ^C6は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

合成方法２において、例えば、Ｚ^C1、Ｚ^C2及びＺ^C6が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3、Ｚ^C4及びＺ^C5は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。例えば、Ｚ^C1、Ｚ^C2及びＺ^C6が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3、Ｚ^C4及びＺ^C5は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

［合成方法３（化合物（１’’）の製造方法）］
次に、式（１）で表される化合物において、ｎ¹が１である化合物（本明細書において、「化合物（１’’）」と言う。）の製造方法を説明する。

例えば、化合物（１’’）は、式（１’−１）で表される化合物と、式（１’−２）で表される化合物と、式（１’−３）で表される化合物とを、公知のカップリング反応等を用いて反応させることにより、合成することができる。

例えば、式（１’−１）で表される化合物と、式（１’−３）で表される化合物とをカップリング反応させることにより、式（１’−９）で表される化合物を合成することができる。その後、式（１’−９）で表される化合物と式（１’−４）で表される化合物とをカップリング反応させることにより、化合物（１’’）を合成することができる（以下、「合成方法３」と言う。）。

［式中、Ａｒ¹、Ｚ^C2及びＲ¹は前記と同じ意味を表す。］

合成方法３において、例えば、Ｚ^C1及びＺ^C2が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3及びＺ^C4は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。例えば、Ｚ^C1及びＺ^C2が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、Ｚ^C3及びＺ^C4は、置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。

［化合物（１’）及び化合物（１’’）の製造方法の共通説明］
置換基Ａ群から選ばれる基は、カップリング反応が容易に進行するので、臭素原子、ヨウ素原子又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基が好ましい。

置換基Ｂ群から選ばれる基は、好ましくは、−Ｂ(ＯＲ^C2)₂で表される基であり、より好ましくは、式(W-7)で表される基である。

カップリング反応は、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン(THF)、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水が挙げられる。

カップリング反応において、反応時間は、通常、30分〜150時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

カップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、例えば、酢酸パラジウム、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、[1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]ジクロロパラジウム(II)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム(0)が挙げられる。

パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ(o-トリル)ホスフィン、トリ(tert-ブチル)ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、1,1'-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。

カップリング反応において、必要に応じて、パラジウム触媒と塩基を併用してもよい。

２回以上カップリング反応を行う場合、それらは同一の条件で反応させてもよく、異なる条件で反応させてもよい。

＜式（１）で表される化合物の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

式（１’−１）〜式（１’−４）で表される化合物は、Ａｌｄｒｉｃｈ、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ．等から入手可能である。
また、国際公開第２００２／０４５１８４号、特開２０１２−１４４７２２号公報、国際公開第２００２／０６７３４３号、国際公開第２００４／０３９９１２号等の文献に記載の公知の方法により製造することも可能である。

＜燐光発光性化合物＞
次に、本発明の組成物に含有される燐光発光性化合物について、説明する。

「燐光発光性化合物」は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す化合物を意味するが、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。この三重項励起状態からの発光を示す金属錯体は、中心金属原子及び配位子を有する。

中心金属原子としては、例えば、原子番号４０以上の原子で、錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態との間の項間交差を起こし得る金属原子が挙げられる。金属原子としては、例えば、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子及び白金原子が挙げられ、本発明の組成物を含有する発光素子の発光効率が優れるので、好ましくはイリジウム原子又は白金原子である。

配位子としては、例えば、中心金属原子との間に、配位結合及び共有結合からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合を形成する、中性若しくはアニオン性の単座配位子、又は、中性若しくはアニオン性の多座配位子が挙げられる。中心金属原子と配位子との間の結合としては、例えば、金属−窒素結合、金属−炭素結合、金属−酸素結合、金属−リン結合、金属−硫黄結合及び金属−ハロゲン結合が挙げられる。多座配位子とは、通常、２座以上６座以下の配位子を意味する。

［式（Ｍ）で表される金属錯体］
燐光発光性化合物は、式（Ｍ）で表される金属錯体であることが好ましい。

Ｍ¹は、本発明の組成物を含有する発光素子の発光効率がより優れるので、イリジウム原子であることが好ましい。

Ｍ¹がイリジウム原子の場合、ｎ^M1は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

Ｍ¹が白金原子の場合、ｎ^M1は２であることが好ましい。

Ｅ¹及びＥ²は、炭素原子であることが好ましい。

環Ｒ^M1は、１つ以上４つ以下の窒素原子を構成原子として有する５員若しくは６員の芳香族複素環であることが好ましく、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、ジアゾール環又はトリアゾール環であることがより好ましく、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、イソキノリン環、イミダゾール環又はトリアゾール環であることが更に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^M2は、５員若しくは６員の芳香族炭化水素環、又は、５員若しくは６員の芳香族複素環であることが好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、ピロール環、フラン環又はチオフェン環であることがより好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ピリジン環又はジアザベンゼン環であることが更に好ましく、ベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環であることが特に好ましく、ベンゼン環であることがとりわけ好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。

環Ｒ^M1及び環Ｒ^M2が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基又は置換アミノ基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基がより好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基が特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

環Ｒ^M1が有していてもよい置換基と環Ｒ^M2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

環Ｒ^M1及び環Ｒ^M2が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基は、本発明の発光素子の発光効率がより優れるので、好ましくは、式(D-A)、式(D-B)又は式(D-C)で表される基である。

環Ｒ^M1及び環Ｒ^M2からなる群から選ばれる少なくとも１つの環は、溶解性が優れるので、置換基を有することが好ましい。

環Ｒ^M1及び環Ｒ^M2からなる群から選ばれる少なくとも１つの環が有する置換基としては、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、より好ましくは、アルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、更に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)〜式(D-A4)、式(D-B1)〜式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基である。これらの中でも、式（Ｍ）で表される金属錯体の合成が容易であるため、特に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-A3)、式(D-B1)、式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)若しくは式(D-C2)で表される基であり、とりわけより好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)、又は、式(D-C2)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

−Ａ^D1---Ａ^D2−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｍ¹と結合する部位を表す。］

式（Ｍ）で表される金属錯体としては、式Ir-1〜式Ir-5で表される金属錯体が好ましく、式Ir-1〜式Ir-3で表される金属錯体がより好ましく、式Ir-1又は式Ir-2で表される金属錯体が更に好ましい。

式Ir-1で表される金属錯体において、Ｒ^D1〜Ｒ^D8の少なくとも１つは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、より好ましくは、アルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、更に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)〜式(D-A4)、式(D-B1)〜式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基である。これらの中でも、式Ir-1で表される金属錯体が容易であるため、特に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-A3)、式(D-B1)、式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)若しくは式(D-C2)で表される基であり、とりわけより好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)、又は、式(D-C2)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式Ir-2で表される金属錯体において、Ｒ^D11〜Ｒ^D20の少なくとも１つは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、より好ましくは、アルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、更に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)〜式(D-A4)、式(D-B1)〜式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基である。これらの中でも、式Ir-2で表される金属錯体が容易であるため、特に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-A3)、式(D-B1)、式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)若しくは式(D-C2)で表される基であり、とりわけより好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)、又は、式(D-C2)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式Ir-3で表される金属錯体において、Ｒ^D1〜Ｒ^D8及びＲ^D11〜Ｒ^D20の少なくとも１つは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、より好ましくは、アルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、更に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)〜式(D-A4)、式(D-B1)〜式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基である。これらの中でも、式Ir-3で表される金属錯体が容易であるため、特に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-A3)、式(D-B1)、式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜(D-C3)で表される基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)若しくは式(D-C2)で表される基であり、とりわけより好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)、又は、式(D-C2)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式Ir-4で表される金属錯体において、Ｒ²¹〜Ｒ^D26の少なくとも１つは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又は式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、より好ましくは、アルキル基又は式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、更に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)〜式(D-A4)、式(D-B1)〜式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基である。これらの中でも、式Ir-4で表される金属錯体が容易であるため、特に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-A3)、式(D-B1)、式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)若しくは式(D-C2)で表される基であり、とりわけより好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)、又は、式(D-C2)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式Ir-5で表される金属錯体において、Ｒ^D31〜Ｒ^D37の少なくとも１つは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、より好ましくは、アルキル基、又は、式（Ｄ−Ａ）〜式（Ｄ−Ｃ）で表される基であり、更に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)〜式(D-A4)、式(D-B1)〜式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C4)で表される基である。これらの中でも、式Ir-5で表される金属錯体が容易であるため、特に好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-A3)、式(D-B1)、式(D-B3)若しくは式(D-C1)〜式(D-C3)で表される基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基、又は、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)若しくは式(D-C2)で表される基であり、とりわけより好ましくは、式(D-A1)、式(D-B1)、式(D-C1)、又は、式(D-C2)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式Ir-1で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-11〜式Ir-13で表される金属錯体である。式Ir-2で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-21で表される金属錯体である。式Ir-3で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-31〜式Ir-33で表される金属錯体である。式Ir-4で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-41〜式Ir-43で表される金属錯体である。式Ir-5で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-51〜式Ir-53で表される金属錯体である。

［式中、
ｎ_D2は、１又は２を表す。
Ｄは、式(D-A)〜式(D-C)で表される基を表す。複数存在するＤは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^DCは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^DCは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^DDは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^DDは、同一でも異なっていてもよい。］

燐光発光性化合物としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

燐光発光性化合物は、Ａｌｄｒｉｃｈ、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ．、Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ等から入手可能である。
また、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０７，１４３１−１４３２（１９８５）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０６，６６４７−６６５３（１９８４）、国際公開第２０１１／０２４７６１号、国際公開第２００２／４４１８９号、特開２００６−１８８６７３号公報等の文献に記載の公知の方法により製造することも可能である。

本発明の組成物において、燐光発光性化合物の含有量は、式（１）で表される化合物と燐光発光性化合物との合計を100重量部とした場合、通常、0.01〜95重量部であり、好ましくは、0.05〜80重量部であり、より好ましくは0.1〜60重量部であり、更に好ましくは1〜40重量部であり、特に好ましくは10〜30重量部である。

本発明の組成物において、燐光発光性化合物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

式（１）で表される化合物の有する最低励起三重項状態(Ｔ₁)は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子の発光効率が優れるので、燐光発光性化合物の有するＴ₁と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

式（１）で表される化合物は、本発明の組成物を用いて得られる発光素子を溶液塗布プロセスで作製できるので、燐光発光性化合物を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

＜その他の成分＞
本発明の組成物は、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（燐光発光性化合物とは異なる。）、及び、酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料を更に含有していてもよい。但し、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料は、式（１）で表される化合物とは異なる。

本発明の組成物は、溶媒を更に含有していてもよい。
式（１）で表される化合物と、燐光発光性化合物と、溶媒とを含有する組成物（以下、「インク」と言うことがある。）は、インクジェットプリント法、ノズルプリント法等の印刷法を用いた発光素子の作製に好適である。

インクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。

インクに含まれる溶媒は、該インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。

インクにおいて、溶媒の配合量は、式（１）で表される化合物と燐光発光性化合物との合計を100重量部とした場合、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。

溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン（例えば、ポリトリフェニルアミン、フルオレン−トリフェニルアミン共重合体）及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。

本発明の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、式（１）で表される化合物と燐光発光性化合物との合計を100重量部とした場合、通常、0.1〜1000重量部であり、好ましくは１〜400重量部であり、より好ましくは５〜150重量部である。

本発明の組成物において、正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン、及び、ジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアリーレン（例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン）、及び、その誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

本発明の組成物において、電子輸送材料の配合量は、式（１）で表される化合物と燐光発光性化合物との合計を100重量部とした場合、通常、0.1〜1000重量部であり、好ましくは１〜400重量部であり、より好ましくは５〜150重量部である。

本発明の組成物において、電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアリーレン、ポリアリーレンビニレン、ポリへテロアリーレン、及び、ポリへテロアリーレンビニレン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられ、好ましくは、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、及び、ポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子である。

本発明の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、式（１）で表される化合物と燐光発光性化合物との合計を100重量部とした場合、通常、0.1〜1000重量部であり、好ましくは１〜400重量部であり、より好ましくは５〜150重量部である。

本発明の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10^-5S/cm〜１×10³S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。

［発光材料］
発光材料（燐光発光性化合物とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、並びに、ペリレン及びその誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等のアリーレン基；芳香族アミンから２個の水素原子を取り除いてなる基等の芳香族アミン残基；カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基等の２価の複素環基等を含む高分子化合物が挙げられる。

本発明の組成物において、発光材料の含有量は、式（１）で表される化合物と燐光発光性化合物との合計を100重量部とした場合、通常、0.1〜1000重量部であり、好ましくは0.1〜400重量部である。

発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

本発明の組成物において、酸化防止剤の配合量は、式（１）で表される化合物と燐光発光性化合物との合計を100重量部とした場合、通常、0.001〜10重量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

＜膜＞
膜は、本発明の組成物を含有する。

膜は、発光素子における発光層として好適である。

膜は、インクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜10μｍである。

＜発光素子＞
本発明の発光素子は、本発明の組成物を含有する発光素子である。
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の組成物を含有する層とを有する。

［層構成］
本発明の組成物を含有する層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。

発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層及び電子注入層の材料としては、例えば、本発明の組成物の他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料及び電子注入材料が挙げられる。

正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料及び発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層及び発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

積層する層の順番、数及び厚さは、外部量子効率及び輝度寿命を勘案して調整する。

［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。

［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は、両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。なお、SECの測定条件は、次のとおりである。

測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＴＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子社製、商品名：ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調節した。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ₃）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００又はＭＥＲＣＵＲＹ ４００ＶＸ）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜合成例Ｍ１〜Ｍ１２＞ 化合物Ｍ１〜Ｍ１２の合成
化合物Ｍ１は、特開２０１１―１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ３は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ４は、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ５は、特開２０１５−０８６２１５号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ６は、国際公報第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ７は、特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ８は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ９は、国際公報第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１０は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１１は、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１２は、国際公開第２０１３／１４６８０６号に記載の方法に従って合成した。

＜合成例ＨＴＬ１＞ 高分子化合物ＨＴＬ−１の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ１（２．６９ｇ）、化合物Ｍ２（０．４２５ｇ）、化合物Ｍ３（１．６４ｇ）、化合物Ｍ４（０．２３８ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）及びトルエン（６２ｍｌ）を加え、１０５℃に加熱した。

得られた反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１０ｍｌ）を滴下し、４．５時間還流させた。
得られた反応混合物へ、フェニルボロン酸（３６．８ｍｇ）及びジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２．１ｍｇ）を加え、１６．５時間還流させた。
得られた反応混合物へ、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。冷却後、反応液を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈殿が生じた。沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。
得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＨＴＬ−１を３．１２ｇ得た。高分子化合物ＨＴＬ−１のＭｎは７．８×１０⁴であり、Ｍｗは２．６×１０⁵であった。

高分子化合物ＨＴＬ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位とが、５０：１２．５：３０：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＨＴＬ２＞ 高分子化合物ＨＴＬ−２の合成
高分子化合物ＨＴＬ−２は、化合物Ｍ１１、化合物Ｍ１２及び化合物Ｍ３を用いて、国際公開第２０１５／１４５８７１号に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ−２のＭｎは２．３×１０^４であり、Ｍｗは１．２×１０^５であった。

高分子化合物ＨＴＬ−２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、４５：５：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＨＰ１＞ 高分子化合物ＨＰ−１の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物Ｍ５（４．７７ｇ）、化合物Ｍ９（０．７７３ｇ）、化合物Ｍ２（１．９７ｇ）、化合物Ｍ６（０．３３１ｇ）、化合物Ｍ７（０．４４３ｇ）及びトルエン（６７ｍＬ）を加えて、１０５℃に加熱しながら攪拌した。
得られた反応混合物へ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）ジクロリド（４．２ｍｇ）を加え、次いで、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を滴下した後、還流下で３時間攪拌した。
得られた反応混合物へ、フェニルボロン酸（０．０７７ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）ジクロリド（４．２ｍｇ）、トルエン（６０ｍＬ）及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）を加え、還流下で２４時間攪拌した。
得られた反応混合物の有機層と水層とを分離した後、得られた有機層に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．３３ｇ）及びイオン交換水（６７ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。得られた反応混合物の有機層と水層とを分離した後、得られた有機層を、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回、３重量％酢酸水溶液（７８ｍＬ）で２回、イオン交換水（７８ｍＬ）で２回の順番で洗浄した。得られた洗浄物の有機層と水層とを分離した後、得られた有機層をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液させた。得られた溶液をメタノールに滴下することで固体を沈殿させ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物ＨＰ−１（４．９５ｇ）を得た。高分子化合物ＨＰ−１のＭｎは１．４×１０⁵であり、Ｍｗは４．１×１０⁵であった。

高分子化合物ＨＰ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ７から誘導される構成単位とが、５０：１０：３０：５：５のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例ＨＰ２＞ 高分子化合物ＨＰ−２の合成
高分子化合物ＨＰ−２は、化合物Ｍ８、化合物Ｍ９及び化合物Ｍ１０を用いて、特開２０１２−０３６３８８号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＰ−２のＭｎは９．６×１０⁴であり、Ｍｗは２．２×１０⁵であった。
高分子化合物ＨＰ−２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ８から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位とが、５０：４０：１０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例Ｇ１〜Ｇ４＞ 燐光発光性化合物Ｇ１〜Ｇ４の合成
燐光発光性化合物Ｇ１は、特開２０１３−２３７７８９号公報に記載の方法に従って合成した。燐光発光性化合物Ｇ２は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。燐光発光性化合物Ｇ３は、国際公開第２０１１／０３２６２６号に記載の方法に準じて合成した。燐光発光性化合物Ｇ４は、特開２０１４−２２４１０１号公報に記載の方法に従って合成した。

＜合成例Ｒ１及びＲ２＞ 燐光発光性化合物Ｒ１及びＲ２の合成
燐光発光性化合物Ｒ１は、国際公開第２００２／４４１８９号に記載の方法に準じて合成した。燐光発光性化合物Ｒ２は、特開２００６−１８８６７３号公報に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例Ｂ１＞ 燐光発光性化合物Ｂ１の合成
燐光発光性化合物Ｂ１は、国際公開第２００６／１２１８１１号および特開２０１３−０４８１９０号公報に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例Ｈ１＞ 化合物Ｈ１の合成

反応容器内を窒素雰囲気とした後、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｈ１ａ（５．００ｇ）、特開２０１５−１１０７５１号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｈ１ｂ（４．９４ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（０．１２１ｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．５３ｇ）及びトルエン（２００ｍＬ）を加え、５５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、イオン交換水を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液から水層を除去した後、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた濃縮物へ、ヘキサン、トルエン及び活性炭を加え、室温で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒、並びに、ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、アセトンで洗浄した後、減圧乾燥させることにより、化合物Ｈ１（１．１ｇ）を得た。化合物Ｈ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ,ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９３７[Ｍ]⁺

＜合成例Ｈ２ａ及びＨ３ａ＞ 化合物Ｈ２ａ及びＨ３ａの合成

反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｈ１ｃ（３５．９ｇ）、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に準じて合成した化合物Ｈ１ｄ（６．９１ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１２０ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０ｍＬ）、トルエン（８５ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（５５ｍＬ）、イオン交換水（３０ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（４０ｍＬ）を加え、８５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、更に、シリカゲル（ＯＤＳ）カラムクロマトグラフィー（テトラヒドロフラン及びアセトニトリルの混合溶媒）で精製することにより、化合物Ｈ２ａ（９．８７ｇ）及び化合物Ｈ３ａ（２．１１ｇ）をそれぞれ得た。この作業を繰り返し行うことで、化合物Ｈ２ａの必要量及び化合物Ｈ３ａの必要量をそれぞれ得た。

化合物Ｈ２ａのＮＭＲの測定結果は下記の通りであった。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）；δ＝０．６８−０．９３（ｍ，２４Ｈ），１．０２−１．３６（ｍ，４８Ｈ），１．４８−１．６１（ｍ，６Ｈ），２．３７−２．６１（ｍ，１２Ｈ），６．８８−７．０６（ｍ，８Ｈ），７．０７−７．１８（ｍ，４Ｈ），７．３４（ｓ，２Ｈ），７．３８−７．４９（ｍ、６Ｈ），７．５１−７．６４（ｍ，６Ｈ），７．６８−７．８０（ｍ，４Ｈ）．

化合物Ｈ３ａのＮＭＲの測定結果は下記の通りであった。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）；δ＝０．６７−０．９５（ｍ，４０Ｈ），１．０３−１．３７（ｍ，８０Ｈ），１．４８−１．６３（ｍ，１０Ｈ），２．３５−２．６２（ｍ，２０Ｈ），６．８８−７．０７（ｍ，１２Ｈ），７．０７−７．１８（ｍ，８Ｈ），７．３４（ｓ，２Ｈ），７．３９−７．４９（ｍ、１０Ｈ），７．５０−７．６５（ｍ，１０Ｈ），７．６８−７．８４（ｍ，８Ｈ）．

＜合成例Ｈ２ｂ＞ 化合物Ｈ２ｂの合成

反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、化合物Ｈ２ａ（４．７０ｇ）、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に準じて合成した化合物Ｈ１ｄ（０．５５ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１０ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２ｍＬ）、トルエン（７ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（５ｍＬ）、イオン交換水（２ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（３ｍＬ）を加え、８５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却し、水層を除去した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲル（ＯＤＳ）カラムクロマトグラフィー（テトラヒドロフラン及びアセトニトリルの混合溶媒）により２回精製することにより、化合物Ｈ２ｂ（１．６６ｇ）を得た。この作業を繰り返し行うことで、化合物Ｈ２ｂの必要量を得た。

化合物Ｈ２ｂのＮＭＲの測定結果は下記の通りであった。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）；δ＝０．６６−０．９５（ｍ，５６Ｈ），１．００−１．３５（ｍ，１１２Ｈ），１．４８−１．６０（ｍ，１４Ｈ），２．３８−２．６４（ｍ，２８Ｈ），６．８９−７．０６（ｍ，１６Ｈ），７．０７−７．１８（ｍ，１２Ｈ），７．３４（ｓ，２Ｈ），７．３８−７．５０（ｍ、１４Ｈ），７．５１−７．６４（ｍ，１４Ｈ），７．６８−７．８４（ｍ，１２Ｈ）．

＜合成例Ｈ２＞ 化合物Ｈ２の合成

反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、化合物Ｈ２ｂ（４．７０ｇ）、フェニルボロン酸（０．３２ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１ｍＬ）、トルエン（６ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（４ｍＬ）、イオン交換水（２ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（３ｍＬ）を加え、８５℃で５時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、酢酸エチルを加え、抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過をした。得られたろ液を減圧濃縮することにより粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲル（ＯＤＳ）カラムクロマトグラフィー（テトラヒドロフラン及びアセトニトリルの混合溶媒）により精製し、更に、ヘキサン及びエタノールを用いて晶析を行った。得られた固体をエタノールで洗浄し、減圧乾燥させることにより、化合物Ｈ２（１．２３ｇ）を得た。化合物Ｈ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｈ２のＮＭＲの測定結果は下記の通りであった。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）；δ＝０．６６−０．９６（ｍ，５６Ｈ），１．００−１．３５（ｍ，１１２Ｈ），１．４５−１．６４（ｍ，１４Ｈ），２．３８−２．６４（ｍ，２８Ｈ），６．９２−７．０６（ｍ，１４Ｈ），７．０７−７．２０（ｍ，１４Ｈ），７．２７−７．３６（ｍ，２Ｈ），７．３７−７．５１（ｍ、１８Ｈ），７．５２−７．６６（ｍ，１８Ｈ），７．７０−７．８８（ｍ，１４Ｈ）．

＜合成例Ｈ３＞ 化合物Ｈ３の合成

反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、化合物Ｈ３ａ（２．１１ｇ）、フェニルボロン酸（０．４４ｇ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１０ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２ｍＬ）、トルエン（８ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール（５ｍＬ）、イオン交換水（３ｍＬ）及びテトラヒドロフラン（４ｍＬ）を加え、８５℃で８時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、酢酸エチルを加え、抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲル（ＯＤＳ）カラムクロマトグラフィー（テトラヒドロフラン及びアセトニトリルの混合溶媒）により精製し、更に、ヘキサン及びエタノールを用いて晶析を行った。得られた固体をエタノールで洗浄し、減圧乾燥させることにより、化合物Ｈ３（１．５２ｇ）を得た。化合物Ｈ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

化合物Ｈ３のＮＭＲの測定結果は下記の通りであった。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）；δ＝０．６７−０．９６（ｍ，４０Ｈ），１．０１−１．３７（ｍ，８０Ｈ），１．４５−１．６４（ｍ，１０Ｈ），２．３４−２．６４（ｍ，２０Ｈ），６．９３−７．０７（ｍ，１０Ｈ），７．０８−７．１９（ｍ，１０Ｈ），７．２７−７．３６（ｍ，２Ｈ），７．３７−７．５１（ｍ、１４Ｈ），７．５３−７．６４（ｍ，１４Ｈ），７．７２−７．８４（ｍ，１０Ｈ）．

＜合成例Ｈ４＞ 化合物Ｈ４の合成
化合物Ｈ４は、国際公開第２０１３／１０８０２２号に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例Ｈ５＞ 化合物Ｈ５の合成
（化合物Ｈ５−１ｂの合成）

反応容器内を窒素雰囲気とした後、特開２０１０−０３１２５９号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｈ５−１ａ（５０．０ｇ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（２６．６ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド・ジクロロメタン錯体（ＰｄＣｌ₂(ｄｐｐｆ)・ＣＨ₂Ｃｌ₂，１．４９ｇ）、酢酸カリウム（２６．８ｇ）及び１，４−ジオキサン（３５０ｍＬ）を加え、加熱還流下で４時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、酢酸エチルを加えた。得られた反応液をイオン交換水で洗浄した。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製した後、トルエン及び酢酸エチルの混合溶媒を用いて再結晶し、乾燥させることにより、化合物Ｈ５−１ｂ（１２．５ｇ、白色固体）を得た。化合物Ｈ５−１ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ,ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１１９２[Ｍ]⁺

（化合物Ｈ５−２ｂの合成）

反応容器内を窒素雰囲気とした後、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｈ１ａ（５．００ｇ）、特開２０１５−１１０７５１号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｈ１ｂ（４．９４ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（０．１２１ｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．５３ｇ）及びトルエン（２００ｍＬ）を加え、５５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、イオン交換水を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液から水層を除去した後、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた濃縮物へ、ヘキサン、トルエン及び活性炭を加え、室温で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、ろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒、並びに、ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）により精製することにより、粗生成物を得た。この粗生成物をアセトン及びヘキサンの混合溶媒で洗浄することにより固体を得た。この固体に、ヘキサン、トルエン及び活性炭を加え、室温で１時間攪拌した後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、化合物Ｈ５−２ｂ（２．５ｇ）を得た。化合物Ｈ５−２ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２５％であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ,ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１２５９[Ｍ]⁺

（化合物Ｈ５の合成）

反応容器内を窒素雰囲気とした後、化合物Ｈ５−２ｂ（２．４５ｇ）、化合物Ｈ５−１ｂ（１．１６ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（５５ｍｇ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１．１５ｇ）及びトルエン（２５ｍＬ）を加え、５５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、イオン交換水を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液から水層を除去した後、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた濃縮物へ、トルエン及び活性炭を加え、４０℃で１時間攪拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）により精製し、更に、メタノールで洗浄した後、乾燥させることにより、化合物Ｈ５（０．８３ｇ）を得た。化合物Ｈ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ＝０．７５（ｔ，１２Ｈ），１．１７−１．５９（ｍ，１４０Ｈ），１．９５（ｓ，６Ｈ），２．４４（ｔ，８Ｈ），６．２０（ｄ，２Ｈ），６．７７−７．０１（ｍ，１０Ｈ），７．３９−７．９１（ｍ，８６Ｈ），８．１３（ｓ，１Ｈ）．
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ,ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３２９７[Ｍ]⁺

＜合成例Ｈ６＞ 化合物Ｈ６の合成
化合物Ｈ６は、国際公開第２０１３／１９１０８８号に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例ＥＴ１＞ 高分子化合物ＥＴ１の合成

（高分子化合物ＥＴ１ａの合成）
高分子化合物ＥＴ１ａは、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＥＴ１−１、および、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＥＴ１−２を用いて、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した。

高分子化合物ＥＴ１ａのＭｎは５．２×１０^４であった。

高分子化合物ＥＴ１ａは、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＥＴ１−１から誘導される構成単位と、化合物ＥＴ１−２から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。

（高分子化合物ＥＴ１の合成）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、高分子化合物ＥＴ１ａ（２００ｍｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）およびエタノール（２０ｍＬ）を加え、５５℃に加熱した。得られた混合物へ、水（２ｍＬ）に溶解させた水酸化セシウム（２００ｍｇ）を加え、５５℃で６時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を水で洗浄した後、減圧乾燥させるにより、高分子化合物ＥＴ１（１５０ｍｇ、薄黄色固体）を得た。高分子化合物ＥＴ１のＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物ＥＴ１ａのエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。

＜実施例Ｄ１＞
（発光素子Ｄ１の作製）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により５０ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
クロロベンゼンに、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロベンゼン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率は９．１８ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は１０．９６ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ２＞
（発光素子Ｄ２の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ２（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ２＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率は１１．６５ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は１７．１２ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ３＞
（発光素子Ｄ３の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ３（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ３＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２２．６５ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２５．２３ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ４＞
（発光素子Ｄ４の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ４（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ４＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２３．４９ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２２．８２ｃｄ／Ａであった。

＜比較例ＣＤ１＞
（発光素子ＣＤ１の作製）
実施例Ｄ１における、「クロロベンゼンに、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。」に代えて、「クロロベンゼンに、化合物ＨＣ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物ＨＣ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を０．９重量％の濃度で溶解させた。」とする以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。
なお、化合物ＨＣ１は、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ, Ｐａｒｔ Ａ： Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，５０巻，６９６−７１０頁，２０１２年に記載の方法に準じて合成した。

（評価）
発光素子ＣＤ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率は０．０２ｃｄ／Ａであった。１２Ｖまで電圧を印加したが、１０００ｃｄ／ｍ²には至らなかった。

＜比較例ＣＤ２＞
（発光素子ＣＤ２の作製）
実施例Ｄ１における、「クロロベンゼンに、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。」に代えて、「クロロベンゼンに、化合物ＨＣ２及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物ＨＣ２／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を２．５重量％の濃度で溶解させた。」とする以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。
なお、化合物ＨＣ２は、国際公開第２００８／１５０８２８号に記載の方法に準じて合成した。

（評価）
発光素子ＣＤ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００ｃｄ／ｍ²における発光効率は０．０７ｃｄ／Ａであった。１２Ｖまで電圧を印加したが、１０００ｃｄ／ｍ²には至らなかった。

＜比較例ＣＤ３＞
（発光素子ＣＤ３の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、下記式で表される化合物ＨＣ３及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物ＨＣ３／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。
なお、化合物ＨＣ３は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。

（評価）
発光素子ＣＤ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１２Ｖまで電圧を印加したが、１００ｃｄ／ｍ²には至らなかった。

＜実施例Ｄ５＞
（発光素子Ｄ５の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、化合物Ｈ２及び燐光発光性化合物Ｒ１（化合物Ｈ２／燐光発光性化合物Ｒ１＝９０重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０ｃｄ／ｍ²における発光効率は２．３２ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２．６２ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ６＞
（発光素子Ｄ６の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、化合物Ｈ３及び燐光発光性化合物Ｒ１（化合物Ｈ３／燐光発光性化合物Ｒ１＝９０重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０ｃｄ／ｍ²における発光効率は１．６０ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２．１４ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ７＞
（発光素子Ｄ７の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、化合物Ｈ２及び燐光発光性化合物Ｒ２（化合物Ｈ２／燐光発光性化合物Ｒ２＝９０重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０ｃｄ／ｍ²における発光効率は３．１４ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は３．５４ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ８＞
（発光素子Ｄ８の作製）
実施例Ｄ１における、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）に代えて、化合物Ｈ３及び燐光発光性化合物Ｒ２（化合物Ｈ３／燐光発光性化合物Ｒ２＝９０重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ８を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０ｃｄ／ｍ²における発光効率は１．８２ｃｄ／Ａであった。１０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２．３２ｃｄ／Ａであった。

＜比較例ＣＤ４＞
（発光素子ＣＤ４の作製）
実施例Ｄ１における、「クロロベンゼンに、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。」に代えて、「クロロベンゼンに、化合物ＨＣ１及び燐光発光性化合物Ｒ１（化合物ＨＣ１／燐光発光性化合物Ｒ１＝９０重量％／１０重量％）を１．５重量％の濃度で溶解させた。」とする以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。

（評価）
発光素子ＣＤ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１２Ｖまで電圧を印加したが、５０ｃｄ／ｍ²には至らなかった。

＜比較例ＣＤ５＞
（発光素子ＣＤ５の作製）
実施例Ｄ１における、「クロロベンゼンに、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。」に代えて、「クロロベンゼンに、化合物ＨＣ２及び燐光発光性化合物Ｒ１（化合物ＨＣ２／燐光発光性化合物Ｒ１＝９０重量％／１０重量％）を２．５重量％の濃度で溶解させた。」とする以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ５を作製した。

（評価）
発光素子ＣＤ５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１２Ｖまで電圧を印加したが、５０ｃｄ／ｍ²には至らなかった。

＜比較例ＣＤ６＞
（発光素子ＣＤ６の作製）
実施例Ｄ１における、「クロロベンゼンに、化合物Ｈ１及び燐光発光性化合物Ｇ１（化合物Ｈ１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０重量％／３０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。」に代えて、「クロロベンゼンに、化合物ＨＣ３及び燐光発光性化合物Ｒ１（化合物ＨＣ３／燐光発光性化合物Ｒ１＝９０重量％／１０重量％）を１．７重量％の濃度で溶解させた。」とする以外は実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ６を作製した。

（評価）
発光素子ＣＤ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０ｃｄ／ｍ²における発光効率は０．１６ｃｄ／Ａであった。１２Ｖまで電圧を印加したが、１０００ｃｄ／ｍ²には至らなかった。

＜実施例Ｄ９＞
（発光素子Ｄ９の作製）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、５０℃、３分間加熱し、更に２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
クロロベンゼンに、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）を１．１重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロベンゼン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１５０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ９を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ９に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は３．１４ｃｄ／Ａであった。５０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は３．１８ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ１０＞
（発光素子Ｄ１０の作製）
実施例Ｄ９における、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）に代えて、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ２（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ２＝８５重量％／５重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１０を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ１０に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は５．０８ｃｄ／Ａであった。５０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は４．６７ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ１１＞
（発光素子Ｄ１１の作製）
実施例Ｄ９における、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）に代えて、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ５及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ５／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１１を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ１１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は３．２２ｃｄ／Ａであった。５０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は３．１７ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ１２＞
（発光素子Ｄ１２の作製）
実施例Ｄ９における、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）に代えて、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ５及び燐光発光性化合物Ｒ２（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ５／燐光発光性化合物Ｒ２＝８５重量％／５重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１２を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ１２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は５．０７ｃｄ／Ａであった。５０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は４．６３ｃｄ／Ａであった。

＜比較例ＣＤ７＞
（発光素子ＣＤ７の作製）
実施例Ｄ９における、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）に代えて、高分子化合物ＨＰ−１、下記式で表される化合物ＨＣ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物ＨＣ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）を用いた以外は実施例Ｄ９と同様にして、発光素子ＣＤ７を作製した。
なお、化合物ＨＣ４は、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に準じて合成した。

（評価）
発光素子ＣＤ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は１．９１ｃｄ／Ａであった。１２Ｖまで電圧を印加したが、５０００ｃｄ／ｍ²には至らなかった。

＜実施例Ｄ１３＞
（発光素子Ｄ１３の作製）
実施例Ｄ９における、「クロロベンゼンに、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）を１．１重量％の濃度で溶解させた。」に代えて、「クロロベンゼンに、高分子化合物ＨＰ−２、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｇ１（高分子化合物ＨＰ−２／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｇ１＝６５重量％／５重量％／３０重量％）を１．６重量％の濃度で溶解させた。」とする以外は実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１３を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ１３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２７．７４ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ１４＞
（発光素子Ｄ１４の作製）
実施例Ｄ９における、「クロロベンゼンに、高分子化合物ＨＰ−１、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｒ１（高分子化合物ＨＰ−１／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｒ１＝８５重量％／５重量％／１０重量％）を１．１重量％の濃度で溶解させた。」に代えて、「クロロベンゼンに、高分子化合物ＨＰ−２、化合物Ｈ４及び燐光発光性化合物Ｇ２（高分子化合物ＨＰ−２／化合物Ｈ４／燐光発光性化合物Ｇ２＝６５重量％／５重量％／３０重量％）を１．６重量％の濃度で溶解させた。」とする以外は実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１４を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ１４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５００ｃｄ／ｍ²における発光効率は５９．０６ｃｄ／Ａであった。

＜実施例Ｄ１５＞
（発光素子Ｄ１５の作製）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱し、更に２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
キシレンに高分子化合物ＨＴＬ−２を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
クロロベンゼンに、下記式で表される化合物ＨＭ−１、化合物Ｈ６及び燐光発光性化合物Ｂ１（化合物ＨＭ−１／化合物Ｈ６／燐光発光性化合物Ｂ１＝７０重量％／５重量％／２５重量％）を１．６重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロベンゼン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。
なお、化合物ＨＭ−１は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。

２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴ１を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１５を作製した。

（評価）
発光素子Ｄ１５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。４００ｃｄ／ｍ²における発光効率は５．６７ｃｄ／Ａであった。５０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は５．９５ｃｄ／Ａであった。

＜比較例ＣＤ８＞
（発光素子ＣＤ８の作製）
実施例Ｄ１５における、化合物ＨＭ−１、化合物Ｈ６及び燐光発光性化合物Ｂ１（化合物ＨＭ−１／化合物Ｈ６／燐光発光性化合物Ｂ１＝７０重量％／５重量％／２５重量％）に代えて、化合物ＨＭ−１、化合物ＨＣ２及び燐光発光性化合物Ｂ１（化合物ＨＭ−１／化合物ＨＣ２／燐光発光性化合物Ｂ１＝７０重量％／５重量％／２５重量％）を用いた以外は実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子ＣＤ８を作製した。

（評価）
発光素子ＣＤ８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。４００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２．９６ｃｄ／Ａであった。５０００ｃｄ／ｍ²における発光効率は２．５８ｃｄ／Ａであった。

本発明によれば、発光効率に優れる発光素子の製造に有用な組成物を提供することができる。また、本発明によれば、この組成物を含有する発光素子を提供することができる。

Claims (16)

1. 式（１）で表される低分子化合物と、燐光発光性化合物とを含有する、組成物。
   

   

   ［式中、
   Ｒ¹及びＲ²は、それぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ｎ¹は、１以上１４以下の整数を表す。
   Ａｒ¹は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ¹が複数存在する場合、同一でも異なっていてもよい。但し、１つ以上存在するＡｒ¹のうち、少なくとも１つは式（１−Ａ）で表される基である。］
   

   

   ［式中、
   Ｒ^1A、Ｒ^2A、Ｒ^3A、Ｒ^4A、Ｒ^5A、Ｒ^6A、Ｒ^7A及びＲ^8Aは、それぞれ独立に、結合手、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、Ｒ^1A、Ｒ^2A、Ｒ^3A及びＲ^4Aのうち、１つは結合手であり、且つ、Ｒ^5A、Ｒ^6A、Ｒ^7A及びＲ^8Aのうち、１つは結合手である。
   Ｒ^1AとＲ^2A、Ｒ^2AとＲ^3A、Ｒ^3AとＲ^4A、Ｒ^4AとＲ^5A、Ｒ^5AとＲ^6A、Ｒ^6AとＲ^7A、及び、Ｒ^7AとＲ^8Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
   Ｒ^91Aは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^92Aは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
2. Ｒ^2A及びＲ^3Aのうち、１つが結合手であり、且つ、Ｒ^6A及びＲ^7Aのうち、１つが結合手である、請求項１記載の組成物。
3. Ｒ^91Aが、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基である、請求項１又は２記載の組成物。
4. Ｒ^92Aが、置換基を有していてもよいアリール基である、請求項１〜３のいずれか一項記載の組成物。
5. Ｒ¹及びＲ²が、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｃ）で表される基である、請求項１〜４のいずれか一項記載の組成物。
   

   

   ［式中、
   ｍ^DA1、ｍ^DA2及びｍ^DA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2及びＡｒ^DA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2及びＡｒ^DA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍ^DA1、ｍ^DA2、ｍ^DA3、ｍ^DA4、ｍ^DA5、ｍ^DA6及びｍ^DA7は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^DAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^DAは、同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6及びＡｒ^DA7は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1、Ａｒ^DA2、Ａｒ^DA3、Ａｒ^DA4、Ａｒ^DA5、Ａｒ^DA6及びＡｒ^DA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^DAは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   ［式中、
   ｍ^DA1は、０以上の整数を表す。
   Ａｒ^DA1は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^DA1が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^DAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
6. Ｒ^１及びＲ^２が、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、又は、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基である、請求項５に記載の組成物。
7. 式（Ｄ−Ａ）で表される基が、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基、又は、式（Ｄ−Ａ４）で表される基である、請求項５又は６記載の組成物。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^p1、Ｒ^p2、Ｒ^p3及びＲ^p5は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1、Ｒ^p2及びＲ^p5が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は、０〜３の整数を表し、ｎｐ３は、０又は１を表し、ｎｐ５は、０〜４の整数を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
8. 式（Ｄ−Ｂ）で表される基が、式（Ｄ−Ｂ１）で表される基、式（Ｄ−Ｂ２）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｂ３）で表される基である、請求項５又は６記載の組成物。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^p1、Ｒ^p2及びＲ^p3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p1及びＲ^p2が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は、０〜３の整数を表し、ｎｐ３は、０又は１を表す。複数存在するｎｐ１及びｎｐ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］
9. 式（Ｄ−Ｃ）で表される基が、式（Ｄ−Ｃ１）で表される基、式（Ｄ−Ｃ２）で表される基、式（Ｄ−Ｃ３）で表される基、又は、式（Ｄ−Ｃ４）で表される基である、請求項５記載の組成物。
   

   

   ［式中、
   Ｒ^p4及びＲ^p5は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^p4及びＲ^p5が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎｐ４は、０〜５の整数を表し、ｎｐ５は、０〜４の整数を表す。］
10. ｎ¹個のＡｒ¹の全てが、式（１−Ａ）で表される基である、請求項１〜９のいずれか一項記載の組成物。
11. ｎ^１が１〜７の整数である、請求項１〜１０のいずれか一項記載の組成物。
12. 燐光発光性化合物が、式（Ｍ）で表される金属錯体である、請求項１〜１１のいずれか一項記載の組成物。
    

    

    ［式中、
    Ｍ¹は、イリジウム原子又は白金原子を表す。
    ｎ^M1は１以上の整数を表し、ｎ^M2は０以上の整数を表し、ｎ^M1＋ｎ^M2は２又は３である。Ｍ¹がイリジウム原子の場合、ｎ^M1＋ｎ^M2は３であり、Ｍ¹が白金原子の場合、ｎ^M1＋ｎ^M2は２である。
    Ｅ¹及びＥ²は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ¹及びＥ²の少なくとも一方は炭素原子である。
    環Ｒ^M1は、芳香族複素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^M1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
    環Ｒ^M2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^M2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
    環Ｒ^M1が有していてもよい置換基と環Ｒ^M2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
    −Ａ^D1---Ａ^D2−は、アニオン性の２座配位子を表し、Ａ^D1及びＡ^D2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−Ａ^D1---Ａ^D2−が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
13. 式（Ｍ）で表される金属錯体が、式Ir-1で表される金属錯体、式Ir-2で表される金属錯体、式Ir-3で表される金属錯体、式Ir-4で表される金属錯体、又は、式Ir-5で表される金属錯体である、請求項１２記載の組成物。
    

    

    

    

    ［式中、
    Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7、Ｒ^D8、Ｒ^D11、Ｒ^D12、Ｒ^D13、Ｒ^D14、Ｒ^D15、Ｒ^D16、Ｒ^D17、Ｒ^D18、Ｒ^D19、Ｒ^D20、Ｒ^D21、Ｒ^D22、Ｒ^D23、Ｒ^D24、Ｒ^D25、Ｒ^D26、Ｒ^D31、Ｒ^D32、Ｒ^D33、Ｒ^D34、Ｒ^D35、Ｒ^D36及びＲ^D37は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^D1、Ｒ^D2、Ｒ^D3、Ｒ^D4、Ｒ^D5、Ｒ^D6、Ｒ^D7、Ｒ^D8、Ｒ^D11、Ｒ^D12、Ｒ^D13、Ｒ^D14、Ｒ^D15、Ｒ^D16、Ｒ^D17、Ｒ^D18、Ｒ^D19、Ｒ^D20、Ｒ^D21、Ｒ^D22、Ｒ^D23、Ｒ^D24、Ｒ^D25、Ｒ^D26、Ｒ^D31、Ｒ^D32、Ｒ^D33、Ｒ^D34、Ｒ^D35、Ｒ^D36及びＲ^D37が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
    −Ａ^D1---Ａ^D2−は、前記と同じ意味を表す。
    ｎ_D1は、１、２又は３を表し、ｎ_D2は、１又は２を表す。］
14. 正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料を更に含有する、請求項１〜１３のいずれか一項記載の組成物。
15. 溶媒を更に含有する、請求項１〜１４のいずれか一項記載の組成物。
16. 請求項１〜１４のいずれか一項記載の組成物を含有する発光素子。