JP6597357B2 - 保護ダイオード付き電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1に記載の図11(a)の構成は、ゲート電圧がゲート・ソース間のショットキー接合に対して正方向に過剰印加された場合に、ダイオードDa1、Da2に過電流が流れ、FET F1のゲート・ソース間のショットキー接合に過電流が流れて故障することを抑制できる。また、負のサージがゲートに印加された際には、ダイオードDb1及びDb2をサージ電流が通過することでFET F1のゲート・ソース間のショットキー接合を保護することができる。しかし、逆並列に接続されたダイオードの接合部の容量により、FET増幅器を構成した際に利得が低下するという問題点があった。
(構成の説明)
図1は、本発明の実施の形態1に係る保護ダイオード付きFETの回路図の例である。図1において、FET F1のゲート・ソース間のショットキー接合ダイオードと同方向の極性を有する順方向ダイオードDa1と逆方向の極性を有する逆方向ダイオードDb1が互いに逆直列に接続されている。さらに、この逆直列接続されたダイオード対(Da1とDb1)に対して、抵抗Raが直列に接続されている。ESD保護回路は、Da1、Db1、Raにより構成され、FET F1のゲート・ソース間に対して並列に接続されている。ここで、抵抗Raは、FET F1のチャネルと同じ層で形成したチャネル抵抗、またはそれと同等の性質(電流飽和特性)を有する抵抗であることが本発明の特徴である。尚、電流飽和特性とは、後述の図3(b)に示すように、ある電圧値を超えた電圧が抵抗の両端に印加されると、オーミック性ではなく電流値がほぼ一定になる特性をいう。
図3(a)は、FET F1のゲート・ソース間のショットキー接合ダイオードの順方向電流・電圧特性例(Fw)、逆方向電流・電圧特性の例(Rv)を示す。図3(a)で、縦軸はアノード・カソード間(ゲート・ソース間)電流、横軸はアノード・カソード間電圧である。図3(b)はチャネル抵抗Raの電流・電圧特性例で、縦軸は抵抗を流れる電流、横軸は抵抗の両端に印加する電圧である。図3(c)はショットキー接合で形成したダイオードDa1、Db1の逆方向電流・電圧特性例で、縦軸は電流、横軸は逆方向電圧を示す。図3(a)と(c)間の逆方向耐圧の違いは、図3(a)のFET F1のゲート・ソース間耐圧よりも図3(c)のDa1,Db1の逆方向耐圧の方が低いことである。換言すると、FET F1のゲート・ソース間耐圧よりもDa1及びDb1の逆方向耐圧が低くなるように作製する。図3(d)は、図1の保護回路付きFETのゲートに負のサージを印加した際の電流・電圧特性の例で、縦軸は電流、横軸は電圧を示す。図3(e)は、図1の保護回路付きFETのゲートにおいて、抵抗Raが無い場合に、負のサージを印加した際の電流・電圧特性の比較例で、縦軸は電流、横軸は電圧を示す。
次に、負のゲートサージ(ゲートにソース電位よりも低い電圧が印加される)がゲート・ソース間に印加される場合の動作を、図3(d)に示す電流・電圧特性例を用いて説明する。サージは、最も広くESD耐性の基準に使われる人体モデル(HBM:Human Body Model)を仮定する。サージが印加されると、図の実線(wR)で示すように、A点の電圧でDb1が降伏し,スナップバックを起こす。スナップバック後、電流は増加し、B点まで到達する。B点に到達すると、抵抗Raの電流飽和特性により、電流はIo2に制限され、次にC点まで電圧が上昇する。C点まで上昇すると、次にFET F1のゲート・ソース間の逆方向接合が降伏し,電流はIo3に到達する。電流Io3とIo2の差が、FET F1のゲート・ソース間の電流耐量よりも低ければ、FET F1のゲート・ソース間を破壊することなく、所望のサージ電流Io3を図1の回路が流すことができる。
以上述べたように、実施の形態1に係る保護ダイオード付きFETのESD耐性は、従来の図11(c)の場合に比べて、全体の逆方向許容電流をF1のゲート・ソース間許容電流分だけ高くできる。換言すると、図11(c)と同じESDサージ許容電流を実現する場合には、ESDに用いる保護ダイオードの接合面積をF1の許容電流分だけ小さくすることができる。また、保護ダイオードDa1、Db1をショットキー接合で実現する場合は、FET作製工程と同じ工程で、ダイオード及びチャネル抵抗を作製できるので、工程の増加を伴わないため、低コスト化を実現できる。さらに逆直列ダイオード構成を用いるため、図11(a)及び(b)の逆並列で構成するものに比べて、寄生容量の影響を低減でき、保護ダイオード装荷によるFET増幅器の利得の低下を抑制できる。
図4は、本発明の実施の形態2の保護回路の例である。実施の形態1の図1との違いは、ダイオードDb2がDb1と同方向に直列接続されていることである。ダイオードの面積がDb2分だけ大きくなるが、負のゲートバイアス印加時に逆バイアスされるダイオードが、実施の形態1の図1に比べて1つ増えるので、その分、保護回路による寄生容量の影響を低減できる。その他の効果に関しては、実施の形態1の効果と同じである。
図5は、本発明の実施の形態3の保護回路の例である。実施の形態1の図との違いは、抵抗RaをFETのゲートとソースを接続した定電流源Faに置き換えたことである。定電流源Faは、チャネル抵抗Raと同様に図3(b)に示す定電流特性を有するので、実施の形態1と同様の効果が期待できる。
図6は、本発明の実施の形態4の保護回路の例である。実施の形態3の図5に、図1に示す抵抗Raを追加した構成である。チャネル抵抗Raを追加することで、図5に比べて保護回路が呈するインピーダンスを高くできる。ここで、抵抗Raによる電流飽和特性は、定電流源Faの電流飽和特性と同等になるように設定する。抵抗Raの装荷により保護回路のインピーダンスが高くなった分、実施の形態3に比べて、増幅動作時における増幅器の利得の低下を抑制できる。その他の効果に関しては、実施の形態3と同様である。
(構成の説明)
実施の形態1〜4では、本発明の回路構成による形態を述べたが、実施の形態5〜7では、本発明の特徴であるダイオード部のレイアウトに関する実施の形態を述べる。
図7(a)、(b)は、本発明の実施の形態5の保護ダイオードのレイアウト図及び断面図である。図7(c)、(d)は、従来のダイオードのレイアウト図及び断面図である。保護回路の回路構成は、実施の形態1、2、4のいずれかを想定している。通常、ショットキー接合ダイオードは、FETのレイアウトに準じて、図7(c)、(d)のように作製されることが多い。図7は、GaN FETの例である。図7(c)、(d)に示すように、SiCやSiのような半導体基板14上にバッファ層13を設け、その上にGaN層12、AlGaN層11が設けられている。
以上述べたように、実施の形態5に係る保護ダイオードのレイアウト例は、実施の形態1、2、4を実際にGaNチップ上で実現する場合において、ダイオード自身の逆方向許容電流を大きくする効果を有する。またこの許容電流の増加により、不要な保護ダイオードの接合面積の増加を抑制でき、保護回路のチップレイアウトの縮小化に寄与する、という効果を有する。
(構成の説明)
図8は、実施の形態6を説明するための、ダイオードとFETのレイアウト例である。実施の形態1で述べたように、本発明では確実に保護ダイオードDb1を逆方向降伏させるために、保護ダイオードの逆方向耐圧は、増幅用FET F1のゲート・ソース間逆方向耐圧よりも5〜10V程度低いことが望ましい。実施の形態6はその耐圧の差を実現するダイオードとFETのレイアウト手法の一例である。保護回路の回路構成としては、実施の形態1〜4に係る図1、4、5、6の場合を想定している。
(効果の説明)
上記のように、間隔の変更による耐圧制御はマスクパターンだけで実現できるので、コストの増加を抑制できる効果を有する。尚、本実施の形態では、マスクパターンの修正で耐圧の差を実現した例を示したが、ゲート電極22の材料の変更やゲート電極22をAlGaN層11に少しだけ埋め込む等の方法で耐圧を低くしてもよい。但し、ゲート電極材料の変更や埋め込み構造の場合、マスク工程やプロセス工程の追加が生じることを付記しておく。
(構成と効果の説明)
実施の形態7は、実施の形態1〜6における図1の保護ダイオードDa1とDb1のショットキー接合面積に関するもので、Da1とDb1のレイアウト例を図9に示す。図9(a)は図1のダイオードDb1、図9(b)は図1のダイオードDa1のレイアウト例で、Wg1はダイオードDb1のゲート幅、Wg2はダイオードDa1のゲート幅である。ショットキー接合面積は、前述したように、図7(a)、(b)において、ゲート電極22と活性領域10との重なり部分の面積で表される。
このように、ダイオードDb1よりもDa1の面積を1/2〜1/4にすることで、両者を同じ面積で実現する場合に比べて、保護回路の占有面積を小さくできる効果を有する。
(構成と効果の説明)
実施の形態8は、実施の形態1〜4で述べた保護回路部をGaN FETと同一チップ上ではなく、例えばGaAsのような別のIII-V族半導体基板上に実現する例である。図10にその回路図の例を示す。図10の例では、FET F1をGaN基板C1上に、ダイオードDa1、Db1及び抵抗Raからなる保護回路部をGaAs基板C2上に作製している。両者はボンディングワイヤBwによって接続され、図1と等価な回路を構成している。
FET F1と保護回路を上記のように別々の半導体基板に作製、ボンドワイヤBwで両者を接続しても、実施の形態1〜4に述べた効果が得られる。さらに、GaAs基板上に作製することで、保護回路の占有面積分だけGaN FETチップを小型化でき、低コスト化を図ることができるという効果を有する。GaAs基板以外に、InP基板やSi基板やガラス基板やサファイヤ基板等も適用可能であることは言うまでも無い。
Db1〜Db5:ゲート・ソース間に対して逆方向に接続されたダイオード
F1:増幅用GaN FET
Fa:定電流源用のGaN FET
Ra:チャネル抵抗
Ida1:保護回路を流れる電流
Io1:A点の電流値
Io2:B点及びC点の電流値
Io3:D点の電流値
Lg:従来のダイオードのゲート長
Lg1:ダイオードのゲート長
Lgs1:ダイオードのゲート・ソース端間隔
Lgd1:ダイオードのゲート・ドレイン端間隔
Lg2:FETのゲート長
Lgs2:FETのゲート・ソース端間隔
Lgd2:FETのゲート・ドレイン端間隔
Lgm1:本発明のFET構造を利用したダイオードのゲート(アノード)電極上部の幅
Lgm2:従来のFET構造を利用したダイオードのゲート(アノード)電極上部の幅
D:ドレイン端子
G:ゲート端子
Gin:入力端子(ゲート端子と同電位)
Bw:ボンディングワイヤ
Wg1:ダイオードDb1のゲート幅
Wg2:ダイオードDa1のゲート幅
C1:GaNチップ領域
C2:GaAsチップ領域
10:活性領域
11:AlGaN層
12:GaN層
13:バッファ層
14:半導体基板
21:ドレイン電極
22:ゲート電極
23:ソース電極
24、25:抵抗の電極
30:ソースとドレインを接続する第1層配線(カソード配線)
31:ドレイン電極と接続するための第1層配線
32:ゲート電極と接続するための第1層配線
33:ソース電極と接続するための第1層配線
34、35:抵抗の電極(24,25)と接続するための第1層配線
41:AlGaN層11の直上の絶縁膜
42:ゲート・ソース・ドレイン電極を覆う絶縁膜
43:ゲート電極22と引き出し用の第1層配線32を繋ぐための絶縁膜42の開口部(コンタクトホール)
44:ソース電極23、ドレイン電極21と引き出し用の第1層配線32を繋ぐための絶縁膜42の開口
51:FET領域
52:抵抗領域
53:ダイオード(Db1)領域
54:ダイオード(Da1)領域
61:素子分離のためのアイソレーション注入領域
Claims (12)
- 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ前記第1の電界効果トランジスタと同じチャネル層を用いて形成された抵抗と、を含み、
前記第2のダイオードのショットキー接合面積が、前記第1のダイオードのショットキー接合面積に比べて1/2〜1/4の範囲であることを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ前記第1の電界効果トランジスタと同じチャネル層を用いて形成された抵抗と、を含み、
前記第1のダイオードのアノード電極のレイアウトにおいて、前記アノード電極と当該アノード電極の引き出し配線の重なり部の面積、及び前記アノード電極と前記引き出し配線を繋ぐコンタクトホールの面積が、共に、前記アノード電極の面積の少なくとも2/3以上を占めることを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ前記第1の電界効果トランジスタと同じチャネル層を用いて形成された抵抗と、を含み、
前記第1のダイオードのアノード電極とカソード電極のレイアウト上の間隔が、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートの電極と第1のソースの電極のレイアウト上の間隔よりも0.2〜0.5um狭いことを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 前記第1のダイオードを電流が流れる方向に極性をあわせて複数個を直列接続していることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。
- 前記ダイオード対、前記抵抗、前記第1の電界効果トランジスタを同一のIII−N族半導体基板上に作製したことを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。
- 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ、第2のゲートと第2のソースを接続した第2の電界効果トランジスタとを備え、
前記第2のダイオードのショットキー接合面積が、前記第1のダイオードのショットキー接合面積に比べて1/2〜1/4の範囲であることを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ、第2のゲートと第2のソースを接続した第2の電界効果トランジスタとを備え、
前記第1のダイオードのアノード電極のレイアウトにおいて、前記アノード電極と当該アノード電極の引き出し配線の重なり部の面積、及び前記アノード電極と前記引き出し配線を繋ぐコンタクトホールの面積が、共に、前記アノード電極の面積の少なくとも2/3以上を占めることを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ、第2のゲートと第2のソースを接続した第2の電界効果トランジスタとを備え、
前記第1のダイオードのアノード電極とカソード電極のレイアウト上の間隔が、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートの電極と第1のソースの電極のレイアウト上の間隔よりも0.2〜0.5um狭いことを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ、第2のゲートと第2のソースを接続した第2の電界効果トランジスタとを備え、
前記ダイオード対、前記第2の電界効果トランジスタを、前記第1の電界効果トランジスタと同一のIII−N族半導体基板上に作製したことを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ、第2のゲートと第2のソースを接続した第2の電界効果トランジスタとを備え、
前記ダイオード対、前記第2の電界効果トランジスタを、前記第1の電界効果トランジスタと異なる半導体基板上に作製したことを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 第1の電界効果トランジスタと、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備えたダイオード付き電界効果トランジスタであって、
前記2端子静電気保護回路は、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1の電界効果トランジスタの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、前記第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、且つ、前記第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、前記第1のダイオードと前記第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、且つ、第2のゲートと第2のソースを接続した第2の電界効果トランジスタとを備え、
前記第1の電界効果トランジスタがGaN電界効果トランジスタであり、前記ダイオード対、前記第2の電界効果トランジスタをGaAsまたはInPまたはSiまたはガラスまたはサファイア基板上に作製したことを特徴とする保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。 - 前記第1の電界効果トランジスタと同じチャネル層を用いて形成した抵抗を、前記2端子静電気保護回路と直列に接続したことを特徴とする請求項6〜11の何れか1項に記載の保護ダイオード付き電界効果トランジスタ。
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