JP6676592B2 - 液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
液体吐出ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6676592B2 JP6676592B2 JP2017159809A JP2017159809A JP6676592B2 JP 6676592 B2 JP6676592 B2 JP 6676592B2 JP 2017159809 A JP2017159809 A JP 2017159809A JP 2017159809 A JP2017159809 A JP 2017159809A JP 6676592 B2 JP6676592 B2 JP 6676592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- liquid
- protective film
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Ink Jet (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
以下、図面を参照して本発明の第1の実施形態について詳細に説明する。
H2Oガス圧力:80Pa〜130Pa
H2Oガス流量:100sccm〜300sccm
マイクロ波出力:1000W〜3000W
マイクロ波周波数:2.45GHz
また、水蒸気プラズマによる処理時間は2min以上60min以下であることが好ましい。水蒸気プラズマによる処理温度は60℃以上250℃以下であることが好ましい。水蒸気プラズマによる処理温度をこの範囲とすることで、すでに基板上に形成されている素子や中間層等の構造体へのダメージを抑制することができる。処理温度を低く保つため、冷却工程と処理工程とを断続的に行ってもよい。
図3(A)〜(H)は第2の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を工程毎に説明する図である。第2の実施形態の第1の実施形態との違いは、保護膜10の水蒸気プラズマ処理工程を保護膜10のパターニング工程の後ではなく、保護膜10の形成工程後パターニング工程前に行う点である。すなわち、第2の実施形態においては、保護膜10が基板1の全面を覆った状態で保護膜10の水蒸気プラズマ処理が行われる。
図4(A)〜(H)は第3の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を工程毎に説明する図である。第3の実施形態は第2の実施形態と同様、保護膜10の水蒸気プラズマ処理工程を保護膜10の形成工程後パターニング工程前に行う。第2の実施形態との違いは、保護膜10の水蒸気プラズマ処理工程を保護膜10のパターニングのためのマスクパターン11aを形成するマスク形成工程の後、保護膜10のパターニング工程の前に行う点である。第3の実施形態も第2の実施形態と同様に、配線膜13が露出していない状態で保護膜10を水蒸気プラズマに晒すため、配線膜13を変質させずに保護膜10を改質することができる。
図5(A)〜(H)は第4の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を工程毎に説明する図である。第4の実施形態においては保護膜10が2層であり、第2の実施形態と同様に保護膜10の水蒸気プラズマ処理工程を保護膜10の形成工程後パターニング工程前に行う。保護膜10は第1の保護膜(第1の膜)10aと、第1の保護膜10aの下に設けられた第2の保護膜(第2の膜)10bとからなる。第1の保護膜10aは、第1の実施形態の保護膜10と同様にSiO、SiOC、およびSiNからなる群より選ばれる化合物を含む。第2の保護膜10bは、第1の保護膜10aよりも耐液性の高い保護膜であり、Ta、Zr、Hf、Nb、およびTiからなる群から選択されるいずれかの金属元素の、酸化物、酸炭化物、または窒化物を含むことが好ましい。保護膜10をこのような2層構成とすることで、流路3の壁面をより効果的に液体から保護することができる。
図6(A)〜(H)は第5の実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を工程毎に説明する図である。
2 吐出エネルギー発生素子
3 流路
4 吐出口
5 流路形成部材
9 中間層
10 保護膜
10a 第1の保護膜(第1の膜)
10b 第2の保護膜(第2の膜)
13 配線膜
Claims (15)
- 液体の流路と、前記流路が設けられた基板とを有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記流路の壁面にSiO、SiOC、およびSiNからなる群より選択されるシリコン化合物を含む膜をCVD法またはALD法により形成する膜形成工程と、
前記膜形成工程において形成された膜を水蒸気プラズマで処理する水蒸気プラズマ処理工程と、
前記膜形成工程において形成された膜上にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを用いて前記膜をパターニングするパターニング工程と、を有し、
前記水蒸気プラズマ処理工程は前記パターニング工程の後に行われることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - 液体の流路と、前記流路が設けられた基板とを有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記流路の壁面にSiO、SiOC、およびSiNからなる群より選択されるシリコン化合物を含む膜をCVD法またはALD法により形成する膜形成工程と、
前記膜形成工程において形成された膜を水蒸気プラズマで処理する水蒸気プラズマ処理工程と、
前記膜形成工程において形成された膜上にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを用いて前記膜をパターニングするパターニング工程と、を有し、
前記水蒸気プラズマ処理工程は前記パターニング工程の前に行われることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - 液体の流路と、前記流路が設けられた基板とを有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
前記流路の壁面にSiO、SiOC、およびSiNからなる群より選択されるシリコン化合物を含む膜をCVD法またはALD法により形成する膜形成工程と、
前記膜形成工程において形成された膜を水蒸気プラズマで処理する水蒸気プラズマ処理工程と、
前記膜形成工程において形成された膜上にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクを用いて前記膜をパターニングするパターニング工程と、を有し、
前記水蒸気プラズマ処理工程は、前記マスク形成工程の後、前記パターニング工程の前に行われることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記膜形成工程において前記膜をALD法により形成する請求項1〜3のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記膜形成工程において原料としてハロゲノ基を有するシリコン化合物を用いる請求項4に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記水蒸気プラズマで処理された膜の表面におけるハロゲン原子の含有率が0.1%以下である請求項5に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記水蒸気プラズマで処理された膜は、表面から深さ方向に沿ってハロゲン原子の含有率が増加する濃度勾配を有する請求項5または6に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記膜形成工程において前記膜を250℃以下で形成する請求項1〜7のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記パターニング工程において前記膜をウェットエッチングによりパターニングする請求項1〜8のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記液体吐出ヘッドは、前記基板上の流路形成部材と、前記流路形成部材と前記基板との間の樹脂を含む中間層とを有し、
前記中間層は前記膜形成工程の前にあらかじめ前記基板上に設けられている請求項1〜9のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記液体吐出ヘッドは、前記基板上の、液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子と、前記吐出エネルギー発生素子を内部に備える圧力室とを備え、前記圧力室内の液体は前記圧力室の外部との間で循環される請求項1〜10のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記液体吐出ヘッドは、前記基板上に、液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子と、前記吐出エネルギー発生素子を駆動するための配線膜とを有し、
前記配線膜は、前記膜形成工程の前にあらかじめ前記基板上に設けられている請求項1〜10のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記配線膜は、Mo、Ti、W、Ni、Ta、Cu、Al、Crおよびそれらの合金を含む金属膜である請求項12に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記液体吐出ヘッドは、前記膜形成工程において形成された膜を第1の膜としたとき、前記第1の膜の下に第2の膜をさらに有し、
前記第2の膜は、Ta、Zr、Hf、Nb、およびTiからなる群から選択されるいずれかの金属元素の、酸化物、酸炭化物または窒化物を含む請求項1〜13のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記液体吐出ヘッドは、前記膜形成工程において形成された膜を第1の膜としたとき、前記第1の膜の上に第2の膜をさらに有し、
前記第2の膜は、Ta、Zr、Hf、Nb、およびTiからなる群から選択されるいずれかの金属元素の、酸化物、酸炭化物または窒化物を含む請求項1〜13のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017159809A JP6676592B2 (ja) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017159809A JP6676592B2 (ja) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019038126A JP2019038126A (ja) | 2019-03-14 |
JP6676592B2 true JP6676592B2 (ja) | 2020-04-08 |
Family
ID=65725022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017159809A Active JP6676592B2 (ja) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6676592B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7066534B2 (ja) * | 2018-06-04 | 2022-05-13 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
EP4129692A4 (en) * | 2020-03-30 | 2023-09-13 | FUJIFILM Corporation | LIQUID DISCHARGE STRUCTURE, LIQUID DISCHARGE HEAD AND LIQUID DISCHARGE DEVICE |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729897A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10774A (ja) * | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド用基板及びこれを備えたインクジェット記録ヘッド |
JP2006303007A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 電界効果型トランジスタ |
JP4766658B2 (ja) * | 2005-05-10 | 2011-09-07 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 |
JP5398179B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | ノズル孔の形成方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 |
US9460912B2 (en) * | 2012-04-12 | 2016-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films |
JP6238760B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2017-11-29 | キヤノン株式会社 | 構造物の製造方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP2016175232A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | キヤノン株式会社 | 膜の製造方法 |
JP7034586B2 (ja) * | 2016-01-08 | 2022-03-14 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド及び液体吐出方法 |
-
2017
- 2017-08-22 JP JP2017159809A patent/JP6676592B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019038126A (ja) | 2019-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7517059B2 (en) | Liquid jet head and method for producing the same | |
JP5305691B2 (ja) | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法 | |
JP5002290B2 (ja) | 液体吐出ヘッド基体の製造方法 | |
JP6676592B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
US10286664B2 (en) | Liquid ejection head, method for manufacturing the same, and printing method | |
KR101155989B1 (ko) | 잉크젯 프린트헤드의 제조방법 | |
WO2007105801A1 (ja) | 液体吐出ヘッド基体、その基体を用いた液体吐出ヘッドおよびそれらの製造方法 | |
JP6522040B2 (ja) | 積層体の製造方法および液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP6234095B2 (ja) | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 | |
US8012773B2 (en) | Method for manufacturing liquid discharge head | |
JP5031597B2 (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
JP5980020B2 (ja) | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 | |
US9676193B2 (en) | Substrate processing method and method of manufacturing substrate for liquid discharge head including forming hole in substrate by dry etching | |
JP2009525898A (ja) | プリントヘッド及びその製造方法 | |
JP6929657B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
US11081349B2 (en) | Method of forming film on substrate and method of manufacturing liquid ejection head | |
JP2007126692A (ja) | 凹部付き基板の製造方法および凹部付き基板 | |
JP2016037625A (ja) | エッチング方法及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法 | |
JP6932519B2 (ja) | 液体吐出ヘッドおよびその製造方法、並びに記録方法 | |
JP4385680B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置 | |
JP6921564B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP2006315190A (ja) | 液体噴射ヘッドおよびその製造方法 | |
KR100854514B1 (ko) | 패턴기판 제조방법 | |
JP2007144915A (ja) | 液滴吐出ヘッドの製造方法およびパターン形成方法 | |
US7767103B2 (en) | Micro-fluid ejection assemblies |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190730 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200312 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6676592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |