JP6597902B2 - 半導体装置及び振動抑制装置 - Google Patents
半導体装置及び振動抑制装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6597902B2 JP6597902B2 JP2018527426A JP2018527426A JP6597902B2 JP 6597902 B2 JP6597902 B2 JP 6597902B2 JP 2018527426 A JP2018527426 A JP 2018527426A JP 2018527426 A JP2018527426 A JP 2018527426A JP 6597902 B2 JP6597902 B2 JP 6597902B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- external terminal
- housing
- semiconductor device
- vibration suppression
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 276
- 230000001629 suppression Effects 0.000 title claims description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 43
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- KCZFLPPCFOHPNI-UHFFFAOYSA-N alumane;iron Chemical compound [AlH3].[Fe] KCZFLPPCFOHPNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicon carbide compound Chemical class 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08142—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
- H02M1/34—Snubber circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
- H02M1/34—Snubber circuits
- H02M1/348—Passive dissipative snubbers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
特許文献1 特開2014−128066号公報
半導体装置は、直列に接続された第1半導体素子および第2半導体素子を備えてよい。
半導体装置は、第1半導体素子に並列に接続される第1SiCダイオード素子を備えてよい。
半導体装置は、第1半導体素子および第1SiCダイオード素子と並列に接続され、第2半導体素子がターンオンしたことに応じて第1SiCダイオード素子に生じる電圧変動を抑制する第1振動抑制回路を備えてよい。
(項目2)
半導体装置は、第2半導体素子に並列に接続される第2SiCダイオード素子を更に備えてよい。
(項目3)
第1振動抑制回路は、直列に接続した抵抗およびキャパシタを有してよい。
(項目4)
第1振動抑制回路は、10MHz以上の電圧変動を抑制してよい。
(項目5)
第1振動抑制回路は、1MHz以上100MHz以下の電圧変動を抑制してよい。
(項目6)
キャパシタは、100nF以下の容量を有してよい。
(項目7)
キャパシタは、1nF以上20nF以下の容量を有してよい。
(項目8)
第1振動抑制回路が有する抵抗およびキャパシタの少なくとも一方は、弾性を有してよい。
(項目9)
半導体装置は、第1半導体素子、第2半導体素子、第1SiCダイオード素子、および第2SiCダイオード素子を収容する筐体を更に備えてよい。
筐体は、第1半導体素子における第2半導体素子とは反対側に接続され、第1の外部端子と接続されるべき第1端子を収容する、筐体の本体部分から突出した第1端子収容部と、第1半導体素子および第2半導体素子の間、または第2半導体素子における第1半導体素子とは反対側に接続され、第2の外部端子と接続されるべき第2端子を収容する、筐体の本体部分から突出した第2端子収容部と、を有してよい。
(項目10)
第1振動抑制回路は、第1端子収容部および第2端子収容部における、第1の外部端子および第2の外部端子が接続される面に搭載されてよい。
(項目11)
第1振動抑制回路は、第1端子収容部内の第1端子に対して第1の外部端子と共にネジ止めされると共に、第2端子収容部内の第2端子に対して第2の外部端子と共にネジ止めされてよい。
(項目12)
第1振動抑制回路は、第1端子収容部および第2端子収容部における、第1の外部端子および第2の外部端子が接続される面に対して側方に位置する側面に搭載されてよい。
(項目13)
第1振動抑制回路は、筐体の外側から筐体に取り付けられる付加基板を有してよい。
付加基板が第1端子収容部および第2端子収容部に対して固定されてよい。
(項目14)
付加基板は、分離した第1部分基板および第2部分基板を含んでよい。
第1振動抑制回路は、直列に接続した抵抗およびキャパシタを有し、抵抗およびキャパシタの少なくとも一方は弾性を有し、第1部分基板および第2部分基板間を跨いで設けられてよい。
(項目15)
第1振動抑制回路は、第1半導体素子における第2半導体素子とは反対側に接続される第1端子と第1半導体素子および第2半導体素子の間に接続される第2端子との間に接続されてよい。
(項目16)
半導体装置は、第2半導体素子における第2端子側とは反対側に接続される第3端子と第2端子との間に設けられ、第1半導体素子がターンオンしたことに応じて第2SiCダイオード素子に生じる電圧変動を抑制する第2振動抑制回路を更に備えてよい。
(項目17)
第1振動抑制回路は、第1半導体素子における第2半導体素子とは反対側に接続される第1端子と、第2半導体素子における第1半導体素子とは反対側に接続される第2端子との間に設けられてよい。
(項目18)
半導体装置は、第1半導体素子、第1SiCダイオード素子、および第1振動抑制回路と並列に接続されたRCスナバ回路を更に備えてよい。
(項目19)
RCスナバ回路は、400nF以上10μF以下の容量を有するキャパシタを有してよい。
直列に接続された第1半導体素子および第2半導体素子と、第1半導体素子に並列に接続される第1SiCダイオード素子とを有する半導体装置に付加される振動抑制装置は、半導体装置の筐体に対して取り付けられて第1半導体素子および第1SiCダイオード素子と並列に接続され、第2半導体素子がターンオンしたことに応じて第1SiCダイオード素子に生じる電圧変動を抑制してよい。
(項目21)
振動抑制回路は、第1半導体素子および第1SiCダイオード素子と並列に接続される、直列に接続した抵抗およびキャパシタを有してよい。
(項目22)
筐体は、第1半導体素子における第2半導体素子とは反対側に設けられ、第1の外部端子と接続されるべき第1端子を収容する、筐体の本体部分から突出した第1端子収容部と、第1半導体素子および第2半導体素子の間、または第2半導体素子における第1半導体素子とは反対側に設けられ、第2の外部端子と接続されるべき第2端子を収容する、筐体の本体部分から突出した第2端子収容部と、を有してよい。
当該振動抑制装置は、第1端子収容部および第2端子収容部における、第1の外部端子および第2の外部端子が接続される面、または、第1端子収容部および第2端子収容部における、第1の外部端子および第2の外部端子が接続される面に対して側方に位置する側面に搭載されてよい。
Claims (15)
- 第1の外部端子(17)と第2の外部端子(16)との間に並列に接続された第1半導体素子(14a)および第1SiCダイオード素子(14b)と、
前記第2の外部端子(16)と第3の外部端子(18)との間に並列に接続された第2半導体素子(15a)および第2SiCダイオード素子(15b)と、
前記第1の外部端子(17)と前記第2の外部端子(16)との間又は前記第1の外部端子(17)と前記第3の外部端子(18)との間に接続され、前記第2半導体素子(15a)がターンオンしたことに応じて前記第1SiCダイオード素子(14b)に生じる電圧変動を抑制する第1振動抑制回路(20)と、
前記第1半導体素子(14a)、前記第2半導体素子(15a)、前記第1SiCダイオード素子(14b)、および前記第2SiCダイオード素子(15b)を収容する筐体(11)と、
を備え、
前記筐体(11)は、前記第1の外部端子(17)と接続されるべき第1端子(17b)を収容する、前記筐体(11)の本体部分から突出した第1端子収容部(11c 2 )、
前記第2の外部端子(16)と接続されるべき第2端子(16b)を収容する、前記筐体(11)の本体部分から突出した第2端子収容部(11c 1 )、
および前記第3の外部端子(18)と接続されるべき第3端子(18b)を収容する、前記筐体(11)の本体部分から突出した第3端子収容部(11c 3 )を有し、
前記第1振動抑制回路(20)は、第1部分基板(21a)および第2部分基板(21b)を含む付加基板(21)と、
抵抗(23)と、前記抵抗に直列接続したキャパシタ(24)と、を有し、
前記第1部分基板(21a)は、前記筐体(11)の外側から前記第1端子収容部(11c2)に対して取り付けられ、
前記第2部分基板(21b)は、前記筐体(11)の外側から前記第2端子収容部(11c1)または前記第3端子収容部(11c3)に対して取り付けられ、
前記抵抗(23)および前記キャパシタ(24)の少なくとも一方は弾性を有し、
前記抵抗(23)および前記キャパシタ(24)の前記少なくとも一方は、前記第1部分基板(21a)と前記第2部分基板(21b)との間を跨いで設けられる、半導体装置(100)。 - 前記第1振動抑制回路(20)は、1MHz以上100MHz以下の前記電圧変動を抑制する請求項1に記載の半導体装置(100)。
- 前記第1振動抑制回路(20)は、10MHz以上20MHz以下の前記電圧変動を抑制する請求項2に記載の半導体装置(100)。
- 前記キャパシタ(24)は、100nF以下の容量を有する請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置(100)。
- 前記キャパシタ(24)は、1nF以上20nF以下の容量を有する請求項4に記載の半導体装置(100)。
- 前記第1振動抑制回路(20)は、前記第1端子収容部(11c 2 )、前記第2端子収容部(11c 1 )、および前記第3端子収容部(11c 3 )における、前記第1の外部端子(17)、前記第2の外部端子(16)、および前記第3の外部端子(18)が接続される面に搭載される請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置(100)。
- 前記第1振動抑制回路(20)は、前記第1端子収容部(11c 2 )内の第1端子(17b)に対して前記第1の外部端子(17)と共にネジ止めされると共に、前記第2端子収容部(11c 1 )内の第2端子(16b)に対して前記第2の外部端子(16)または前記第3端子収容部(11c 3 )内の第3端子(18b)に対して前記第3の外部端子(18)と共にネジ止めされる請求項6に記載の半導体装置(100)。
- 前記第1振動抑制回路(20)は、前記第1端子収容部(11c 2 )、前記第2端子収容部(11c 1 )、および前記第3端子収容部(11c 3 )における、前記第1の外部端子(17)、前記第2の外部端子(16)、および前記第3の外部端子(18)が接続される面に対して側方に位置する側面に搭載される請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置(100)。
- 前記第1振動抑制回路(20)は、前記第1の外部端子(17)に接続される第1端子(17b)と前記第2の外部端子(16)に接続される第2端子(16b)との間に接続される請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置(110)。
- 前記第3の外部端子(18)に接続される第3端子(18b)と前記第2端子(16b)との間に設けられ、前記第1半導体素子(14a)がターンオンしたことに応じて前記第2SiCダイオード素子(15b)に生じる電圧変動を抑制する第2振動抑制回路(20)を更に備える請求項9に記載の半導体装置(110)。
- 前記第1振動抑制回路(20)は、前記第1の外部端子(17)に接続される第1端子(17b)と、前記第3の外部端子(18)に接続される第3端子(18b)との間に設けられる請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置(100)。
- 前記第1振動抑制回路(20)と並列に接続されたRCスナバ回路(30)を更に備える請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体装置(120,140)。
- 前記RCスナバ回路(30)は、400nF以上10μF以下の容量を有するキャパシタ(34)を有する請求項12に記載の半導体装置(120,140)。
- 第1の外部端子(17)と第2の外部端子(16)との間に並列に接続された第1半導体素子(14a)および第1SiCダイオード素子(14b)と、前記第2の外部端子(16)と第3の外部端子(18)との間に並列に接続された第2半導体素子(15a)および第2SiCダイオード素子(15b)と、を有する半導体装置に付加される振動抑制装置であって、
前記半導体装置の筐体(11)に対して取り付けられて前記第1の外部端子(17)と前記第2の外部端子(16)との間又は前記第1の外部端子(17)と前記第3の外部端子(18)との間に接続され、前記第2半導体素子(15a)がターンオンしたことに応じて前記第1SiCダイオード素子(14b)に生じる電圧変動を抑制する振動抑制回路(20)
を備え、前記振動抑制回路(20)は、第1部分基板(21a)および第2部分基板(21b)を含む付加基板(21)と、抵抗(23)と、前記抵抗に直列接続したキャパシタ(24)と、を有し、
前記第1部分基板(21a)および前記第2部分基板(21b)は、前記筐体(11)の外側から前記筐体(11)に取り付けられ、
前記抵抗(23)および前記キャパシタ(24)の少なくとも一方は弾性を有し、前記抵抗(23)および前記キャパシタ(24)の前記少なくとも一方は前記第1部分基板(21a)と前記第2部分基板(21b)との間を跨いで設けられる、振動抑制装置。 - 前記筐体(11)は、
前記第1の外部端子(17)と接続されるべき第1端子(17b)を収容する、前記筐体(11)の本体部分から突出した第1端子収容部(11c 2 )と、
前記第2の外部端子(16)と接続されるべき第2端子(16b)を収容する、前記筐体(11)の本体部分から突出した第2端子収容部(11c 1 )と、
前記第3の外部端子(18)と接続されるべき第3端子(18b)を収容する、前記筐体(11)の本体部分から突出した第3端子収容部(11c 3 )と、
を有し、
当該振動抑制装置は、前記第1端子収容部(11c 2 )、前記第2端子収容部(11c 1 )、および前記第3端子収容部(11c 3 )における、前記第1の外部端子(17)、前記第2の外部端子(16)、前記第3の外部端子(18)が接続される面、または、前記第1端子収容部(11c 2 )、前記第2端子収容部(11c 1 )、および前記第3端子収容部(11c 3 )における、前記第1の外部端子(17)、前記第2の外部端子(16)、前記第3の外部端子(18)が接続される面に対して側方に位置する側面に搭載される
請求項14に記載の振動抑制装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016136827 | 2016-07-11 | ||
JP2016136827 | 2016-07-11 | ||
PCT/JP2017/019365 WO2018012122A1 (ja) | 2016-07-11 | 2017-05-24 | 半導体装置及び振動抑制装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018012122A1 JPWO2018012122A1 (ja) | 2018-10-18 |
JP6597902B2 true JP6597902B2 (ja) | 2019-10-30 |
Family
ID=60952420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527426A Expired - Fee Related JP6597902B2 (ja) | 2016-07-11 | 2017-05-24 | 半導体装置及び振動抑制装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10566966B2 (ja) |
JP (1) | JP6597902B2 (ja) |
CN (1) | CN108475983B (ja) |
WO (1) | WO2018012122A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220125079A (ko) * | 2021-03-04 | 2022-09-14 | 주식회사 세미파워렉스 | 전력용 반도체 모듈 |
US11621626B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-04-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Driving apparatus, semiconductor apparatus, and driving method |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7183591B2 (ja) | 2018-07-02 | 2022-12-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11342410B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-05-24 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Improving IGBT light load efficiency |
US10931276B1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-02-23 | Alpha And Omega Semiconductor (Cayman) Ltd. | Combined IGBT and superjunction MOSFET device with tuned switching speed |
JP7475925B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2024-04-30 | 愛三工業株式会社 | 電子基板 |
DE102020117172A1 (de) | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Audi Aktiengesellschaft | Elektrische Schaltungsanordnung, Leistungsmodul, Wechselrichterschaltung und Kraftfahrzeug |
JP2022015398A (ja) | 2020-07-09 | 2022-01-21 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR102570666B1 (ko) * | 2021-07-13 | 2023-08-25 | 주식회사 세미파워렉스 | 전력용 반도체 장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6091867A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-23 | Nissan Motor Co Ltd | インバ−タ |
JPH0317618U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-21 | ||
JPH07201510A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Toshiba Silicone Co Ltd | 弾性抵抗体 |
JP3460973B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2003051602A (ja) | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
CN101228630B (zh) * | 2005-05-30 | 2011-10-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
