JP5929979B2 - スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム - Google Patents
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Description
本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、主成分としてのZnOとGa2O3とを含み、Ga2O3の含有量は、Ga2O3及びZnOの合計量に対して18〜25モル%であり、ZnOを主成分とするマトリクス中にGa2O3を主成分とする粒子が分散した構造を有し、Ga2O3を主成分とする粒子の平均粒径が1.5μm〜10μmである。なお、主成分とは、上記スパッタリングターゲット、粒子、及びマトリクスのそれぞれにおいて主成分として記載された成分が、最大モル比を占めていることを意味する。
本実施形態にかかるスパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
以下、本実施形態に係るスパッタリングターゲットを使用した薄膜の製造方法の一例について説明する。
上記透明導電性酸化物薄膜を用いて、図2に示す導電性フィルム100を作製することができる。導電性フィルム100は、フィルム基材11上に、金属酸化物層13、及びAg合金層15、ZnO−Ga2O3層17をこの順に積層したものである。ZnO−Ga2O3層17は、上記透明導電性酸化物薄膜である。ZnO−Ga2O3層17には配線電極用の金属配線(図示せず)が設けられる。
(1)電気抵抗値(比抵抗)
実施例1〜7及び比較例1〜8で得られた各スパッタリングターゲットについて、比抵抗測定器を用いてJIS K−7194に規定される4探針法により電気抵抗値を測定した結果を表1に示す。
実施例1〜7及び比較例1〜8の各スパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電性酸化物薄膜について、4端子抵抗率計(商品名:ロレスタGP、三菱化学株式会社製)を用いて表面抵抗値を測定した。また、分光色差計CM−5、コニカミノルタ製を用いて、波長380nmにおける屈折率及び光線透過率を測定した。それぞれ結果を表2に示す。
Claims (3)
- 主成分としてのZnOとGa2O3とを含み、
Ga2O3の含有量は、Ga2O3及びZnOの合計量に対して18〜25モル%であり、
ZnOを主成分とするマトリクス中にGa2O3を主成分とする粒子が分散した構造を有し、
前記Ga2O3を主成分とする粒子の平均粒径が1.5μm〜10μmである、スパッタリングターゲット。 - 請求項1に記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、透明導電性酸化物薄膜を成膜する工程を備える、透明導電性酸化物薄膜の製造方法。
- 請求項1に記載のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、基材上に透明導電性酸化物薄膜を成膜する工程を備える、導電性フィルムの製造方法。
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