JP6705526B2 - Shield layer, method for manufacturing shield layer, and oxide sputtering target - Google Patents

Shield layer, method for manufacturing shield layer, and oxide sputtering target Download PDF

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Description

本発明は、ディスプレイパネルにおいて、帯電防止のために配設されるシールド層、このシールド層の製造方法、及び、このシールド層の製造方法に使用される酸化物スパッタリングターゲットに関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a shield layer provided for preventing static electricity in a display panel, a method of manufacturing the shield layer, and an oxide sputtering target used in the method of manufacturing the shield layer.

液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及び、タッチパネル等のディスプレイパネルにおいては、液晶素子や有機ＥＬ素子等の帯電による誤動作を防止するために、シールド層を配設している。特に、インセル型のタッチパネルにおいては、上述のシールド層には、外部からのノイズは排除しながら、タッチ信号をパネル内部のセンサー部分に到達させる作用も求められる。
また、このシールド層においては、ディスプレイパネルの視認性を確保するために、可視光の透過性が高いことも求められる。 In a display panel such as a liquid crystal display, an organic EL display, and a touch panel, a shield layer is provided to prevent malfunction of the liquid crystal element or the organic EL element due to charging. In particular, in the in-cell type touch panel, the above-mentioned shield layer is required to have a function of allowing a touch signal to reach the sensor portion inside the panel while eliminating noise from the outside.
In addition, this shield layer is also required to have high visible light transmittance in order to ensure the visibility of the display panel.

ここで、例えば、特許文献１においては、上述のシールド層として、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜が挙げられている。
この特許文献１においては、液晶素子の上に配置されたガラス基板の表面に、偏光フィルムが配設されており、この偏光フィルム上に、上述のシールド層が積層された構造とされている。
また、特許文献２においては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）に、７．２〜１１．２ａｔ％のケイ素（Ｓｉ）を含有させた透明導電膜が提案されている。 Here, for example, in Patent Document 1, an ITO film and an IZO film are mentioned as the above-mentioned shield layer.
In Patent Document 1, a polarizing film is disposed on the surface of a glass substrate disposed on the liquid crystal element, and the shield layer is laminated on the polarizing film.
Patent Document 2 proposes a transparent conductive film in which indium tin oxide (ITO) contains 7.2 to 11.2 at% of silicon (Si).

米国特許出願公開第２０１３／０３２９１７１号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2013/0329171 特開２０１３−１４２１９４号公報JP, 2013-142194, A

ところで、特許文献１に記載されているように、シールド層としてＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜を用いた場合には、可視光での透過率が低いために、黄色味が掛かっているように見えてしまい、視認性が劣化するおそれがあった。
また、特許文献２に記載された透明導電膜においては、抵抗値が高く、かつ、光の透過性に優れてはいるが、耐環境性が不十分であり、使用環境下において、抵抗値や透過性が劣化してしまうおそれがあった。 By the way, as described in Patent Document 1, when an ITO film and an IZO film are used as the shield layer, the transmittance of visible light is low, so that it appears to be yellowish. However, the visibility was likely to deteriorate.
Further, in the transparent conductive film described in Patent Document 2, although the resistance value is high and the light transmittance is excellent, the environment resistance is insufficient, and the resistance value or There was a risk that the transparency would deteriorate.

さらに、上述のシールド層においては、ディスプレイパネルの使用状況に応じて、高温高湿環境下で使用した場合においても、抵抗値及び透過率が変化しないように、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）が要求される。
ここで、上述のＩＴＯ膜及びＩＺＯ膜は、結晶質となりやすいため、高温高湿環境下で使用した場合に、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しやすく、抵抗値及び透過率が変化してしまうおそれがあった。 Furthermore, in the above-mentioned shield layer, depending on the use status of the display panel, even when used in a high temperature and high humidity environment, the resistance value and the transmittance do not change, and the excellent environmental resistance (heat resistance, heat resistance, Moisture resistance) is required.
Here, since the ITO film and the IZO film described above tend to be crystalline, corrosive substances such as water easily invade inside the film when used in a high temperature and high humidity environment, and the resistance value and the transmittance change. There was a risk of doing it.

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高く、さらに、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有するシールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and has a high transmittance of visible light, a sufficiently high resistance value, and further excellent environmental resistance (heat resistance, moisture resistance). An object of the present invention is to provide a shield layer, a method for manufacturing the shield layer, and an oxide sputtering target.

上記課題を解決するために、本発明のシールド層は、ディスプレイパネルに配設されるシールド層であって、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなり、シート抵抗が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内であり、厚さが７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴としている。 In order to solve the above-mentioned problems, the shield layer of the present invention is a shield layer disposed in a display panel, and the In content is in the range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less, with the total of metal components being 100 atomic %. in includes the balance being an oxide which is a Si and inevitable impurities metal element, the sheet resistance is 1E + 7 Ohm / □ or more 5E + 10Ω / □ Ri range der below, the thickness is in the range of 7nm more 25nm or less It is characterized in that there.

本発明のシールド層によれば、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物で構成されているので、可視光の透過率に優れ、かつ、十分な高い抵抗値を有することになる。
さらに、本発明のシールド層は、非晶質となりやすいため、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しにくく、高温高湿環境下で使用した場合においても、抵抗値及び透過率が大きく変化せず、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有している。
また、本発明のシールド層は、水及びアルコールに対する耐性を有していることから、水及びアルコール等で清浄した場合であっても、透過率や抵抗値が大きく変化することがない。
さらに、シート抵抗が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とされているので、静電気やノイズを有効に除去して、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を的確に検知させることが可能となる。
なお、シート抵抗（単位：Ω／□）の数値については、ＪＩＳ Ｘ ０２１０−１９８６に基づき、数値Ａ×１０Ｂを、ＡＥ＋Ｂ（Ｂが正数の場合）の形式として表した。
また、シールド層の厚さが７ｎｍ以上とされているので、耐久性を十分に向上させることができる。一方、シールド層の厚さが２５ｎｍ以下とされているので、透過率及び抵抗値を十分に確保することができる。 According to the shield layer of the present invention, the total of metal components is 100 atomic %, In is contained in the range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less, and the balance is made of Si and an oxide containing an unavoidable impurity metal element. Therefore, it has an excellent visible light transmittance and a sufficiently high resistance value.
Further, since the shield layer of the present invention is likely to be amorphous, a corrosive substance such as water is unlikely to enter the inside of the film, and the resistance value and the transmittance greatly change even when used in a high temperature and high humidity environment. It has excellent environment resistance (heat resistance, moisture resistance).
Further, since the shield layer of the present invention has resistance to water and alcohol, the transmittance and the resistance value do not change significantly even when cleaned with water and alcohol.
Further, since the sheet resistance is within the range of 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less, it is possible to effectively remove static electricity and noise, and the touch sensor inside the display can accurately detect the touch signal. ..
Regarding the numerical value of the sheet resistance (unit: Ω/□), the numerical value A×10 B is expressed in the form of AE+B (when B is a positive number) based on JIS X 0210-1986.
Moreover, since the thickness of the shield layer is 7 nm or more, the durability can be sufficiently improved. On the other hand, since the thickness of the shield layer is 25 nm or less, the transmittance and the resistance value can be sufficiently secured.

ここで、本発明のシールド層においては、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
この場合、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量が１原子％以上とされているので、シールド層の耐久性がさらに向上する。また、硬度が高くなり、ひっかき傷等に対して強くなる。
一方、Ｚｒの含有量が３２原子％以下に制限されているので、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制することが可能となり、可視光の透過率が低下することを抑制できる。 Here, the shield layer of the present invention may further contain Zr in the range of 1 at% or more and 32 at% or less, with the total of the metal components being 100 at %.
In this case, the Zr content is set to 1 atom% or more with the total metal component being 100 atom %, so that the durability of the shield layer is further improved. In addition, the hardness becomes high, and it becomes strong against scratches and the like.
On the other hand, since the Zr content is limited to 32 atomic% or less, it is possible to suppress an increase in the refractive index, suppress the generation of unnecessary reflection, and reduce the visible light transmittance. Can be suppressed.

さらに、本発明のシールド層においては、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上であることが好ましい。
この場合、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされているので、可視光の透過率に優れている。このため、視認性に優れたディスプレイパネルを構成することが可能となる。 Further, the shield layer of the present invention preferably has a transmittance of 95% or more at a wavelength of 550 nm.
In this case, since the transmittance at a wavelength of 550 nm is 95% or more, the visible light transmittance is excellent. Therefore, it is possible to configure a display panel having excellent visibility.

本発明のシールド層の製造方法は、上述のシールド層を製造するシールド層の製造方法であって、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行う構成とされており、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下とし、前記シールド層のシート抵抗を１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることを特徴としている。 A method for producing a shield layer of the present invention is a method for producing a shield layer as described above, wherein the total of metal components is 100 atom %, In is 60 atom% or more and 80 atom% or less, and the balance is The structure is such that oxygen is introduced into the sputtering apparatus to form a film by sputtering using an oxide sputtering target composed of Si and an oxide that is an unavoidable impurity metal element, and the amount of oxygen to be introduced is oxygen/argon. And the sheet resistance of the shield layer is in the range of 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less .

この構成のシールド層の製造方法によれば、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行っているので、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高いシールド層を成膜することができる。
また、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下としているので、成膜されたシールド層の抵抗値が高くなりすぎることを抑制できる。
さらに、前記シールド層のシート抵抗を１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることにより、静電気やノイズを有効に除去して、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を的確に検知させることが可能なシールド層を製造することが可能となる。 According to the method for manufacturing a shield layer having this configuration, an oxide sputtering target containing In in a range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less and the balance of Si and an unavoidable impurity metal element is used, Since oxygen is introduced into the sputtering apparatus to form a film by sputtering, a shield layer having a high visible light transmittance and a sufficiently high resistance value can be formed.
Further, with respect to the amount of oxygen to be introduced, since the oxygen/argon flow rate ratio is 0.03 or less, it is possible to prevent the resistance value of the formed shield layer from becoming too high.
Furthermore, by setting the sheet resistance of the shield layer within the range of 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less, static electricity and noise can be effectively removed, and the touch sensor inside the display can accurately detect the touch signal. It is possible to manufacture possible shield layers.

ここで、本発明のシールド層の製造方法においては、前記酸化物スパッタリングターゲットが、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。
この場合、前記酸化物スパッタリングターゲットが、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいるので、可視光の透過率を確保したまま、硬度が硬く、耐久性に優れたシールド層を成膜することが可能となる。 Here, in the method for producing a shield layer of the present invention, the oxide sputtering target may contain Zr in a range of 1 at% to 32 at% inclusive, with the total of metal components being 100 at %. Good.
In this case, since the oxide sputtering target further contains Zr in the range of 1 atomic% or more and 32 atomic% or less, the shield having high hardness and excellent durability while maintaining the visible light transmittance. It is possible to deposit layers.

本発明の酸化物スパッタリングターゲットは、上述のシールド層の製造方法において使用されることを特徴とする。
この構成の酸化物スパッタリングターゲットによれば、スパッタ装置内に酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下として酸素を導入してスパッタ成膜することにより、上述のシールド層を成膜することができる。 The oxide sputtering target of the present invention is characterized by being used in the above-described method for manufacturing a shield layer.
According to the oxide sputtering target having this structure, the above-mentioned shield layer can be formed by introducing oxygen into the sputtering apparatus at a flow rate ratio of oxygen/argon of 0.03 or less and forming a film by sputtering. ..

本発明によれば、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高く、さらに、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有するシールド層、シールド層の製造方法、及び、酸化物スパッタリングターゲットを提供することができる。 According to the present invention, the visible light transmittance is high, and the resistance value is sufficiently high, further, a shield layer having excellent environment resistance (heat resistance, moisture resistance), a method for manufacturing a shield layer, and An oxide sputtering target can be provided.

本発明の実施形態であるシールド層を備えた液晶ディスプレイパネルの一例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows an example of the liquid crystal display panel provided with the shield layer which is embodiment of this invention.

以下に、本発明の一実施形態であるシールド層、及び、シールド層の製造方法について、添付した図面を参照して説明する。
本実施形態であるシールド層は、液晶ディスプレイパネル、有機ＥＬディスプレイパネル、及び、タッチパネル等のディスプレイパネルにおいて、帯電防止のために配設されるものである。本実施形態においては、液晶ディスプレイパネルに配設されたものとして説明する。 Hereinafter, a shield layer according to an embodiment of the present invention and a method for manufacturing the shield layer will be described with reference to the accompanying drawings.
The shield layer according to the present embodiment is provided to prevent electrostatic charge in liquid crystal display panels, organic EL display panels, and display panels such as touch panels. In the present embodiment, description will be given assuming that it is provided in a liquid crystal display panel.

まず、本実施形態であるシールド層２０を備えた液晶ディスプレイパネル１０を、図１を用いて説明する。
この液晶ディスプレイパネル１０は、図１に示すように、第１ガラス基板１１と、第２ガラス基板１２と、これら第１ガラス基板１１と第２ガラス基板１２との間に配設された液晶層１３と、を備えている。なお、本実施形態においては、これら第１ガラス基板１１及び第２ガラス基板１２は、無アルカリガラスとされており、Ｎａを含まないものとされている。
なお、第１ガラス基板１１及び第２ガラス基板１２を無アルカリガラスで構成することにより、アルカリ成分が液晶層やＴＦＴに混入することを抑制でき、ディスプレイ性能の劣化を回避することができる。 First, the liquid crystal display panel 10 including the shield layer 20 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display panel 10 includes a first glass substrate 11, a second glass substrate 12, and a liquid crystal layer disposed between the first glass substrate 11 and the second glass substrate 12. 13 and. In this embodiment, the first glass substrate 11 and the second glass substrate 12 are non-alkali glass and do not contain Na.
By configuring the first glass substrate 11 and the second glass substrate 12 with non-alkali glass, it is possible to prevent alkaline components from mixing into the liquid crystal layer and the TFT, and avoid deterioration of display performance.

そして、第２ガラス基板１２の上に、本実施形態であるシールド層２０が配設されている。
このシールド層２０の上に、偏光フィルム１５が配設され、この偏光フィルム１５の上に保護膜１６が形成されている。 Then, the shield layer 20 of the present embodiment is disposed on the second glass substrate 12.
The polarizing film 15 is disposed on the shield layer 20, and the protective film 16 is formed on the polarizing film 15.

このとき、シールド層２０を形成した後、次の工程に進むまでの間に何らかの原因でシールド層２０表面が汚染された場合、シールド層２０の表面を、水やアルコール等で洗浄することがある。このため、上述のシールド層２０には、水やアルコールに対する耐性も必要となる。 At this time, if the surface of the shield layer 20 is contaminated for some reason after forming the shield layer 20 and before proceeding to the next step, the surface of the shield layer 20 may be washed with water, alcohol, or the like. .. Therefore, the shield layer 20 described above is required to have resistance to water and alcohol.

ここで、本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる。
なお、本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分の合計を１００原子％として、上述のＩｎに加えて、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。 Here, in the shield layer 20 of the present embodiment, the total of the metal components is 100 atomic %, In is contained in the range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less, and the balance is Si and inevitable impurity metal elements. Made of oxide.
In addition, in the shield layer 20 according to the present embodiment, Zr may be further contained in the range of 1 atom% or more and 32 atom% or less in addition to the above-mentioned In with the total metal component being 100 atom %. ..

また、本実施形態であるシールド層２０においては、その厚さｔが７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とされている。
さらに、本実施形態であるシールド層２０においては、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている。
また、本実施形態であるシールド層２０においては、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上 ５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とされている。 Further, in the shield layer 20 according to the present embodiment, the thickness t is within the range of 7 nm or more and 25 nm or less.
Furthermore, in the shield layer 20 of this embodiment, the transmittance at a wavelength of 550 nm is 95% or more.
Further, in the shield layer 20 according to the present embodiment, the resistance value is set to be in the range of 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less.

ここで、シールド層２０の組成、厚さ、特性等を、上述のように規定した理由について説明する。 Here, the reason why the composition, thickness, characteristics, etc. of the shield layer 20 are defined as described above will be described.

（Ｉｎ）
ＩｎとＳｉの酸化物からなるシールド層２０において、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量が６０原子％未満の場合には、シールド層２０として必要な導電性を確保できないおそれがある。一方、Ｉｎの含有量が８０原子％を超える場合には、短波長の透過率が低下し、視認性が低下してしまうおそれがある。
以上のことから、本実施形態においては、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量を６０原子％以上８０原子％以下の範囲内としている。 (In)
In the shield layer 20 made of an oxide of In and Si, if the total of metal components is 100 atom% and the In content is less than 60 atom %, the conductivity required for the shield layer 20 may not be secured. is there. On the other hand, if the In content exceeds 80 atomic %, the transmittance for short wavelengths may decrease, and the visibility may decrease.
From the above, in the present embodiment, the total of the metal components is 100 atomic %, and the In content is in the range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less.

なお、シールド層２０の導電性をさらに確保するためには、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎの含有量の下限を６２原子％以上とすることが好ましく、６４原子％以上とすることがさらに好ましい。
一方、可視光の透過率が低下することを確実に抑制するためには、Ｉｎの含有量の上限を７８原子％以下とすることが好ましい。 In order to further secure the conductivity of the shield layer 20, it is preferable that the total of the metal components is 100 at %, and the lower limit of the In content is 62 at% or more, and 64 at% or more. Is more preferable.
On the other hand, in order to reliably suppress the decrease in the visible light transmittance, the upper limit of the In content is preferably 78 atomic% or less.

（Ｚｒ）
本実施形態であるシールド層２０においては、金属成分として、Ｉｎ、Ｓｉ以外にＺｒを含有していてもよい。
ここで、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量を１原子％以上とすることにより、シールド層２０の耐久性を向上させることができるとともに、硬度が硬くなり、ひっかき傷に強くなる。一方、Ｚｒの含有量を３２原子％以下とすることにより、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制できるので、可視光の透過率が低下することを抑制できる。
以上のことから、本実施形態においてＺｒを含有する場合には、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量を１原子％以上３２原子％以下の範囲内とすることが好ましい。なお、Ｚｒを不可避不純物金属元素として含む場合には、その含有量は１原子％未満であってもよい。 (Zr)
The shield layer 20 of the present embodiment may contain Zr as a metal component in addition to In and Si.
Here, by setting the total of the metal components to 100 atom% and the content of Zr to 1 atom% or more, the durability of the shield layer 20 can be improved, the hardness becomes hard, and it is strong against scratches. Become. On the other hand, by setting the Zr content to be 32 atomic% or less, it is possible to suppress an increase in the refractive index and suppress the occurrence of unnecessary reflection, and thus it is possible to suppress a decrease in the visible light transmittance.
From the above, when Zr is contained in the present embodiment, it is preferable that the total of the metal components is 100 atom %, and the Zr content is in the range of 1 atom% or more and 32 atom% or less. When Zr is contained as an unavoidable impurity metal element, its content may be less than 1 atomic %.

なお、シールド層２０の耐久性をさらに向上させるためには、金属成分の合計を１００原子％として、Ｚｒの含有量の下限を２原子％以上とすることが好ましく、３原子％以上とすることがさらに好ましい。
一方、屈折率が増大することを抑制して透過率が低下することをさらに抑制するためには、Ｚｒの含有量の上限を２８原子％以下とすることが好ましく、２５原子％以下都することがさらに好ましい。 In order to further improve the durability of the shield layer 20, it is preferable that the total of the metal components is 100 at %, and the lower limit of the Zr content is at least 2 at %, preferably at least 3 at %. Is more preferable.
On the other hand, in order to suppress the increase of the refractive index and further suppress the decrease of the transmittance, the upper limit of the Zr content is preferably 28 atomic% or less, and 25 atomic% or less. Is more preferable.

（厚さ）
本実施形態であるシールド層２０において、その厚さｔが７ｎｍ以上である場合には、シールド層２０の耐久性を十分に確保することができる。一方、シールド層２０の厚さｔが２５ｎｍ以下である場合には、可視光の透過性及び抵抗値を十分に確保することが可能となる。
以上のことから、本実施形態においては、上述のシールド層２０の厚さｔを、７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とすることが好ましい。 (thickness)
When the thickness t of the shield layer 20 according to this embodiment is 7 nm or more, the durability of the shield layer 20 can be sufficiently ensured. On the other hand, when the thickness t of the shield layer 20 is 25 nm or less, it becomes possible to sufficiently secure the visible light transmittance and the resistance value.
From the above, in the present embodiment, it is preferable that the thickness t of the shield layer 20 described above be within the range of 7 nm or more and 25 nm or less.

なお、シールド層２０の耐久性をさらに向上させるためには、シールド層２０の厚さｔの下限を８ｎｍ以上とすることが好ましく、１０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。
一方、可視光の透過性及び抵抗値をさらに確保するためには、シールド層２０の厚さｔの上限を２０ｎｍ以下とすることが好ましく、１８ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。 In order to further improve the durability of the shield layer 20, the lower limit of the thickness t of the shield layer 20 is preferably 8 nm or more, more preferably 10 nm or more.
On the other hand, the upper limit of the thickness t of the shield layer 20 is preferably 20 nm or less, and more preferably 18 nm or less, in order to further secure the transmittance of visible light and the resistance value.

