JP6568219B2 - 導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及び使用 - Google Patents
導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及び使用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6568219B2 JP6568219B2 JP2017533925A JP2017533925A JP6568219B2 JP 6568219 B2 JP6568219 B2 JP 6568219B2 JP 2017533925 A JP2017533925 A JP 2017533925A JP 2017533925 A JP2017533925 A JP 2017533925A JP 6568219 B2 JP6568219 B2 JP 6568219B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- layer
- sensor
- insulating layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 164
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 1035
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 31
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 10
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Pt] UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000007523 nucleic acids Chemical class 0.000 description 1
- 102000039446 nucleic acids Human genes 0.000 description 1
- 108020004707 nucleic acids Proteins 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- -1 platinum group metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/06—Investigating concentration of particle suspensions
- G01N15/0656—Investigating concentration of particle suspensions using electric, e.g. electrostatic methods or magnetic methods
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
- B32B37/16—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating
- B32B37/18—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with all layers existing as coherent layers before laminating involving the assembly of discrete sheets or panels only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
- B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
- F01N11/00—Monitoring or diagnostic devices for exhaust-gas treatment apparatus, e.g. for catalytic activity
- F01N11/007—Monitoring or diagnostic devices for exhaust-gas treatment apparatus, e.g. for catalytic activity the diagnostic devices measuring oxygen or air concentration downstream of the exhaust apparatus
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
- F01N13/00—Exhaust or silencing apparatus characterised by constructional features ; Exhaust or silencing apparatus, or parts thereof, having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F01N1/00 - F01N5/00, F01N9/00, F01N11/00
- F01N13/008—Mounting or arrangement of exhaust sensors in or on exhaust apparatus
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02B—INTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
- F02B1/00—Engines characterised by fuel-air mixture compression
- F02B1/02—Engines characterised by fuel-air mixture compression with positive ignition
- F02B1/04—Engines characterised by fuel-air mixture compression with positive ignition with fuel-air mixture admission into cylinder
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02B—INTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
- F02B3/00—Engines characterised by air compression and subsequent fuel addition
- F02B3/06—Engines characterised by air compression and subsequent fuel addition with compression ignition
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
- F02D41/00—Electrical control of supply of combustible mixture or its constituents
