JP6684603B2 - 再生半導体ウエハの製造方法 - Google Patents
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Description
ラットを有する新たな半導体ウエハが切り出されるので、半導体ウエハからより小さいオリエンテーションフラットを有する新たな半導体ウエハをできるだけ大きなものとして切り出すことを可能にし、結晶方位を指定することを可能にするとともに、1枚の半導体ウエハから、2枚のオリエンテーションフラットを有する新たな半導体ウエハが切り出されるので、元の半導体ウエハを有効活用することができる。
2 バンドソー
3 テーブル装置
4 治具
11,13,14 ノッチ
12,15,16 新たな半導体ウエハ
17 オリエンテーションフラット
1A,1B,1C,1D 切断片
31 載置台
32 回転軸
33 駆動装置
34 固定台
35 ケーブル
36 制御台
41,42 部材
43,44,45,46 係止具
43a 突起
Claims (8)
- 略円盤状の半導体ウエハを、新たな半導体ウエハに再生する再生半導体ウエハの製造方法であって、
前記半導体ウエハを積層して固定する積層工程と、
積層された前記半導体ウエハを積層方向に対して略垂直に切断して新たな半導体ウエハを切り出す切断工程と、を備え、
前記半導体ウエハは、円周上に切り欠きであるノッチを有し、
前記新たな半導体ウエハは、結晶方位を指定するための直線部であるオリエンテーションフラットを有しており、
前記新たな半導体ウエハは、1枚の前記半導体ウエハから、前記オリエンテーションフラットを接するように対向して2枚生成される、
ことを特徴とする再生半導体ウエハの製造方法。 - 前記切断工程後の積層された前記新たな半導体ウエハを略円柱状に研削する研削工程を備えた、
ことを特徴とする請求項1に記載の再生半導体ウエハの製造方法。 - 前記積層工程は、前記半導体ウエハの表面、または前記半導体ウエハに対して洗浄、ウエットエッチング、もしくは研磨処理を行った表面に接着剤を塗布して積層する、
ことを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の再生半導体ウエハの製造方法。 - 前記接着剤は、常温において液体または固体のワックスである、
ことを特徴とする請求項3に記載の再生半導体ウエハの製造方法。 - 前記積層工程では、前記半導体ウエハを加温した状態で前記ワックスを塗布する、
ことを特徴とする請求項4に記載の再生半導体ウエハの製造方法。 - 前記半導体ウエハは、略直径300mmの半導体ウエハであり、
前記新たな半導体ウエハは、略円盤状で略直径150mmの半導体ウエハである、
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の再生半導体ウエハの製造方法。 - 前記積層工程では、突起が設けられた治具が使用され、前記突起が前記半導体ウエハを積層した側面を支持することにより前記半導体ウエハを固定する、
ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の再生半導体ウエハの製造方法。 - 前記切断工程では、バンドソーを使用して前記新たな半導体ウエハを切り出す、
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の再生半導体ウエハの製造方法。
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