JP6608877B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
されるパネルを具備する電子機器に関する。
いられる表示装置の開発が活発に進められている。
、表示装置が高精細になると、データの書き換え動作を行う画素の数が多くなるため、動
作の高速化が必要である。また、表示装置が高精細になると、ビデオデータ信号から生成
される画素に入力するデータ信号の種類も多くなる。
あるビデオデータ信号をパラレルデータ信号に変換する方式が挙げられる。上記方式を用
いることにより、例えば表示装置に用いられるデータ信号の種類を少なくできる。
いられる。上記信号変換回路は、例えばスイッチ、容量素子、及び増幅回路を備える複数
のサンプルホールド回路(サンプルアンドホールド回路ともいう)を用いて構成される(
例えば特許文献1)。
タ信号の一部をデータとして抽出(サンプリングともいう)して保持し、保持データを用
いてパラレルデータ信号の一つとなるデータ信号を生成して出力する機能を有する。
のサンプリングレートが速くなると、サンプルホールド回路に入力されるデータ信号に対
して、サンプルホールド回路から出力されるデータ信号(出力データ信号ともいう)が遅
延する。例えば、15nsec以下のサンプリングレートでサンプルホールド回路を高速
動作させると、出力データ信号が数百nsec以上遅延する場合がある。上記出力データ
信号の遅延により、サンプルホールド回路では、サンプリング後であっても出力データ信
号が過渡状態となってしまう。
ータ信号の電位の変動に応じて、サンプルホールド回路の保持データの電位の値が変動し
てしまう。上記保持データの変動の原因としては、例えばサンプルホールド回路が備える
増幅回路の入力部に設けられたトランジスタの寄生容量による電位の変動が挙げられる。
上記トランジスタのゲートの電位は、保持データの電位に応じて変化し、ソース又はドレ
インの電位は、出力データ信号の電位に応じて変化する。このとき、上記トランジスタの
ゲートとソースの間又はゲートとドレインの間の寄生容量があると、該寄生容量の容量結
合により、トランジスタのソース又はドレインの電位の変化に応じて上記トランジスタの
ゲートの電位も変化し、上記保持データの電位が変化してしまう。
の電位の値が所望の値からずれてしまい、例えば表示装置でビデオデータ信号に基づく画
像を正確に表示できないなどの問題が生じる。
けではなく、サンプリング前の保持データの電位の値によっても異なる。例えば、上記シ
リアルデータ信号がアナログ信号の場合、サンプリング前の保持データの電位が0Vのと
きと2.5Vのときでは、サンプリングを行うシリアルデータ信号の電位がそれぞれ同じ
2Vの場合であっても、サンプリング後の保持データの変動量が異なる。
量にばらつきが大きい場合、該保持データの変動を無視できなくなり、また、保持データ
の変動量に応じたシリアルデータ信号の調整を事前に行うことも困難となる。
の変動による、生成するパラレルデータ信号に対する影響を抑制することを課題の一つと
する。
のばらつきを小さくすることを課題の一つとする。
否かを選択するスイッチを設ける。
の電位を基準電位に設定することにより、サンプリング前の保持データの電位の値に因ら
ず、サンプリングするシリアルデータ信号の電位の値によって上記保持データの変動量が
決まるようにする。これにより、高速化に伴うサンプルホールド回路の保持データの変動
量のばらつきを小さくする。また、上記保持データの変動量のばらつきが小さくなれば、
該保持データの変動を無視できる、又は該保持データの変動量に応じたシリアルデータ信
号の調整が容易になる。
ド回路のサンプリング動作の制御に用いられる複数のサンプリング制御信号の一つにより
制御する。上記構成にすることにより、複数のサンプルホールド回路において、あるサン
プルホールド回路でサンプリングを行っている間に、他のサンプルホールド回路の保持デ
ータの電位を基準電位に設定することを可能にし、動作時間の増大の抑制、さらには動作
速度の低下の抑制を図る。
第1のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持された第1のデータを用いて
パラレルデータ信号の一つとなる第1のデータ信号を生成して出力する機能を有する第1
のサンプルホールド回路と、第2のサンプリング制御信号に従って、シリアルデータ信号
の一部を第2のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持された第2のデータ
を用いてパラレルデータ信号の一つとなる第2のデータ信号を生成して出力する機能を有
する第2のサンプルホールド回路と、を備え、第2のサンプルホールド回路が、第1のサ
ンプリング制御信号に従って、第2のデータの電位を基準電位に設定するか否かを選択す
る機能を有するスイッチを備える信号変換回路である。
一部を第1のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持された第1のデータを
用いてパラレルデータ信号の一つとなる第1のデータ信号を生成して出力する機能を有す
る第1のサンプルホールド回路と、第2のサンプリング制御信号に従って、シリアルデー
タ信号の一部を第2のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持された第2の
データを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第2のデータ信号を生成して出力する機
能を有する第2のサンプルホールド回路と、第3のサンプリング制御信号に従って、シリ
アルデータ信号の一部を第3のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持され
た第3のデータを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第3のデータ信号を生成して出
力する機能を有する第3のサンプルホールド回路と、電位が第1のサンプリング制御信号
及び第2のサンプリング制御信号の論理和となる第4のサンプリング制御信号を生成して
出力する論理回路と、を備え、第3のサンプルホールド回路が、第4のサンプリング制御
信号に従って、第3のデータの電位を基準電位に設定するか否かを選択する機能を有する
スイッチを備える信号変換回路である。
オデータ信号をパラレルデータ信号となる複数のデータ信号に変換して出力する信号変換
回路と、複数のデータ信号が入力され、入力された複数のデータ信号を順次出力する機能
を有するソースドライバと、複数のゲート信号を生成して出力する機能を有するゲートド
ライバと、複数のゲート信号の一つに従って、複数のデータ信号の一つが入力される複数
の画素回路と、信号変換回路、ソースドライバ、及びゲートドライバの動作を制御する制
御回路と、を備え、信号変換回路が、第1のサンプリング制御信号に従って、シリアルデ
ータ信号の一部を第1のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持された第1
のデータを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第1のデータ信号を生成して出力する
機能を有する第1のサンプルホールド回路と、第2のサンプリング制御信号に従って、シ
リアルデータ信号の一部を第2のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持さ
れた第2のデータを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第2のデータ信号を生成して
出力する機能を有する第2のサンプルホールド回路と、第1及び第2のサンプリング制御
信号を生成して出力するシフトレジスタと、を備え、第2のサンプルホールド回路が、第
1のサンプリング制御信号に従って、第2のデータの電位を基準電位に設定するか否かを
選択する機能を有するスイッチを備える表示装置である。
オデータ信号をパラレルデータ信号となる複数のデータ信号に変換して出力する信号変換
回路と、複数のデータ信号が入力され、入力された複数のデータ信号を順次出力する機能
を有するソースドライバと、複数のゲート信号を生成して出力する機能を有するゲートド
ライバと、複数のゲート信号の一つに従って、複数のデータ信号の一つが入力される複数
の画素回路と、信号変換回路、ソースドライバ、及びゲートドライバの動作を制御する制
御回路と、を備え、信号変換回路が、第1のサンプリング制御信号に従って、シリアルデ
ータ信号の一部を第1のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持された第1
のデータを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第1のデータ信号を生成して出力する
機能を有する第1のサンプルホールド回路と、第2のサンプリング制御信号に従って、シ
リアルデータ信号の一部を第2のデータとして抽出して保持する機能を有し、且つ保持さ
れた第2のデータを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第2のデータ信号を生成して
出力する機能を有する第2のサンプルホールド回路と、第3のサンプリング制御信号に従
って、シリアルデータ信号の一部を第3のデータとして抽出して保持する機能を有し、且
つ保持された第3のデータを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第3のデータ信号を
生成して出力する機能を有する第3のサンプルホールド回路と、電位が第1のサンプリン
グ制御信号及び第2のサンプリング制御信号の論理和となる第4のサンプリング制御信号
を生成して出力する論理回路と、第1乃至第3のサンプリング制御信号を生成して出力す
るシフトレジスタと、を備え、第3のサンプルホールド回路が、第4のサンプリング制御
信号に従って、第3のデータの電位を基準電位に設定するか否かを選択する機能を有する
スイッチを備える表示装置である。
ドライバ、複数の画素回路、及び制御回路を同一の基板上に設けてもよい。
ある。
生成するパラレルデータ信号に対する影響を抑制できる。
り、保持データの変動を無視できる、又は保持データの変動量に応じたシリアルデータ信
号の調整が容易になるため、上記生成するパラレルデータ信号に対する影響を抑制できる
。
なく実施の形態の内容を変更することは、当業者であれば容易である。よって、例えば本
発明は、下記実施の形態の記載内容に限定されない。
の内容を互いに適宜置き換えることができる。
の数は、序数の数に限定されない。
本実施の形態では、シリアルデータ信号をパラレルデータ信号に変換可能な信号変換回路
の例について図1乃至図5を用いて説明する。
H_i、サンプルホールド回路SH_jを含む)を備える。サンプルホールド回路SH_
iとサンプルホールド回路SH_jは、互いに連続する段のサンプルホールド回路である
ことが好ましい。しかし、これに限定されず、例えばサンプルホールド回路SH_i及び
SH_jの間に他のサンプルホールド回路が設けられてもよい。
Pに従って、データ信号線DLを介して入力されるシリアルデータ信号の一部をデータD
として抽出(サンプリング)して保持する機能を有する。例えば、サンプルホールド回路
SH_iは、サンプリング制御信号SMP_iに従って、シリアルデータ信号の一部をデ
ータD_iとして抽出して保持し、サンプルホールド回路SH_jは、サンプリング制御
信号SMP_jに従って、シリアルデータ信号の一部をデータD_jとして抽出して保持
する。なお、シリアルデータ信号は、例えばアナログ信号であることが好ましい。
幅回路AMPと、スイッチPSWと、を備える。例えば、サンプルホールド回路SH_i
は、スイッチSSW_iと、容量素子Cp_iと、増幅回路AMP_iと、スイッチPS
W_iと、を備え、サンプルホールド回路SH_jは、スイッチSSW_jと、容量素子
Cp_jと、増幅回路AMP_jと、スイッチPSW_jと、を備える。なお、必ずしも
全てのサンプルホールド回路SHにスイッチPSWを設けなくてもよく、例えばサンプル
ホールド回路SH_i及びサンプルホールド回路SH_jの少なくとも一つにスイッチP
SWを設けてもよい。
力されるシリアルデータ信号の一部を抽出し、データDとして保持するか否かを制御する
機能を有する。また、例えば、電界効果トランジスタを用いてスイッチSSWを構成でき
る。このとき、電界効果トランジスタのゲートの電位をサンプリング制御信号SMPによ
り変化させることにより、スイッチSSWをオン状態又はオフ状態にできる。上記電界効
果トランジスタを用いたスイッチとしては、例えばアナログスイッチなどが挙げられる。
接地電位が与えられる。容量素子Cpは、データDを保持するための保持容量としての機
能を有する。
は、正入力端子の電位がデータDと同等の値になり、負入力端子と出力端子が接続される
。増幅回路AMPは、データDの電位に応じた値のデータ信号DATAを生成して出力す
る機能を有する。例えば、増幅回路AMP_iの出力信号がパラレルデータ信号の一つで
あるデータ信号DATA_iとなり、増幅回路AMP_jの出力信号がパラレルデータ信
号の一つであるデータ信号DATA_jとなる。また、例えばオペアンプを用いて増幅回
路AMPを構成できる。
るサンプリング制御信号SMPに従って、データDの電位を基準電位VRに設定するか否
かを制御する機能を有する。基準電位VRの値は、基準電位線VPLを介して与えられる
電位に応じて決まる。基準電位VRの値は、一定の値であることが好ましい。例えば、シ
リアルデータ信号の電位の最大値と最小値の間のいずれかの値に基準電位VRの値を設定
することが好ましい。
の電位を基準電位VRに設定するか否かを制御する機能を有し、スイッチPSW_jは、
サンプリング制御信号SMP_iに従ってデータD_jの電位を基準電位VRに設定する
か否かを制御する機能を有する。
を構成できる。このとき、電界効果トランジスタのゲートの電位をサンプリング制御信号
SMPにより変化させることにより、スイッチPSWをオン状態又はオフ状態にできる。
上記電界効果トランジスタを用いたスイッチとしては、例えばアナログスイッチなどが挙
げられる。例えば、スイッチPSWは、スイッチSSWと同じ構成にすることが好ましい
。
ルホールド回路SHでサンプリングを行っている間に他のサンプルホールド回路SHでデ
ータDを基準電位に設定でき、別途基準電位に設定する期間を設ける必要がないため、動
作時間の増大を抑制できる。よって、動作速度の低下を抑制できる。
ば図2に示すように、サンプルホールド回路SHとは別にスイッチPSWが設けられる構
成としてもよい。
方法例について、図3を用いて説明する。図3は、図1に示す信号変換回路の動作例を表
す図である。
、サンプルホールド回路SHのそれぞれにおいて、保持されたデータDの電位を基準電位
VRに設定した後にシリアルデータ信号の一部をデータとして抽出して保持する動作を行
う。
変換回路に入力することにより、サンプルホールド回路SH_iのスイッチPSW_iを
オン状態にする。
れる。
iがオフ状態になり、データD_iの電位が基準電位VRに保持される。
路に入力することにより、サンプルホールド回路SH_iのスイッチSSW_iをオン状
態にし、サンプルホールド回路SH_jのスイッチPSW_jをオン状態にする。
位と同等の値になる。このときのシリアルデータ信号の電位を電位D1とする。
定される。
iがオフ状態になり、データD_iの電位となるノードが浮遊状態になり、シリアルデー
タ信号の一部(電位D1)の抽出(サンプリング)が行われたことになる。また、データ
信号DATA_iの電位の値は、データD_iの電位に応じた値となる。
オフ状態になり、データD_j電位が基準電位VRに保持される。
路に入力することにより、サンプルホールド回路SH_jのスイッチSSW_jをオン状
態にする。
位と同等の値になる。このときのシリアルデータ信号の電位を電位D2とする。
jはオフ状態になり、データD_jの電位となるノードが浮遊状態になり、シリアルデー
タ信号の一部(電位D2)の抽出(サンプリング)が行われたことになる。また、データ
信号DATA_jの電位の値は、データD_jの電位に応じた値となる。
路のサンプリング動作を制御するスイッチSSWと、他のサンプルホールド回路の保持デ
ータの電位を基準電位に設定するか否かを制御するスイッチPSWを同じサンプリング制
御信号SMPにより制御する。これにより、例えばサンプルホールド回路SH_iにおい
て、スイッチSSW_iをオン状態にしてサンプリングを行っている間に、サンプルホー
ルド回路SH_jにおいて、スイッチPSW_jをオン状態にしてデータD_jの電位を
基準電位VRに設定できるため、別途基準電位設定期間などを設ける必要がない。
一つのサンプルホールド回路の保持されたデータDの電位を基準電位に設定するか否かを
制御するスイッチPSWを複数設ける構成にしてもよい。
る。サンプルホールド回路SH_i、SH_j、SH_kは、互いに連続する段のサンプ
ルホールド回路であることが好ましいが、これに限定されず、サンプルホールド回路SH
_i、SH_j、SH_kのそれぞれの間に別のサンプルホールド回路を設けてもよい。
また、図1に示す信号変換回路と同じ部分については、図1の信号変換回路の説明を適宜
援用できる。
幅回路AMPと、スイッチPSW1と、スイッチPSW2と、を備える。例えば、サンプ
ルホールド回路SH_iは、スイッチSSW_iと、容量素子Cp_iと、増幅回路AM
P_iと、スイッチPSW1_iと、スイッチPSW2_iと、を備え、サンプルホール
ド回路SH_jは、スイッチSSW_jと、容量素子Cp_jと、増幅回路AMP_jと
、スイッチPSW1_jと、スイッチPSW2_jと、を備え、サンプルホールド回路S
H_kは、スイッチSSW_kと、容量素子Cp_kと、増幅回路AMP_kと、スイッ
チPSW1_kと、スイッチPSW2_kと、を備える。このとき、スイッチPSW2_
iは、サンプリング制御信号SMP_gに従ってオン状態又はオフ状態が制御される。な
お、これに限定されず、少なくともサンプルホールド回路SH_kがスイッチPSW1_
k及びPSW2_kを備えていればよい。また、一つのサンプルホールド回路の保持デー
タの電位を基準電位に設定するために、3つ以上のスイッチPSWを設けてもよい。
号SMP_jに従って、データD_kの電位を基準電位VRに設定するか否かを制御する
機能を有し、スイッチPSW2_kは、サンプリング制御信号SMP_iに従って、デー
タD_kの電位を基準電位VRに設定するか否かを制御する機能を有する。よって、複数
のサンプリング期間をかけて、サンプルホールド回路SHのデータDの電位を基準電位V
Rに設定できる。つまり、一つのサンプリング期間より長い期間をかけてサンプルホール
ド回路SHのデータDの電位を基準電位VRに設定できる。これにより、サンプリングレ
ートが速くなった場合であっても、サンプリング前にデータDの電位を基準電位に設定す
る時間を十分に確保できる。
プリング制御信号の合成信号によりスイッチPSWを制御する構成にしてもよい。
る。サンプルホールド回路SH_i、SH_j、SH_kは、互いに連続する段のサンプ
ルホールド回路であることが好ましいが、これに限定されず、サンプルホールド回路SH
_i、SH_j、SH_kのそれぞれの間に別のサンプルホールド回路を設けてもよい。
また、図1に示す信号変換回路と同じ部分については、図1の信号変換回路の説明を適宜
援用できる。
幅回路AMPと、スイッチPSWと、を備える。例えば、サンプルホールド回路SH_i
は、スイッチSSW_iと、容量素子Cp_iと、増幅回路AMP_iと、スイッチPS
W_iと、を備え、サンプルホールド回路SH_jは、スイッチSSW_jと、容量素子
Cp_jと、増幅回路AMP_jと、スイッチPSW_jと、を備え、サンプルホールド
回路SH_kは、スイッチSSW_kと、容量素子Cp_kと、増幅回路AMP_kと、
スイッチPSW_kと、を備える。なお、これに限定されず、少なくともサンプルホール
ド回路SH_kがスイッチPSW_kを備えていればよい。
ってオン状態又はオフ状態が制御される。論理回路LGC_iの出力信号の電位は、サン
プリング制御信号SMP_hとサンプリング制御信号SMP_gの論理和となる。
号に従ってオン状態又はオフ状態が制御される。論理回路LGC_jの出力信号の電位は
、サンプリング制御信号SMP_iとサンプリング制御信号SMP_hの論理和となる。
号に従ってオン状態又はオフ状態が制御される。論理回路LGC_kの出力信号の電位は
、サンプリング制御信号SMP_jとサンプリング制御信号SMP_iの論理和となる。
理回路を用いることができ、例えばOR回路を用いることができる。なお、論理回路LG
C_iをサンプルホールド回路SH_iに設けてもよいし、論理回路LGC_jをサンプ
ルホールド回路SH_jに設けてもよいし、論理回路LGC_kをサンプルホールド回路
SH_kに設けてもよい。
ッチPSWを制御するサンプリング制御信号を生成してもよい。
出力信号であり、電位がサンプリング制御信号SMP_jとサンプリング制御信号SMP
_iの論理和であるサンプリング制御信号に従って、データD_kの電位を基準電位VR
に設定するか否かを制御する機能を有する。よって、複数のサンプリング期間をかけて、
サンプルホールド回路SHのデータDの電位を基準電位VRに設定できる。これにより、
サンプリングレートが速くなった場合であっても、サンプリング前にデータDの電位を基
準電位に設定する時間を十分に確保できる。
サンプルホールド回路(例えばサンプルホールド回路SH_i)と、第2のサンプルホー
ルド回路(例えばサンプルホールド回路SH_j)と、を設け、さらに、サンプルホール
ド回路に保持されるデータの電位を基準電位に設定するか否かを制御するスイッチを設け
る。
により、サンプリング前の保持データの電位の値に起因する上記保持データの変動量のば
らつきを小さくできる。これにより、高速化に伴うサンプルホールド回路の保持データの
変動量のばらつきを小さくでき、該保持データの変動を無視できる、又は該保持データの
変動量に応じたシリアルデータ信号の補正が容易になる。
ッチを制御することにより、複数のサンプルホールド回路において、あるサンプルホール
ド回路でサンプリングを行っている間に、他のサンプルホールド回路の保持データの電位
を基準電位に設定できるため、動作時間の増大を抑制でき、動作速度の低下を抑制できる
。
保持データの変動による、生成するパラレルデータ信号に対する影響を抑制できる。
本実施の形態では、本発明の一態様である信号変換回路を備える表示装置の例について図
6乃至9を用いて説明する。
号を入力するためのクロック信号入力端子211と、スタートパルス信号を入力するため
のスタートパルス信号入力端子212と、データ信号を入力するためのデータ信号入力端
子213と、アノード電位(ANODE)を供給するためのアノード端子214と、カソ
ード電位(CATHODE)を供給するためのカソード端子215と、接地電位(GND
)を供給するためのグランド端子216と、制御回路(TGともいう)240と、信号変
換回路(SPCともいう)250と、ソースドライバ(SDともいう)261と、ゲート
ドライバ(GDともいう)262と、複数の画素回路270と、を備える。なお、図6に
示す表示装置では、アノード端子214、カソード端子215、及びグランド端子216
を介して、制御回路240、信号変換回路250、ソースドライバ261、ゲートドライ
バ262、及び複数の画素回路270にアノード電位、カソード電位、及び接地電位のい
ずれかが適宜供給される。
えば、クロック信号入力端子211を介してクロック信号CLKを制御回路240に入力
し、スタートパルス信号入力端子212を介してスタートパルス信号SPを制御回路24
0に入力してもよい。
パルス信号SPC_SP、クロック信号S_CLK、スタートパルス信号S_SP、クロ
ック信号G_CLK、スタートパルス信号G_SP、及び複数の制御信号G_PWCを生
成して出力する。なお、複数の制御信号G_PWCとして、互いに位相の異なる複数のク
ロック信号を生成してもよい。
62の動作を制御する機能を有する。
号CLK及びスタートパルス信号SPC_SPが入力される。例えば、データ信号入力端
子213を介してビデオデータ信号VDATAを信号変換回路250に入力し、クロック
信号入力端子211を介してクロック信号CLKを信号変換回路250に入力してもよい
。
なる第1乃至第Y(Yは2以上の自然数)のデータ信号に変換して出力する機能を有する
。
て複数のサンプリング制御信号SMPを生成して出力するシフトレジスタ251と、複数
のサンプリング制御信号SMPいずれかに従ってビデオデータ信号VDATAの一部の抽
出及び保持が制御される複数のサンプルホールド回路252(サンプルホールド回路25
2_1乃至252_Y)を備える。サンプルホールド回路252_1乃至252_Yのそ
れぞれとしては、例えば実施の形態1に示すサンプルホールド回路SHを用いることがで
きる。このとき、例えばアノード電位及びカソード電位からなる電圧を分圧して基準電位
VRを生成してもよい。シフトレジスタ251は、クロック信号CLK、及びスタートパ
ルス信号SPC_SPが入力される。なお、複数のシフトレジスタ251を設け、サンプ
ルホールド回路252_1乃至252_Yの一部をあるシフトレジスタ251から出力さ
れるサンプリング制御信号SMPにより制御し、残りを別のシフトレジスタ251から出
力されるサンプリング制御信号SMPにより制御してもよい。
クロック信号S_CLK、及びスタートパルス信号S_SPが入力される。ソースドライ
バ261は、クロック信号S_CLK、及びスタートパルス信号S_SPに従って入力さ
れた第1乃至第Yのデータ信号を順次出力する機能を有する。
び複数の制御信号G_PWCが入力される。ゲートドライバ262は、クロック信号G_
CLK、スタートパルス信号G_SP、及び複数の制御信号G_PWCに従って複数のゲ
ート信号を生成して出力する機能を有する。このとき、複数の制御信号G_PWCは、複
数のゲート信号のパルスの出力のタイミングとパルス幅の制御に用いられる。
信号線GL_X(Xは2以上の自然数))のいずれかを介して複数のゲート信号が入力さ
れる。また、複数の画素回路270には、複数のゲート信号の一つに従って、複数のソー
ス信号線SL(ソース信号線SL_1乃至ソース信号線SL_Y)のいずれかを介して第
1乃至第Yのデータ信号の一つが入力される。複数の画素回路270は、入力されるデー
タ信号のデータに応じた表示状態になる。
素子(EL素子ともいう)を備える画素回路を用いることができる。
回路250との間にESD(Electrostatic Dischargeともいう
)保護回路221及びバッファ回路(BUFともいう)231を設けてもよい。また、ス
タートパルス信号入力端子212と制御回路240の間にESD保護回路222及びバッ
ファ回路232を設けてもよい。
/アナログ信号変換回路(DACともいう)280により信号変換回路250に入力され
るビデオデータ信号VDATAをアナログデータ信号に変換してもよい。また、データ信
号入力端子213と信号変換回路250(またはデジタル/アナログ信号変換回路280
)の間にESD保護回路223を設けてもよい。
号変換回路を用いてビデオデータ信号をパラレルデータ信号に変換することにより、デー
タ入力端子の数を一つにすることができる。端子の数を少なくすることにより、例えば外
部回路との接続不良を起こりにくくすることができる。また、接続する外部回路の数を少
なくできる。
説明する。
示装置ともいう)の場合の構造例である。なお、これに限定されず、本実施の形態の表示
装置は、下面射出型又は両面射出型のEL表示装置でもよい。
00a、周辺回路部500b、及び画素部500cが形成される。
ことができる。
酸化シリコン、酸化窒化シリコン、又は窒化酸化シリコンなどの材料を含む層を用いるこ
とができる。また、下地層511に適用可能な材料の層の積層により下地層511を構成
することもできる。
クロック信号入力端子211、スタートパルス信号入力端子212、データ信号入力端子
213、アノード端子214、カソード端子215、及びグランド端子216が端子部5
00aに形成される。
域である。例えば、図6に示す制御回路240、信号変換回路250、ソースドライバ2
61、及びゲートドライバ262が周辺回路部500bに形成される。
スタ502、及び容量素子503と、画素部500cに設けられたトランジスタ504と
、を有する。
スタである。例えば、トランジスタ501がnチャネル型トランジスタのとき、トランジ
スタ502は、pチャネル型トランジスタである。このとき、絶縁層516は、トランジ
スタ501及びトランジスタ502のゲート絶縁層としての機能を有する。なお、図8に
示す表示装置に、トランジスタ501及びトランジスタ502を複数設けてもよい。トラ
ンジスタ501及びトランジスタ502は、制御回路240、信号変換回路250、ソー
スドライバ261、及びゲートドライバ262のいずれかを構成するトランジスタである
。例えば、上記実施の形態1の信号変換回路のスイッチSSW又はスイッチPSWをアナ
ログスイッチを用いて構成する場合、アナログスイッチをトランジスタ501及びトラン
ジスタ502を用いて構成してもよい。
の半導体膜により形成され、導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層と、絶縁
層516と、トランジスタ501及びトランジスタ502のゲートとしての機能を有する
導電層と同一の導電膜から形成された導電層と、により構成される。このとき、絶縁層5
16は、容量素子503の誘電体層としての機能を有する。容量素子503は、例えば、
信号変換回路250のサンプルホールド回路252_1乃至252_Yのいずれかを構成
する容量素子である。
層516及び絶縁層517は、トランジスタ504のゲート絶縁層としての機能を有する
。よって、トランジスタ504のゲート絶縁層は、トランジスタ501及びトランジスタ
502のゲート絶縁層よりも厚い。これにより、トランジスタ501及びトランジスタ5
02の動作速度の低下を抑制しつつ、トランジスタ504の絶縁耐圧を向上させることが
できる。
シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニ
ウム、窒化酸化アルミニウム、又は酸化ハフニウムなどの材料を含む層を用いることがで
きる。また、絶縁層516及び絶縁層517に適用可能な層の積層により、絶縁層516
及び絶縁層517を構成することもできる。
くはドレインのとしての機能を有する導電層、又はゲートとしての機能を有する導電層と
しては、例えばモリブデン、チタン、クロム、タンタル、マグネシウム、銀、タングステ
ン、アルミニウム、銅、ネオジム、若しくはスカンジウムなどの金属材料を含む材料の層
を用いることができる。また、上記導電層としては、導電性の金属酸化物を含む層を用い
ることもできる。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム(In2O3)、
酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウム−スズ酸化物(In2O3―S
nO2、ITOと略記する場合がある)、インジウム−亜鉛酸化物(In2O3―ZnO
)などの金属酸化物、又はシリコン、酸化シリコン、窒素を含む該金属酸化物を用いるこ
とができる。また、上記導電層に適用可能な材料の層の積層により、上記導電層を構成す
ることもできる。
、例えばチャネルが形成される単結晶半導体層(例えば単結晶シリコンなど)を含む。単
結晶半導体層を用いてトランジスタのチャネル形成領域を形成することにより、トランジ
スタ501、トランジスタ502、及びトランジスタ504の移動度を高くすることがで
きるため、各回路の動作を高速にできる。なお、酸化物半導体層などを用いてトランジス
タのチャネル形成領域を形成してもよい。
510の上に酸化絶縁層又は窒化絶縁層を形成してもよい。
ることにより、半導体基板の上に絶縁層を形成することができる。
の表面から一定の深さの領域に、脆化領域を形成する。なお、イオンの運動エネルギー、
イオンの質量と電荷、イオンの入射角などを調節することにより上記脆化領域の深さを調
節する。
入することができる。
できる。例えば、イオンドーピング装置を用いて水素イオンを照射する場合、照射するイ
オンにおいて、H3 +の比率を高くすることにより、イオン照射の効率を高めることがで
きる。具体的には、H+、H2 +、H3 +の総量に対してH3 +の割合が50%以上(よ
り好ましくは80%以上)となるようにすることが好ましい。
。なお、基板510にも絶縁層を設けた場合には、半導体基板に設けられた絶縁層及び基
板510に設けられた絶縁層を介して基板510及び半導体基板を貼り合わせる。このと
き、基板510及び半導体基板の間に設けられた絶縁層が下地層511となる。
下地層511の上に半導体層を形成することができる。なお、上記半導体層の表面にレー
ザ光を照射することにより、該半導体層の表面の平坦性を向上させることができる。さら
に、半導体層の一部をエッチングすることにより、上記単結晶半導体層を形成できる。
領域及びドレイン領域が形成される。例えば、nチャネル型トランジスタの場合、n型の
導電型を付与する不純物元素(例えばリンなど)を添加し、pチャネル型トランジスタの
場合、p型の導電型を付与する不純物元素(例えばボロンなど)を添加する。
ンジスタ504の上に設けられる。絶縁層521は、平坦化層としての機能を有する。絶
縁層521としては、例えば有機絶縁層又は無機絶縁層を用いることができる。
551を介してフレキシブルプリント基板(FPCともいう)552に電気的に接続され
る。導電層518は、例えばトランジスタ501、トランジスタ502、及びトランジス
タ504のソース又はドレインとしての機能を有する導電層と同一の導電膜から形成され
る。
の上に設けられた導電層523と、導電層523の上に設けられた絶縁層524と、絶縁
層524を貫通して設けられた開口部において導電層523に接する発光層526と、発
光層526の上に設けられた導電層527と、を有する。
の機能を有する導電層、並びに導電層518を覆うように絶縁層521の上に設けられる
。絶縁層522は、平坦化層としての機能を有する。絶縁層522としては、例えば有機
絶縁層又は無機絶縁層を用いることができる。
のソースまたはドレインとしての機能を有する導電層に接する。導電層523は、EL素
子の一対の電極の一方としての機能を有する。導電層523は、光を反射する機能を有す
る。導電層523としては、例えばトランジスタ501、トランジスタ502、及びトラ
ンジスタ504の導電層に適用可能な材料のうち、光を反射する材料を含む層を用いるこ
とができる。
能を有する導電層との接続部を覆うように設けられる。絶縁層524としては、例えば樹
脂材料などを用いることができる。
ば特定の色を呈する光を射出する発光材料を用いた発光層を用いることができる。なお、
互いに異なる特性の色を呈する光を射出する発光層の積層を用いて発光層526を構成し
てもよい。発光材料としては、蛍光材料又は燐光材料などのエレクトロルミネセンス材料
(EL材料ともいう)を用いることができる。また、複数のEL材料を含む材料を用いて
発光材料を構成してもよい。例えば青色を呈する光を射出する蛍光材料の層、橙色を呈す
る光を射出する第1の燐光材料の層、及び橙色を呈する光を射出する第2の燐光材料の層
の積層により、白色を呈する光を射出する発光層を構成してもよい。また、EL材料とし
ては、有機EL材料又は無機EL材料を用いることができる。また、上記発光材料を含む
層に加え、例えばホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の一つ又は
複数を設けて発光層526を構成してもよい。
光を透過する機能を有する。導電層527としては、例えばトランジスタ501、トラン
ジスタ502、及びトランジスタ504の導電層に適用可能な材料のうち、光を透過する
材料を含む層を用いることができる。
層531を介して基板530の一平面に設けられた絶縁層532と、を有する。
光、又は青色を呈する波長の光を透過するカラーフィルタとしての機能を有する。また、
着色層531が、シアン、マゼンタ、又はイエローの色を呈する光を透過する機能を有し
ていてもよい。着色層531としては、例えば染料又は顔料を含む層を用いることができ
る。例えば、染料を含む場合、着色層531は、例えばフォトリソグラフィ法、印刷法、
又はインクジェット法を用いて形成され、顔料を含む場合、着色層531は、フォトリソ
グラフィ法、印刷法、電着法、又は電子写真法などを用いて形成される。例えばインクジ
ェット法を用いることにより、室温で製造、低真空度で製造、又は大型基板上に製造する
ことができる。また、レジストマスクを用いなくても製造することができるため、製造コ
スト及び製造工程数を低減することができる。
521に適用可能な材料の層を用いることができる。
子が構成される。
間に封止される。
熱硬化樹脂などを用いることができる。
50に囲まれるように密封された領域にEL素子が形成される。
、液晶表示装置でもよい。
、これに限定されず、本実施の形態の表示装置は、縦電界方式の液晶表示装置でもよい。
電層527、充填材540の代わりに、導電層543、導電層544、導電層543及び
導電層544の上に設けられた絶縁層545、絶縁層563、及び液晶層570と、を有
する。
44の櫛歯が例えば交互に並置する。図9において、導電層543である部分は、全て同
じハッチである。また、導電層544である部分は、全て同じハッチである。また、導電
層543及び544は、着色層531に重畳する。導電層543及び導電層544は、液
晶素子の一対の電極としての機能を有する。導電層543及び導電層544としては、例
えば光を透過する金属酸化物の層などを用いることができる。例えば、インジウムを含む
金属酸化物などを用いることができる。また、導電層543及び544に適用可能な材料
の層の積層により、導電層543及び544を構成することもできる。
層563としては、絶縁層516及び絶縁層517に適用可能な材料の層を用いることが
できる。
ー、非液晶性モノマー、及び重合開始剤を含む液晶組成物により構成される。ブルー相を
示す液晶は、応答時間が短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角
依存性が小さい。よって、ブルー相を示す液晶を用いることにより、液晶表示装置の動作
を高速にできる。また、これに限定されず、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子
液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶などを含む液晶層などを用いて
もよい。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュー
ビック相、カイラルネマチック相、等方相などを示す。
晶素子が構成される。
体層をチャネル形成領域に用いたトランジスタにより、同一の基板上に端子部、周辺回路
部、画素部を形成できる。これにより、各回路間の配線数を低減できるため、接続不良な
どを抑制できる。
てビデオデータ信号をパラレルデータ信号に変換する。これにより、データ信号入力端子
の数を少なくできる。
本実施の形態では、上記実施の形態2の表示装置を用いて構成されるパネルを筐体に備え
る電子機器の例について、図10を用いて説明する。
12と、ボタン1013と、スピーカー1014を具備する。
、図10(A)に示す電子機器を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けても
よい。
としては、実施の形態2に示す表示装置にタッチパネルを重ねて構成されるパネルを用い
ることができる。
3を設けることにより、ボタン1013を押すことで電子機器をオン状態にするか否かを
制御できる。
する機能を有する。
(A)に示す電子機器を電話機として機能させることができる。
び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
に設けられたパネル1022aと、筐体1021bに設けられたパネル1022bと、軸
部1023と、ボタン1024と、接続端子1025と、記録媒体挿入部1026と、ス
ピーカー1027と、を備える。
有する。パネル1022a及びパネル1022bとしては、実施の形態2の表示装置にタ
ッチパネルを重ねて構成されるパネルを適用できる。
筐体1021bを動かして筐体1021aを筐体1021bに重畳させ、電子機器を折り
畳むことができる。
4を設けてもよい。例えば、電源ボタンとしての機能を有するボタン1024を設けるこ
とにより、ボタン1024を押すことで電子機器内の回路に電力を供給するか否かを制御
できる。
025を設けてもよい。また、複数の接続端子1025を筐体1021a及び筐体102
1bの一方又は両方に設けてもよい。接続端子1025は、図10(B)に示す電子機器
と他の機器を接続するための端子である。
媒体挿入部1026を設けてもよい。また、複数の記録媒体挿入部1026を筐体102
1a及び筐体1021bの一方又は両方に設けてもよい。例えば記録媒体挿入部にカード
型記録媒体を挿入することにより、カード型記録媒体から電子機器へのデータの読み出し
、又は電子機器内データのカード型記録媒体への書き込みを行うことができる。
力する機能を有する。なお、スピーカー1027を筐体1021bの代わりに筐体102
1aに設けてもよい。
により、例えば図10(B)に示す電子機器を電話機として機能させることができる。
び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
情報端末は、筐体1031と、筐体1031に設けられたパネル1032と、ボタン10
33と、スピーカー1034と、を具備する。
としては、実施の形態2の表示装置とタッチパネルを重ねて構成されるパネルを適用でき
る。
又は複数を設けてもよい。
るボタン1033を設けることにより、ボタン1033を押すことで電子機器内の回路に
電力を供給するか否かを制御できる。
する機能を有する。
ための情報通信端末(マルチメディアステーションともいう)、又は遊技機としての機能
を有する。
41と、筐体1041に設けられたパネル1042と、筐体1041を支持する支持台1
043と、ボタン1044と、接続端子1045と、スピーカー1046と、を備える。
器を操作するためのボタンのうち、一つ又は複数を設けてもよい。
形態2の表示装置を適用できる。また、実施の形態2の表示装置にタッチパネルを重ね、
パネル1042にタッチパネルとしての機能を加えてもよい。
るボタン1044を設けることにより、ボタン1044を押すことで電子機器内の回路に
電力を供給するか否かを制御できる。
示す電子機器と他の機器を接続するための端子である。例えば、接続端子1045により
図10(D)に示す電子機器とパーソナルコンピュータを接続することにより、パーソナ
ルコンピュータから入力されるデータ信号に応じた画像をパネル1042に表示させるこ
とができる。例えば、図10(D)に示す電子機器のパネル1042が接続する電子機器
のパネルより大きければ、他の電子機器の表示画像を拡大でき、複数の人が同時に視認し
やすくなる。
する機能を有する。
ビジョン装置としての機能を有する。
作を高速にすることができ、また、パネルでの接続不良などが抑制されるため、電子機器
の信頼性を高めることができる。
Cp 容量素子
AMP 増幅回路
PSW スイッチ
211 クロック信号入力端子
212 スタートパルス信号入力端子
213 データ信号入力端子
214 アノード端子
215 カソード端子
216 グランド端子
221 保護回路
222 ESD保護回路
223 ESD保護回路
231 バッファ回路
232 バッファ回路
240 制御回路
250 信号変換回路
251 シフトレジスタ
252 サンプルホールド回路
261 ソースドライバ
262 ゲートドライバ
270 画素回路
280 デジタル/アナログ信号変換回路
500a 端子部
500b 周辺回路部
500c 画素部
501 トランジスタ
502 トランジスタ
503 容量素子
504 トランジスタ
510 基板
511 下地層
516 絶縁層
517 絶縁層
518 導電層
521 絶縁層
522 絶縁層
523 導電層
524 絶縁層
526 発光層
527 導電層
530 基板
531 着色層
532 絶縁層
540 充填材
543 導電層
544 導電層
545 絶縁層
550 シール材
551 異方性導電層
563 絶縁層
570 液晶層
1011 筐体
1012 パネル
1013 ボタン
1014 スピーカー
1021a 筐体
1021b 筐体
1022a パネル
1022b パネル
1023 軸部
1024 ボタン
1025 接続端子
1026 記録媒体挿入部
1027 スピーカー
1031 筐体
1032 パネル
1033 ボタン
1034 スピーカー
1035 甲板部
1041 筐体
1042 パネル
1043 支持台
1044 ボタン
1045 接続端子
1046 スピーカー
Claims (1)
- シリアルデータ信号であるビデオデータ信号が入力され、前記ビデオデータ信号をパラレルデータ信号となる複数のデータ信号に変換して出力する信号変換回路と、
前記複数のデータ信号が入力され、入力された複数のデータ信号を順次出力する機能を有するソースドライバと、
複数のゲート信号を生成して出力する機能を有するゲートドライバと、
複数のゲート信号の一つに従って、前記複数のデータ信号の一つが入力される複数の画素回路と、
前記信号変換回路、前記ソースドライバ、及び前記ゲートドライバの動作を制御する制御回路と、を備え、
前記信号変換回路が、
第1のサンプリング制御信号に従って、シリアルデータ信号の一部を第1のデータとして抽出して保持する機能を有するスイッチを備え、且つ保持された前記第1のデータを用いてパラレルデータ信号の一つとなる第1のデータ信号を生成して出力する機能を有する第1のサンプルホールド回路と、
第2のサンプリング制御信号に従って、前記シリアルデータ信号の一部を第2のデータとして抽出して保持する機能を有するスイッチを備え、且つ保持された前記第2のデータを用いて前記パラレルデータ信号の一つとなる第2のデータ信号を生成して出力する機能を有する第2のサンプルホールド回路と、
第3のサンプリング制御信号に従って、前記シリアルデータ信号の一部を第3のデータとして抽出して保持する機能を有するスイッチを備え、且つ保持された前記第3のデータを用いて前記パラレルデータ信号の一つとなる第3のデータ信号を生成して出力する機能を有する第3のサンプルホールド回路と、
前記第1乃至第3のサンプリング制御信号を生成して出力するシフトレジスタと、を備え、
前記第2のサンプルホールド回路が、
前記第1のサンプリング制御信号に従って、前記第2のデータの電位を基準電位に設定するか否かを選択する機能を有し、
前記第3のサンプルホールド回路が、
前記第1のサンプリング制御信号に従って、前記第3のデータの電位を前記基準電位に設定するか否かを選択する機能を有するスイッチを備え、
前記第2のサンプリング制御信号に従って、前記第3のデータの電位を前記基準電位に設定するか否かを選択する機能を有するスイッチを備える表示装置。
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