JP6580812B2 - 有機発光表示装置のリペア方法 - Google Patents
有機発光表示装置のリペア方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6580812B2 JP6580812B2 JP2014116535A JP2014116535A JP6580812B2 JP 6580812 B2 JP6580812 B2 JP 6580812B2 JP 2014116535 A JP2014116535 A JP 2014116535A JP 2014116535 A JP2014116535 A JP 2014116535A JP 6580812 B2 JP6580812 B2 JP 6580812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- fib
- charge
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-(trifluoromethyl)pyrrolidin-1-ium-3-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)O)(C(F)(F)F)CCN1CC1=CC=CC=C1 BLIQUJLAJXRXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- HPGNGICCHXRMIP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dithiine Chemical compound S1CCSC2=CSC=C21 HPGNGICCHXRMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N xenon difluoride Chemical compound F[Xe]F IGELFKKMDLGCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/861—Repairing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は、有機発光表示装置のリペア方法に関する。
最近、表示装置は、携帯が可能な薄型の平板表示装置に代替されている。平板表示装置の中でも、有機発光表示装置は、自発光型表示装置であって、視野角が広くてコントラストに優れているだけでなく、応答速度が速いという長所を有して、次世代ディスプレイ装置として注目されている。
有機発光表示装置は、一つ以上の薄膜トランジスタを備え、薄膜トランジスタの上部に有機膜が形成される。有機膜上に配線及び電極が形成される。このような有機膜は、無機膜に比べて、容易に損傷する恐れがあるので、前記配線及び電極に、ショートまたは断線が発生する場合に、ディスプレイ装置のリペア(ｒｅｐａｉｒ)が容易ではない。
本発明が解決しようとする課題は、下部有機膜の損傷が少ないディスプレイ装置のリペア方法を提供することである。
前記課題を達成するために、一側面によれば、基板、前記基板上に形成される有機発光素子、前記基板上に形成される薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成される有機絶縁膜、前記有機絶縁膜上に形成される導電パターンを備える有機発光表示装置のリペア方法に係わり、前記導電パターンにショートが発生した場合、ＦＩＢ(Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ)によって、前記ショートを除去するステップを含む有機発光表示装置のリペア方法を提供する。
前記ショートを除去するステップは、前記ショートのある位置にイオンビームを発射して、ショートのある部分をエッチングするステップを含む。
前記ショートを除去するステップは、前記ショートのある位置にフッ素含有ガスを供給するステップをさらに含む。
前記フッ素含有ガスは、二フッ化キセノン(ＸｅＦ２：Ｘｅｎｏｎ Ｄｉｆｌｕｏｒｉｄｅ)を含む。
前記ショートを除去するステップは、前記ショートのある位置にフッ素含有ガスを供給するステップをさらに含む。
前記フッ素含有ガスは、二フッ化キセノン(ＸｅＦ２：Ｘｅｎｏｎ Ｄｉｆｌｕｏｒｉｄｅ)を含む。
前記ショートを除去するステップは、前記ショートのある位置に電荷中和装置(Ｃｈａｎｇｅ Ｎｅｕｔｒａｌｉｚｅｒ)を適用するステップをさらに含む。
前記ショートを除去するステップは、前記ショートのある位置に電荷除去器を適用するステップをさらに含み、前記電荷除去器は、開口が形成された接触部、及び前記接触部と連結された電荷移動部を含む。
前記ショートを除去するステップは、前記ショートのある位置に電荷除去器を適用するステップをさらに含み、前記電荷除去器は、開口が形成された接触部、及び前記接触部と連結された電荷移動部を含む。
前記接触部は、絶縁部によって絶縁される第１電極部及び第２電極部を含み、前記電荷移動部は、第１電極部または第２電極部と連結される。
前記有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に配される有機発光層を含み、前記導電パターンは、配線パターン及び前記第１電極を含む。
前記有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に配される有機発光層を含み、前記導電パターンは、配線パターン及び前記第１電極を含む。
前記第１電極及び前記配線パターンは、同じ金属材で形成される。
前記ＦＩＢは、ガリウムをソースにする。
他の側面によれば、基板、前記基板上に形成される有機発光素子、前記基板上に形成される薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成される有機絶縁膜、前記有機絶縁膜上に形成される導電パターンを備える有機発光表示装置のリペア方法に係わり、前記導電パターンに断線が発生した場合、ＦＩＢによって前記断線を修理するステップを含む有機発光表示装置のリペア方法を提供する。
前記ＦＩＢは、ガリウムをソースにする。
他の側面によれば、基板、前記基板上に形成される有機発光素子、前記基板上に形成される薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成される有機絶縁膜、前記有機絶縁膜上に形成される導電パターンを備える有機発光表示装置のリペア方法に係わり、前記導電パターンに断線が発生した場合、ＦＩＢによって前記断線を修理するステップを含む有機発光表示装置のリペア方法を提供する。
前記断線を修理するステップは、前記断線のある位置に蒸着ガスを照射するステップと、前記ＦＩＢから前記断線のある位置にイオンビームを発射するステップと、を含む。
前記断線を修理するステップは、前記断線のある位置にフッ素含有ガスを供給するステップをさらに含む。
前記断線を修理するステップは、前記断線のある位置にフッ素含有ガスを供給するステップをさらに含む。
前記フッ素含有ガスは、二フッ化キセノン(ＸｅＦ２)を含む。
前記断線を修理するステップは、前記断線のある位置に電荷中和装置を適用するステップをさらに含む。
前記断線を除去するステップは、前記断線のある位置に電荷除去器を適用するステップをさらに含み、前記電荷除去器は、開口が形成された接触部、及び前記接触部と連結された電荷移動部を含む。
前記断線を修理するステップは、前記断線のある位置に電荷中和装置を適用するステップをさらに含む。
前記断線を除去するステップは、前記断線のある位置に電荷除去器を適用するステップをさらに含み、前記電荷除去器は、開口が形成された接触部、及び前記接触部と連結された電荷移動部を含む。
前記接触部は、絶縁部によって絶縁される第１電極部及び第２電極部を含み、前記電荷移動部は、第１電極部または第２電極部と連結される。
前記有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に配される有機発光層を含み、前記導電パターンは、配線パターン及び前記第１電極を含む。
前記第１電極及び前記配線パターンは、同じ金属材で形成される。
前記ＦＩＢは、ガリウムをソースにする。
前記有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極との間に配される有機発光層を含み、前記導電パターンは、配線パターン及び前記第１電極を含む。
前記第１電極及び前記配線パターンは、同じ金属材で形成される。
前記ＦＩＢは、ガリウムをソースにする。
本発明によれば、有機膜上の配線及び電極のリペア工程時に、有機膜の損傷を減らすことができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施形態についてさらに詳細に説明する。
図１は、有機発光表示装置１の一部を概略的に示した断面図であり、図２は有機発光表示装置１の一部を概略的に示した平面図である。
図１は、有機発光表示装置１の一部を概略的に示した断面図であり、図２は有機発光表示装置１の一部を概略的に示した平面図である。
図１及び図２を参照すれば、有機絶縁膜１１５上に導電パターン１２０が不良なしに形成される。
図１を参照すれば、本実施形態による有機発光表示装置１は、基板１１０及び有機発光素子２０を含む。
図１を参照すれば、本実施形態による有機発光表示装置１は、基板１１０及び有機発光素子２０を含む。
基板１１０上には、有機発光素子２０、及び有機発光素子２０に接続された薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ)１０が備えられる。前記図面には、一つの有機発光素子及び一つのＴＦＴが示されているが、それは、説明の便宜のためのものであり、本実施形態による有機発光表示装置１は、複数の有機発光素子２０及び複数個のＴＦＴ １０を含む。
各有機発光素子２０の駆動をＴＦＴで制御するか否かによって、受動駆動型(ＰＭ：Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)及び能動駆動型(ＡＭ：Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)に分かれる。本実施形態による有機発光表示装置１は、能動駆動型及び受動駆動型のいずれの場合にも適用される。以下では、能動駆動型有機発光平板表示装置を一例として、本発明の実施形態を詳細に説明する。
基板１１０上には、基板１１０の平滑性及び不純元素の浸透を遮断するために、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘで形成されたバッファ層１１１がさらに備えられる。
バッファ層１１１上には、ＴＦＴ １０の活性層１１が半導体材料によって形成される。活性層１１は、多結晶シリコンで形成されるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、酸化物半導体で形成されてもよい。例えば、酸化物半導体は、亜鉛(Ｚｎ)、インジウム(Ｉｎ)、ガリウム(Ｇａ)、スズ(Ｓｎ)、カドミウム(Ｃｄ)、ゲルマニウム(Ｇｅ)、またはハフニウム(Ｈｆ)のような１２,１３，１４族金属元素及びそれらの組合わせから選択された物質の酸化物を含む。例えば、活性層１１は、Ｇ−Ｉ−Ｚ−Ｏ[(Ｉｎ２Ｏ３)ａ(Ｇａ２Ｏ３)ｂ(ＺｎＯ)ｃ](ａ,ｂ,ｃは、それぞれａ≧０,ｂ≧０,ｃ＞０の条件を満足させる実数)を含む。
バッファ層１１１上には、ＴＦＴ １０の活性層１１が半導体材料によって形成される。活性層１１は、多結晶シリコンで形成されるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、酸化物半導体で形成されてもよい。例えば、酸化物半導体は、亜鉛(Ｚｎ)、インジウム(Ｉｎ)、ガリウム(Ｇａ)、スズ(Ｓｎ)、カドミウム(Ｃｄ)、ゲルマニウム(Ｇｅ)、またはハフニウム(Ｈｆ)のような１２,１３，１４族金属元素及びそれらの組合わせから選択された物質の酸化物を含む。例えば、活性層１１は、Ｇ−Ｉ−Ｚ−Ｏ[(Ｉｎ２Ｏ３)ａ(Ｇａ２Ｏ３)ｂ(ＺｎＯ)ｃ](ａ,ｂ,ｃは、それぞれａ≧０,ｂ≧０,ｃ＞０の条件を満足させる実数)を含む。
活性層１１を覆うように、ゲート絶縁膜１１２が形成される。ゲート絶縁膜１１２上には、ゲート電極１２が備えられ、それを覆うように、層間絶縁膜１１３が形成される。そして、層間絶縁膜１１３上には、ソース電極１３及びドレイン電極１４が備えられ、それを覆うように、パッシベーション膜１１４及び有機絶縁膜１１５が順次に備えられる。
前記のゲート絶縁膜１１２、層間絶縁膜１１３及びパッシベーション膜１１４は、絶縁体で備えられ、無機物、有機物、または有／無機複合物で、単層または複層の構造で形成される。
有機絶縁膜１１５は、ＴＦＴ １０を覆うように形成される。有機絶縁膜１１５は、複数のＴＦＴ １０が備えられた基板１１０の段差を減らすためのものであり、上面が平坦化された単一または複数層の絶縁膜となる。有機絶縁膜１１５は、有機物で形成される。有機絶縁膜１１５として、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂で形成された群から選択される一つ以上の物質を使用する。
一方、前述したＴＦＴ １０の積層構造は、一例示であり、それ以外にも、多様な構造のＴＦＴがいずれも適用可能である。
前述した有機絶縁膜１１５の上部には、有機発光素子２０のアノード電極となる第１電極２１が形成され、それを覆うように、絶縁物で画素定義膜１１６が形成される。画素定義膜１１６に所定の開口部を形成した後、その開口部として限定された領域内に、有機発光素子の有機発光層２２が形成される。そして、全体画素をいずれも覆うように、有機発光素子２０のカソード電極となる第２電極２３が形成される。もちろん、第１電極２１と第２電極２３の極性は、相互逆になってもよい。
前述した有機絶縁膜１１５の上部には、有機発光素子２０のアノード電極となる第１電極２１が形成され、それを覆うように、絶縁物で画素定義膜１１６が形成される。画素定義膜１１６に所定の開口部を形成した後、その開口部として限定された領域内に、有機発光素子の有機発光層２２が形成される。そして、全体画素をいずれも覆うように、有機発光素子２０のカソード電極となる第２電極２３が形成される。もちろん、第１電極２１と第２電極２３の極性は、相互逆になってもよい。
第１電極２１及び第２電極２３から、それぞれ正孔及び電子が有機発光層２２の内部に注入される。注入された正孔と電子が結合したエキシトン(Ｅｘｉｔｏｎ)が、励起状態から基底状態に落ちる時に発光する。
有機発光層２２は、低分子または高分子の有機物で備えられる。低分子有機物を使用する場合、有機発光層２２を介して、ホール注入層(ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)(図示せず)、ホール輸送層(ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)(図示せず)、電子輸送層(ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ)(図示せず)、電子注入層(ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ)(図示せず)が、単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン(ＣｕＰｃ：Ｃｏｐｐｅｒ Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ)、Ｎ,Ｎ’−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン(Ｎ,Ｎ'−ｄｉ(ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ)−Ｎ,Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ)、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム(ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅａｌｕｍｉｎｕｍ)(Ａｌｑ３)を始めとして、多様に適用可能である。それらの低分子有機物は、マスクを利用して真空蒸着方法で形成される。
高分子有機物の場合、有機発光層２２からアノード電極側にホール輸送層(ＨＴＬ)(図示せず)がさらに備えられた構造を有し、この時、ホール輸送層(ＨＴＬ)に、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ(３,４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ)）を使用し、発光層にＰＰＶ(ｐｏｌｙ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ)系及びポリフルオレン(Ｐｏｙｆｌｕｏｒｅｎｅ)系など、高分子有機物質を使用する。
有機発光層２２は、開口の内部に形成され、各画素別に別途の発光物質が形成されるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、有機発光層２２は、画素の位置に関係なく、全体に共通して形成される。その時、有機発光層は、例えば、赤色、緑色及び青色の光を放出する発光物質を含む層が、垂直に積層されるかまたは混合されて形成される。もちろん、白色光を放出できれば、他の色の組合わせが可能である。また、前記放出された白色光を所定のカラーに変換する色変換層やカラーフィルタをさらに備える。
また、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１で、有機発光素子２０は、封止層方向に光を放出する。すなわち、有機発光素子２０は、前面発光型である。ここで、有機発光素子２０が封止層方向に光を放出するために、第１電極２１としては、反射型電極が使われ、第２電極２３としては、透過型または半透過型電極が使われる。しかし、本発明の一実施形態で、有機発光表示装置１は、前面発光型に限定されるものではない。したがって、有機発光表示装置１は、背面発光型または両面発光型でもある。
有機発光素子２０上には、薄膜封止層が配されて、有機発光素子２０及び駆動回路部を保護する。薄膜封止層は、一層以上の有機層と一層以上の無機層とが交互に積層形成される。前記無機層または前記有機層は、それぞれ複数層である。
有機発光素子２０を含む基板１１０上に、有機発光素子２０を封じ止める封止基板が対向して配される。封止基板は、ガラス、金属、またはプラスチックで形成される。
有機発光素子２０を含む基板１１０上に、有機発光素子２０を封じ止める封止基板が対向して配される。封止基板は、ガラス、金属、またはプラスチックで形成される。
図１及び図２を参照すれば、有機絶縁膜１１５の平坦化された上部面に、導電パターン１２０が形成される。導電パターン１２０は、配線パターン１２１及び第１電極２１を含む。配線パターン１２１及び第１電極２１は、同一工程で同一物質で形成される。配線パターン１２１は、複数の第１電極２１の間を通過する形態に形成される。
図３は、ショートが発生した有機発光表示装置２の一部を概略的に示した断面図であり、図４は、ショートが発生した有機発光表示装置２の一部を概略的に示した平面図である。
図３及び図４を参照すれば、有機絶縁膜１１５上に配された配線パターン１２１と第１電極２１との間にショートが発生する可能性がある。このようなショートが発生した場合に、ショートのある部分１２３をカッティングしてショートを除去する。
図３及び図４を参照すれば、有機絶縁膜１１５上に配された配線パターン１２１と第１電極２１との間にショートが発生する可能性がある。このようなショートが発生した場合に、ショートのある部分１２３をカッティングしてショートを除去する。
ショートのある部分１２３をカッティングする時に、ＦＩＢ(Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ)１３０を利用する。ＦＩＢ １３０によって、ショートがある部分１２３を切断して、ショートを除去する。ＦＩＢ １３０は、ＦＩＢ照射装置１３１によって発射される。ＦＩＢ １３０は、ガリウム(Ｇａ)をソースにする。ショートのある部分１２３をカッティングする時に、ＦＩＢ １３０を利用することによって、ショートのある部分１２３の下部の有機絶縁膜１１５の損傷を減らしながら、ショートを除去する。
図３及び図４には、配線パターン１２１と第１電極２１とのショートを示したが、それに限定されるものではなく、有機絶縁膜１１５上のいずれのショートにも、前記方法が適用可能である。
図５は、断線が発生した有機発光表示装置３の一部を概略的に示した断面図であり、図６は、断線が発生した有機発光表示装置３の一部を概略的に示した平面図である。
図５は、断線が発生した有機発光表示装置３の一部を概略的に示した断面図であり、図６は、断線が発生した有機発光表示装置３の一部を概略的に示した平面図である。
図５及び図６を参照すれば、有機絶縁膜１１５上に配された配線パターンに断線が発生することもある。このような断線が発生した場合に、断線のある位置１２７に導電物質を形成して、断線を修理する。
断線のある位置１２７に導電物質を形成する時に、ＦＩＢ １３０を利用する。断線のある位置１２７に蒸着ガス１４０を照射すると同時に、ＦＩＢ １３０を発射することによって、ＦＩＢ １３０によって蒸着ガス１４０が分解されながら、断線のある位置１２７に導電物質が堆積される。ＦＩＢ １３０は、ＦＩＢ照射装置１３１によって発射される。ＦＩＢ １３０は、ガリウム(Ｇａ)をソースにする。断線のある位置１２７に導電物質を形成する時、ＦＩＢ １３０を利用することによって、断線のある位置１２７の下部の有機絶縁膜１１５の損傷を減らし、蒸着される導電物質と有機絶縁膜１１５との結合力を向上させる。
図５及び図６には、配線パターン１２１の断線を示したが、それに限定されるものではなく、有機絶縁膜１１５上のいずれの断線にも、前記方法が適用可能である。
図７は、電荷中和装置(Ｃｈａｒｇｅ Ｎｅｕｔｒａｌｉｚｅｒ)１５０を適用する場合を概略的に示した図面である。
図７は、電荷中和装置(Ｃｈａｒｇｅ Ｎｅｕｔｒａｌｉｚｅｒ)１５０を適用する場合を概略的に示した図面である。
有機発光表示装置２,３のリペア工程でＦＩＢ １３０を適用する時に、ＦＩＢ １３０による電荷１３３が集中される。ＴＦＴ １０の周辺に電荷１３３が集中することにより、ＴＦＴ １０に損傷が生じるか、または特性が変わる。
図７を参照すれば、ＦＩＢ １３０が照射される位置に、電荷中和装置 １５０を適用する。電荷中和装置１５０によって放出された電荷１５３がＦＩＢ １３０による電荷１３３と結合することによって、ＦＩＢ １３０による電荷１３３が中和される。この時、ＦＩＢ １３０による電荷１３３は、正電荷であり、電荷中和装置１５０によって放出された電荷１５３は、負電荷である。電荷中和装置１５０によって、ＦＩＢ １３０による電荷１３３を中和させることによって、ＦＩＢ １３０が照射される位置周辺の素子の損傷、または特性変化を防止する。
図７を参照すれば、ＦＩＢ １３０が照射される位置に、電荷中和装置 １５０を適用する。電荷中和装置１５０によって放出された電荷１５３がＦＩＢ １３０による電荷１３３と結合することによって、ＦＩＢ １３０による電荷１３３が中和される。この時、ＦＩＢ １３０による電荷１３３は、正電荷であり、電荷中和装置１５０によって放出された電荷１５３は、負電荷である。電荷中和装置１５０によって、ＦＩＢ １３０による電荷１３３を中和させることによって、ＦＩＢ １３０が照射される位置周辺の素子の損傷、または特性変化を防止する。
図８は、電荷除去器１６０を適用する場合を概略的に示した図面であり、図９Ａは、一実施形態による電荷除去器１６０を概略的に示した平面図であり、図９Ｂは、他の実施形態による電荷除去器２６０を概略的に示した平面図である。
図８を参照すれば、導電パターン１２０上に電荷除去器１６０を適用して、ＦＩＢ １３０による電荷１３３をＦＩＢ １３０が照射される位置から除去する。
図８を参照すれば、導電パターン１２０上に電荷除去器１６０を適用して、ＦＩＢ １３０による電荷１３３をＦＩＢ １３０が照射される位置から除去する。
図８及び図９Ａを参照すれば、電荷除去器１６０は、導電体で形成され、接触部１６１及び電荷移動部１６５を含む。接触部１６１には、開口１６３が形成される。接触部１６１は、導電パターン１２０と接触し、開口１６３が、ＦＩＢ １３０が照射される領域に位置されるように配される。ＦＩＢ １３０による電荷１３３は、接触部１６１に移動した後、電荷移動部１６５に沿って外部に排出される。電荷除去器１６０によって、ＦＩＢ １３０による電荷１３３を排出させることによって、ＦＩＢ １３０が照射される位置周辺の素子の損傷または特性変化を防止する。
図９Ａを参照すれば、一実施形態による電荷除去器１６０は、一体型の金属材で形成される。ＦＩＢ １３０による電荷１３３が正電荷である場合、電荷移動部１６５を開口１６３から遠ざかる方向に電位を次第に低めることによって、電荷１３３を効率的に外部に排出させる。
図９Ｂを参照すれば、他の実施形態による電荷除去器１６０は、接触部１６１及び電荷移動部１６５を含む。接触部１６１は、第１電極部１６６、第２電極部１６８及び絶縁部１６７を含む。絶縁部１６７によって、第１電極部１６６及び第２電極部１６８は、絶縁され、電荷移動部１６５は、第１電極部１６６または第２電極部１６８と連結される。ＦＩＢ １３０による電荷１３３が陽電荷である場合、第２電極部１６８を電荷移動部１６５と連結し、第１電極部１６６を(＋)電極にし、第２電極部１６８及び電荷移動部１６５を(−)電極にするが、電荷移動部１６５を開口１６３から遠ざかる方向に電位を次第に低める。その場合、ＦＩＢ １３０による電荷１３３は、一次的に第２電極部１６８にほとんど集中し、２次的に第２電極部１６８に集中した電荷が、電荷移動部１６５に沿って開口１６３から遠ざかる方向に移動することによって、電荷１３３を効率的に外部に排出させる。
図示していないが、導電パターン１２０の上部に、追加的に金属層がさらに形成される場合には、前記金属層に電圧を印加することによって、ＦＩＢによる電荷を排出させる方法も可能である。
図１０は、フッ素含有ガス１７０を供給する場合を概略的に示した図面である。
図１０を参照すれば、有機発光表示装置２,３のリペア工程で、ＦＩＢ １３０を適用する時に、ＦＩＢ １３０による電荷１３３によって、導電パターン１２０にショートが発生することがある。
図１０は、フッ素含有ガス１７０を供給する場合を概略的に示した図面である。
図１０を参照すれば、有機発光表示装置２,３のリペア工程で、ＦＩＢ １３０を適用する時に、ＦＩＢ １３０による電荷１３３によって、導電パターン１２０にショートが発生することがある。
ＦＩＢ １３０による電荷１３３が正電荷である場合、ＦＩＢ １３０が照射される位置に、フッ素含有ガス１７０を供給する。フッ素含有ガス１７０は、フッ素含有ガス照射装置１７１によって供給される。フッ素含有ガス１７０によるフッ素含有分子１７３がＦＩＢ １３０による電荷１３３と化学反応して、ＦＩＢ １３０による電荷１３３がフッ素と結合されることによって、ＦＩＢ １３０による残余物質を除去する。フッ素含有分子１７３は、二フッ化キセノン(ＸｅＦ２)である。ＦＩＢ １３０による残余物質を除去することによって、ＦＩＢ １３０の電荷１３３による導電パターン１２０のショートを防止する。フッ素含有ガス１７０は、ＦＩＢ １３０の照射以後に供給される。また、フッ素含有ガス１７０の供給は、ＦＩＢ １３０の照射と同時に行われてもよい。
本発明は、添付図面に示された一実施形態を参照して説明したが、それは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点が理解できるであろう。したがって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決定されねばならない。
本発明は、表示装置関連の技術分野に好適に適用可能である。
２ 有機発光表示装置
１０ ＴＦＴ
１１ 活性層
１２ ゲート電極
１３ ソース電極
１４ ドレイン電極
２１ 第１電極
１１０ 基板
１１１ バッファ層
１１２ ゲート絶縁膜
１１３ 層間絶縁膜
１１４ パッシベーション膜
１１５ 有機絶縁膜
１２０ 導電パターン
１２１ 配線パターン
１２３ ショートのある部分
１３０ ＦＩＢ
１３１ ＦＩＢ照射装置
１０ ＴＦＴ
１１ 活性層
１２ ゲート電極
１３ ソース電極
１４ ドレイン電極
２１ 第１電極
１１０ 基板
１１１ バッファ層
１１２ ゲート絶縁膜
１１３ 層間絶縁膜
１１４ パッシベーション膜
１１５ 有機絶縁膜
１２０ 導電パターン
１２１ 配線パターン
１２３ ショートのある部分
１３０ ＦＩＢ
１３１ ＦＩＢ照射装置
Claims (2)
- 基板、前記基板上に形成される有機発光素子、前記基板上に形成される薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成される有機絶縁膜、前記有機絶縁膜上に形成される導電パターンを備える有機発光表示装置のリペア方法に係わり、
前記導電パターンにショートが発生した場合、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によって前記ショートを除去するステップを含み、
前記ショートを除去するステップは、
前記ショートのある位置にイオンビームを照射し、前記ショートのある位置の前記導電パターンに電荷除去器を接触させて、ショートのある部分をエッチングすること、を含み、
前記電荷除去器は、開口が形成された接触部、及び前記接触部と連結された電荷移動部を含む、有機発光表示装置のリペア方法。 - 基板、前記基板上に形成される有機発光素子、前記基板上に形成される薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成される有機絶縁膜、前記有機絶縁膜上に形成される導電パターンを備える有機発光表示装置のリペア方法に係わり、
前記導電パターンに断線が発生した場合、ＦＩＢによって前記断線を修理するステップを含み、
前記断線を修理するステップは、
前記断線のある位置に蒸着ガスを照射することと、
前記ＦＩＢから前記断線のある位置にイオンビームを照射し、前記断線のある位置の前記導電パターンに電荷除去器を接触させることと、を含み、
前記電荷除去器は、開口が形成された接触部、及び前記接触部と連結された電荷移動部を含む、
有機発光表示装置のリペア方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0102655 | 2013-08-28 | ||
| KR1020130102655A KR102108358B1 (ko) | 2013-08-28 | 2013-08-28 | 유기 발광 표시 장치 리페어 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015046378A JP2015046378A (ja) | 2015-03-12 |
| JP6580812B2 true JP6580812B2 (ja) | 2019-09-25 |
Family
ID=52583784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014116535A Active JP6580812B2 (ja) | 2013-08-28 | 2014-06-05 | 有機発光表示装置のリペア方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9484556B2 (ja) |
| JP (1) | JP6580812B2 (ja) |
| KR (1) | KR102108358B1 (ja) |
| CN (1) | CN104425771B (ja) |
| TW (1) | TWI628824B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI755883B (zh) * | 2020-10-06 | 2022-02-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 試片製備方法及試片製備系統 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7279354B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2023-05-23 | 富士電機株式会社 | 半導体素子及び半導体素子の識別方法 |
| CN112599713A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-02 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 一种高分辨率微显示器缺陷修复方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
| JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
| JPH0729881A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | エネルギービーム加工の終点検出方法及びその装置 |
| JP3258213B2 (ja) * | 1995-08-24 | 2002-02-18 | 株式会社東芝 | パターン膜の修正方法 |
| US5844416A (en) * | 1995-11-02 | 1998-12-01 | Sandia Corporation | Ion-beam apparatus and method for analyzing and controlling integrated circuits |
| JP4031146B2 (ja) * | 1999-04-22 | 2008-01-09 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 表示素子の修正装置 |
| KR20040001276A (ko) | 2002-06-27 | 2004-01-07 | 삼성전자주식회사 | 포토마스크의 결함 수정 방법 |
| US7161184B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| JP2005109223A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置および表示装置 |
| JP2006269636A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd | 検査リペア装置 |
| KR20070051643A (ko) * | 2006-05-04 | 2007-05-18 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 전계 발광 소자의 패턴 결함 수정방법 |
| US7807062B2 (en) * | 2006-07-10 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | Electron induced chemical etching and deposition for local circuit repair |
| KR20070050810A (ko) * | 2006-09-26 | 2007-05-16 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 오엘이디 소자의 패턴 결함 수정 방법 |
| KR100782985B1 (ko) | 2006-12-26 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 이온빔을 이용한 식각장치 |
| WO2009022603A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sii Nanotechnology Inc. | フォトマスクの欠陥修正方法および装置 |
| JP2009086428A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
| KR101502416B1 (ko) | 2008-04-17 | 2015-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 유기발광표시장치 |
| KR101736319B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2013
- 2013-08-28 KR KR1020130102655A patent/KR102108358B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-04-01 US US14/242,665 patent/US9484556B2/en active Active
- 2014-05-26 TW TW103118327A patent/TWI628824B/zh active
- 2014-06-05 JP JP2014116535A patent/JP6580812B2/ja active Active
- 2014-08-08 CN CN201410389750.2A patent/CN104425771B/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI755883B (zh) * | 2020-10-06 | 2022-02-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 試片製備方法及試片製備系統 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9484556B2 (en) | 2016-11-01 |
| US20150064807A1 (en) | 2015-03-05 |
| TW201521262A (zh) | 2015-06-01 |
| JP2015046378A (ja) | 2015-03-12 |
| KR102108358B1 (ko) | 2020-05-11 |
| CN104425771B (zh) | 2018-04-13 |
