JP5721377B2 - 分割方法 - Google Patents
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Description
(1)ワーク
図1は、一実施形態の分割方法で分割される半導体ウェーハ等の円板状のワーク1を示している。ワーク1の表面1aには分割予定ライン2が格子状に形成されており、これによって該表面1aには多数の矩形状のデバイス領域3が区画されている。各デバイス領域3の表面には、ICやLSI等による図示せぬ電子回路が形成されている。
以下、図3のレーザー加工装置20を説明する。
レーザー加工装置20は基台21を有しており、この基台21上には、XY移動テーブル22が、水平なX軸方向およびY軸方向に移動自在に設けられている。このXY移動テーブル22には、ワーク1を保持するチャックテーブル51が設置されている。チャックテーブル51の上方には、チャックテーブル51に保持されたワーク1に向けて加工用レーザービームと検出用レーザービーム(反射強度検出用の光)とを照射するレーザー照射手段60の照射部62が、チャックテーブル51に対向する状態に配設されている。
ケーシング61内には、図4に示すように、加工用レーザービームLB1を発振する加工用レーザー発振器100と、検出用レーザービームLB2を発振する検出用レーザー発振器110とが収容されている。
以上がレーザー加工装置20の構成であり、次に、このレーザー加工装置20を用いてワーク1にレーザー加工を施す手順を説明する。
上記実施形態の分割方法によれば、ワーク1の内部に照射して改質層Pを形成する加工用レーザービームLB1の出力を、表面1aに膜Mがない第2の反射領域6よりも表面1aに膜Mが残されている第1の反射領域5の方を大きくするといったように、反射強度に応じて切り替えている。膜Mの存在により第1の反射領域5の内部には第2の反射領域6と同等の改質層を形成し難いといった課題があったが、本実施形態では上記方法を採ることにより、反射領域5,6双方に対して均一な改質層Pの形成が可能となる。
1a…ワークの表面
2…分割予定ライン
3…デバイス領域
4…境界部
5…第1の反射領域(外周部)
6…第2の反射領域(内周部)
LB1…加工用レーザービーム
LB2…検出用レーザービーム(反射強度検出用の光)
P…改質層
Claims (1)
- 外周部に存在しワークを透過する波長の加工用レーザービームを照射した際第1の反射率を示す第1の反射領域と、該第1の反射領域の内側に存在し該第1の反射領域と該加工用レーザービームに対する反射率が異なる第2の反射領域と、に跨って分割予定ラインが設定されたワークに該加工用レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射してワーク内部に分割の起点となる改質層を形成し、外力を加えて該分割予定ラインに沿ってワークを分割する分割方法であって、
前記分割予定ラインに沿って反射強度検出用の光を照射することによって、該分割予定ライン上の前記第1の反射領域と前記第2の反射領域との境界部を検出して、該境界部を前記加工用レーザービームの出力条件を切り替える切り替え座標値として記憶する反射強度検出工程と、
該反射強度検出工程の後に、記憶した前記切り替え座標値に基づいて前記加工用レーザービームの出力条件を切り替えて、前記第2の反射領域に第1の出力でレーザービームを照射して該第2の反射領域のワーク内部に改質層を形成し、前記第1の反射領域に該第1の出力よりも高い出力である第2の出力でレーザービームを照射して該第1の反射領域のワーク内部に改質層を形成することによって、該第2の反射領域のワーク内部と該第1の反射領域のワーク内部とに跨って分割の起点となる改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層に外力を加えることによってワークを前記分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、
を有し、
前記改質層形成工程における前記加工用レーザービームの出力条件の切り替えは、
発振する前記加工用レーザービームにおける1パルスのON/OFF比を調節して出力を変化させる方式、
ワークに対する前記加工用レーザービームの走査速度を変化させる方式、
AO偏向器もしくはAO変調器を用いる方式、
のいずれかの方式を用いて、ワークに対する単位時間当たりの照射エネルギーを異ならせることによって行うこと
を特徴とする分割方法。
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