- F02D41/02—Circuit arrangements for generating control signals
- F02D41/14—Introducing closed-loop corrections
- F02D41/1438—Introducing closed-loop corrections using means for determining characteristics of the combustion gases; Sensors therefor
- F02D41/1444—Introducing closed-loop corrections using means for determining characteristics of the combustion gases; Sensors therefor characterised by the characteristics of the combustion gases
- F02D41/1466—Introducing closed-loop corrections using means for determining characteristics of the combustion gases; Sensors therefor characterised by the characteristics of the combustion gases the characteristics being a soot concentration or content
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
- F02D41/00—Electrical control of supply of combustible mixture or its constituents
- F02D41/02—Circuit arrangements for generating control signals
- F02D41/14—Introducing closed-loop corrections
- F02D41/1438—Introducing closed-loop corrections using means for determining characteristics of the combustion gases; Sensors therefor
- F02D41/1493—Details
- F02D41/1494—Control of sensor heater
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0266—Investigating particle size or size distribution with electrical classification
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/043—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a granular material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/06—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a liquid
- G01N27/07—Construction of measuring vessels; Electrodes therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/22—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating capacitance
- G01N27/226—Construction of measuring vessels; Electrodes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
- F01N2560/00—Exhaust systems with means for detecting or measuring exhaust gas components or characteristics
- F01N2560/05—Exhaust systems with means for detecting or measuring exhaust gas components or characteristics the means being a particulate sensor
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F01—MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; ENGINE PLANTS IN GENERAL; STEAM ENGINES
- F01N—GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL; GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR INTERNAL COMBUSTION ENGINES
- F01N2560/00—Exhaust systems with means for detecting or measuring exhaust gas components or characteristics
- F01N2560/20—Sensor having heating means
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
- F02D41/00—Electrical control of supply of combustible mixture or its constituents
- F02D41/22—Safety or indicating devices for abnormal conditions
- F02D41/222—Safety or indicating devices for abnormal conditions relating to the failure of sensors or parameter detection devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N2015/0042—Investigating dispersion of solids
- G01N2015/0046—Investigating dispersion of solids in gas, e.g. smoke
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
一定電流に対する電圧の増加率を決定すること及び/又は
電圧を印加するとともに充電電流を決定すること及び/又は
交流電流を印加するとともに電流分布を測定すること及び/又は
LC発振回路によって共振周波数を決定することによって実行してもよい。
11 基板
12 第1の電極層
13 第2の電極層
14 第1の絶縁層
15 第1の電極層の開口
16 第1の絶縁層の開口
17 通路
17’,17” 細長いくぼみ
18 結合剤層
19 第2の電極層の側面
20 第1の電極層の側
21 被覆層
22 第1の電極層の側面
23 絶縁層の側面
24 被覆層の上部
25 被覆層の側部
26 被覆層の側
27 多孔質フィルタ層
28 底部
29 被覆層の開口
30,30’ 粒子
31 第2の電極層の側
32 第1の電極層の周辺領域
33 第1の電極層の電気的接続領域
34 第2の電極層の電気的接続領域
35 第2の電極層の追加の電気的接続領域
36 ストリップ導体ループ
37 絶縁層の側
40 第1の電極層の細孔
41 絶縁層の細孔
42 第2の被覆層
45 第1の部分
46 第2の部分
47 中央部分
48 フレーム状部分
50 第3の電極層
51 第4の電極層
60 第2の絶縁層
61 第3の絶縁層
70 第3の電極層の開口
71 第2の絶縁層の開口
72 第4の電極層の開口
73 第3の絶縁層の開口
80,80’,80” 開口
90 アンダーカット
95 ギャップ
a 流れの向き
b センサ層の幅
l センサ層の長さ
B1 通路の幅
B2 通路の幅
d 絶縁層の厚さ
x 細長いくぼみの縦軸
α 電極面の法線と流れの向きとの間の角度
β 縦軸と流れの向きとの間の角度
Claims (31)
- 煤粒子(30)を検出するセンサ(10)であって、
基板(11)と、
第1の電極層(12)と、
前記基板(11)と前記第1の電極層(12)との間に配置された第2の電極層(13)と、
前記第1の電極層(12)と前記第2の電極層(13)との間に配置された少なくとも第1の絶縁層(14)と、
前記第1の絶縁層(14)と前記第1の電極層(12)との間に配置された少なくとも第3の電極層(50)と、
前記第3の電極層(50)と前記第1の電極層(12)との間に配置された少なくとも第2の絶縁層(60)と、
を備え、少なくとも一つの開口(15;16;70;71)を、前記第1の電極層(12)、前記少なくとも第2の絶縁層(60)、前記少なくとも第3の電極層(50)及び前記第1の絶縁層(14)に形成し、前記第1の電極層(12)の開口(15)、前記少なくとも第2の絶縁層(60)の開口(71)、前記少なくとも第3の電極層(50)の開口(70)及び前記第1の絶縁層(14)の開口(16)を、前記第2の電極層(13)への少なくとも一つの通路(17)を形成するように少なくとも所定の重複部に配置したセンサ(10)において、
前記少なくとも一つの経路(17)を止まり穴として形成し、前記第2の電極層(13)の一部を、前記止まり穴の底部(28)として形成し、前記止まり穴は、前記少なくとも第1の絶縁層(14)の上、前記少なくとも第3の電極(50)の上、前記少なくとも第2の絶縁層(60)の上及び前記第1の電極層(12)の上に延在することを特徴とするセンサ(10)。 - 前記第1の電極層(12)の開口(15)は、前記第1の電極層(12)の周辺領域から所定の距離を置いて形成され、前記少なくとも第1の絶縁層(14)の開口(16)は、前記少なくとも第1の絶縁層(14)の周辺領域から所定の距離を置いて配置され、前記少なくとも第3の電極層(50)の開口(70)は、前記少なくとも第3の電極層(50)の周辺領域から所定の距離を置いて配置され、前記少なくとも第2の絶縁層(60)の開口(71)は、前記少なくとも第2の絶縁層(60)の周辺領域から所定の距離を置いて配置されたことを特徴とする請求項1に記載のセンサ(10)。
- 前記第2の電極層(13)を前記基板(11)に間接的に又は直接的に接続したことを特徴とする請求項1又は2に記載のセンサ(10)。
- 前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)は、0.1μm〜50μmの厚さ(d)を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)を、酸化アルミニウム(Al2O3)、二酸化ケイ素(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ケイ素(Si3N4)、セラミック、ガラス、金属酸化物又はその任意の所望の組合せからなる群から選択した材料から形成したことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 前記第1の電極層(12)及び/又は前記第2の電極層(13)及び/又は前記少なくとも第3の電極層(50)を、導電材料から形成したことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 前記第2の電極層(13)を、前記第1の電極層(12)及び/又は前記少なくとも第3の電極層(50)の導電材料より高いエッチング耐性を有する導電材料から形成したことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- セラミック及び/又はガラス及び/又は金属酸化物又はその任意の組合せから形成された少なくとも一つの被覆層(21)を、前記第1の絶縁層(14)から見て外方に向いた前記第1の電極層(12)の側(20)に形成したことを特徴とする請求項1に記載のセンサ(10)。
- 少なくとも一つの多孔質フィルタ層(27)を、前記第1の絶縁層(14)から見て外方に向いた前記第1の電極層(12)の側(20)又は前記第1の電極層(12)から見て外方に向いた前記被覆層(21)の側(26)に形成したことを特徴とする請求項8に記載のセンサ(10)。
- 前記止まり穴は、3×3μm2〜150×150μm2の表面領域を有する正方形断面を有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 複数の止まり穴を形成し、少なくとも二つの止まり穴は、異なる寸法の断面を有する請求項1〜10のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 前記少なくとも第1の絶縁層(14)の開口、前記少なくとも第3の電極層(50)の開口、前記少なくとも第2の絶縁層(60)の開口及び前記第1の電極層(12)の開口を、線形状、曲折形状、グリッド形状又は螺旋形状に形成したことを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 前記第1の電極層(12)、前記少なくとも第2の絶縁層(60)、前記少なくとも第3の電極層(50)及び前記少なくとも第1の絶縁層(14)を多孔質のものとして形成し、前記第1の電極層(12)の少なくとも一つの開口(15)、前記少なくとも第2の絶縁層(60)の少なくとも一つの開口(71)、前記少なくとも第3の電極層(50)の少なくとも一つの開口(70)及び前記少なくとも第1の絶縁層(14)の少なくとも一つの開口(16)を少なくとも一つの細孔(40,41)によって形成し、前記少なくとも第1の絶縁層(14)の細孔(41)、前記少なくとも第3の電極層(50)の細孔、前記少なくとも第2の絶縁層(60)の細孔及び前記第1の電極層(12)の細孔(40)を、前記第2の電極層(13)への少なくとも一つの通路(17)を形成するように少なくとも所定の重複部に配置したことを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 前記第1の電極層(12)及び/又は前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)及び/又は前記少なくとも第3の電極層(50)は、異なる細孔寸法の複数の区域を有するセンサアレイが形成されるように異なる細孔寸法を有する部分を有する請求項13に記載のセンサ(10)。
- 前記第1の電極層(12)、前記第2の電極層(13)及び前記少なくとも第3の電極層(50)は、電極層(12;13;50)に配置されたセンサ層(12;14;21;27;50;51;60;61)が存在しないとともに端子パッドに接続する又は接続することができる電気的接続領域(33,34)を有することを特徴とする請求項1〜14のいずれか一項に記載のセンサ(10)。
- 前記第1の電極層(12)、前記第2の電極層(13)及び前記少なくとも第3の電極層(50)は、前記第1の電極層(12)、前記第2の電極層(13)及び前記少なくとも第3の電極層(50)が加熱コイル及び/又は温度検知層及び/又はシールド電極として形成されるようにストリップ導体ループ(36)を有し、前記第1の電極層(12)、前記第2の電極層(13)及び前記少なくとも第3の電極層(50)は、電極層(12;13;50)に配置されたセンサ層(12;14;21;27;50;51;60;61)が存在しないとともに追加の端子パッドに接続する又は接続することができる少なくとも一つの追加の電気的接続領域(35)を有することを特徴とする請求項15に記載のセンサ(10)。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載の少なくとも一つのセンサ(10)と、前記センサ(10)を測定モード及び/又はクリーニングモード及び/又は監視モードで作動させることができるように形成された少なくとも一つのコントローラと、を備えるセンサシステム。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載のセンサ(10)を制御する方法において、
前記センサ(10)を測定モード及び/又はクリーニングモード及び/又は監視モードの選択に従って作動させることを特徴とする方法。 - 前記測定モードにおいて、前記センサの電極層(12,13;50;51)の間の電気抵抗の変化及び/又は前記電極層(12,13;50;51)の容量の変化を測定することを特徴とする請求項18に記載の方法。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載のセンサ(10)を製造する方法であって、
前記第1の電極層(12)、前記第2の電極層(13)、前記少なくとも第1の絶縁層(14)、前記少なくとも第3の電極層(50)及び前記少なくとも第2の絶縁層(60)を有する積層を製造し、
その後、前記第1の電極層(12)、前記少なくとも第2の絶縁層(60)、前記少なくとも第3の電極層(50)及び前記少なくとも第1の絶縁層(14)に亘って延在する少なくとも一つの通路(17)を前記積層に形成し、前記通路(17)の底部(28)を前記第2の電極層(13)の一部によって形成する方法。 - 前記積層及び/又は前記積層の個別の層(11;12;13;14;18;21;27;50;51;60;61)を、薄膜技術又は厚膜技術によって製造することを特徴とする請求項20に記載の方法。
- 前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)及び/又は前記少なくとも第1の絶縁層(14)から見て外方に向いた前記第1の電極層(12)の側(20)に形成された少なくとも一つの被覆層(21)を、化学蒸着又はプラズマ化学気相成長によって形成することを特徴とする請求項20又は21に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの通路を、止まり穴(17)として形成し、少なくとも一つの前記止まり穴又は前記止まり穴の小部分を、少なくとも一つのエッチング処理によって又はエッチングする前記積層の層(12;14;21;50;51;60;61)に適合される複数の連続的に実行されるエッチング処理によって前記積層に形成することを特徴とする請求項20〜22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)を、エッチング処理停止層として形成し、別のステップにおいて、前記止まり穴の小部分を、前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)の相変化を伴う調整処理によって前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)に形成することを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの通路を、止まり穴(17)として形成し、少なくとも一つの前記止まり穴又は前記止まり穴の小部分を、電磁波又は荷電粒子(電子)を照射する工程によって前記積層に形成し、照射源及び/又は波長及び/又は照射のパルス周波数及び/又は荷電粒子のエネルギー及び/又は荷電粒子の種類を、加工される前記積層の層(12;14;21;50;51;60;61)に適合させることを特徴とする請求項20〜24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの通路を、止まり穴(17)として形成し、少なくとも一つの前記止まり穴又は前記止まり穴の小部分を、レーザ加工処理によって前記積層に形成し、レーザ源及び/又は波長及び/又はレーザのパルス周波数及び/又は荷電粒子のエネルギー及び/又は荷電粒子の種類を、加工される前記積層の層(12;14;21;50;51;60;61)に適合させることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記積層を製造する際に、前記少なくとも第1の絶縁層(14)及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)を、スクリーン印刷処理、スプレー吹付処理、浸漬処理又はスピンコーティング処理によって表面領域全体に形成し、方法の次のステップにおいて、前記少なくとも第1の絶縁層(14)の少なくとも一部及び/又は前記少なくとも第2の絶縁層(60)の少なくとも一部を、前記少なくとも一つの通路(17)が形成されるような構造的な溶解、エッチング又は燃焼によって除去することを特徴とする請求項20〜26のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載のセンサ(10)を製造する方法であって、
前記第1の電極層(12)、前記第2の電極層(13)、前記少なくとも第1の絶縁層(14)、前記少なくとも第3の電極層(50)及び前記少なくとも第2の絶縁層(60)を有する積層を製造し、
構成される前記少なくとも第1の絶縁層(14)、前記少なくとも第3の電極層(50)、前記少なくとも第2の絶縁層(60)及び前記第1の電極層(12)を、個別の層(12;14;21;50;51;60;61)を重複するように設けて構成した結果として前記第2の電極層(13)への少なくとも一つの通路(17)を形成するようにリフトオフ処理及び/又はインクジェット処理及び/又はスタンピング処理によって形成する方法。 - 煤粒子(30,30’)を検出する請求項1〜16のいずれか一項に記載のセンサ(10)の使用。
- 導電性及び/又は分極性粒子を検出する請求項1〜16のいずれか一項に記載のセンサ(10)の使用において、
粒子(30,30’)の流れの向き(a)が前記第1の電極層(12)の面(x,y)に垂直に作用しないことを特徴とするセンサ(10)の使用。 - 前記第1の電極層(12)の平面(x,y)の垂線(z)と粒子の流れの向き(a)との間の角度(α)が少なくとも1°であることを特徴とする請求項30に記載のセンサ(10)の使用。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014119484.5 | 2014-12-23 | ||
DE102014119484 | 2014-12-23 | ||
PCT/EP2015/081100 WO2016102636A1 (de) | 2014-12-23 | 2015-12-23 | Sensor zur detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer partikel, sensorsystem, verfahren zum betreiben eines sensors, verfahren zur herstellung eines derartigen sensors und verwendung eines derartigen sensors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018500566A JP2018500566A (ja) | 2018-01-11 |
JP6568219B2 true JP6568219B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=54884003
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017534204A Expired - Fee Related JP6514336B2 (ja) | 2014-12-23 | 2015-12-07 | 導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及びこのタイプのセンサの使用 |
JP2017534260A Expired - Fee Related JP6568220B2 (ja) | 2014-12-23 | 2015-12-23 | 導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及び使用 |
JP2017533925A Expired - Fee Related JP6568219B2 (ja) | 2014-12-23 | 2015-12-23 | 導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及び使用 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017534204A Expired - Fee Related JP6514336B2 (ja) | 2014-12-23 | 2015-12-07 | 導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及びこのタイプのセンサの使用 |
JP2017534260A Expired - Fee Related JP6568220B2 (ja) | 2014-12-23 | 2015-12-23 | 導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及び使用 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10705002B2 (ja) |
EP (3) | EP3237879B1 (ja) |
JP (3) | JP6514336B2 (ja) |
KR (3) | KR101972887B1 (ja) |
CN (3) | CN107532986B (ja) |
DE (2) | DE102015122673A1 (ja) |
TW (3) | TWI621841B (ja) |
WO (3) | WO2016102178A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6441161B2 (ja) * | 2015-04-28 | 2018-12-19 | 株式会社デンソー | 粒子状物質検出センサ |
JP6690379B2 (ja) * | 2016-04-14 | 2020-04-28 | いすゞ自動車株式会社 | Pmセンサ |
DE102016107888A1 (de) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Sensor zur Detektion elektrisch leitfähiger und/oder polarisierbarer Partikel, Sensorsystem, Verfahren zum Betreiben eines Sensors und Verwendung eines derartigen Sensors |
DE102016115183A1 (de) * | 2016-08-16 | 2018-02-22 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Poröses Material, Pulver zur Herstellung eines porösen Materials, Verfahren zur Herstellung eines porösen Materials und Bauteil |
EP3339833B1 (de) * | 2016-12-22 | 2021-11-10 | Heraeus Nexensos GmbH | Sensor, insbesondere russsensor, verfahren zur herstellung eines sensors, insbesondere eines russsensors, und verwendung |
DE102017201724B3 (de) | 2017-02-03 | 2018-06-21 | Continental Automotive Gmbh | Elektrostatischer Partikelsensor und dessen Herstellungsverfahren zur Verwendung in einem Abgasstrom einer Brennkraftmaschine |
DE102017213522A1 (de) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | Robert Bosch Gmbh | Partikelsensor und Betriebsverfahren hierfür |
JP6827915B2 (ja) * | 2017-12-18 | 2021-02-10 | タツタ電線株式会社 | 液体検知センサおよび液体検知装置 |
CN108225986B (zh) * | 2017-12-20 | 2020-07-28 | 北京卫星环境工程研究所 | 用于介质颗粒物电性能测试的电极测量装置 |
KR102394808B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2022-05-04 | 현대자동차주식회사 | 입자상 물질 센서 |
CN108943972B (zh) * | 2018-07-09 | 2020-06-16 | 业成科技(成都)有限公司 | 多层感测薄膜结构的填胶方法 |
TWI695163B (zh) | 2018-12-19 | 2020-06-01 | 財團法人工業技術研究院 | 粒狀物感測裝置 |
DE102020205997A1 (de) | 2020-05-13 | 2021-11-18 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Sensoreinrichtung zum Erfassen eines ionischen Fluids |
DE102020133903A1 (de) | 2020-12-17 | 2022-06-23 | Soluvent UG (haftungsbeschränkt) | Sensoreinrichtung und Verfahren zum Erfassen der Anwesenheit von Medien unter Verwendung einer Sensoreinrichtung |
CN112730177B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-02-15 | 华中科技大学 | 一种颗粒物传感器及其制造方法 |
CN115479972A (zh) * | 2021-06-15 | 2022-12-16 | 群创光电股份有限公司 | 液体传感装置及其制备方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2836002C2 (de) | 1978-08-17 | 1986-09-11 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Sensor zur Überwachung der Rußfreiheit von Abgasen |
DE3726479C2 (de) | 1987-08-08 | 1996-04-11 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erzeugung von elektrisch-isolierenden Bereichen oder Schichten in oder auf O·2··-·-Ionen leitenden Festelektrolytsubstraten sowie Zusammensetzung zur Durchführung des Verfahrens |
JP3392440B2 (ja) * | 1991-12-09 | 2003-03-31 | 株式会社東芝 | 多層導体層構造デバイス |
JP4312379B2 (ja) * | 1998-03-10 | 2009-08-12 | ミクロナス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 参照電極 |
GB9810568D0 (en) | 1998-05-18 | 1998-07-15 | Imco 1097 Limited | Electrode system |
DE19907164C2 (de) | 1999-02-19 | 2002-10-24 | Micronas Gmbh | Meßeinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung |
US20020090649A1 (en) | 1999-12-15 | 2002-07-11 | Tony Chan | High density column and row addressable electrode arrays |
JP2003517149A (ja) | 1999-12-15 | 2003-05-20 | モトローラ・インコーポレイテッド | 行及び列アドレス指定可能な高密度のバイオチップアレイ |
AU2002223671A1 (en) | 2000-11-08 | 2002-05-21 | Adphos Advanced Photonics Technologies Ag | Method for generating a coating on a substrate |
DE10244702A1 (de) | 2001-10-09 | 2003-05-08 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Detektion von Teilchen in einem Gasstrom und Sensor hierzu |
JP2003262144A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Denso Corp | 流量測定装置 |
SG135191A1 (en) * | 2003-10-29 | 2007-09-28 | Agency Science Tech & Res | Biosensor |
DE10353860B4 (de) * | 2003-11-18 | 2023-03-30 | Robert Bosch Gmbh | Sensor zum Erfassen von Partikeln in einem Gasstrom, sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
EP1566623B1 (en) * | 2004-02-06 | 2013-12-18 | C.R.F. Società Consortile per Azioni | Device for measuring the quantity of solid particles in a gas medium |
DE102004041620A1 (de) | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Testo Ag | Gassensor und Herstellungsverfahren für einen Gassensor |
DE102004043122A1 (de) | 2004-09-07 | 2006-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement für Partikelsensoren und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE102004043121A1 (de) * | 2004-09-07 | 2006-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement für Partikelsensoren und Verfahren zum Betrieb desselben |
DE102005016395B4 (de) | 2005-04-18 | 2012-08-23 | Andreas Hauser | Rußimpedanzsensor |
DE102005029219A1 (de) | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Rußsensor |
US20080190173A1 (en) * | 2005-04-20 | 2008-08-14 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Soot Sensor |
JP2007017432A (ja) | 2005-06-08 | 2007-01-25 | Canon Inc | プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知するための検知装置に用いられる検知素子及びその製造方法 |
US7743409B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-06-22 | Sandisk Corporation | Methods used in a mass storage device with automated credentials loading |
CN100397661C (zh) * | 2005-07-12 | 2008-06-25 | 南开大学 | 金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法 |
TWI404924B (zh) | 2005-08-26 | 2013-08-11 | Semiconductor Energy Lab | 粒子偵測感測器、製造粒子偵測感測器的方法、以及使用粒子偵測感測器偵測粒子的方法 |
US7741142B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-06-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of fabricating a biosensor |
DE102006042605B4 (de) | 2006-09-11 | 2020-01-16 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement für Gassensoren und Verfahren zum Betrieb desselben |
WO2008033419A2 (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Agency For Science, Technology And Research | Electrochemical sensor with interdigitated microelectrodes and conducted polymer |
JP5081897B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2012-11-28 | 日本碍子株式会社 | 粒子状物質検出装置及び粒子状物質検出方法 |
WO2008117853A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Ngk Insulators, Ltd. | 微粒子センサ |
CN101295570B (zh) * | 2007-04-25 | 2011-11-23 | 聚鼎科技股份有限公司 | 保护电路板和其过电流保护元件 |
DE102007019552B4 (de) | 2007-04-25 | 2009-12-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit Durchführung sowie Substrat und Halbleitermodul mit Durchführung |
JP4283880B2 (ja) | 2007-07-20 | 2009-06-24 | パナソニック株式会社 | 電気化学測定用電極板、およびこの電極板を有する電気化学測定装置、ならびにこの電極板を用いて目的物質を定量する方法 |
WO2009032262A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-12 | Ceramatec, Inc. | Ceramic particulate matter sensor with low electrical leakage |
DE102007047078A1 (de) | 2007-10-01 | 2009-04-02 | Robert Bosch Gmbh | Sensorelement zur Detektion von Partikeln in einem Gas und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4512658B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2010-07-28 | 日本碍子株式会社 | 粒子状物質検出装置 |
US8176768B2 (en) | 2008-07-04 | 2012-05-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Particulate matter detection device |
DE102008041808A1 (de) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | Robert Bosch Gmbh | Partikelsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
CN101802589B (zh) | 2008-10-21 | 2013-01-23 | 北斗电子工业株式会社 | 液体中粒子大小的检测方法以及装置 |
KR101747666B1 (ko) | 2008-11-25 | 2017-06-15 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 공중 부유 입자들을 감지하기 위한 센서 |
US20120021136A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for controlling plasma deposition uniformity |
JP5500028B2 (ja) | 2010-09-30 | 2014-05-21 | 株式会社デンソー | 粒子状物質検出センサの製造方法 |
JP2012083210A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Denso Corp | 粒子状物質検出センサ |
JP5416757B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2014-02-12 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ素子及びガスセンサ |
JP5582084B2 (ja) | 2011-04-05 | 2014-09-03 | 株式会社デンソー | 粒子状物質検出センサ及びその製造方法 |
JP6346560B2 (ja) | 2011-05-26 | 2018-06-20 | ストーンリッジ・インコーポレッド | 煤センサシステム |
DE102011051845B3 (de) * | 2011-07-14 | 2012-10-25 | Heraeus Sensor Technology Gmbh | Messwiderstand mit Schutzrahmen |
JP5495077B2 (ja) | 2012-05-01 | 2014-05-21 | 謙治 佐藤 | 無線タグ型センサ |
TWI475221B (zh) | 2012-12-23 | 2015-03-01 | Tyson Biores Inc | 測試片偵測樣本中待測物濃度的方法、三電極的測試片及利用測試片偵測樣品中介質擴散因子的方法 |
US20140260545A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Infineon Technologies Ag | Sensor and sensing method |
FR3010524A1 (fr) | 2013-09-06 | 2015-03-13 | Peugeot Citroen Automobiles Sa | Capteur de suie en forme de peignes interdigites comprenant des entailles |
CN103698367B (zh) | 2013-11-27 | 2015-11-25 | 北京长峰微电科技有限公司 | 一种加热式湿度传感器及其制作方法 |
-
2015
- 2015-12-07 KR KR1020177020414A patent/KR101972887B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-07 WO PCT/EP2015/078747 patent/WO2016102178A1/de active Application Filing
- 2015-12-07 US US15/539,495 patent/US10705002B2/en active Active
- 2015-12-07 CN CN201580076847.0A patent/CN107532986B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-07 JP JP2017534204A patent/JP6514336B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-07 EP EP15812990.8A patent/EP3237879B1/de active Active
- 2015-12-22 TW TW104143135A patent/TWI621841B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-12-23 CN CN201580076848.5A patent/CN107430053B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-23 WO PCT/EP2015/081100 patent/WO2016102636A1/de active Application Filing
- 2015-12-23 KR KR1020177020622A patent/KR20170101268A/ko active Search and Examination
- 2015-12-23 JP JP2017534260A patent/JP6568220B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-23 WO PCT/EP2015/081099 patent/WO2016102635A1/de active Application Filing
- 2015-12-23 TW TW104143413A patent/TWI631325B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-12-23 JP JP2017533925A patent/JP6568219B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-23 DE DE102015122673.1A patent/DE102015122673A1/de not_active Ceased
- 2015-12-23 KR KR1020177020628A patent/KR20170101270A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-12-23 EP EP15820526.0A patent/EP3237881B1/de active Active
- 2015-12-23 US US15/539,534 patent/US20170363530A1/en not_active Abandoned
- 2015-12-23 CN CN201580076830.5A patent/CN107407624B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-23 DE DE102015122668.5A patent/DE102015122668A1/de not_active Withdrawn
- 2015-12-23 US US15/539,522 patent/US20170356868A1/en not_active Abandoned
- 2015-12-23 EP EP15816194.3A patent/EP3237880B1/de active Active
- 2015-12-23 TW TW104143417A patent/TWI612286B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6568219B2 (ja) | 導電性及び/又は分極性粒子を検出するセンサ、センサシステム、センサを作動させる方法、このタイプのセンサを製造する方法及び使用 | |
US20130283886A1 (en) | Particulate matter detection element and method of manufacturing same | |
US20180106745A1 (en) | Gas sensor | |
JP6626901B2 (ja) | 粒子状物質の測定装置用部品およびその製造方法 | |
KR102121326B1 (ko) | 전기 전도성 및/또는 분극성 입자를 검출하기 위한 센서, 센서 시스템, 센서의 작동 방법, 및 이러한 센서의 사용 | |
CN110612277B (zh) | 用于测定气体参数的传感器 | |
JP2019507880A5 (ja) | ||
WO2017208790A1 (ja) | 可変容量コンデンサ | |
WO2017115617A1 (ja) | 粒子状物質の測定装置用部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190801 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6568219 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |