JP6620035B2

JP6620035B2 - 表示装置

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Publication number: JP6620035B2
Application number: JP2016034469A
Authority: JP
Inventors: 佐々木　亨; 亨佐々木
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2016-02-25
Filing date: 2016-02-25
Publication date: 2019-12-11
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Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、高度情報化に伴い、薄型表示装置のニーズが高まっている。例えば、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、および有機ＥＬ表示装置等の薄型表示装置が実用化されている。そして、各薄型表示装置の輝度向上や高精細化などの研究開発が盛んに行われている。例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置における輝度向上の方法の１つとして、上面発光型の発光素子構造の有機ＥＬ表示装置において、マイクロキャビティ構造を採用する方法が提案されている。

特開２００５−２８４２７６号公報特開２００２−１５８０９５号公報特開２００９−２７２０５９号公報特表２０１２−５０７１１０号公報

サブピクセルごとに発光色が異なるサイドバイサイド方式の有機エレクトロルミネッセンスパネルにおいて、ＲＧＢ各色の色純度を向上するためにマイクロキャビティ効果を強くすると、発光層から出射する光の波長が視野角によって変化して色度がずれ、表示画質が低下する。つまり、視野角が狭くなる。特許文献１〜４は、いずれも、回折格子を使用して光取り出し効率を向上させることを開示しているが、視野角を拡げることは開示していない。

本発明は、マイクロキャビティ効果によって狭くなる視野角を拡大することを目的とする。

本発明に係る表示装置は、積層された複数の層を有する表示装置であって、前記複数の層は、表示面を有する表示層と、複数の単位画素のそれぞれに対応する画素電極を備える画素電極層と、前記画素電極層に積層する発光素子層と、前記発光素子層に積層する共通電極層と、前記共通電極層に積層する封止層とを含み、前記複数の層は、前記発光素子層を挟んでマイクロキャビティを構成する少なくとも２層を含み、且つ前記発光素子層と前記表示層との間に位置し、界面が回折格子を構成する形状で積層する少なくとも一対の層を含むことを特徴とする。

本発明によれば、マイクロキャビティによって直進する光を、回折格子によって、斜めに進行させるので、視野角を拡大させることができる。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置を示す概略図である。複数の単位画素を拡大して示す表示装置の拡大図である。図２に示す表示装置のIII−III線断面図である。図２に示す表示装置のIV−IV線断面図である。図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）は、それぞれ、図４に示す表示装置のVA−VA線断面図、VB−VB線断面図及びVC−VC線断面図である。本発明の第２の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。図７（Ａ）、図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置を示し、それぞれ、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）と同じ位置で切断した断面図である。図８（Ａ）、図８（Ｂ）及び図８（Ｃ）は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置を示し、それぞれ、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示す断面に直交する位置で切断した断面図である。図９（Ａ）、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置を示し、それぞれ、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示す断面に直交する位置で切断した断面図である。

以下、本発明を適用した実施形態について、図面を参照しながら説明する。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置を示す概略図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）１０が搭載される回路基板１２を有する。回路基板１２には、表示面１４を有する表示層１６が積層される。表示面１４には、光からなる複数の単位画素１８で構成される画像が表示される。

図２は、複数の単位画素１８を拡大して示す表示装置の拡大図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面図である。図４は、図２に示す表示装置のIV−IV線断面図である。

本実施形態に係る表示装置は、フルカラーの画像を表示する。複数の単位画素１８は、複数色（例えば、赤、緑及び青）の単位画素１８、例えば、赤画素１８Ｒ、緑画素１８Ｇ及び青画素１８Ｂを含み、これらを合成してフルカラー画素を構成する。画像を構成する光は、波長がそれぞれ異なる複数の光を含む。赤、緑及び青の色のなかで、赤色の光の波長が最も長く、青色の光の波長が最も短い。

図３に示すように、回路基板１２には、半導体層２０が形成されている。半導体層２０の上にソース電極２２及びドレイン電極２４が設けられている。半導体層２０を覆ってゲート絶縁膜２６が形成され、ゲート絶縁膜２６の上にはゲート電極２８が形成されている。ゲート電極２８を覆って層間絶縁膜３０が形成されている。ソース電極２２及びドレイン電極２４は、ゲート絶縁膜２６及び層間絶縁膜３０を貫通している。半導体層２０、ソース電極２２、ドレイン電極２４及びゲート電極２８によって薄膜トランジスタ３２が構成される。薄膜トランジスタ３２を覆うようにパッシベーション膜３４が設けられている。

パッシベーション膜３４の上には、電極下地層３６が設けられている。電極下地層３６の上には、複数の単位画素１８それぞれに対応するように構成された画素電極層３８が設けられている。電極下地層３６は、少なくとも画素電極層３８が設けられる面が平坦になるように形成される。画素電極層３８は、例えば光を反射する下層と光を透過する上層からなり、光を反射するようになっている。画素電極層３８は、電極下地層３６、パッシベーション膜３４を貫通するコンタクトホール４０によって、半導体層２０上のソース電極２２及びドレイン電極２４の一方に電気的に接続している。

電極下地層３６及び画素電極層３８上に、絶縁層４２が形成されている。絶縁層４２は、画素電極層３８の周縁部に載り、画素電極層３８の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層４２によって、画素電極層３８の一部を囲むバンクが形成される。

画素電極層３８上に発光素子層４４（自発光素子層と呼ぶ場合も有る）が設けられている。発光素子層４４は、正孔輸送注入層４６、正孔輸送層４８、発光層５０及び電子注入輸送層５２を含む。発光層５０は、異なる色の単位画素１８に対応して、画素電極層３８ごとに分離して設けられている。図２に示す赤画素１８Ｒ、緑画素１８Ｇ及び青画素１８Ｂに対応して、図４に示すように、赤発光層５０Ｒ、緑発光層５０Ｇ及び青発光層５０Ｂが設けられている。正孔輸送層４８も、画素電極層３８ごとに分離して設けられている。これに対して、正孔輸送注入層４６及び電子注入輸送層５２は、複数の画素電極層３８の上方に連続的に覆うように設けられている。

発光素子層４４の上には、共通電極層５４（例えば陰極）が設けられている。共通電極層５４は、バンクとなる絶縁層４２の上方に載るように形成する。発光素子層４４は、画素電極層３８及び共通電極層５４に挟まれ、両者間を流れる電流によって発光し、その輝度は薄膜トランジスタ３２（図３）によって制御される。

発光素子層４４は、積層した複数の層（例えば、第１無機層５６、第１有機層５８、第２有機層６０及び第２無機層６２）からなる封止層６４によって封止されて、水分から遮断されている。第１無機層５６及び第２無機層６２は窒化ケイ素などの無機材料で形成し、第１有機層５８及び第２有機層６０はポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの有機材料で形成することができる。光屈折率は、窒化ケイ素が最も大きく、次にポリイミド樹脂が大きく、アクリル樹脂が最も小さい。封止層６４を構成する複数の層はそれぞれ光透過性を有する。封止層６４の上方には、光透過性の充填層６６を介して、透明のガラスや樹脂などからなる対向基板である表示層１６が設けられる。表示層１６には、図示しないブラックマトリクスを設けてもよい。

図４に示すように、第１有機層５８と第２有機層６０の間には、第１格子層６８が設けられている。第１格子層６８は、遮光性を有していてもよいが、この例では光透過性を有する。第１格子層６８は、複数の第１凸条部７０がある第１表面形状を有する。複数の第１凸条部７０は、表示面１４に平行な第１方向Ｄ１（紙面表裏方向）にそれぞれ間隔をあけて第１方向Ｄ１に交差する第２方向（図４の左右方向）にそれぞれ延びる。第１有機層５８は、第１格子層６８の第１表面形状に接触して積層する。第１格子層６８は、第２方向Ｄ２にそれぞれ延びる複数の第１スリット７２を有する（図５参照）。隣同士の第１スリット７２の間に複数の第１凸条部７０のそれぞれが形成される。なお、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、任意に設定することができ、入れ替えてもよい。

第２有機層６０と第２無機層６２の間には、第２格子層７４が設けられている。第２格子層７４は、遮光性を有していてもよいが、この例では光透過性を有する。第２格子層７４は、複数の第２凸条部７６がある第２表面形状を有する。複数の第２凸条部７６は、第２方向Ｄ２にそれぞれ間隔をあけて第１方向Ｄ１にそれぞれ延びる。複数の第２凸条部７６の幅は、複数の第１凸条部７０の幅に等しい。第２有機層６０は、第２格子層７４の第２表面形状に接触して積層する。第２格子層７４は、第１方向Ｄ１にそれぞれ延びる複数の第２スリット７８を有し、隣同士の第２スリット７８の間に複数の第２凸条部７６のそれぞれが形成される。第２スリット７８の幅は、第１スリット７２の幅に等しい。

表示装置は、積層された複数の層を有する。少なくとも２層（具体的には画素電極層３８及び共通電極層５４）は、発光素子層４４を挟んでマイクロキャビティを構成する。マイクロキャビティにより、光が共振して色純度の高い強い光を取り出すことができる。画素電極層３８及び共通電極層５４の一方（具体的には画素電極層３８）は、発光素子層４４の、表示層１６とは反対側にある反射層であって、マイクロキャビティを構成するための少なくとも２層の１つである。

マイクロキャビティは、光を垂直に共振するため、視野角依存性が高く、正面方向に比べて斜め方向には発光強度が低下する。そこで、本実施形態では、光の回折により、視野角を広げるようにしている。詳しくは、発光素子層４４から表示層１６に向かう光の経路の途中に回折格子が設けられる。

少なくとも一対の層（第１層及び第２層）の界面に第１回折格子が形成される。第１層は第１格子層６８であり、第２層は第１有機層５８である。第１格子層６８の表面に、第１回折格子が構成される。第１スリット７２が第２方向Ｄ２に延びるので、第１方向Ｄ１に光は回折する。第１回折格子は、透過型であって、発光素子層４４の、表示層１６の側にある。第１格子層６８が光透過性を有していれば、第１格子層６８自体を透過した光も単位画素１８の一部として利用することができる。なお、光透過性の第１格子層６８は、第２層（第１有機層５８）よりも光屈折率が大きい材料で形成されている。

他の一対の層（第３層及び第４層）も、界面が回折格子を構成する形状で積層する。第３層は第２格子層７４であり、第４層は第２有機層６０である。第２格子層７４の表面に、第２回折格子が構成される。第２スリット７８が第１方向Ｄ１に延びるので、第２方向Ｄ２に光は回折する。第２回折格子は、透過型であって、発光素子層４４の、表示層１６の側にある。第２格子層７４が光透過性を有していれば、第２格子層７４自体を透過した光も単位画素１８の一部として利用することができる。なお、光透過性の第２格子層７４は、第４層（第２有機層６０）よりも光屈折率が大きい材料で形成されている。

図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）は、それぞれ、図４に示す表示装置のVA−VA線断面図、VB−VB線断面図及びVC−VC線断面図である。

回折格子は、光の波長が長いほど回折角が大きく、スリットの幅が大きいほど回折角が小さくなる。第１回折格子は、複数の光にそれぞれ応じた複数の第１回折格子を含む。具体的には、複数の第１回折格子は、対応する複数の光の波長の長さに応じて、複数の第１凸条部７０の相互間隔（つまり第１スリット７２の幅）が大きくなる。詳しくは、赤の光に応じた第１赤回折格子８０、緑の光に応じた第１緑回折格子８２及び青の光に応じた第１青回折格子８４が設けられる。第１赤回折格子８０の第１スリット７２の幅が最も大きく、次に第１緑回折格子８２の第１スリット７２の幅が大きく、第１青回折格子８４の第１スリット７２の幅が最も小さい。例えば、６：５：４の比率である。これにより、異なる色の光が回折によって進行する方向をそろえることができる。

同様に、第２回折格子は、複数の光にそれぞれ応じた複数の第２回折格子を含む。具体的には、複数の第２回折格子は、対応する複数の光の波長の長さに応じて、複数の第２凸条部７６の相互間隔（つまり第２スリット７８の幅）が大きくなる。詳しくは、赤の光に応じた第２赤回折格子８６、緑の光に応じた第２緑回折格子８８及び青の光に応じた第２青回折格子９０が設けられる。第２赤回折格子８６の第２スリット７８の幅が最も大きく、次に第２緑回折格子８８の第２スリット７８の幅が大きく、第２青回折格子９０の第２スリット７８の幅が最も小さい。例えば、６：５：４の比率である。これにより、異なる色の光が回折によって進行する方向をそろえることができる。

本実施形態によれば、マイクロキャビティによって直進する光を、回折格子によって、斜めに進行させるので、視野角を拡大させることができる。なお、第１青回折格子８４及び第２青回折格子９０の開口幅（スリットの幅）が等しく、第１赤回折格子８０及び第２赤回折格子８６の開口幅（スリットの幅）が等しく、第１緑回折格子８２及び第２緑回折格子８８の開口幅（スリットの幅）が等しい。こうすることで、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２への光の回折角度を等しくすることができる。

［第２の実施形態］
図６は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。本実施の形態では、第２回折格子を構成するための第３層及び第４層が、第１の実施形態と異なる。具体的には、第２無機層２６２が第３層であり、第２有機層２６０が第４層である。第３層（第２無機層２６２）は、第４層（第２有機層２６０）よりも光屈折率が大きい材料で形成されている。第２無機層２６２（第３層）は、第１方向Ｄ１にそれぞれ延びる複数の第２凹条部２９２を有する。隣同士の第２凹条部２９２の間に複数の第２凸条部２７６のそれぞれが形成される。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

［第３の実施形態］
図７（Ａ）、図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置を示し、それぞれ、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）と同じ位置で切断した断面図である。

本実施形態では、第１回折格子を構成するための第１層が、第１の実施形態と異なる。具体的には、第２有機層３６０が第１層であり、第１有機層３５８が第２層である。第２有機層３６０（第１層）は、第２方向Ｄ２にそれぞれ延びる複数の第１凹条部３９４を有し、隣同士の第１凹条部３９４の間に複数の第１凸条部３７０のそれぞれが形成される。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

［第４の実施形態］
図８（Ａ）、図８（Ｂ）及び図８（Ｃ）は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置を示し、それぞれ、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示す断面に直交する位置で切断した断面図である。したがって、図５と図８では、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２が反対になっている。

本実施形態では、第１回折格子は、第１の実施形態では第２回折格子として説明した構造になっている。つまり、第２方向Ｄ２に沿って延びる第１格子層４６８は、方向を除いて、図５に示す第２格子層７４と同じ構造である。

本実施形態の第２回折格子を構成するための第３層及び第４層は、第１の実施形態と異なる。具体的には、画素電極層３８及び共通電極層４５４のうち、表示層１６に近い側にある一方（共通電極層４５４）が第３層である。第２無機層４６２が第４層である。なお、第３層（共通電極層４５４）は、第２層（第２無機層４６２）よりも光屈折率が大きい材料で形成する。共通電極層４５４（第３層）は、第１方向Ｄ１にそれぞれ延びる複数の第２凹条部４９２を有する。隣同士の第２凹条部４９２の間に複数の第２凸条部４７６のそれぞれが形成される。

共通電極層４５４（第３層）が有する第２表面形状は、その下にある電子注入輸送層４５２の形状に対応している。電子注入輸送層４５２の表面にも、第１方向Ｄ１にそれぞれ延びる複数の凸条部４９６が形成されている。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

［第５の実施形態］
図９（Ａ）、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置を示し、それぞれ、図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示す断面に直交する位置で切断した断面図である。したがって、図５と図９では、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２が反対になっている。

本実施形態では、第１回折格子は、第１の実施形態では第２回折格子として説明した構造になっている。つまり、第２方向Ｄ２に沿って延びる第１格子層５６８は、方向を除いて、図５に示す第２格子層７４と同じ構造である。

本実施形態の第２回折格子を構成するための第３層及び第４層は、第１の実施形態と異なる。第２回折格子は、反射型である。具体的には、画素電極層５３８及び共通電極層５４のうち、表示層１６から離れた側にある一方（画素電極層５３８）が第３層である。正孔輸送注入層５４６が第４層である。なお、第３層（画素電極層５３８）は、第４層（正孔輸送注入層５４６）よりも光屈折率が大きい材料で形成する。画素電極層５３８（第３層）は、第１方向Ｄ１にそれぞれ延びる複数の第２凹条部５９２を有する。隣同士の第２凹条部５９２の間に複数の第２凸条部５７６のそれぞれが形成される。

画素電極層５３８（第３層）が有する第２表面形状は、その下にある電極下地層５３６の形状に対応している。電極下地層５３６の表面にも、第１方向Ｄ１にそれぞれ延びる複数の凸条部５９８が形成されている。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０駆動ＩＣ、１２回路基板、１４表示面、１６表示層、１８単位画素、１８Ｒ赤画素、１８Ｇ緑画素、１８Ｂ青画素、２０半導体層、２２ソース電極、２４ドレイン電極、２６ゲート絶縁膜、２８ゲート電極、３０層間絶縁膜、３２薄膜トランジスタ、３４パッシベーション膜、３６電極下地層、３８画素電極層、４０コンタクトホール、４２絶縁層、４４発光素子層、４６正孔輸送注入層、４８正孔輸送層、５０発光層、５０Ｒ赤発光層、５０Ｇ緑発光層、５０Ｂ青発光層、５２電子注入輸送層、５４共通電極層、５６第１無機層、５８第１有機層、６０第２有機層、６２第２無機層、６４封止層、６６充填層、６８第１格子層、７０第１凸条部、７２第１スリット、７４第２格子層、７６第２凸条部、７８第２スリット、８０第１赤回折格子、８２第１緑回折格子、８４第１青回折格子、８６第２赤回折格子、８８第２緑回折格子、９０第２青回折格子、２６０第２有機層、２６２第２無機層、２７６第２凸条部、２９２第２凹条部、３５８第１有機層、３６０第２有機層、３７０第１凸条部、３９４第１凹条部、４５２電子注入輸送層、４５４共通電極層、４６２第２無機層、４７６第２凸条部、４９２第２凹条部、４９６凸条部、５３６電極下地層、５３８画素電極層、５４６正孔輸送注入層、５７６第２凸条部、５９２第２凹条部、５９８凸条部。

Claims

積層された複数の層を有する表示装置であって、前記複数の層は、
表示面を有する表示層と、
複数の単位画素のそれぞれに対応する画素電極を備える画素電極層と、
前記画素電極層に積層する発光素子層と、
前記発光素子層に積層する共通電極層と、
前記共通電極層に積層する封止層と、
を含み、
前記複数の層は、前記発光素子層を挟んでマイクロキャビティを構成する少なくとも２層を含み、且つ前記発光素子層と前記表示層との間に位置し、界面が回折格子を構成する形状で積層する少なくとも一対の層を含み、
前記回折格子を構成するための前記少なくとも一対の層は、前記表示面に平行な第１方向にそれぞれ間隔をあけて前記第１方向に交差する第２方向にそれぞれ延びる複数の凸条部がある表面形状を有する第１層と、前記表面形状に接触して積層する第２層と、を含み、
前記第１層の表面に、前記回折格子が構成され、
前記回折格子を構成するための前記少なくとも一対の層は、前記第２方向にそれぞれ間隔をあけて前記第１方向にそれぞれ延びる複数の凸条部がある第２表面形状を有する第３層と、前記第２表面形状に接触して積層する第４層と、を含み、
前記第３層の表面にも、前記回折格子が構成されることを特徴とする表示装置。
請求項１に記載された表示装置において、
前記画素電極層及び前記共通電極層の一方は反射層を含み、前記マイクロキャビティを構成するための前記少なくとも２層の１つであることを特徴とする表示装置。
請求項２に記載された表示装置において、
前記第１層は、前記第２方向にそれぞれ延びる複数のスリットを有し、隣同士の前記スリットの間に前記複数の凸条部のそれぞれが形成されることを特徴とする表示装置。
請求項２に記載された表示装置において、
前記第１層は、前記第２方向にそれぞれ延びる複数の凹条部を有し、隣同士の前記凹条部の間に前記複数の凸条部のそれぞれが形成されることを特徴とする表示装置。
請求項３又は４に記載された表示装置において、
前記第１層の前記表面に構成される前記回折格子は、透過型であって、前記発光素子層の、前記表示層の側にあることを特徴とする表示装置。
請求項３から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第３層は、前記第１方向にそれぞれ延びる複数の第２スリットを有し、隣同士の前記第２スリットの間に前記複数の凸条部のそれぞれが形成されることを特徴とする表示装置。
請求項３から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第３層は、前記第１方向にそれぞれ延びる複数の第２凹条部を有し、隣同士の前記第２凹条部の間に前記複数の凸条部のそれぞれが形成されることを特徴とする表示装置。
請求項６又は７に記載された表示装置において、
前記第３層の前記表面に構成される前記回折格子は、透過型であって、前記発光素子層の、前記表示層の側にあることを特徴とする表示装置。
請求項８に記載された表示装置において、
前記第３層及び前記第４層の一方は、前記画素電極層及び前記共通電極層のうち、前記表示層に近い側にある一方であることを特徴とする表示装置。
請求項６又は７に記載された表示装置において、
前記第３層の前記表面に構成される前記回折格子は、反射型であって、前記発光素子層の、前記表示層とは反対側にあることを特徴とする表示装置。
請求項１０に記載された表示装置において、
前記第３層及び前記第４層の一方は、前記画素電極層及び前記共通電極層のうち、前記表示層から離れた側にある一方であることを特徴とする表示装置。
請求項３から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の単位画素は、フルカラー画素を構成するための複数色からなり、
前記光は、前記複数色に応じて波長が異なる複数の光を含み、
前記回折格子は、前記複数の光にそれぞれ応じた複数の回折格子を含み、
前記複数の回折格子は、対応する前記複数の光の前記波長の長さに応じて、前記複数の凸条部の相互間隔が大きくなることを特徴とする表示装置。
マイクロキャビティを構成する少なくとも２層を含む表示装置であって、
画素電極と、
前記画素電極の上に配置された発光素子層と、
前記発光素子層の上に配置された共通電極と、
前記共通電極の上に配置された封止層と、
を有し、
前記封止層は、第１回折格子と、前記第１回折格子と前記共通電極との間に位置する第２回折格子とを含み、
前記封止層は、無機材料からなる第１無機層と、無機材料からなり前記第１無機層と前記共通電極との間に位置する第２無機層と、有機材料からなり前記第１無機層と前記第２無機層との間に位置する有機層とを有し、
前記第１回折格子は前記有機層に位置し、
前記第２回折格子は前記第２無機層の上に位置していることを特徴とする表示装置。
請求項１３に記載された表示装置において、
前記有機層は、前記第１無機層に接する第１有機層と、前記第１有機層と前記第２無機層とに接する第２有機層とを有し、
前記第１回折格子は、前記第１有機層と前記第２有機層との界面に位置していることを特徴とする表示装置。