JP2009159184A (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | フリーホイールダイオードとを有する回路装置、及び、ダイオードを用いた回路装置とそれを用いた電力変換器 |
JP2009219268A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Daikin Ind Ltd | 電力変換装置 |
JP5447453B2 (ja) * | 2010-11-03 | 2014-03-19 | 株式会社デンソー | スイッチングモジュール |
EP2824815B1 (en) * | 2012-03-05 | 2020-09-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power conversion device |
KR101642754B1 (ko) * | 2012-08-24 | 2016-07-26 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
JP5741565B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2015-07-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
CN103915995A (zh) * | 2013-01-07 | 2014-07-09 | 永济新时速电机电器有限责任公司 | 电压抑制单元和功率转换装置 |
CN105391028A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-03-09 | 国网四川省电力公司电力科学研究院 | 一种变压器中性点直流消除容阻装置及方法 |
-
2017
- 2017-05-24 WO PCT/JP2017/019365 patent/WO2018012122A1/ja active Application Filing
- 2017-05-24 CN CN201780005091.XA patent/CN108475983B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2017-05-24 JP JP2018527426A patent/JP6597902B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-06-25 US US16/016,679 patent/US10566966B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11621626B2 (en) | 2020-12-11 | 2023-04-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Driving apparatus, semiconductor apparatus, and driving method |
KR20220125079A (ko) * | 2021-03-04 | 2022-09-14 | 주식회사 세미파워렉스 | 전력용 반도체 모듈 |
KR102463221B1 (ko) * | 2021-03-04 | 2022-11-07 | 주식회사 세미파워렉스 | 전력용 반도체 모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180309438A1 (en) | 2018-10-25 |
WO2018012122A1 (ja) | 2018-01-18 |
JPWO2018012122A1 (ja) | 2018-10-18 |
US10566966B2 (en) | 2020-02-18 |
CN108475983B (zh) | 2020-07-28 |
CN108475983A (zh) | 2018-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6597902B2 (ja) | 半導体装置及び振動抑制装置 | |
JP6354845B2 (ja) | 半導体モジュール | |
US8526189B2 (en) | Power module | |
WO2014185050A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5813781B2 (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
JP7183591B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI753996B (zh) | 電子裝置 | |
US9105601B2 (en) | Power module package | |
JP5652346B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
WO2014192298A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP6962945B2 (ja) | パワー半導体モジュールおよびそれを用いた電力変換装置 | |
JP2015162609A (ja) | 半導体装置 | |
JP2018074088A (ja) | 半導体装置 | |
JP6892006B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6846206B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2016195223A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2013105456A1 (ja) | 回路基板および電子デバイス | |
JP6488421B1 (ja) | スナバ回路及びパワー半導体モジュール並びに誘導加熱用電源装置 | |
US20190258302A1 (en) | Power supply module | |
JP5119741B2 (ja) | スイッチングモジュール | |
JP2020047737A (ja) | 端子板及び半導体装置 | |
JPWO2019087327A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びに自動車 | |
JP2016201442A (ja) | 半導体装置及び三端子コンデンサ | |
CN115241152A (zh) | 半导体模块 | |
JP2023105499A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20180702 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6597902 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |