JP6705526B2 - シールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
本発明は、ディスプレイパネルにおいて、帯電防止のために配設されるシールド層、このシールド層の製造方法、及び、このシールド層の製造方法に使用される酸化物スパッタリングターゲットに関するものである。
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及び、タッチパネル等のディスプレイパネルにおいては、液晶素子や有機ＥＬ素子等の帯電による誤動作を防止するために、シールド層を配設している。特に、インセル型のタッチパネルにおいては、上述のシールド層には、外部からのノイズは排除しながら、タッチ信号をパネル内部のセンサー部分に到達させる作用も求められる。
また、このシールド層においては、ディスプレイパネルの視認性を確保するために、可視光の透過性が高いことも求められる。
また、このシールド層においては、ディスプレイパネルの視認性を確保するために、可視光の透過性が高いことも求められる。
ここで、例えば、特許文献１においては、上述のシールド層として、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜が挙げられている。
この特許文献１においては、液晶素子の上に配置されたガラス基板の表面に、偏光フィルムが配設されており、この偏光フィルム上に、上述のシールド層が積層された構造とされている。
また、特許文献２においては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）に、７．２〜１１．２ａｔ％のケイ素（Ｓｉ）を含有させた透明導電膜が提案されている。
この特許文献１においては、液晶素子の上に配置されたガラス基板の表面に、偏光フィルムが配設されており、この偏光フィルム上に、上述のシールド層が積層された構造とされている。
また、特許文献２においては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）に、７．２〜１１．２ａｔ％のケイ素（Ｓｉ）を含有させた透明導電膜が提案されている。
ところで、特許文献１に記載されているように、シールド層としてＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜を用いた場合には、可視光での透過率が低いために、黄色味が掛かっているように見えてしまい、視認性が劣化するおそれがあった。
また、特許文献２に記載された透明導電膜においては、抵抗値が高く、かつ、光の透過性に優れてはいるが、耐環境性が不十分であり、使用環境下において、抵抗値や透過性が劣化してしまうおそれがあった。
また、特許文献２に記載された透明導電膜においては、抵抗値が高く、かつ、光の透過性に優れてはいるが、耐環境性が不十分であり、使用環境下において、抵抗値や透過性が劣化してしまうおそれがあった。
さらに、上述のシールド層においては、ディスプレイパネルの使用状況に応じて、高温高湿環境下で使用した場合においても、抵抗値及び透過率が変化しないように、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）が要求される。
ここで、上述のＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜は、結晶質となりやすいため、高温高湿環境下で使用した場合に、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しやすく、抵抗値及び透過率が変化してしまうおそれがあった。
ここで、上述のＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜は、結晶質となりやすいため、高温高湿環境下で使用した場合に、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しやすく、抵抗値及び透過率が変化してしまうおそれがあった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高く、さらに、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有するシールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明のシールド層は、ディスプレイパネルに配設されるシールド層であって、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなり、シート抵抗が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内であり、厚さが７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴としている。
本発明のシールド層によれば、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物で構成されているので、可視光の透過率に優れ、かつ、十分な高い抵抗値を有することになる。
さらに、本発明のシールド層は、非晶質となりやすいため、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しにくく、高温高湿環境下で使用した場合においても、抵抗値及び透過率が大きく変化せず、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有している。
また、本発明のシールド層は、水及びアルコールに対する耐性を有していることから、水及びアルコール等で清浄した場合であっても、透過率や抵抗値が大きく変化することがない。
さらに、シート抵抗が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とされているので、静電気やノイズを有効に除去して、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を的確に検知させることが可能となる。
なお、シート抵抗（単位：Ω／□）の数値については、ＪＩＳ Ｘ ０２１０−１９８６に基づき、数値Ａ×１０Ｂを、ＡＥ＋Ｂ（Ｂが正数の場合）の形式として表した。
また、シールド層の厚さが７ｎｍ以上とされているので、耐久性を十分に向上させることができる。一方、シールド層の厚さが２５ｎｍ以下とされているので、透過率及び抵抗値を十分に確保することができる。
さらに、本発明のシールド層は、非晶質となりやすいため、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しにくく、高温高湿環境下で使用した場合においても、抵抗値及び透過率が大きく変化せず、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有している。
また、本発明のシールド層は、水及びアルコールに対する耐性を有していることから、水及びアルコール等で清浄した場合であっても、透過率や抵抗値が大きく変化することがない。
さらに、シート抵抗が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とされているので、静電気やノイズを有効に除去して、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を的確に検知させることが可能となる。
なお、シート抵抗（単位：Ω／□）の数値については、ＪＩＳ Ｘ ０２１０−１９８６に基づき、数値Ａ×１０Ｂを、ＡＥ＋Ｂ（Ｂが正数の場合）の形式として表した。
また、シールド層の厚さが７ｎｍ以上とされているので、耐久性を十分に向上させることができる。一方、シールド層の厚さが２５ｎｍ以下とされているので、透過率及び抵抗値を十分に確保することができる。
ここで、本発明のシールド層においては、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
この場合、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量が１原子％以上とされているので、シールド層の耐久性がさらに向上する。また、硬度が高くなり、ひっかき傷等に対して強くなる。
一方、Ｚｒの含有量が３２原子％以下に制限されているので、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制することが可能となり、可視光の透過率が低下することを抑制できる。
この場合、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量が１原子％以上とされているので、シールド層の耐久性がさらに向上する。また、硬度が高くなり、ひっかき傷等に対して強くなる。
一方、Ｚｒの含有量が３２原子％以下に制限されているので、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制することが可能となり、可視光の透過率が低下することを抑制できる。
さらに、本発明のシールド層においては、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上であることが好ましい。
この場合、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされているので、可視光の透過率に優れている。このため、視認性に優れたディスプレイパネルを構成することが可能となる。
この場合、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされているので、可視光の透過率に優れている。このため、視認性に優れたディスプレイパネルを構成することが可能となる。
本発明のシールド層の製造方法は、上述のシールド層を製造するシールド層の製造方法であって、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行う構成とされており、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下とし、前記シールド層のシート抵抗を１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることを特徴としている。
この構成のシールド層の製造方法によれば、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行っているので、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高いシールド層を成膜することができる。
また、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下としているので、成膜されたシールド層の抵抗値が高くなりすぎることを抑制できる。
さらに、前記シールド層のシート抵抗を１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることにより、静電気やノイズを有効に除去して、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を的確に検知させることが可能なシールド層を製造することが可能となる。
また、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下としているので、成膜されたシールド層の抵抗値が高くなりすぎることを抑制できる。
さらに、前記シールド層のシート抵抗を１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることにより、静電気やノイズを有効に除去して、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を的確に検知させることが可能なシールド層を製造することが可能となる。
ここで、本発明のシールド層の製造方法においては、前記酸化物スパッタリングターゲットが、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
この場合、前記酸化物スパッタリングターゲットが、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいるので、可視光の透過率を確保したまま、硬度が硬く、耐久性に優れたシールド層を成膜することが可能となる。
この場合、前記酸化物スパッタリングターゲットが、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいるので、可視光の透過率を確保したまま、硬度が硬く、耐久性に優れたシールド層を成膜することが可能となる。
本発明の酸化物スパッタリングターゲットは、上述のシールド層の製造方法において使用されることを特徴とする。
この構成の酸化物スパッタリングターゲットによれば、スパッタ装置内に酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下として酸素を導入してスパッタ成膜することにより、上述のシールド層を成膜することができる。
この構成の酸化物スパッタリングターゲットによれば、スパッタ装置内に酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下として酸素を導入してスパッタ成膜することにより、上述のシールド層を成膜することができる。
本発明によれば、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高く、さらに、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有するシールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲットを提供することができる。
以下に、本発明の一実施形態であるシールド層、及び、シールド層の製造方法について、添付した図面を参照して説明する。
本実施形態であるシールド層は、液晶ディスプレイパネル、有機ＥＬディスプレイパネル、及び、タッチパネル等のディスプレイパネルにおいて、帯電防止のために配設されるものである。本実施形態においては、液晶ディスプレイパネルに配設されたものとして説明する。
本実施形態であるシールド層は、液晶ディスプレイパネル、有機ＥＬディスプレイパネル、及び、タッチパネル等のディスプレイパネルにおいて、帯電防止のために配設されるものである。本実施形態においては、液晶ディスプレイパネルに配設されたものとして説明する。
まず、本実施形態であるシールド層２０を備えた液晶ディスプレイパネル１０を、図１を用いて説明する。
この液晶ディスプレイパネル１０は、図１に示すように、第１ガラス基板１１と、第２ガラス基板１２と、これら第１ガラス基板１１と第２ガラス基板１２との間に配設された液晶層１３と、を備えている。なお、本実施形態においては、これら第１ガラス基板１１及び第２ガラス基板１２は、無アルカリガラスとされており、Ｎａを含まないものとされている。
なお、第１ガラス基板１１及び第２ガラス基板１２を無アルカリガラスで構成することにより、アルカリ成分が液晶層やＴＦＴに混入することを抑制でき、ディスプレイ性能の劣化を回避することができる。
この液晶ディスプレイパネル１０は、図１に示すように、第１ガラス基板１１と、第２ガラス基板１２と、これら第１ガラス基板１１と第２ガラス基板１２との間に配設された液晶層１３と、を備えている。なお、本実施形態においては、これら第１ガラス基板１１及び第２ガラス基板１２は、無アルカリガラスとされており、Ｎａを含まないものとされている。
なお、第１ガラス基板１１及び第２ガラス基板１２を無アルカリガラスで構成することにより、アルカリ成分が液晶層やＴＦＴに混入することを抑制でき、ディスプレイ性能の劣化を回避することができる。
そして、第２ガラス基板１２の上に、本実施形態であるシールド層２０が配設されている。
このシールド層２０の上に、偏光フィルム１５が配設され、この偏光フィルム１５の上に保護膜１６が形成されている。
このシールド層２０の上に、偏光フィルム１５が配設され、この偏光フィルム１５の上に保護膜１６が形成されている。
このとき、シールド層２０を形成した後、次の工程に進むまでの間に何らかの原因でシールド層２０表面が汚染された場合、シールド層２０の表面を、水やアルコール等で洗浄することがある。このため、上述のシールド層２０には、水やアルコールに対する耐性も必要となる。
ここで、本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる。
なお、本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分の合計を１００原子％として、上述のＩｎに加えて、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
なお、本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分の合計を１００原子％として、上述のＩｎに加えて、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
また、本実施形態であるシールド層２０においては、その厚さｔが７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とされている。
さらに、本実施形態であるシールド層２０においては、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている。
また、本実施形態であるシールド層２０においては、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上 ５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とされている。
さらに、本実施形態であるシールド層２０においては、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている。
また、本実施形態であるシールド層２０においては、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上 ５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とされている。
ここで、シールド層２０の組成、厚さ、特性等を、上述のように規定した理由について説明する。
（Ｉｎ）
ＩｎとＳｉの酸化物からなるシールド層２０において、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量が６０原子％未満の場合には、シールド層２０として必要な導電性を確保できないおそれがある。一方、Ｉｎの含有量が８０原子％を超える場合には、短波長の透過率が低下し、視認性が低下してしまうおそれがある。
以上のことから、本実施形態においては、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量を６０原子％以上８０原子％以下の範囲内としている。
ＩｎとＳｉの酸化物からなるシールド層２０において、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量が６０原子％未満の場合には、シールド層２０として必要な導電性を確保できないおそれがある。一方、Ｉｎの含有量が８０原子％を超える場合には、短波長の透過率が低下し、視認性が低下してしまうおそれがある。
以上のことから、本実施形態においては、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量を６０原子％以上８０原子％以下の範囲内としている。
なお、シールド層２０の導電性をさらに確保するためには、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量の下限を６２原子％以上とすることが好ましく、６４原子％以上とすることがさらに好ましい。
一方、可視光の透過率が低下することを確実に抑制するためには、Ｉｎの含有量の上限を７８原子％以下とすることが好ましい。
一方、可視光の透過率が低下することを確実に抑制するためには、Ｉｎの含有量の上限を７８原子％以下とすることが好ましい。
（Ｚｒ）
本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分として、Ｉｎ、Ｓｉ以外にＺｒを含有していてもよい。
ここで、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量を１原子％以上とすることにより、シールド層２０の耐久性を向上させることができるとともに、硬度が硬くなり、ひっかき傷に強くなる。一方、Ｚｒの含有量を３２原子％以下とすることにより、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制できるので、可視光の透過率が低下することを抑制できる。
以上のことから、本実施形態においてＺｒを含有する場合には、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量を１原子％以上３２原子％以下の範囲内とすることが好ましい。なお、Ｚｒを不可避不純物金属元素として含む場合には、その含有量は１原子％未満であってもよい。
本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分として、Ｉｎ、Ｓｉ以外にＺｒを含有していてもよい。
ここで、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量を１原子％以上とすることにより、シールド層２０の耐久性を向上させることができるとともに、硬度が硬くなり、ひっかき傷に強くなる。一方、Ｚｒの含有量を３２原子％以下とすることにより、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制できるので、可視光の透過率が低下することを抑制できる。
以上のことから、本実施形態においてＺｒを含有する場合には、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量を１原子％以上３２原子％以下の範囲内とすることが好ましい。なお、Ｚｒを不可避不純物金属元素として含む場合には、その含有量は１原子％未満であってもよい。
なお、シールド層２０の耐久性をさらに向上させるためには、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量の下限を２原子％以上とすることが好ましく、３原子％以上とすることがさらに好ましい。
一方、屈折率が増大することを抑制して透過率が低下することをさらに抑制するためには、Ｚｒの含有量の上限を２８原子％以下とすることが好ましく、２５原子％以下都することがさらに好ましい。
一方、屈折率が増大することを抑制して透過率が低下することをさらに抑制するためには、Ｚｒの含有量の上限を２８原子％以下とすることが好ましく、２５原子％以下都することがさらに好ましい。
（厚さ）
本実施形態であるシールド層２０において、その厚さｔが７ｎｍ以上である場合には、シールド層２０の耐久性を十分に確保することができる。一方、シールド層２０の厚さｔが２５ｎｍ以下である場合には、可視光の透過性及び抵抗値を十分に確保することが可能となる。
以上のことから、本実施形態においては、上述のシールド層２０の厚さｔを、７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
本実施形態であるシールド層２０において、その厚さｔが７ｎｍ以上である場合には、シールド層２０の耐久性を十分に確保することができる。一方、シールド層２０の厚さｔが２５ｎｍ以下である場合には、可視光の透過性及び抵抗値を十分に確保することが可能となる。
以上のことから、本実施形態においては、上述のシールド層２０の厚さｔを、７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、シールド層２０の耐久性をさらに向上させるためには、シールド層２０の厚さｔの下限を８ｎｍ以上とすることが好ましく、１０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。
一方、可視光の透過性及び抵抗値をさらに確保するためには、シールド層２０の厚さｔの上限を２０ｎｍ以下とすることが好ましく、１８ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
一方、可視光の透過性及び抵抗値をさらに確保するためには、シールド層２０の厚さｔの上限を２０ｎｍ以下とすることが好ましく、１８ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
（透過率）
本実施形態であるシールド層２０において、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている場合には、十分な透過率を確保することができ、視認性に優れた液晶ディスプレイパネル１０を構成することが可能となる。
以上のことから、本実施形態のシールド層２０においては、波長５５０ｎｍにおける透過率を９５％以上とすることが好ましい。
なお、さらに視認性に優れた液晶ディスプレイパネル１０を構成するためには、本実施形態であるシールド層２０の波長５５０ｎｍにおける透過率は９７％以上であることが好ましく、９８％以上であることがさらに好ましい。
本実施形態であるシールド層２０において、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている場合には、十分な透過率を確保することができ、視認性に優れた液晶ディスプレイパネル１０を構成することが可能となる。
以上のことから、本実施形態のシールド層２０においては、波長５５０ｎｍにおける透過率を９５％以上とすることが好ましい。
なお、さらに視認性に優れた液晶ディスプレイパネル１０を構成するためには、本実施形態であるシールド層２０の波長５５０ｎｍにおける透過率は９７％以上であることが好ましく、９８％以上であることがさらに好ましい。
（抵抗値）
本実施形態であるシールド層２０において、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下である場合には、静電気やノイズを有効に除去でき、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を検知することを妨げない。
以上のことから、本実施形態においては、上述のシールド層２０の抵抗値を、１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、より確実に静電気やノイズを除去し、タッチ信号をパネル内部のセンサー部分に到達させるためには、シールド層２０における抵抗値の下限を３Ｅ＋７Ω／□以上とすることが好ましく、５Ｅ＋７Ω／□以上とすることがさらに好ましい。また、抵抗値の上限を９Ｅ＋９Ω／□以下とすることが好ましく、５Ｅ＋９Ω／□以下とすることがさらに好ましい。
本実施形態であるシールド層２０において、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下である場合には、静電気やノイズを有効に除去でき、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を検知することを妨げない。
以上のことから、本実施形態においては、上述のシールド層２０の抵抗値を、１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、より確実に静電気やノイズを除去し、タッチ信号をパネル内部のセンサー部分に到達させるためには、シールド層２０における抵抗値の下限を３Ｅ＋７Ω／□以上とすることが好ましく、５Ｅ＋７Ω／□以上とすることがさらに好ましい。また、抵抗値の上限を９Ｅ＋９Ω／□以下とすることが好ましく、５Ｅ＋９Ω／□以下とすることがさらに好ましい。
次に、上述した本実施形態であるシールド層２０を製造するシールド層の製造方法について説明する。
本実施形態のシールド層の製造方法においては、上述のシールド層２０に対応する組成の酸化物スパッタリングターゲットを用いる。
本実施形態のシールド層の製造方法においては、上述のシールド層２０に対応する組成の酸化物スパッタリングターゲットを用いる。
この酸化物スパッタリングターゲットは、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物の焼結体からなる。なお、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。なお、Ｚｒを不可避不純物金属元素として含む場合には、その含有量は１原子％未満であってもよい。
ここで、この酸化物スパッタリングターゲットは、以下のようにして製造される。
ここで、この酸化物スパッタリングターゲットは、以下のようにして製造される。
まず、原料粉末として、Ｉｎ２Ｏ３粉末と、ＳｉＯ２粉末と、必要に応じてＺｒＯ２粉末を準備する。
Ｉｎ２Ｏ３粉末は、純度が９９．９質量％以上、平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
ＳｉＯ２粉末は、純度が９９．８質量％以上、平均粒径が０．２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
ＺｒＯ２粉末は、純度が９９．９質量％以上、平均粒径が０．２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。なお、本実施形態においては、ＺｒＯ２粉末の純度は、Ｆｅ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｎａ２Ｏの含有量を測定し、残部がＺｒＯ２であるとして算出されたものである。本実施形態のＺｒＯ２粉末においては、ＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがある。
Ｉｎ２Ｏ３粉末は、純度が９９．９質量％以上、平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
ＳｉＯ２粉末は、純度が９９．８質量％以上、平均粒径が０．２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
ＺｒＯ２粉末は、純度が９９．９質量％以上、平均粒径が０．２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。なお、本実施形態においては、ＺｒＯ２粉末の純度は、Ｆｅ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｎａ２Ｏの含有量を測定し、残部がＺｒＯ２であるとして算出されたものである。本実施形態のＺｒＯ２粉末においては、ＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがある。
これらの酸化物粉末を、所定の組成比となるように秤量し、粉砕混合装置を用いて混合し、混合原料粉末を準備する。ここで、混合原料粉末は、比表面積（ＢＥＴ比表面積）を１１．５ｍ２／ｇ以上１３．５ｍ２／ｇ以下の範囲内とすることが好ましい。
得られた混合原料粉末を、成形型に充填して加圧することによって、所定形状の成形体を得る。
得られた混合原料粉末を、成形型に充填して加圧することによって、所定形状の成形体を得る。
この成形体を電気炉内に装入し、加熱して焼結する。このとき、保持温度を１３００℃以上１６００℃以下の範囲内、保持時間を２時間以上１０時間以下の範囲内とすることが好ましい。また、電気炉内には、酸素を導入することが好ましい。
そして、電気炉内で６００℃まで、２００℃／時間以下の冷却速度で冷却し、その後、室温まで炉冷し、焼結体を電気炉内から取り出す。
得られた焼結体に対して機械加工を行い、所定サイズの酸化物スパッタリングターゲットが製造される。
そして、電気炉内で６００℃まで、２００℃／時間以下の冷却速度で冷却し、その後、室温まで炉冷し、焼結体を電気炉内から取り出す。
得られた焼結体に対して機械加工を行い、所定サイズの酸化物スパッタリングターゲットが製造される。
次に、この酸化物スパッタリングターゲットを用いて、第２ガラス基板１２の表面に、シールド層２０を成膜する。
上述の酸化物スパッタリングターゲットをバッキング材に接合してスパッタ装置内に装着し、スパッタ装置内部を真空雰囲気とした後、Ａｒガスと酸素ガスとを導入してスパッタガス圧を調整し、スパッタ成膜を実施する。
このとき、スパッタ装置内に導入する酸素量については、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下とすることが好ましく、０．０２以下とすることがさらに好ましい。なお、酸素／アルゴンの流量比の下限については、特に制限はないが、０．００２以上とすることが好ましい。この範囲で酸素を導入することで、より好ましい抵抗値を有するシールド層を成膜することが可能となる。
上述の酸化物スパッタリングターゲットをバッキング材に接合してスパッタ装置内に装着し、スパッタ装置内部を真空雰囲気とした後、Ａｒガスと酸素ガスとを導入してスパッタガス圧を調整し、スパッタ成膜を実施する。
このとき、スパッタ装置内に導入する酸素量については、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下とすることが好ましく、０．０２以下とすることがさらに好ましい。なお、酸素／アルゴンの流量比の下限については、特に制限はないが、０．００２以上とすることが好ましい。この範囲で酸素を導入することで、より好ましい抵抗値を有するシールド層を成膜することが可能となる。
以上のような構成とされた本実施形態であるシールド層２０によれば、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物で構成されているので、可視光の透過率に優れ、かつ、十分な高い抵抗値を有しており、液晶ディスプレイパネル１０におけるシールド層２０として十分に機能することになる。
また、本実施形態であるシールド層２０は、非晶質となりやすいため、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しにくく、高温高湿環境下で使用した場合においても、抵抗値及び透過率が大きく変化せず、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有している。
また、水及びアルコールと接触した場合であっても、透過率や抵抗値が大きく変化しないため、シールド層２０を形成した後、次の工程に進むまでの間に何らかの原因でシールド層２０表面が汚染されたシールド層２０を水及びアルコールで洗浄しても、シールド層２０が劣化することがない。
また、水及びアルコールと接触した場合であっても、透過率や抵抗値が大きく変化しないため、シールド層２０を形成した後、次の工程に進むまでの間に何らかの原因でシールド層２０表面が汚染されたシールド層２０を水及びアルコールで洗浄しても、シールド層２０が劣化することがない。
また、本実施形態であるシールド層２０において、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいる場合には、シールド層２０の耐久性をさらに向上させることが可能となる。また、シールド層２０の硬度が高くなり、ひっかき傷等に対して強くなる。また、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制できるので、可視光の透過率が低下することを抑制できる。
なお、上述のように、本実施形態においては、ＺｒＯ２粉末がＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがあるため、シールド層２０においてもＨｆを、Ｚｒに対して金属成分の原子比で最大１．７％含有することがある。
なお、上述のように、本実施形態においては、ＺｒＯ２粉末がＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがあるため、シールド層２０においてもＨｆを、Ｚｒに対して金属成分の原子比で最大１．７％含有することがある。
また、本実施形態において、シールド層２０の厚さが７ｎｍ以上とされている場合には、シールド層２０の耐久性を十分に向上させることができる。
一方、シールド層２０の厚さが２５ｎｍ以下とされている場合には、シールド層２０の可視光の透過率及び抵抗値を十分に確保することができる。よって、液晶ディスプレイパネル１０におけるシールド層２０として特に適している。
一方、シールド層２０の厚さが２５ｎｍ以下とされている場合には、シールド層２０の可視光の透過率及び抵抗値を十分に確保することができる。よって、液晶ディスプレイパネル１０におけるシールド層２０として特に適している。
さらに、本実施形態であるシールド層２０において、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている場合には、可視光の透過率に優れており、液晶ディスプレイパネル１０の視認性を確保することができる。
また、本実施形態であるシールド層２０において、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下とされている場合には、静電気やノイズを有効に除去でき、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を検知することを妨げない。
本実施形態であるシールド層２０の製造方法によれば、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含む酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行っているので、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高いシールド層２０を安定して成膜することができる。
また、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下としているので、成膜されたシールド層２０の抵抗値が高くなりすぎることを抑制できる。
また、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下としているので、成膜されたシールド層２０の抵抗値が高くなりすぎることを抑制できる。
また、本実施形態であるシールド層２０の製造方法において、前記酸化物スパッタリングターゲットが、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含む場合には、可視光の透過率を確保したまま、硬度が硬く、耐久性に優れたシールド層２０を成膜することが可能となる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、図１に示す液晶ディスプレイパネル１０に設けられたシールド層２０を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の構造の液晶ディスプレイパネルに設けられたものであってもよいし、有機ＥＬディスプレイ、及び、タッチパネル等の他のディスプレイパネルに設けられたものであってもよい。
例えば、本実施形態では、図１に示す液晶ディスプレイパネル１０に設けられたシールド層２０を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の構造の液晶ディスプレイパネルに設けられたものであってもよいし、有機ＥＬディスプレイ、及び、タッチパネル等の他のディスプレイパネルに設けられたものであってもよい。
また、本実施形態においては、上述のように製造された酸化物スパッタリングターゲットを用いて成膜するものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の製造方法で製造されたスパッタリングターゲットを用いて成膜してもよい。
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。
＜酸化物スパッタリングターゲット＞
原料粉末として、酸化インジウム粉末（Ｉｎ２Ｏ３粉末：純度９９．９質量％以上、平均粒径１μｍ）と、酸化シリコン粉末（ＳｉＯ２粉末：純度９９．８質量％以上、平均粒径２μｍ）と、必要に応じて、酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ２粉末：純度９９．９質量％以上、平均粒径２μｍ）と、を準備した。そして、これらを、表１に示す配合比となるように、秤量した。
なお、酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ２粉末）の純度は、Ｆｅ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｎａ２Ｏの含有量を測定し、残部がＺｒＯ２であるとして算出されたものであり、ＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがある。
原料粉末として、酸化インジウム粉末（Ｉｎ２Ｏ３粉末：純度９９．９質量％以上、平均粒径１μｍ）と、酸化シリコン粉末（ＳｉＯ２粉末：純度９９．８質量％以上、平均粒径２μｍ）と、必要に応じて、酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ２粉末：純度９９．９質量％以上、平均粒径２μｍ）と、を準備した。そして、これらを、表１に示す配合比となるように、秤量した。
なお、酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ２粉末）の純度は、Ｆｅ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｎａ２Ｏの含有量を測定し、残部がＺｒＯ２であるとして算出されたものであり、ＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがある。
秤量した各原料粉末を、粉砕媒体である直径０．５ｍｍのジルコニアボール及び溶媒（日本アルコール販売株式会社製ソルミックスＡ−１１）とともに、ビーズミル装置に投入し、粉砕・混合した。なお、粉砕・混合時間は１時間とした。
粉砕・混合の後、ジルコニアボールを分離回収し、原料粉末と溶媒を含むスラリーを得た。得られたスラリーを加熱し、溶媒を除去して混合粉末を得た。
次に、得られた混合粉末を、内径２００ｍｍの金型に充填し、１５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレスすることにより、直径２００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板形状の成形体を作製した。
粉砕・混合の後、ジルコニアボールを分離回収し、原料粉末と溶媒を含むスラリーを得た。得られたスラリーを加熱し、溶媒を除去して混合粉末を得た。
次に、得られた混合粉末を、内径２００ｍｍの金型に充填し、１５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレスすることにより、直径２００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板形状の成形体を作製した。
得られた成形体を、電気炉（炉内容積２７０００ｃｍ３）に装入し、毎分４Ｌの流量で酸素ガスを導入しながら、焼成温度１４００℃で７時間保持することによって焼成し、焼結体を製造した。
焼成後、継続して酸素ガスを導入しながら電気炉内で６００℃まで、１３０℃／時間の冷却速度で冷却した。その後、酸素ガスの導入を中止し、室温にまで炉内で冷却し、焼結体を電気炉から取り出した。
得られた焼結体に対して機械加工を行い、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板形状の酸化物スパッタリングターゲットを製造した。
焼成後、継続して酸素ガスを導入しながら電気炉内で６００℃まで、１３０℃／時間の冷却速度で冷却した。その後、酸素ガスの導入を中止し、室温にまで炉内で冷却し、焼結体を電気炉から取り出した。
得られた焼結体に対して機械加工を行い、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板形状の酸化物スパッタリングターゲットを製造した。
＜シールド層（酸化物膜）の成膜＞
酸化物スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これをマグネトロン式のスパッタ装置（株式会社昭和真空ＳＰＨ−２３０７）内に装着した。
次いで、真空排気装置にてスパッタ装置内を７×１０−４Ｐａ以下にまで排気した後、表１の「スパッタ時の酸素量」の欄に記載した酸素／アルゴンの流量比となるように、Ａｒガスと酸素ガスを導入して、スパッタガス圧を０．６７Ｐａに調整し、１時間のプレスパッタを実施して、ターゲット表面の加工層を除去した。このときの酸素ガスとの流量は表１に記載した条件とし、電力はＤＣ６１５Ｗとした。なお、酸素／アルゴンの流量比は、酸素流量（ｓｃｃｍ）とアルゴン流量（ｓｃｃｍ）の比とした。
酸化物スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これをマグネトロン式のスパッタ装置（株式会社昭和真空ＳＰＨ−２３０７）内に装着した。
次いで、真空排気装置にてスパッタ装置内を７×１０−４Ｐａ以下にまで排気した後、表１の「スパッタ時の酸素量」の欄に記載した酸素／アルゴンの流量比となるように、Ａｒガスと酸素ガスを導入して、スパッタガス圧を０．６７Ｐａに調整し、１時間のプレスパッタを実施して、ターゲット表面の加工層を除去した。このときの酸素ガスとの流量は表１に記載した条件とし、電力はＤＣ６１５Ｗとした。なお、酸素／アルゴンの流量比は、酸素流量（ｓｃｃｍ）とアルゴン流量（ｓｃｃｍ）の比とした。
この後、真空排気装置にて、スパッタ装置内を７×１０−４Ｐａ以下にまで排気した後、上記のプレスパッタと同一条件でスパッタ成膜を行い、５０ｍｍ角の無アルカリガラス基板上に、表１に記載の厚さのシールド層（酸化物膜）を成膜した。このときの基板とターゲットの距離を６０ｍｍとした。
そして、得られたシールド層（酸化物膜）の組成、透過率、抵抗値、屈折率、硬度、恒温恒湿試験後の透過率及び抵抗値を、以下のようにして評価した。また、酸化物膜の結晶性について確認した。
（酸化物膜の組成）
上述の酸化物膜を酸で溶解して得られた溶液を、アジレントテクノロジー株式会社製誘導プラズマ発光分光（ＩＣＰ−ＯＥＳ）装置（Ａｇｉｌｅｎｔ５１００）により分析し、各酸化物膜のＩｎ濃度、Ｚｒ濃度及びＳｉ濃度を測定した。金属成分の合計を１００原子％とした膜の組成を表１に示す。
上述の酸化物膜を酸で溶解して得られた溶液を、アジレントテクノロジー株式会社製誘導プラズマ発光分光（ＩＣＰ−ＯＥＳ）装置（Ａｇｉｌｅｎｔ５１００）により分析し、各酸化物膜のＩｎ濃度、Ｚｒ濃度及びＳｉ濃度を測定した。金属成分の合計を１００原子％とした膜の組成を表１に示す。
（透過率）
分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５５０）を用いて、可視光の代表波長の透過率として波長５５０ｎｍの光の透過率を測定した。
分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５５０）を用いて、可視光の代表波長の透過率として波長５５０ｎｍの光の透過率を測定した。
（短波長の透過率）
分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５５０）を用いて、可視光の短波長域の透過率として波長３５０ｎｍの光の透過率を測定し、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値＝３５０ｎｍの透過率／５５０ｎｍの透過率を算出した。
波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値が０．８５以上の場合を「○」、０．８５未満の場合を「×」とした。
分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５５０）を用いて、可視光の短波長域の透過率として波長３５０ｎｍの光の透過率を測定し、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値＝３５０ｎｍの透過率／５５０ｎｍの透過率を算出した。
波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値が０．８５以上の場合を「○」、０．８５未満の場合を「×」とした。
（抵抗値）
低電圧印加／漏洩電流測定方式によって測定した。測定装置は、三菱ケミカルアナリテック株式会社製ハイレスタを用いた。
低電圧印加／漏洩電流測定方式によって測定した。測定装置は、三菱ケミカルアナリテック株式会社製ハイレスタを用いた。
（屈折率）
酸化物膜の屈折率を、分光エリプソメーターを用いて、入射角度７５°、測定波長５５０ｎｍで測定した。
酸化物膜の屈折率を、分光エリプソメーターを用いて、入射角度７５°、測定波長５５０ｎｍで測定した。
（硬さ）
上述したスパッタ条件にて、ガラス基板（コーニング社製ＥＡＧＬＥ−ＸＧ）に、膜厚５００ｎｍとして酸化物膜を成膜した。この酸化物膜に対して、押し込み荷重を２５ｍｇｆとし、超微小押し込み硬さ試験機（エリオニクス株式会社製ＥＮＴ−１１００ａ）を用いて測定した。なお、成膜したガラス基板は、２７℃の装置内にセットして１時間経過した後に、硬さ測定を行った。また、硬さは、１０点測定の平均値を表２に記載した。
上述したスパッタ条件にて、ガラス基板（コーニング社製ＥＡＧＬＥ−ＸＧ）に、膜厚５００ｎｍとして酸化物膜を成膜した。この酸化物膜に対して、押し込み荷重を２５ｍｇｆとし、超微小押し込み硬さ試験機（エリオニクス株式会社製ＥＮＴ−１１００ａ）を用いて測定した。なお、成膜したガラス基板は、２７℃の装置内にセットして１時間経過した後に、硬さ測定を行った。また、硬さは、１０点測定の平均値を表２に記載した。
（恒温恒湿試験）
温度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿条件下で２４０時間保持する恒温恒湿試験１と、温度８５℃、相対湿度８５％の恒温恒湿条件下で２４０時間保持する恒温恒湿試験２を実施した。恒温恒湿試験１後及び恒温恒湿試験２後に、上述のようにして、波長５５０ｎｍの透過率、抵抗値を測定した。
温度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿条件下で２４０時間保持する恒温恒湿試験１と、温度８５℃、相対湿度８５％の恒温恒湿条件下で２４０時間保持する恒温恒湿試験２を実施した。恒温恒湿試験１後及び恒温恒湿試験２後に、上述のようにして、波長５５０ｎｍの透過率、抵抗値を測定した。
（膜の結晶性）
本発明例１１と従来例１の条件で３０ｎｍの膜厚に形成した酸化物膜について、ＸＲＤ分析を行い、酸化物膜の結晶性について確認した。その結果、従来例１においては、酸化物膜が結晶質であることが確認された。これに対して、本発明例１１においては、酸化物膜が非晶質であった。
本発明例１１と従来例１の条件で３０ｎｍの膜厚に形成した酸化物膜について、ＸＲＤ分析を行い、酸化物膜の結晶性について確認した。その結果、従来例１においては、酸化物膜が結晶質であることが確認された。これに対して、本発明例１１においては、酸化物膜が非晶質であった。
シールド層としてＩＴＯ膜を成膜した従来例１においては、初期の波長５５０ｎｍの透過率、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値、及び抵抗値が不十分であった。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層としてＩＺＯ膜を成膜した従来例２においては、初期の波長５５０ｎｍの透過率、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値、及び抵抗値が不十分であった。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層としてＩＴＯ−Ｓｉ膜を成膜した従来例３においては、恒温恒湿試験２の後に、透過率及び抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層としてＩＺＯ膜を成膜した従来例２においては、初期の波長５５０ｎｍの透過率、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値、及び抵抗値が不十分であった。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層としてＩＴＯ−Ｓｉ膜を成膜した従来例３においては、恒温恒湿試験２の後に、透過率及び抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層（酸化物膜）のＩｎ含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例１においては、抵抗値が高くなり過ぎて、シールド層として必要な導電性を確保することができなかった。
シールド層（酸化物膜）のＩｎ含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２においては、短波長の透過率が低下した。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、透過率の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層（酸化物膜）のＺｒ含有量が本発明の範囲よりも多い比較例３においては、屈折率が大きくなった。
シールド層（酸化物膜）のＩｎ含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２においては、短波長の透過率が低下した。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、透過率の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層（酸化物膜）のＺｒ含有量が本発明の範囲よりも多い比較例３においては、屈折率が大きくなった。
これに対して、Ｉｎ、Ｚｒの含有量が本発明の範囲内とされたシールド層（酸化物膜）においては、透過率が十分に高く、かつ、抵抗値が適正な範囲内とされており、シールド層として特に適していることが確認された。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２後においても、透過率及び抵抗値が大きく変動しなかった。
また、Ｚｒを含有する本発明例１−４，６−１４，１６，１７においては、Ｚｒを含まない本発明例５に比べて、膜の硬さが向上することが確認された。
さらに、厚さを２０ｎｍ以下とした本発明例１−１０，１２−１４，１６，１７においては、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値が０．８５以上であり、短波長においても高い透過率を備えることが確認された。
また、Ｚｒを含有する本発明例１−４，６−１４，１６，１７においては、Ｚｒを含まない本発明例５に比べて、膜の硬さが向上することが確認された。
さらに、厚さを２０ｎｍ以下とした本発明例１−１０，１２−１４，１６，１７においては、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値が０．８５以上であり、短波長においても高い透過率を備えることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高く、さらに、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有するシールド層を提供可能であることが確認された。
Claims (6)
- ディスプレイパネルに配設されるシールド層であって、
金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなり、
シート抵抗が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内であり、
厚さが７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴とするシールド層。 - 金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項１に記載のシールド層。
- 波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシールド層。
- 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のシールド層を製造するシールド層の製造方法であって、
金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、
スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行う構成とされており、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下とし、
前記シールド層のシート抵抗を１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることを特徴とするシールド層の製造方法。 - 前記酸化物スパッタリングターゲットが、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項４に記載のシールド層の製造方法。
- 請求項４又は請求項５に記載のシールド層の製造方法において使用されることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。
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