（透過率）
本実施形態であるシールド層２０において、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている場合には、十分な透過率を確保することができ、視認性に優れた液晶ディスプレイパネル１０を構成することが可能となる。
以上のことから、本実施形態のシールド層２０においては、波長５５０ｎｍにおける透過率を９５％以上とすることが好ましい。
なお、さらに視認性に優れた液晶ディスプレイパネル１０を構成するためには、本実施形態であるシールド層２０の波長５５０ｎｍにおける透過率は９７％以上であることが好ましく、９８％以上であることがさらに好ましい。 (Transmittance)
In the shield layer 20 of the present embodiment, when the transmittance at a wavelength of 550 nm is 95% or more, sufficient transmittance can be ensured and the liquid crystal display panel 10 having excellent visibility is configured. It becomes possible.
From the above, in the shield layer 20 of the present embodiment, the transmittance at a wavelength of 550 nm is preferably 95% or more.
In order to configure the liquid crystal display panel 10 having further excellent visibility, the transmittance of the shield layer 20 of the present embodiment at a wavelength of 550 nm is preferably 97% or more, and preferably 98% or more. More preferable.

（抵抗値）
本実施形態であるシールド層２０において、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下である場合には、静電気やノイズを有効に除去でき、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を検知することを妨げない。
以上のことから、本実施形態においては、上述のシールド層２０の抵抗値を、１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることが好ましい。
なお、より確実に静電気やノイズを除去し、タッチ信号をパネル内部のセンサー部分に到達させるためには、シールド層２０における抵抗値の下限を３Ｅ＋７Ω／□以上とすることが好ましく、５Ｅ＋７Ω／□以上とすることがさらに好ましい。また、抵抗値の上限を９Ｅ＋９Ω／□以下とすることが好ましく、５Ｅ＋９Ω／□以下とすることがさらに好ましい。 (Resistance values)
In the shield layer 20 of the present embodiment, when the resistance value is 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less, static electricity and noise can be effectively removed, and the touch sensor inside the display can prevent the touch signal from being detected. Absent.
From the above, in the present embodiment, it is preferable that the resistance value of the above-mentioned shield layer 20 be within the range of 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less.
In order to more reliably remove static electricity and noise and to allow the touch signal to reach the sensor portion inside the panel, the lower limit of the resistance value of the shield layer 20 is preferably 3E+7Ω/□ or more, and 5E+7Ω/□ or more. More preferably, The upper limit of the resistance value is preferably 9E+9Ω/□ or less, more preferably 5E+9Ω/□ or less.

次に、上述した本実施形態であるシールド層２０を製造するシールド層の製造方法について説明する。
本実施形態のシールド層の製造方法においては、上述のシールド層２０に対応する組成の酸化物スパッタリングターゲットを用いる。 Next, a method for manufacturing the shield layer for manufacturing the shield layer 20 according to the present embodiment described above will be described.
In the shield layer manufacturing method of the present embodiment, an oxide sputtering target having a composition corresponding to the shield layer 20 described above is used.

この酸化物スパッタリングターゲットは、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物の焼結体からなる。なお、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいてもよい。なお、Ｚｒを不可避不純物金属元素として含む場合には、その含有量は１原子％未満であってもよい。
ここで、この酸化物スパッタリングターゲットは、以下のようにして製造される。 This oxide sputtering target contains In in the range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less, with the total of the metal components being 100 atomic %, and the balance being a sintered body of oxide containing Si and an unavoidable impurity metal element. Become. The total of the metal components may be 100 atomic %, and Zr may be contained in the range of 1 atomic% or more and 32 atomic% or less. When Zr is contained as an unavoidable impurity metal element, its content may be less than 1 atomic %.
Here, this oxide sputtering target is manufactured as follows.

まず、原料粉末として、Ｉｎ２Ｏ３粉末と、ＳｉＯ２粉末と、必要に応じてＺｒＯ２粉末を準備する。
Ｉｎ２Ｏ３粉末は、純度が９９．９質量％以上、平均粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
ＳｉＯ２粉末は、純度が９９．８質量％以上、平均粒径が０．２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
ＺｒＯ２粉末は、純度が９９．９質量％以上、平均粒径が０．２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。なお、本実施形態においては、ＺｒＯ２粉末の純度は、Ｆｅ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｎａ２Ｏの含有量を測定し、残部がＺｒＯ２であるとして算出されたものである。本実施形態のＺｒＯ２粉末においては、ＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがある。 First, as raw material powders, In 2 O 3 powder, SiO 2 powder, and, if necessary, ZrO 2 powder are prepared.
The In 2 O 3 powder preferably has a purity of 99.9% by mass or more and an average particle size of 0.1 μm or more and 10 μm or less.
The SiO 2 powder preferably has a purity of 99.8% by mass or more and an average particle size of 0.2 μm or more and 20 μm or less.
The ZrO 2 powder preferably has a purity of 99.9% by mass or more and an average particle size of 0.2 μm or more and 20 μm or less. In addition, in this embodiment, the purity of the ZrO 2 powder is calculated by measuring the contents of Fe 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , and Na 2 O, and calculating that the balance is ZrO 2 . The ZrO 2 powder of this embodiment may contain HfO 2 at a maximum of 2.5 mass %.

これらの酸化物粉末を、所定の組成比となるように秤量し、粉砕混合装置を用いて混合し、混合原料粉末を準備する。ここで、混合原料粉末は、比表面積（ＢＥＴ比表面積）を１１．５ｍ２／ｇ以上１３．５ｍ２／ｇ以下の範囲内とすることが好ましい。
得られた混合原料粉末を、成形型に充填して加圧することによって、所定形状の成形体を得る。 These oxide powders are weighed so as to have a predetermined composition ratio and mixed using a pulverizing and mixing device to prepare a mixed raw material powder. Here, the mixed raw material powder preferably has a specific surface area (BET specific surface area) within a range of 11.5 m 2 /g or more and 13.5 m 2 /g or less.
The obtained mixed raw material powder is filled in a molding die and pressed to obtain a compact having a predetermined shape.

この成形体を電気炉内に装入し、加熱して焼結する。このとき、保持温度を１３００℃以上１６００℃以下の範囲内、保持時間を２時間以上１０時間以下の範囲内とすることが好ましい。また、電気炉内には、酸素を導入することが好ましい。
そして、電気炉内で６００℃まで、２００℃／時間以下の冷却速度で冷却し、その後、室温まで炉冷し、焼結体を電気炉内から取り出す。
得られた焼結体に対して機械加工を行い、所定サイズの酸化物スパッタリングターゲットが製造される。 This compact is placed in an electric furnace and heated to sinter. At this time, it is preferable that the holding temperature is in the range of 1300° C. or more and 1600° C. or less, and the holding time is in the range of 2 hours or more and 10 hours or less. Further, it is preferable to introduce oxygen into the electric furnace.
Then, it is cooled to 600° C. in the electric furnace at a cooling rate of 200° C./hour or less, then cooled to room temperature, and the sintered body is taken out from the electric furnace.
The obtained sintered body is machined to produce an oxide sputtering target of a predetermined size.

次に、この酸化物スパッタリングターゲットを用いて、第２ガラス基板１２の表面に、シールド層２０を成膜する。
上述の酸化物スパッタリングターゲットをバッキング材に接合してスパッタ装置内に装着し、スパッタ装置内部を真空雰囲気とした後、Ａｒガスと酸素ガスとを導入してスパッタガス圧を調整し、スパッタ成膜を実施する。
このとき、スパッタ装置内に導入する酸素量については、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下とすることが好ましく、０．０２以下とすることがさらに好ましい。なお、酸素／アルゴンの流量比の下限については、特に制限はないが、０．００２以上とすることが好ましい。この範囲で酸素を導入することで、より好ましい抵抗値を有するシールド層を成膜することが可能となる。 Next, using this oxide sputtering target, a shield layer 20 is formed on the surface of the second glass substrate 12.
The above-mentioned oxide sputtering target is bonded to a backing material and mounted in a sputtering apparatus, the inside of the sputtering apparatus is made into a vacuum atmosphere, and then Ar gas and oxygen gas are introduced to adjust the sputtering gas pressure to form a sputtering film. Carry out.
At this time, with respect to the amount of oxygen introduced into the sputtering apparatus, the oxygen/argon flow rate ratio is preferably 0.03 or less, and more preferably 0.02 or less. The lower limit of the oxygen/argon flow rate ratio is not particularly limited, but is preferably 0.002 or more. By introducing oxygen in this range, it becomes possible to form a shield layer having a more preferable resistance value.

以上のような構成とされた本実施形態であるシールド層２０によれば、金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物で構成されているので、可視光の透過率に優れ、かつ、十分な高い抵抗値を有しており、液晶ディスプレイパネル１０におけるシールド層２０として十分に機能することになる。 According to the shield layer 20 of the present embodiment configured as described above, the total of metal components is 100 atomic %, In is contained in the range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less, and the balance is Si and unavoidable. Since it is composed of an oxide that is an impurity metal element, it has an excellent visible light transmittance and a sufficiently high resistance value, and functions sufficiently as the shield layer 20 in the liquid crystal display panel 10. become.

また、本実施形態であるシールド層２０は、非晶質となりやすいため、水分などの腐食性物質が膜内部に侵入しにくく、高温高湿環境下で使用した場合においても、抵抗値及び透過率が大きく変化せず、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有している。
また、水及びアルコールと接触した場合であっても、透過率や抵抗値が大きく変化しないため、シールド層２０を形成した後、次の工程に進むまでの間に何らかの原因でシールド層２０表面が汚染されたシールド層２０を水及びアルコールで洗浄しても、シールド層２０が劣化することがない。 Further, since the shield layer 20 of the present embodiment is likely to be amorphous, it is difficult for corrosive substances such as water to enter the inside of the film, and even when used in a high temperature and high humidity environment, the resistance value and the transmittance are low. Does not change significantly and has excellent environmental resistance (heat resistance, moisture resistance).
Further, even when it comes into contact with water and alcohol, since the transmittance and the resistance value do not change significantly, after the shield layer 20 is formed, the surface of the shield layer 20 may be damaged for some reason before proceeding to the next step. Even if the contaminated shield layer 20 is washed with water and alcohol, the shield layer 20 does not deteriorate.

また、本実施形態であるシールド層２０において、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含んでいる場合には、シールド層２０の耐久性をさらに向上させることが可能となる。また、シールド層２０の硬度が高くなり、ひっかき傷等に対して強くなる。また、屈折率が増大することを抑制でき、不要な反射の発生を抑制できるので、可視光の透過率が低下することを抑制できる。
なお、上述のように、本実施形態においては、ＺｒＯ２粉末がＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがあるため、シールド層２０においてもＨｆを、Ｚｒに対して金属成分の原子比で最大１．７％含有することがある。 In the shield layer 20 of the present embodiment, the durability of the shield layer 20 is set when the total of metal components is 100 atomic% and Zr is contained in the range of 1 atomic% or more and 32 atomic% or less. Can be further improved. In addition, the hardness of the shield layer 20 becomes high, and the shield layer 20 becomes strong against scratches and the like. Further, since it is possible to suppress an increase in the refractive index and suppress the occurrence of unnecessary reflection, it is possible to suppress a decrease in the visible light transmittance.
As described above, in the present embodiment, the ZrO 2 powder may contain HfO 2 at a maximum of 2.5 mass%, so that Hf is also contained in the shield layer 20 in the atomic ratio of the metal component to Zr. It may contain up to 1.7%.

また、本実施形態において、シールド層２０の厚さが７ｎｍ以上とされている場合には、シールド層２０の耐久性を十分に向上させることができる。
一方、シールド層２０の厚さが２５ｎｍ以下とされている場合には、シールド層２０の可視光の透過率及び抵抗値を十分に確保することができる。よって、液晶ディスプレイパネル１０におけるシールド層２０として特に適している。 Further, in the present embodiment, when the thickness of the shield layer 20 is 7 nm or more, the durability of the shield layer 20 can be sufficiently improved.
On the other hand, when the thickness of the shield layer 20 is 25 nm or less, the visible light transmittance and the resistance value of the shield layer 20 can be sufficiently secured. Therefore, it is particularly suitable as the shield layer 20 in the liquid crystal display panel 10.

さらに、本実施形態であるシールド層２０において、波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上とされている場合には、可視光の透過率に優れており、液晶ディスプレイパネル１０の視認性を確保することができる。 Further, in the shield layer 20 of the present embodiment, when the transmittance at a wavelength of 550 nm is 95% or more, the visible light transmittance is excellent, and the visibility of the liquid crystal display panel 10 is ensured. You can

また、本実施形態であるシールド層２０において、抵抗値が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下とされている場合には、静電気やノイズを有効に除去でき、ディスプレイ内部のタッチセンサーがタッチ信号を検知することを妨げない。 Further, in the shield layer 20 according to the present embodiment, when the resistance value is 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less, static electricity and noise can be effectively removed, and the touch sensor inside the display detects a touch signal. Does not prevent you from doing.

本実施形態であるシールド層２０の製造方法によれば、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含む酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行っているので、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高いシールド層２０を安定して成膜することができる。
また、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下としているので、成膜されたシールド層２０の抵抗値が高くなりすぎることを抑制できる。 According to the method of manufacturing the shield layer 20 of the present embodiment, oxygen is introduced into the sputtering apparatus by using an oxide sputtering target made of an oxide containing In in the range of 60 atomic% to 80 atomic %. Since the sputtering film formation is performed, it is possible to stably form the shield layer 20 having a high visible light transmittance and a sufficiently high resistance value.
Further, with respect to the amount of oxygen to be introduced, the flow ratio of oxygen/argon is set to 0.03 or less, so that it is possible to prevent the resistance value of the formed shield layer 20 from becoming too high.

また、本実施形態であるシールド層２０の製造方法において、前記酸化物スパッタリングターゲットが、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含む場合には、可視光の透過率を確保したまま、硬度が硬く、耐久性に優れたシールド層２０を成膜することが可能となる。 In the method for manufacturing the shield layer 20 according to the present embodiment, in the case where the oxide sputtering target contains Zr in a range of 1 atom% or more and 32 atom% or less with the total of metal components being 100 atom %. It becomes possible to form the shield layer 20 having high hardness and excellent durability while maintaining the visible light transmittance.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、図１に示す液晶ディスプレイパネル１０に設けられたシールド層２０を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、他の構造の液晶ディスプレイパネルに設けられたものであってもよいし、有機ＥＬディスプレイ、及び、タッチパネル等の他のディスプレイパネルに設けられたものであってもよい。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this, and can be appropriately modified without departing from the technical idea of the invention.
For example, in the present embodiment, the shield layer 20 provided in the liquid crystal display panel 10 shown in FIG. 1 has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and the shield layer 20 may be provided in a liquid crystal display panel having another structure. The display device may be provided on an organic EL display or another display panel such as a touch panel.

また、本実施形態においては、上述のように製造された酸化物スパッタリングターゲットを用いて成膜するものとして説明したが、これに限定されることはなく、その他の製造方法で製造されたスパッタリングターゲットを用いて成膜してもよい。 Further, in the present embodiment, it is described that the oxide sputtering target manufactured as described above is used to form a film, but the present invention is not limited to this, and a sputtering target manufactured by another manufacturing method is described. May be used to form a film.

以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。 The results of confirmation experiments conducted to confirm the effectiveness of the present invention will be described below.

＜酸化物スパッタリングターゲット＞
原料粉末として、酸化インジウム粉末（Ｉｎ２Ｏ３粉末：純度９９．９質量％以上、平均粒径１μｍ）と、酸化シリコン粉末（ＳｉＯ２粉末：純度９９．８質量％以上、平均粒径２μｍ）と、必要に応じて、酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ２粉末：純度９９．９質量％以上、平均粒径２μｍ）と、を準備した。そして、これらを、表１に示す配合比となるように、秤量した。
なお、酸化ジルコニウム粉末（ＺｒＯ２粉末）の純度は、Ｆｅ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｎａ２Ｏの含有量を測定し、残部がＺｒＯ２であるとして算出されたものであり、ＨｆＯ２を最大で２．５ｍａｓｓ％含有することがある。 <Oxide sputtering target>
As raw material powders, indium oxide powder (In 2 O 3 powder: purity 99.9 mass% or more, average particle size 1 μm) and silicon oxide powder (SiO 2 powder: purity 99.8 mass% or more, average particle size 2 μm) And, if necessary, zirconium oxide powder (ZrO 2 powder: purity 99.9 mass% or more, average particle size 2 μm) was prepared. And these were weighed so that it might become a compounding ratio shown in Table 1.
The purity of the zirconium oxide powder (ZrO 2 powder) was calculated by measuring the contents of Fe 2 O 3 , SiO 2 , TiO 2 , and Na 2 O, and the balance was calculated to be ZrO 2 , and HfO 2 may be contained at a maximum of 2.5 mass %.

秤量した各原料粉末を、粉砕媒体である直径０．５ｍｍのジルコニアボール及び溶媒（日本アルコール販売株式会社製ソルミックスＡ−１１）とともに、ビーズミル装置に投入し、粉砕・混合した。なお、粉砕・混合時間は１時間とした。
粉砕・混合の後、ジルコニアボールを分離回収し、原料粉末と溶媒を含むスラリーを得た。得られたスラリーを加熱し、溶媒を除去して混合粉末を得た。
次に、得られた混合粉末を、内径２００ｍｍの金型に充填し、１５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力でプレスすることにより、直径２００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板形状の成形体を作製した。 Each of the weighed raw material powders was put into a bead mill device together with a zirconia ball having a diameter of 0.5 mm, which is a grinding medium, and a solvent (Solmix A-11 manufactured by Nippon Alcohol Sales Co., Ltd.), and was ground and mixed. The crushing/mixing time was 1 hour.
After crushing and mixing, the zirconia balls were separated and collected to obtain a slurry containing the raw material powder and the solvent. The obtained slurry was heated and the solvent was removed to obtain a mixed powder.
Next, the obtained mixed powder was filled in a mold having an inner diameter of 200 mm and pressed at a pressure of 150 kg/cm 2 to produce a disk-shaped molded body having a diameter of 200 mm and a thickness of 10 mm.

得られた成形体を、電気炉（炉内容積２７０００ｃｍ３）に装入し、毎分４Ｌの流量で酸素ガスを導入しながら、焼成温度１４００℃で７時間保持することによって焼成し、焼結体を製造した。
焼成後、継続して酸素ガスを導入しながら電気炉内で６００℃まで、１３０℃／時間の冷却速度で冷却した。その後、酸素ガスの導入を中止し、室温にまで炉内で冷却し、焼結体を電気炉から取り出した。
得られた焼結体に対して機械加工を行い、直径１５２．４ｍｍ、厚さ６ｍｍの円板形状の酸化物スパッタリングターゲットを製造した。 The obtained molded body was placed in an electric furnace (internal volume of 27,000 cm 3 ), fired by holding at a firing temperature of 1400° C. for 7 hours while introducing oxygen gas at a flow rate of 4 L/min, and sintered. Manufactured body.
After firing, while continuously introducing oxygen gas, it was cooled in an electric furnace to 600° C. at a cooling rate of 130° C./hour. Then, the introduction of oxygen gas was stopped, the inside of the furnace was cooled to room temperature, and the sintered body was taken out of the electric furnace.
The obtained sintered body was machined to manufacture a disk-shaped oxide sputtering target having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 6 mm.

＜シールド層（酸化物膜）の成膜＞
酸化物スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これをマグネトロン式のスパッタ装置（株式会社昭和真空ＳＰＨ−２３０７）内に装着した。
次いで、真空排気装置にてスパッタ装置内を７×１０−４Ｐａ以下にまで排気した後、表１の「スパッタ時の酸素量」の欄に記載した酸素／アルゴンの流量比となるように、Ａｒガスと酸素ガスを導入して、スパッタガス圧を０．６７Ｐａに調整し、１時間のプレスパッタを実施して、ターゲット表面の加工層を除去した。このときの酸素ガスとの流量は表１に記載した条件とし、電力はＤＣ６１５Ｗとした。なお、酸素／アルゴンの流量比は、酸素流量（ｓｃｃｍ）とアルゴン流量（ｓｃｃｍ）の比とした。 <Deposition of shield layer (oxide film)>
The oxide sputtering target was soldered to a backing plate made of oxygen-free copper, and this was mounted in a magnetron type sputtering device (Showa Vacuum SPH-2307).
Then, after the inside of the sputtering apparatus was evacuated to 7×10 −4 Pa or less with a vacuum exhaust apparatus, the flow rate ratio of oxygen/argon described in the column of “amount of oxygen during sputtering” in Table 1 was obtained. Ar gas and oxygen gas were introduced, the sputtering gas pressure was adjusted to 0.67 Pa, and pre-sputtering was performed for 1 hour to remove the processed layer on the target surface. The flow rate with oxygen gas at this time was set to the conditions described in Table 1, and the electric power was set to DC615W. The oxygen/argon flow rate ratio was the ratio of the oxygen flow rate (sccm) to the argon flow rate (sccm).

この後、真空排気装置にて、スパッタ装置内を７×１０−４Ｐａ以下にまで排気した後、上記のプレスパッタと同一条件でスパッタ成膜を行い、５０ｍｍ角の無アルカリガラス基板上に、表１に記載の厚さのシールド層（酸化物膜）を成膜した。このときの基板とターゲットの距離を６０ｍｍとした。 After that, the inside of the sputtering apparatus was evacuated to 7×10 −4 Pa or less by a vacuum exhaust apparatus, and sputter film formation was performed under the same conditions as the above-mentioned pre-sputtering, and the 50 mm square non-alkali glass substrate was A shield layer (oxide film) having the thickness shown in Table 1 was formed. The distance between the substrate and the target at this time was 60 mm.

そして、得られたシールド層（酸化物膜）の組成、透過率、抵抗値、屈折率、硬度、恒温恒湿試験後の透過率及び抵抗値を、以下のようにして評価した。また、酸化物膜の結晶性について確認した。 Then, the composition, transmittance, resistance value, refractive index, hardness, transmittance and resistance value after the constant temperature and constant humidity test of the obtained shield layer (oxide film) were evaluated as follows. In addition, the crystallinity of the oxide film was confirmed.

（酸化物膜の組成）
上述の酸化物膜を酸で溶解して得られた溶液を、アジレントテクノロジー株式会社製誘導プラズマ発光分光（ＩＣＰ−ＯＥＳ）装置（Ａｇｉｌｅｎｔ５１００）により分析し、各酸化物膜のＩｎ濃度、Ｚｒ濃度及びＳｉ濃度を測定した。金属成分の合計を１００原子％とした膜の組成を表１に示す。 (Composition of oxide film)
The solution obtained by dissolving the above oxide film with an acid was analyzed by an induction plasma emission spectroscopy (ICP-OES) apparatus (Agilent 5100) manufactured by Agilent Technologies, Inc., and the In concentration, Zr concentration, and The Si concentration was measured. Table 1 shows the composition of the film with the total of the metal components being 100 atomic %.

（透過率）
分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５５０）を用いて、可視光の代表波長の透過率として波長５５０ｎｍの光の透過率を測定した。 (Transmittance)
Using a spectrophotometer (V-550 manufactured by JASCO Corporation), the transmittance of light having a wavelength of 550 nm was measured as the transmittance of the representative wavelength of visible light.

（短波長の透過率）
分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５５０）を用いて、可視光の短波長域の透過率として波長３５０ｎｍの光の透過率を測定し、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値＝３５０ｎｍの透過率／５５０ｎｍの透過率を算出した。
波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値が０．８５以上の場合を「○」、０．８５未満の場合を「×」とした。 (Transmittance of short wavelength)
Using a spectrophotometer (V-550 manufactured by JASCO Corporation), the transmittance of light having a wavelength of 350 nm is measured as the transmittance of visible light in the short wavelength region, and the transmittance of the wavelength of 350 nm is compared with the transmittance of 550 nm. Relative value=350 nm transmittance/550 nm transmittance was calculated.
When the relative value of the transmittance at the wavelength of 350 nm with respect to the transmittance at the wavelength of 550 nm was 0.85 or more, the mark was “◯”, and when the relative value was less than 0.85, the mark was “x”.

（抵抗値）
低電圧印加／漏洩電流測定方式によって測定した。測定装置は、三菱ケミカルアナリテック株式会社製ハイレスタを用いた。 (Resistance values)
It was measured by a low voltage application/leakage current measurement method. As the measuring device, Hiresta manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd. was used.

（屈折率）
酸化物膜の屈折率を、分光エリプソメーターを用いて、入射角度７５°、測定波長５５０ｎｍで測定した。 (Refractive index)
The refractive index of the oxide film was measured with a spectroscopic ellipsometer at an incident angle of 75° and a measurement wavelength of 550 nm.

（硬さ）
上述したスパッタ条件にて、ガラス基板（コーニング社製ＥＡＧＬＥ−ＸＧ）に、膜厚５００ｎｍとして酸化物膜を成膜した。この酸化物膜に対して、押し込み荷重を２５ｍｇｆとし、超微小押し込み硬さ試験機（エリオニクス株式会社製ＥＮＴ−１１００ａ）を用いて測定した。なお、成膜したガラス基板は、２７℃の装置内にセットして１時間経過した後に、硬さ測定を行った。また、硬さは、１０点測定の平均値を表２に記載した。 (Hardness)
An oxide film having a thickness of 500 nm was formed on a glass substrate (EAGLE-XG manufactured by Corning Incorporated) under the above-described sputtering conditions. The oxide film was measured with an indentation load of 25 mgf using an ultra-fine indentation hardness tester (ENT-1100a manufactured by Elionix Co., Ltd.). The glass substrate on which the film was formed was set in a device at 27° C., and after 1 hour, hardness was measured. Further, the hardness is shown in Table 2 as an average value of 10-point measurement.

（恒温恒湿試験）
温度６０℃、相対湿度９０％の恒温恒湿条件下で２４０時間保持する恒温恒湿試験１と、温度８５℃、相対湿度８５％の恒温恒湿条件下で２４０時間保持する恒温恒湿試験２を実施した。恒温恒湿試験１後及び恒温恒湿試験２後に、上述のようにして、波長５５０ｎｍの透過率、抵抗値を測定した。 (Constant temperature and humidity test)
Constant temperature and humidity test 1 for 240 hours under constant temperature and humidity conditions of temperature 60°C and relative humidity 90% and constant temperature and humidity test 2 for 240 hours under constant temperature and humidity conditions of temperature 85°C and relative humidity 85% Was carried out. After the constant temperature and constant humidity test 1 and after the constant temperature and constant humidity test 2, the transmittance at a wavelength of 550 nm and the resistance value were measured as described above.

（膜の結晶性）
本発明例１１と従来例１の条件で３０ｎｍの膜厚に形成した酸化物膜について、ＸＲＤ分析を行い、酸化物膜の結晶性について確認した。その結果、従来例１においては、酸化物膜が結晶質であることが確認された。これに対して、本発明例１１においては、酸化物膜が非晶質であった。 (Crystallinity of film)
XRD analysis was performed on the oxide film formed to have a thickness of 30 nm under the conditions of Inventive Example 11 and Conventional Example 1, and the crystallinity of the oxide film was confirmed. As a result, in Conventional Example 1, it was confirmed that the oxide film was crystalline. On the other hand, in Inventive Example 11, the oxide film was amorphous.

Figure 0006705526
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Figure 0006705526
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シールド層としてＩＴＯ膜を成膜した従来例１においては、初期の波長５５０ｎｍの透過率、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値、及び抵抗値が不十分であった。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層としてＩＺＯ膜を成膜した従来例２においては、初期の波長５５０ｎｍの透過率、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値、及び抵抗値が不十分であった。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層としてＩＴＯ−Ｓｉ膜を成膜した従来例３においては、恒温恒湿試験２の後に、透過率及び抵抗値の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。 In Conventional Example 1 in which the ITO film was formed as the shield layer, the initial transmittance at a wavelength of 550 nm, the relative value of the transmittance at a wavelength of 350 nm to the transmittance at a wavelength of 550 nm, and the resistance value were insufficient. Further, after the constant temperature and constant humidity test 1 and the constant temperature and constant humidity test 2, a change in resistance value was observed, and the environmental resistance was insufficient.
In Conventional Example 2 in which the IZO film was formed as the shield layer, the initial transmittance at a wavelength of 550 nm, the relative value of the transmittance at a wavelength of 350 nm to the transmittance at a wavelength of 550 nm, and the resistance value were insufficient. Further, after the constant temperature and constant humidity test 1 and the constant temperature and constant humidity test 2, a change in resistance value was observed, and the environmental resistance was insufficient.
In Conventional Example 3 in which the ITO-Si film was formed as the shield layer, after the constant temperature and constant humidity test 2, variations in the transmittance and the resistance value were observed, and the environment resistance was insufficient.

シールド層（酸化物膜）のＩｎ含有量が本発明の範囲よりも少ない比較例１においては、抵抗値が高くなり過ぎて、シールド層として必要な導電性を確保することができなかった。
シールド層（酸化物膜）のＩｎ含有量が本発明の範囲よりも多い比較例２においては、短波長の透過率が低下した。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２の後に、透過率の変動が認められており、耐環境性が不十分であった。
シールド層（酸化物膜）のＺｒ含有量が本発明の範囲よりも多い比較例３においては、屈折率が大きくなった。 In Comparative Example 1 in which the In content of the shield layer (oxide film) was less than the range of the present invention, the resistance value became too high, and the conductivity required for the shield layer could not be secured.
In Comparative Example 2 in which the In content of the shield layer (oxide film) was higher than the range of the present invention, the transmittance at short wavelength was decreased. Moreover, after the constant temperature and constant humidity test 1 and the constant temperature and constant humidity test 2, a change in transmittance was observed, and the environmental resistance was insufficient.
In Comparative Example 3 in which the Zr content of the shield layer (oxide film) was larger than the range of the present invention, the refractive index was large.

これに対して、Ｉｎ、Ｚｒの含有量が本発明の範囲内とされたシールド層（酸化物膜）においては、透過率が十分に高く、かつ、抵抗値が適正な範囲内とされており、シールド層として特に適していることが確認された。また、恒温恒湿試験１及び恒温恒湿試験２後においても、透過率及び抵抗値が大きく変動しなかった。
また、Ｚｒを含有する本発明例１−４，６−１４，１６，１７においては、Ｚｒを含まない本発明例５に比べて、膜の硬さが向上することが確認された。
さらに、厚さを２０ｎｍ以下とした本発明例１−１０，１２−１４，１６，１７においては、波長５５０ｎｍの透過率に対する波長３５０ｎｍの透過率の相対値が０．８５以上であり、短波長においても高い透過率を備えることが確認された。 On the other hand, in the shield layer (oxide film) having the In and Zr contents within the range of the present invention, the transmittance is sufficiently high and the resistance value is within the appropriate range. It was confirmed that it was particularly suitable as a shield layer. Further, even after the constant temperature and constant humidity test 1 and the constant temperature and constant humidity test 2, the transmittance and the resistance value did not significantly change.
It was also confirmed that in Inventive Examples 1-4 , 6-14 , 16 and 17 containing Zr, the hardness of the film was improved as compared with Inventive Example 5 containing no Zr.
Furthermore, in Invention Examples 1-10 , 12-14 , 16 and 17 in which the thickness was 20 nm or less, the relative value of the transmittance at the wavelength of 350 nm to the transmittance at the wavelength of 550 nm was 0.85 or more, and the short wavelength It was confirmed that the sample also has a high transmittance.

以上のことから、本発明例によれば、可視光の透過率が高く、かつ、抵抗値が十分に高く、さらに、優れた耐環境性（耐熱性、耐湿性）を有するシールド層を提供可能であることが確認された。 From the above, according to the present invention example, it is possible to provide a shield layer having a high transmittance of visible light, a sufficiently high resistance value, and further excellent environmental resistance (heat resistance, moisture resistance) Was confirmed.

Claims (6)

ディスプレイパネルに配設されるシールド層であって、
金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下の範囲で含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなり、
シート抵抗が１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内であり、
厚さが７ｎｍ以上２５ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴とするシールド層。 A shield layer disposed on the display panel,
The total of the metal components is 100 atomic %, In is contained in the range of 60 atomic% or more and 80 atomic% or less, and the balance is made of Si and an unavoidable impurity metal element,
Sheet resistance 1E + 7 Ohm / □ or more 5E + 10Ω / □ Ri der within the following ranges,
A shield layer having a thickness of 7 nm or more and 25 nm or less . 金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項１に記載のシールド層。 The shield layer according to claim 1, wherein the total of the metal components is 100 atomic %, and Zr is further contained in the range of 1 atomic% or more and 32 atomic% or less. 波長５５０ｎｍにおける透過率が９５％以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシールド層。 The shield layer according to claim 1 or 2, which has a transmittance of 95% or more at a wavelength of 550 nm. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のシールド層を製造するシールド層の製造方法であって、
金属成分の合計を１００原子％として、Ｉｎを６０原子％以上８０原子％以下含み、残部がＳｉ及び不可避不純物金属元素とされた酸化物からなる酸化物スパッタリングターゲットを用いて、
スパッタ装置内に酸素を導入してスパッタ成膜を行う構成とされており、導入する酸素量について、酸素／アルゴンの流量比を０．０３以下とし、
前記シールド層のシート抵抗を１Ｅ＋７Ω／□以上５Ｅ＋１０Ω／□以下の範囲内とすることを特徴とするシールド層の製造方法。 A method for manufacturing a shield layer for manufacturing the shield layer according to any one of claims 1 to 3 ,
Using an oxide sputtering target made of an oxide containing 60 at% or more and 80 at% or less of In with the total of metal components being 100 at% and the balance being Si and an unavoidable impurity metal element,
It is configured to introduce oxygen into the sputtering apparatus to form a film by sputtering. Regarding the amount of oxygen to be introduced, the flow rate ratio of oxygen/argon is 0.03 or less,
A method for producing a shield layer, wherein the sheet resistance of the shield layer is within a range of 1E+7Ω/□ or more and 5E+10Ω/□ or less. 前記酸化物スパッタリングターゲットが、金属成分の合計を１００原子％として、さらに、Ｚｒを１原子％以上３２原子％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項４に記載のシールド層の製造方法。 The method for producing a shield layer according to claim 4, wherein the oxide sputtering target contains Zr in a range of 1 atomic% or more and 32 atomic% or less, with the total of metal components being 100 atomic %. 請求項４又は請求項５に記載のシールド層の製造方法において使用されることを特徴とする酸化物スパッタリングターゲット。 An oxide sputtering target used in the method for producing a shield layer according to claim 4 or 5 .
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