| TWI628824B (zh) | 2018-07-01 |
| CN104425771A (zh) | 2015-03-18 |
| KR20150025258A (ko) | 2015-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3525254B1 (en) | Display device | |
| US9190630B2 (en) | Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
| US8203264B2 (en) | Flat panel display and method of fabricating the same | |
| US20140361260A1 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR20160023745A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20180026599A (ko) | 디스플레이 장치 및 제조 방법 | |
| US8070546B2 (en) | Laser irradiation apparatus for bonding and method of manufacturing display device using the same | |
| TW201251000A (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same | |
| JP2006156361A (ja) | 電界発光ディスプレイ装置及び該製造方法 | |
| KR20150033195A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN102456704B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| KR20120042068A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102393371B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101884738B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 | |
| TW201304230A (zh) | 用於平板顯示裝置之後面板、包含其之平板顯示裝置及製造該後面板之方法 | |
| KR102216672B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20160106848A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US8247274B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR20160081100A (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치 | |
| JP6580812B2 (ja) | 有機発光表示装置のリペア方法 | |
| US11177464B2 (en) | Display apparatus | |
| KR102100374B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20200110507A (ko) | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 | |
| KR102373437B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101550709B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이용 기판을 제조하는 방법, 및 이 기판제조방법을 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170419 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170522 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180508 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180807 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180810 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20181102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190412 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190730 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190829 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6580812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |