JP6631669B2 - リードフレームおよびリードフレームの製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図10を参照して説明する。
まず、図1乃至図5により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図1乃至図5は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
このリードフレーム要素14は、半導体素子21を載置するダイパッド15と、ダイパッド15の周囲に設けられた複数のリード部16とを含んでいる。なお、図1および図2において、二点鎖線で囲まれた領域がそれぞれリードフレーム要素14に対応する。
次に、図6により、本実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置について説明する。図6は、半導体装置を示す断面図である。
次に、図1乃至図5に示すリードフレーム10の製造方法について、図7(a)−(e)を用いて説明する。図7(a)−(e)は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であって、図1のVII−VII線断面図に対応する図である。
次に、図6に示す半導体装置20の製造方法について、図8(a)−(f)により説明する。図8(a)−(f)は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
本実施の形態によれば、コネクティングバー17のうち、とりわけ応力変形が生じやすい箇所である補強部19は、ハーフエッチングによりリード部16と同一厚みとなる台形断面を有している。応力変形が生じやすい補強部19の強度を高めたことにより、コネクティングバー17の全体の強度が高められ、リードフレーム10を作製する際(図7(d)−(e))、あるいは作製後のリードフレーム10を保管乃至搬送する際、コネクティングバー17がX方向、Y方向、Z方向のいずれにも変形しないようになっている。
次に、図9および図10により、本実施の形態によるリードフレームの変形例について説明する。図9および図10において、図1乃至図8に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第2の実施の形態について図11乃至図15を参照して説明する。図11乃至図15は、本発明の第2の実施の形態を示す図である。図11乃至図15に示す第2の実施の形態は、コネクティングバーの補強部が、上底が下底より短い台形断面を有する点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図11乃至図15において、図1乃至図10に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第3の実施の形態について図16乃至図20を参照して説明する。図16乃至図20は、本発明の第3の実施の形態を示す図である。図16乃至図20に示す第3の実施の形態は、コネクティングバーのリード連結部の一部は、リード部と同一厚みとなる矩形断面を有しており、コネクティングバーの補強部は、上底が下底より短い台形断面を有している点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図16乃至図20において、図1乃至図10に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
14 リードフレーム要素
15 ダイパッド
16 リード部
17 コネクティングバー
18、71、81 リード連結部
19、72、82 補強部
20、20A 半導体装置
21 半導体素子
22 ボンディングワイヤ(導電部)
24 封止樹脂部
26 固着材
29、73、83 ハーフエッチング部
Claims (5)
- 半導体装置用のリードフレームにおいて、
それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を備え、
隣接するリードフレーム要素間において、対応する一対のリード部がコネクティングバーを介して連結され、
コネクティングバーは、リード部の長手方向に対して直交して延び、かつ対応する一対のリード部間に位置する複数のリード連結部と、リード連結部間に位置する複数の補強部とを有し、
コネクティングバーの幅方向両端に、それぞれコネクティングバーの長手方向に沿って、表面と裏面とのうち一方の面側からエッチングが施された直線状の片面エッチング部が形成され、前記直線状の片面エッチング部の幅は、リード連結部と補強部との間で均一であることを特徴とするリードフレーム。 - 前記直線状の片面エッチング部は、コネクティングバーの裏面側に形成されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 前記直線状の片面エッチング部は、コネクティングバーの表面側に形成されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 請求項1乃至3のいずれか一項記載のリードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、
エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、金属基板に、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を形成する工程と、
金属基板の表裏から、それぞれエッチング用レジスト層を除去する工程とを備え、
複数のリードフレーム要素を形成する工程において、コネクティングバーの幅方向両端に、それぞれコネクティングバーの長手方向に沿って、表面と裏面とのうち一方の面側からエッチングが施された直線状の片面エッチング部が形成され、前記直線状の片面エッチング部の幅は、リード連結部と補強部との間で均一であることを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、
リードフレームのダイパッド上に、半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子とリードフレームのリード部とを、導電部によって電気的に接続する工程と、
封止樹脂部によりダイパッド、リード部、半導体素子および導電部を封止する工程と、 各リードフレーム要素間のコネクティングバーをソーイングすることにより、リードフレームを各リードフレーム要素毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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