KR20170100404A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170100404A KR20170100404A KR1020160152530A KR20160152530A KR20170100404A KR 20170100404 A KR20170100404 A KR 20170100404A KR 1020160152530 A KR1020160152530 A KR 1020160152530A KR 20160152530 A KR20160152530 A KR 20160152530A KR 20170100404 A KR20170100404 A KR 20170100404A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- diffraction grating
- light emitting
- emitting element
- display
- Prior art date
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 286
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/5265—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H01L51/5218—
-
- H01L51/5221—
-
- H01L51/5253—
-
- H01L51/5256—
-
- H01L51/5268—
-
- H01L51/5271—
-
- H01L51/5275—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H01L2227/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
마이크로 캐비티 효과에 의해 좁아지는 시야각을 확대하는 것을 목적으로 한다. 표시 장치는, 적층된 복수의 층을 갖는다. 복수의 층은, 광을 포함하는 복수의 단위 화소(18)를 포함하는 화상을 표시하는 표시면(14)을 갖는 표시층(16)과, 복수의 단위 화소(18) 각각에 대응하도록 구성된 화소 전극층(38)과, 화소 전극층(38)에 적층되며 전류에 의해 휘도가 제어되어 광을 발하도록 형성된 발광 소자층(44)과, 발광 소자층(44)에 적층하도록 형성된 공통 전극층(54)과, 발광 소자를 밀봉하는 밀봉층(64)을 포함한다. 복수의 층은, 발광 소자층(44)을 사이에 두고 마이크로 캐비티를 구성하기 위한 적어도 2층을 포함한다. 제1 격자층(68) 및 제1 유기층(58)의 계면과, 제2 격자층(74) 및 제2 유기층(60)의 계면에, 각각, 회절 격자가 구성됨으로써, 시야각이 넓어진다.
Description
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 고도 정보화에 수반하여, 박형 표시 장치의 요구가 높아지고 있다. 예를 들어, 액정 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 및 유기 EL 표시 장치 등의 박형 표시 장치가 실용화되고 있다. 그리고, 각 박형 표시 장치의 휘도 향상이나 고정밀화 등의 연구 개발이 활발히 행해지고 있다. 예를 들어, 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치에 있어서의 휘도 향상의 방법의 하나로서, 상면 발광형의 발광 소자 구조의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 마이크로 캐비티 구조를 채용하는 방법이 제안되어 있다.
서브 픽셀마다 발광색이 상이한 사이드 바이 사이드 방식의 유기 일렉트로루미네센스 패널에 있어서, RGB 각 색의 색순도를 향상시키기 위해 마이크로 캐비티 효과를 강하게 하면, 발광층으로부터 출사되는 광의 파장이 시야각에 따라서 변화되어 색도가 어긋나, 표시 화질이 저하된다. 즉, 시야각이 좁아진다. 특허문헌 1∼4는 모두, 회절 격자를 사용하여 광 취출 효율을 향상시키는 것을 개시하고 있지만, 시야각을 확대하는 것은 개시되어 있지 않다.
본 발명은 마이크로 캐비티 효과에 의해 좁아지는 시야각을 확대하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 표시 장치는, 적층된 복수의 층을 갖는 표시 장치로서, 상기 복수의 층은, 표시면을 갖는 표시층과, 복수의 단위 화소의 각각에 대응하는 화소 전극을 구비하는 화소 전극층과, 상기 화소 전극층에 적층하는 발광 소자층과, 상기 발광 소자층에 적층하는 공통 전극층과, 상기 공통 전극층에 적층하는 밀봉층을 포함하고, 상기 복수의 층은, 상기 발광 소자층을 사이에 두고 마이크로 캐비티를 구성하는 적어도 2층을 포함하고, 또한 상기 발광 소자층과 상기 표시층 사이에 위치하며, 계면이 회절 격자를 구성하는 형상으로 적층하는 적어도 한 쌍의 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 마이크로 캐비티에 의해 직진하는 광을, 회절 격자에 의해, 비스듬히 진행시키므로, 시야각을 확대시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치를 도시하는 개략도.
도 2는 복수의 단위 화소를 확대하여 도시하는 표시 장치의 확대도.
도 3은 도 2에 도시한 표시 장치의 III-III선 단면도.
도 4는 도 2에 도시한 표시 장치의 IV-IV선 단면도.
도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 각각, 도 4에 도시한 표시 장치의 VA-VA선 단면도, VB-VB선 단면도 및 VC-VC선 단면도.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치를 도시하는 개략 단면도.
도 7의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 부분과 동일 위치에서 절단한 단면도.
도 8의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 단면에 직교하는 위치에서 절단한 단면도.
도 9의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 단면에 직교하는 위치에서 절단한 단면도.
도 2는 복수의 단위 화소를 확대하여 도시하는 표시 장치의 확대도.
도 3은 도 2에 도시한 표시 장치의 III-III선 단면도.
도 4는 도 2에 도시한 표시 장치의 IV-IV선 단면도.
도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 각각, 도 4에 도시한 표시 장치의 VA-VA선 단면도, VB-VB선 단면도 및 VC-VC선 단면도.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치를 도시하는 개략 단면도.
도 7의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 부분과 동일 위치에서 절단한 단면도.
도 8의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 단면에 직교하는 위치에서 절단한 단면도.
도 9의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 단면에 직교하는 위치에서 절단한 단면도.
이하, 본 발명을 적용한 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다.
[제1 실시 형태]
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 표시 장치를 도시하는 개략도이다. 표시 장치로서, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치를 예로 든다. 표시 장치는, 구동 IC(Integrated Circuit)(10)가 탑재되는 회로 기판(12)을 갖는다. 회로 기판(12)에는, 표시면(14)을 갖는 표시층(16)이 적층된다. 표시면(14)에는, 광을 포함하는 복수의 단위 화소(18)를 포함하는 화상이 표시된다.
도 2는 복수의 단위 화소(18)를 확대하여 도시하는 표시 장치의 확대도이다. 도 3은 도 2에 도시한 표시 장치의 III-III선 단면도이다. 도 4는 도 2에 도시한 표시 장치의 IV-IV선 단면도이다.
본 실시 형태에 따른 표시 장치는 풀컬러의 화상을 표시한다. 복수의 단위 화소(18)는 복수 색(예를 들어, 적색, 녹색 및 청색)의 단위 화소(18), 예를 들어 적색 화소(18R), 녹색 화소(18G) 및 청색 화소(18B)를 포함하고, 이들을 합성하여 풀컬러 화소를 구성한다. 화상을 구성하는 광은, 파장이 각각 상이한 복수의 광을 포함한다. 적색, 녹색 및 청색의 색 중에서, 적색의 광의 파장이 가장 길고, 청색의 광의 파장이 가장 짧다.
도 3에 도시한 바와 같이, 회로 기판(12)에는, 반도체층(20)이 형성되어 있다. 반도체층(20) 상에 소스 전극(22) 및 드레인 전극(24)이 형성되어 있다. 반도체층(20)을 덮어 게이트 절연막(26)이 형성되고, 게이트 절연막(26) 상에는 게이트 전극(28)이 형성되어 있다. 게이트 전극(28)을 덮어 층간 절연막(30)이 형성되어 있다. 소스 전극(22) 및 드레인 전극(24)은 게이트 절연막(26) 및 층간 절연막(30)을 관통하고 있다. 반도체층(20), 소스 전극(22), 드레인 전극(24) 및 게이트 전극(28)에 의해 박막 트랜지스터(32)가 구성된다. 박막 트랜지스터(32)를 덮도록 패시베이션막(34)이 형성되어 있다.
패시베이션막(34) 상에는, 전극 하지층(36)이 형성되어 있다. 전극 하지층(36) 상에는, 복수의 단위 화소(18) 각각에 대응하도록 구성된 화소 전극층(38)이 형성되어 있다. 전극 하지층(36)은 적어도 화소 전극층(38)이 형성되는 면이 평탄해지도록 형성된다. 화소 전극층(38)은 예를 들어 광을 반사하는 하층과 광을 투과하는 상층을 포함하고, 광을 반사하도록 되어 있다. 화소 전극층(38)은 전극 하지층(36), 패시베이션막(34)을 관통하는 콘택트 홀(40)에 의해, 반도체층(20) 상의 소스 전극(22) 및 드레인 전극(24) 중 한쪽에 전기적으로 접속하고 있다.
전극 하지층(36) 및 화소 전극층(38) 상에 절연층(42)이 형성되어 있다. 절연층(42)은 화소 전극층(38)의 주연부에 놓여, 화소 전극층(38)의 일부(예를 들어 중앙부)를 개구시키도록 형성되어 있다. 절연층(42)에 의해, 화소 전극층(38)의 일부를 둘러싸는 뱅크가 형성된다.
화소 전극층(38) 상에 발광 소자층(44)(자발광 소자층이라 부르는 경우도 있음)이 형성되어 있다. 발광 소자층(44)은 정공 수송 주입층(46), 정공 수송층(48), 발광층(50) 및 전자 주입 수송층(52)을 포함한다. 발광층(50)은 상이한 색의 단위 화소(18)에 대응하여, 화소 전극층(38)마다 분리되어 형성되어 있다. 도 2에 도시한 적색 화소(18R), 녹색 화소(18G) 및 청색 화소(18B)에 대응하여, 도 4에 도시한 바와 같이, 적색 발광층(50R), 녹색 발광층(50G) 및 청색 발광층(50B)이 형성되어 있다. 정공 수송층(48)도, 화소 전극층(38)마다 분리되어 형성되어 있다. 이에 대하여, 정공 수송 주입층(46) 및 전자 주입 수송층(52)은 복수의 화소 전극층(38)의 상방에 연속적으로 덮도록 형성되어 있다.
발광 소자층(44) 상에는, 공통 전극층(54)(예를 들어 음극)이 형성되어 있다. 공통 전극층(54)은 뱅크로 되는 절연층(42)의 상방에 놓이도록 형성한다. 발광 소자층(44)은 화소 전극층(38) 및 공통 전극층(54) 사이에 끼워져, 양자간을 흐르는 전류에 의해 발광하고, 그 휘도는 박막 트랜지스터(32)(도 3)에 의해 제어된다.
발광 소자층(44)은, 적층한 복수의 층(예를 들어, 제1 무기층(56), 제1 유기층(58), 제2 유기층(60) 및 제2 무기층(62))을 포함하는 밀봉층(64)에 의해 밀봉되어, 수분으로부터 차단되어 있다. 제1 무기층(56) 및 제2 무기층(62)은 질화규소 등의 무기 재료로 형성하고, 제1 유기층(58) 및 제2 유기층(60)은 폴리이미드 수지나 아크릴 수지 등의 유기 재료로 형성할 수 있다. 광 굴절률은, 질화규소가 가장 크고, 다음으로 폴리이미드 수지가 크고, 아크릴 수지가 가장 작다. 밀봉층(64)을 구성하는 복수의 층은 각각 광투과성을 갖는다. 밀봉층(64)의 상방에는, 광투과성의 충전층(66)을 개재하여, 투명한 유리나 수지 등을 포함하는 대향 기판인 표시층(16)이 형성된다. 표시층(16)에는, 도시하지 않은 블랙 매트릭스를 형성해도 된다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제1 유기층(58)과 제2 유기층(60) 사이에는, 제1 격자층(68)이 형성되어 있다. 제1 격자층(68)은 차광성을 갖고 있어도 되지만, 이 예에서는 광투과성을 갖는다. 제1 격자층(68)은 복수의 제1 볼록조부(70)가 있는 제1 표면 형상을 갖는다. 복수의 제1 볼록조부(70)는 표시면(14)에 평행한 제1 방향 D1(지면 표리 방향)로 각각 간격을 두고 제1 방향 D1에 교차하는 제2 방향(도 4의 좌우 방향)으로 각각 연장된다. 제1 유기층(58)은 제1 격자층(68)의 제1 표면 형상에 접촉하여 적층된다. 제1 격자층(68)은 제2 방향 D2로 각각 연장되는 복수의 제1 슬릿(72)을 갖는다(도 5 참조). 이웃끼리의 제1 슬릿(72)의 사이에 복수의 제1 볼록조부(70)의 각각이 형성된다. 또한, 제1 방향 D1 및 제2 방향 D2는, 임의로 설정할 수 있고, 교체해도 된다.
제2 유기층(60)과 제2 무기층(62) 사이에는, 제2 격자층(74)이 형성되어 있다. 제2 격자층(74)은 차광성을 갖고 있어도 되지만, 이 예에서는 광투과성을 갖는다. 제2 격자층(74)은 복수의 제2 볼록조부(76)가 있는 제2 표면 형상을 갖는다. 복수의 제2 볼록조부(76)는 제2 방향 D2로 각각 간격을 두고 제1 방향 D1로 각각 연장된다. 복수의 제2 볼록조부(76)의 폭은, 복수의 제1 볼록조부(70)의 폭과 동일하다. 제2 유기층(60)은 제2 격자층(74)의 제2 표면 형상에 접촉하여 적층된다. 제2 격자층(74)은 제1 방향 D1로 각각 연장되는 복수의 제2 슬릿(78)을 갖고, 이웃끼리의 제2 슬릿(78)의 사이에 복수의 제2 볼록조부(76)의 각각이 형성된다. 제2 슬릿(78)의 폭은, 제1 슬릿(72)의 폭과 동일하다.
표시 장치는, 적층된 복수의 층을 갖는다. 적어도 2층(구체적으로는 화소 전극층(38) 및 공통 전극층(54))은 발광 소자층(44)을 사이에 두고 마이크로 캐비티를 구성한다. 마이크로 캐비티에 의해, 광이 공진하여 색순도가 높은 강한 광을 취출할 수 있다. 화소 전극층(38) 및 공통 전극층(54) 중 한쪽(구체적으로는 화소 전극층(38))은 발광 소자층(44)의, 표시층(16)과는 반대측에 있는 반사층으로서, 마이크로 캐비티를 구성하기 위한 적어도 2층 중 1개이다.
마이크로 캐비티는, 광을 수직으로 공진하기 때문에, 시야각 의존성이 높고, 정면 방향에 비해 경사 방향으로는 발광 강도가 저하된다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 광의 회절에 의해, 시야각을 확대하도록 하고 있다. 상세하게는, 발광 소자층(44)으로부터 표시층(16)을 향하는 광의 경로 도중에 회절 격자가 형성된다.
적어도 한 쌍의 층(제1 층 및 제2 층)의 계면에 제1 회절 격자가 형성된다. 제1 층은 제1 격자층(68)이며, 제2 층은 제1 유기층(58)이다. 제1 격자층(68)의 표면에, 제1 회절 격자가 구성된다. 제1 슬릿(72)이 제2 방향 D2로 연장되므로, 제1 방향 D1로 광은 회절한다. 제1 회절 격자는, 투과형으로서, 발광 소자층(44)의, 표시층(16)의 측에 있다. 제1 격자층(68)이 광투과성을 갖고 있으면, 제1 격자층(68) 자체를 투과한 광도 단위 화소(18)의 일부로서 이용할 수 있다. 또한, 광투과성의 제1 격자층(68)은 제2 층(제1 유기층(58))보다도 광 굴절률이 큰 재료로 형성되어 있다.
다른 한 쌍의 층(제3 층 및 제4 층)도, 계면이 회절 격자를 구성하는 형상으로 적층한다. 제3 층은 제2 격자층(74)이며, 제4 층은 제2 유기층(60)이다. 제2 격자층(74)의 표면에, 제2 회절 격자가 구성된다. 제2 슬릿(78)이 제1 방향 D1로 연장되므로, 제2 방향 D2로 광은 회절한다. 제2 회절 격자는, 투과형으로서, 발광 소자층(44)의, 표시층(16)의 측에 있다. 제2 격자층(74)이 광투과성을 갖고 있으면, 제2 격자층(74) 자체를 투과한 광도 단위 화소(18)의 일부로서 이용할 수 있다. 또한, 광투과성의 제2 격자층(74)은 제4 층(제2 유기층(60))보다도 광 굴절률이 큰 재료로 형성되어 있다.
도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 각각, 도 4에 도시한 표시 장치의 VA-VA선 단면도, VB-VB선 단면도 및 VC-VC선 단면도이다.
회절 격자는, 광의 파장이 길수록 회절각이 크고, 슬릿의 폭이 클수록 회절각이 작아진다. 제1 회절 격자는, 복수의 광에 각각 따른 복수의 제1 회절 격자를 포함한다. 구체적으로는, 복수의 제1 회절 격자는, 대응하는 복수의 광의 파장의 길이에 따라서, 복수의 제1 볼록조부(70)의 상호 간격(즉 제1 슬릿(72)의 폭)이 커진다. 상세하게는, 적색의 광에 따른 제1 적색 회절 격자(80), 녹색의 광에 따른 제1 녹색 회절 격자(82) 및 청색의 광에 따른 제1 청색 회절 격자(84)가 형성된다. 제1 적색 회절 격자(80)의 제1 슬릿(72)의 폭이 가장 크고, 다음으로 제1 녹색 회절 격자(82)의 제1 슬릿(72)의 폭이 크고, 제1 청색 회절 격자(84)의 제1 슬릿(72)의 폭이 가장 작다. 예를 들어, 6:5:4의 비율이다. 이에 의해, 상이한 색의 광이 회절에 의해 진행하는 방향을 일치시킬 수 있다.
마찬가지로, 제2 회절 격자는, 복수의 광에 각각 따른 복수의 제2 회절 격자를 포함한다. 구체적으로는, 복수의 제2 회절 격자는, 대응하는 복수의 광의 파장의 길이에 따라서, 복수의 제2 볼록조부(76)의 상호 간격(즉 제2 슬릿(78)의 폭)이 커진다. 상세하게는, 적색의 광에 따른 제2 적색 회절 격자(86), 녹색의 광에 따른 제2 녹색 회절 격자(88) 및 청색의 광에 따른 제2 청색 회절 격자(90)가 형성된다. 제2 적색 회절 격자(86)의 제2 슬릿(78)의 폭이 가장 크고, 다음으로 제2 녹색 회절 격자(88)의 제2 슬릿(78)의 폭이 크고, 제2 청색 회절 격자(90)의 제2 슬릿(78)의 폭이 가장 작다. 예를 들어, 6:5:4의 비율이다. 이에 의해, 상이한 색의 광이 회절에 의해 진행하는 방향을 일치시킬 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 마이크로 캐비티에 의해 직진하는 광을, 회절 격자에 의해, 비스듬히 진행시키므로, 시야각을 확대시킬 수 있다. 또한, 제1 청색 회절 격자(84) 및 제2 청색 회절 격자(90)의 개구 폭(슬릿의 폭)이 동일하고, 제1 적색 회절 격자(80) 및 제2 적색 회절 격자(86)의 개구 폭(슬릿의 폭)이 동일하고, 제1 녹색 회절 격자(82) 및 제2 녹색 회절 격자(88)의 개구 폭(슬릿의 폭)이 동일하다. 이렇게 함으로써, 제1 방향 D1 및 제2 방향 D2로의 광의 회절 각도를 동일하게 할 수 있다.
[제2 실시 형태]
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 표시 장치를 도시하는 개략 단면도이다. 본 실시 형태에서는, 제2 회절 격자를 구성하기 위한 제3 층 및 제4 층이, 제1 실시 형태와 상이하다. 구체적으로는, 제2 무기층(262)이 제3 층이며, 제2 유기층(260)이 제4 층이다. 제3 층(제2 무기층(262))은 제4 층(제2 유기층(260))보다도 광 굴절률이 큰 재료로 형성되어 있다. 제2 무기층(262)(제3 층)은 제1 방향 D1로 각각 연장되는 복수의 제2 오목조부(292)를 갖는다. 이웃끼리의 제2 오목조부(292)의 사이에 복수의 제2 볼록조부(276)의 각각이 형성된다. 그 밖의 내용은, 제1 실시 형태에서 설명한 내용이 해당한다.
[제3 실시 형태]
도 7의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 부분과 동일 위치에서 절단한 단면도이다.
본 실시 형태에서는, 제1 회절 격자를 구성하기 위한 제1 층이, 제1 실시 형태와 상이하다. 구체적으로는, 제2 유기층(360)이 제1 층이며, 제1 유기층(358)이 제2 층이다. 제2 유기층(360)(제1 층)은 제2 방향 D2로 각각 연장되는 복수의 제1 오목조부(394)를 갖고, 이웃끼리의 제1 오목조부(394)의 사이에 복수의 제1 볼록조부(370)의 각각이 형성된다. 그 밖의 내용은, 제1 실시 형태에서 설명한 내용이 해당한다.
[제4 실시 형태]
도 8의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 단면에 직교하는 위치에서 절단한 단면도이다. 따라서, 도 5와 도 8에서는, 제1 방향 D1과 제2 방향 D2가 반대로 되어 있다.
본 실시 형태에서는, 제1 회절 격자는, 제1 실시 형태에서는 제2 회절 격자로서 설명한 구조로 되어 있다. 즉, 제2 방향 D2를 따라서 연장되는 제1 격자층(468)은, 방향을 제외하고, 도 5에 도시한 제2 격자층(74)과 동일한 구조이다.
본 실시 형태의 제2 회절 격자를 구성하기 위한 제3 층 및 제4 층은, 제1 실시 형태와 상이하다. 구체적으로는, 화소 전극층(38) 및 공통 전극층(454) 중, 표시층(16)에 가까운 측에 있는 한쪽(공통 전극층(454))이 제3 층이다. 제2 무기층(462)이 제4 층이다. 또한, 제3 층(공통 전극층(454))은 제2 층(제2 무기층(462))보다도 광 굴절률이 큰 재료로 형성한다. 공통 전극층(454)(제3 층)은 제1 방향 D1로 각각 연장되는 복수의 제2 오목조부(492)를 갖는다. 이웃끼리의 제2 오목조부(492)의 사이에 복수의 제2 볼록조부(476)의 각각이 형성된다.
공통 전극층(454)(제3 층)이 갖는 제2 표면 형상은, 그 아래에 있는 전자 주입 수송층(452)의 형상에 대응하고 있다. 전자 주입 수송층(452)의 표면에도, 제1 방향 D1로 각각 연장되는 복수의 볼록조부(496)가 형성되어 있다. 그 밖의 내용은, 제1 실시 형태에서 설명한 내용이 해당한다.
[제5 실시 형태]
도 9의 (A), (B) 및 (C)에 도시하는 부분은, 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 표시 장치를 나타내고, 각각, 도 5의 (A), (B) 및 (C)에 도시한 단면에 직교하는 위치에서 절단한 단면도이다. 따라서, 도 5와 도 9에서는, 제1 방향 D1과 제2 방향 D2가 반대로 되어 있다.
본 실시 형태에서는, 제1 회절 격자는, 제1 실시 형태에서는 제2 회절 격자로서 설명한 구조로 되어 있다. 즉, 제2 방향 D2를 따라서 연장되는 제1 격자층(568)은, 방향을 제외하고, 도 5에 도시한 제2 격자층(74)과 동일한 구조이다.
본 실시 형태의 제2 회절 격자를 구성하기 위한 제3 층 및 제4 층은, 제1 실시 형태와 상이하다. 제2 회절 격자는 반사형이다. 구체적으로는, 화소 전극층(538) 및 공통 전극층(54) 중, 표시층(16)으로부터 이격된 측에 있는 한쪽(화소 전극층(538))이 제3 층이다. 정공 수송 주입층(546)이 제4 층이다. 또한, 제3 층(화소 전극층(538))은 제4 층(정공 수송 주입층(546))보다도 광 굴절률이 큰 재료로 형성한다. 화소 전극층(538)(제3 층)은 제1 방향 D1로 각각 연장되는 복수의 제2 오목조부(592)를 갖는다. 이웃끼리의 제2 오목조부(592)의 사이에 복수의 제2 볼록조부(576)의 각각이 형성된다.
화소 전극층(538)(제3 층)이 갖는 제2 표면 형상은, 그 아래에 있는 전극 하지층(536)의 형상에 대응하고 있다. 전극 하지층(536)의 표면에도, 제1 방향 D1로 각각 연장되는 복수의 볼록조부(598)가 형성되어 있다. 그 밖의 내용은, 제1 실시 형태에서 설명한 내용이 해당한다.
또한, 표시 장치는, 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치에는 한정되지 않고, 양자 도트 발광 소자(QLED : Quantum-Dot Light Emitting Diode)와 같은 발광 소자를 각 화소에 구비한 표시 장치이어도 된다.
본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 실시 형태에서 설명한 구성은, 실질적으로 동일한 구성, 동일한 작용 효과를 발휘하는 구성 또는 동일한 목적을 달성할 수 있는 구성으로 치환할 수 있다.
10 : 구동 IC
12 : 회로 기판
14 : 표시면
16 : 표시층
18 : 단위 화소
18R : 적색 화소
18G : 녹색 화소
18B : 청색 화소
20 : 반도체층
22 : 소스 전극
24 : 드레인 전극
26 : 게이트 절연막
28 : 게이트 전극
30 : 층간 절연막
32 : 박막 트랜지스터
34 : 패시베이션막
36 : 전극 하지층
38 : 화소 전극층
40 : 콘택트 홀
42 : 절연층
44 : 발광 소자층
46 : 정공 수송 주입층
48 : 정공 수송층
50 : 발광층
50R : 적색 발광층
50G : 녹색 발광층
50B : 청색 발광층
52 : 전자 주입 수송층
54 : 공통 전극층
56 : 제1 무기층
58 : 제1 유기층
60 : 제2 유기층
62 : 제2 무기층
64 : 밀봉층
66 : 충전층
68 : 제1 격자층
70 : 제1 볼록조부
72 : 제1 슬릿
74 : 제2 격자층
76 : 제2 볼록조부
78 : 제2 슬릿
80 : 제1 적색 회절 격자
82 : 제1 녹색 회절 격자
84 : 제1 청색 회절 격자
86 : 제2 적색 회절 격자
88 : 제2 녹색 회절 격자
90 : 제2 청색 회절 격자
260 : 제2 유기층
262 : 제2 무기층
276 : 제2 볼록조부
292 : 제2 오목조부
358 : 제1 유기층
360 : 제2 유기층
370 : 제1 볼록조부
394 : 제1 오목조부
452 : 전자 주입 수송층
454 : 공통 전극층
462 : 제2 무기층
476 : 제2 볼록조부
492 : 제2 오목조부
496 : 볼록조부
536 : 전극 하지층
538 : 화소 전극층
546 : 정공 수송 주입층
576 : 제2 볼록조부
592 : 제2 오목조부
598 : 볼록조부
12 : 회로 기판
14 : 표시면
16 : 표시층
18 : 단위 화소
18R : 적색 화소
18G : 녹색 화소
18B : 청색 화소
20 : 반도체층
22 : 소스 전극
24 : 드레인 전극
26 : 게이트 절연막
28 : 게이트 전극
30 : 층간 절연막
32 : 박막 트랜지스터
34 : 패시베이션막
36 : 전극 하지층
38 : 화소 전극층
40 : 콘택트 홀
42 : 절연층
44 : 발광 소자층
46 : 정공 수송 주입층
48 : 정공 수송층
50 : 발광층
50R : 적색 발광층
50G : 녹색 발광층
50B : 청색 발광층
52 : 전자 주입 수송층
54 : 공통 전극층
56 : 제1 무기층
58 : 제1 유기층
60 : 제2 유기층
62 : 제2 무기층
64 : 밀봉층
66 : 충전층
68 : 제1 격자층
70 : 제1 볼록조부
72 : 제1 슬릿
74 : 제2 격자층
76 : 제2 볼록조부
78 : 제2 슬릿
80 : 제1 적색 회절 격자
82 : 제1 녹색 회절 격자
84 : 제1 청색 회절 격자
86 : 제2 적색 회절 격자
88 : 제2 녹색 회절 격자
90 : 제2 청색 회절 격자
260 : 제2 유기층
262 : 제2 무기층
276 : 제2 볼록조부
292 : 제2 오목조부
358 : 제1 유기층
360 : 제2 유기층
370 : 제1 볼록조부
394 : 제1 오목조부
452 : 전자 주입 수송층
454 : 공통 전극층
462 : 제2 무기층
476 : 제2 볼록조부
492 : 제2 오목조부
496 : 볼록조부
536 : 전극 하지층
538 : 화소 전극층
546 : 정공 수송 주입층
576 : 제2 볼록조부
592 : 제2 오목조부
598 : 볼록조부
Claims (17)
- 적층된 복수의 층을 갖는 표시 장치로서, 상기 복수의 층은,
표시면을 갖는 표시층과,
복수의 단위 화소의 각각에 대응하는 화소 전극을 구비하는 화소 전극층과,
상기 화소 전극층에 적층하는 발광 소자층과,
상기 발광 소자층에 적층하는 공통 전극층과,
상기 공통 전극층에 적층하는 밀봉층을 포함하고,
상기 복수의 층은, 상기 발광 소자층을 사이에 두고 마이크로 캐비티를 구성하는 적어도 2층을 포함하고, 또한 상기 발광 소자층과 상기 표시층 사이에 위치하며, 계면이 회절 격자를 구성하는 형상으로 적층하는 적어도 한 쌍의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 화소 전극층 및 상기 공통 전극층 중 한쪽은 반사층을 포함하고, 상기 마이크로 캐비티를 구성하기 위한 상기 적어도 2층 중 1개인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 회절 격자를 구성하기 위한 상기 적어도 한 쌍의 층은, 상기 표시면에 평행한 제1 방향으로 각각 간격을 두고 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 각각 연장되는 복수의 볼록조부가 있는 표면 형상을 갖는 제1 층과, 상기 표면 형상에 접촉하여 적층하는 제2 층을 포함하고,
상기 제1 층의 표면에, 상기 회절 격자가 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제1 층은, 상기 제2 방향으로 각각 연장되는 복수의 슬릿을 갖고, 이웃끼리의 상기 슬릿의 사이에 상기 복수의 볼록조부의 각각이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제1 층은, 상기 제2 방향으로 각각 연장되는 복수의 오목조부를 갖고, 이웃끼리의 상기 오목조부의 사이에 상기 복수의 볼록조부의 각각이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 제1 층의 상기 표면에 구성되는 상기 회절 격자는, 투과형으로서, 상기 발광 소자층의, 상기 표시층의 측에 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 회절 격자를 구성하기 위한 상기 적어도 한 쌍의 층은, 상기 제2 방향으로 각각 간격을 두고 상기 제1 방향으로 각각 연장되는 복수의 볼록조부가 있는 제2 표면 형상을 갖는 제3 층과, 상기 제2 표면 형상에 접촉하여 적층하는 제4 층을 포함하고,
상기 제3 층의 표면에도, 상기 회절 격자가 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제3 층은, 상기 제1 방향으로 각각 연장되는 복수의 제2 슬릿을 갖고, 이웃끼리의 상기 제2 슬릿의 사이에 상기 복수의 볼록조부의 각각이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제3 층은, 상기 제1 방향으로 각각 연장되는 복수의 제2 오목조부를 갖고, 이웃끼리의 상기 제2 오목조부의 사이에 상기 복수의 볼록조부의 각각이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제3 층의 상기 표면에 구성되는 상기 회절 격자는, 투과형으로서, 상기 발광 소자층의, 상기 표시층의 측에 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 제3 층 및 상기 제4 층 중 한쪽은, 상기 화소 전극층 및 상기 공통 전극층 중, 상기 표시층에 가까운 측에 있는 한쪽인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제7항에 있어서,
상기 제3 층의 상기 표면에 구성되는 상기 회절 격자는, 반사형으로서, 상기 발광 소자층의, 상기 표시층과는 반대측에 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제3 층 및 상기 제4 층 중 한쪽은, 상기 화소 전극층 및 상기 공통 전극층 중, 상기 표시층으로부터 이격된 측에 있는 한쪽인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 단위 화소는, 풀컬러 화소를 구성하기 위한 복수 색을 포함하고,
상기 광은, 상기 복수 색에 따라서 파장이 상이한 복수의 광을 포함하고,
상기 회절 격자는, 상기 복수의 광에 각각 따른 복수의 회절 격자를 포함하고,
상기 복수의 회절 격자는, 대응하는 상기 복수의 광의 상기 파장의 길이에 따라서, 상기 복수의 볼록조부의 상호 간격이 커지는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 화소 전극과,
상기 화소 전극 상에 배치된 발광 소자층과,
상기 발광 소자층 상에 배치된 공통 전극과,
상기 공통 전극 상에 배치된 밀봉층을 갖고,
상기 밀봉층은, 제1 회절 격자와, 상기 제1 회절 격자와 상기 공통 전극 사이에 위치하는 제2 회절 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제15항에 있어서,
상기 밀봉층은, 무기 재료를 포함하는 제1 무기층과, 무기 재료를 포함하며 상기 제1 무기층과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 제2 무기층과, 유기 재료를 포함하며 상기 제1 무기층과 상기 제2 무기층 사이에 위치하는 유기층을 갖고,
상기 제1 회절 격자는 상기 유기층에 위치하고,
상기 제2 회절 격자는 상기 제2 무기층 상에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제16항에 있어서,
상기 유기층은, 상기 제1 무기층에 접하는 제1 유기층과, 상기 제1 유기층과 상기 제2 무기층에 접하는 제2 유기층을 갖고,
상기 제1 회절 격자는, 상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층의 계면에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2016-034469 | 2016-02-25 | ||
JP2016034469A JP6620035B2 (ja) | 2016-02-25 | 2016-02-25 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170100404A true KR20170100404A (ko) | 2017-09-04 |
KR101897876B1 KR101897876B1 (ko) | 2018-09-12 |
Family
ID=59679858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160152530A KR101897876B1 (ko) | 2016-02-25 | 2016-11-16 | 표시 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10062870B2 (ko) |
JP (1) | JP6620035B2 (ko) |
KR (1) | KR101897876B1 (ko) |
CN (1) | CN107123662B (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200072274A (ko) * | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 |
KR20200083047A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6701781B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2020-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
US10186676B2 (en) * | 2017-03-13 | 2019-01-22 | Intel Corporation | Emissive devices for displays |
FR3065584B1 (fr) * | 2017-04-25 | 2019-05-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Diode electroluminescente organique a rendement optimise par suppression de plasmons |
CN109659443B (zh) | 2017-10-10 | 2024-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置和改善显示面板色偏的方法 |
US10998529B2 (en) | 2017-11-30 | 2021-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, method for producing display device, and apparatus for producing display device |
CN108630732B (zh) * | 2018-04-25 | 2020-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
KR20200001655A (ko) * | 2018-06-27 | 2020-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102650669B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200048310A (ko) * | 2018-10-29 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
US11315982B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-04-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting diode with a patterned scattering layer and fabrication method thereof, display substrate and display panel |
KR20200097366A (ko) | 2019-02-07 | 2020-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110429111B (zh) * | 2019-07-15 | 2022-07-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11462718B2 (en) * | 2019-10-23 | 2022-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
KR20210077848A (ko) * | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
KR20220051101A (ko) * | 2020-10-16 | 2022-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158095A (ja) | 2000-09-06 | 2002-05-31 | Sharp Corp | 回折構造体を備えた自発光型表示素子 |
KR20030029467A (ko) * | 2001-10-03 | 2003-04-14 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 발광 소자, 그 제조 방법 및 상기 발광 소자를 사용한표시 장치 |
JP2005284276A (ja) | 2004-03-05 | 2005-10-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2008091069A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2009272059A (ja) | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置 |
JP2012507110A (ja) | 2008-10-02 | 2012-03-22 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
KR20140137954A (ko) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 삼성전자주식회사 | 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기발광 표시장치 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100646297B1 (ko) | 2004-03-05 | 2006-11-23 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 표시 장치의 제조 방법 |
US7579775B2 (en) * | 2004-12-11 | 2009-08-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and method of manufacturing the same |
JP2007294336A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器 |
JP5898398B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2016-04-06 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法 |
JP5711726B2 (ja) * | 2010-04-22 | 2015-05-07 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
CN103081134B (zh) * | 2010-08-24 | 2015-08-19 | 日本电气株式会社 | 光源与投影型显示设备 |
CN103460797B (zh) * | 2010-11-02 | 2016-03-02 | 王子控股株式会社 | 有机发光二极管及其制造方法、图像显示装置及照明装置 |
WO2013099915A1 (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 王子ホールディングス株式会社 | 有機発光ダイオード、有機発光ダイオードの製造方法、画像表示装置および照明装置 |
JP2013191464A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、液晶表示装置。 |
US9209230B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd | Optical films for reducing color shift and organic light-emitting display apparatuses employing the same |
WO2014167758A1 (ja) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | パナソニック株式会社 | 発光装置 |
-
2016
- 2016-02-25 JP JP2016034469A patent/JP6620035B2/ja active Active
- 2016-11-02 CN CN201610946177.XA patent/CN107123662B/zh active Active
- 2016-11-16 US US15/353,180 patent/US10062870B2/en active Active
- 2016-11-16 KR KR1020160152530A patent/KR101897876B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158095A (ja) | 2000-09-06 | 2002-05-31 | Sharp Corp | 回折構造体を備えた自発光型表示素子 |
KR20030029467A (ko) * | 2001-10-03 | 2003-04-14 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 발광 소자, 그 제조 방법 및 상기 발광 소자를 사용한표시 장치 |
JP2005284276A (ja) | 2004-03-05 | 2005-10-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2008091069A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
JP2009272059A (ja) | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置 |
JP2012507110A (ja) | 2008-10-02 | 2012-03-22 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
KR20140137954A (ko) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 삼성전자주식회사 | 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기발광 표시장치 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200072274A (ko) * | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 |
KR20200083047A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10062870B2 (en) | 2018-08-28 |
KR101897876B1 (ko) | 2018-09-12 |
CN107123662A (zh) | 2017-09-01 |
CN107123662B (zh) | 2021-06-15 |
JP6620035B2 (ja) | 2019-12-11 |
JP2017152251A (ja) | 2017-08-31 |
US20170250376A1 (en) | 2017-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101897876B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR101882579B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR102431686B1 (ko) | 전계발광 표시장치 | |
JP4895490B2 (ja) | 有機elパネル | |
KR102539570B1 (ko) | 유기발광표시장치 | |
US9087797B2 (en) | Light-emitting element display device | |
KR101975084B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20170032189A (ko) | 표시 장치 | |
JP6684670B2 (ja) | 表示装置 | |
US20200168843A1 (en) | Organic light emitting diode panel | |
JP6517597B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6749160B2 (ja) | 表示装置 | |
TW201740558A (zh) | 光電裝置及電子機器 | |
JP6230328B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
KR20160082760A (ko) | 양자점을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치 | |
JP2013008663A (ja) | 表示装置 | |
JP2016091918A (ja) | 画像表示装置 | |
WO2013099744A1 (ja) | 表示装置 | |
US20150090987A1 (en) | Organic el display device | |
JP6994914B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2018081855A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
JP6325318B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6492403B2 (ja) | 有機el装置、有機el装置の製造方法、電子機器 | |
KR102455567B1 (ko) | 전계발광 표시장치 | |
KR102618926B1 (ko) | 유기발광표시장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |