JP6517149B2 - ディスポーザブルゲートキャップを使用したトランジスタ及びスプリットゲート電荷トラップメモリセルの形成 - Google Patents
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Description
分野
本願は、同じ基板に形成されるスプリットゲート電荷トラップメモリセル及び他の電界効果トランジスタの製作に関する。
フラッシュメモリ等の不揮発性メモリは、メモリへの電力がなくなる場合であっても記憶データを保持する。不揮発性メモリセルは、例えば、電荷を電気絶縁浮遊ゲート又は電界効果トランジスタ(FET)の制御ゲートの下にある電荷トラップ層に蓄えることによってデータを記憶する。記憶された電荷は、FETの閾値を制御し、それにより、セルのメモリ状態を制御する。
本明細書で識別されるか、それとも他のどこかで識別されるかに関係なく、問題のうちの少なくとも1つをなくすか、若しくは軽減し、又は既存の装置若しくは方法への代替を提供することが望ましい。
添付図面は、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部をなし、本発明を示し、説明と共に、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を製作し使用できるようにする役割を更に果たす。
本明細書は、本発明の特徴を組み込む1つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は単に、本発明を例示する。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって規定される。
Claims (32)
- 半導体デバイスを製作する方法であって、
ゲート層を基板の誘電体上に配置することと、
キャップ層を前記ゲート層上に配置することと、
前記キャップ層及び前記ゲート層を通してエッチングして、前記キャップ層及び前記ゲート層の結合厚に略等しい初期厚を有する第1のトランジスタゲートを画定することと、
前記基板において、前記第1のトランジスタゲートに隣接して第1のドープ領域を形成することと、
前記キャップ層を除去することと、
前記ゲート層を通してエッチングして、前記ゲート層の厚さに略等しい厚さを有する第2のトランジスタゲートを画定することと、
前記基板において、前記第2のトランジスタゲートに隣接して第2のドープ領域を形成することと、
を含み、
前記第1のドープ領域は、前記基板内に前記第2のドープ領域よりも深く延び、前記第1のトランジスタゲートの最終的な厚さは、前記第2のトランジスタゲートの厚さに略等しく、
前記第1のトランジスタゲートは、前記第2のトランジスタゲートが形成されるよりも前に形成される、
方法。 - 前記ゲート層を配置する前に、前記誘電体を前記基板上に形成することを更に含み、前記誘電体は、前記第1のトランジスタゲートに関連付けられた第1の領域において第1の厚さを有し、前記第2のトランジスタゲートに関連付けられた第2の領域において第2の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の厚さは前記第2の厚さよりも大きい、請求項2に記載の方法。
- ゲート層を配置することは、ポリシリコン層を配置することを含む、請求項1に記載の方法。
- キャップ層を配置することは、窒化ケイ素層を配置することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のドープ領域を形成することは、イオン注入を使用して不純物を前記基板内に注入することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記不純物は、前記キャップ層及び前記ゲート層の前記結合厚を通して滲入しないように注入される、請求項6に記載の方法。
- キャップ層を配置することは、1つ又は複数の層を配置することを含む、請求項1に記載の方法。
- 1つ又は複数の層を配置することは、窒化ケイ素又は二酸化ケイ素を配置することを含む、請求項8に記載の方法。
- ケイ化物を少なくとも前記第1のトランジスタゲートの上面及び前記第2のトランジスタゲートの上面上に形成することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 第1の領域、第2の領域、及び第3の領域を基板上に有する半導体デバイスを製作する方法であって、
ゲート層を前記基板の第1の誘電体上に配置することと、
キャップ層を前記ゲート層上に配置することと、
前記第1の領域に複数のメモリセルを形成することであって、前記メモリセルのそれぞれは、
前記第1の誘電体上に配置される選択ゲート、
第2の誘電体上に、前記選択ゲートの側壁に隣接して配置されるメモリゲート、及び
前記選択ゲートの片側に隣接する前記基板における第1のドープ領域及び前記メモリゲートの逆側に隣接する前記基板における第2のドープ領域
を含む、複数のメモリセルを形成することと、
前記第2の領域における前記キャップ層及び前記ゲート層を通してエッチングして、前記キャップ層及び前記ゲート層の結合厚に略等しい初期厚を有する第1のトランジスタゲートを画定することと、
前記基板において前記第1のトランジスタゲートに隣接して第3のドープ領域を形成することと、
前記キャップ層を除去することと、
前記第3の領域での前記ゲート層を通してエッチングして、前記ゲート層の厚さに略等しい厚さを有する第2のトランジスタゲートを画定することと、
前記基板において、前記第2のトランジスタゲートに隣接して第4のドープ領域を形成することと、
を含み、
前記第3のドープ領域は、前記第4のドープ領域よりも前記基板内に深く延び、前記第1のトランジスタゲートの最終的な厚さは、前記第2のトランジスタゲートの厚さに略等しく、
前記第1のトランジスタゲートは、前記第2のトランジスタゲートが形成されるよりも前に形成される、
方法。 - 複数のメモリセルを形成することは
前記第1の領域における前記キャップ層及び前記ゲート層を通してエッチングして、前記第1の誘電体上に配置される前記選択ゲートを画定することと、
前記第2の誘電体を、少なくとも前記第1の領域における前記選択ゲート及び前記基板上に配置することと、
第2のゲート層を前記第2の誘電体上に配置することと、
前記第2のゲート層をエッチングして、前記第2の誘電体上に、前記選択ゲートの前記側壁に隣接して配置される前記メモリゲートを画定することと、
前記基板内に前記第1のドープ領域及び前記第2のドープ領域を形成することと、
を含む、請求項11に記載の方法。 - 前記第2の誘電体を配置することは、1つ又は複数の誘電層を配置することを含む、請求項12に記載の方法。
- 1つ又は複数の誘電層を配置することは、酸化物層、窒化物層、及び酸化物(ONO)層を順次配置することを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第2のゲート層を配置することは、ポリシリコン層を配置することを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第2のゲート層をエッチングすることは、エッチングバックプロセスを実行して、前記選択ゲートの前記側壁に隣接して自己整合する前記メモリゲートを画定することを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記ゲート層を配置する前に、前記第1の誘電体を前記基板上に形成することを更に含み、前記第1の誘電体は、前記第1のトランジスタゲートに関連付けられた前記第2の領域において第1の厚さを有し、前記第2のトランジスタゲートに関連付けられた前記第3の領域において第2の厚さを有する、請求項11に記載の方法。
- 前記第1の厚さは、前記第2の厚さよりも大きい、請求項17に記載の方法。
- ゲート層を配置することは、ポリシリコン層を配置することを含む、請求項11に記載の方法。
- キャップ層を配置することは、窒化ケイ素層を配置することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記第3のドープ領域を形成することは、イオン注入を使用して不純物を前記基板内に注入することを含む、請求項11記載の方法。
- 前記不純物は、前記キャップ層及び前記ゲート層の前記結合厚を通して滲入しないように注入される、請求項21に記載の方法。
- キャップ層を配置することは、1つ又は複数の層を配置することを含む、請求項11に記載の方法。
- 1つ又は複数の層を配置することは、窒化ケイ素又は二酸化ケイ素を配置することを含む、請求項23に記載の方法。
- 少なくとも前記第1のトランジスタゲート、前記第2のトランジスタゲート、前記選択ゲート、及び前記メモリゲートの上面上にケイ化物を形成することを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 第1の領域、第2の領域、及び第3の領域を基板上に有する半導体デバイスを製作する方法であって、
第1の誘電体を前記基板上に配置することと、
ゲート層を前記第1の誘電体上に配置することと、
キャップ層を前記ゲート層に配置することと、
前記第1の領域に複数のメモリセルを形成することであって、前記メモリセルのそれぞれは、
前記第1の誘電体上に配置されるメモリゲート、
第2の誘電体上に、前記メモリゲートの側壁に隣接して配置される選択ゲート、及び
前記基板における、前記選択ゲートの片側に隣接する第1のドープ領域及び前記基板における、前記メモリゲートの逆側に隣接する第2のドープ領域
を含む、複数のメモリセルを形成することと、
前記第2の領域における前記キャップ層及び前記ゲート層を通してエッチングして、前記キャップ層及び前記ゲート層の厚さに略等しい初期厚を有する第1のトランジスタゲートを画定することと、
前記基板において前記第1のトランジスタゲートに隣接して第3のドープ領域を形成することと、
前記キャップ層を除去することと、
前記第3の領域での前記ゲート層を通してエッチングして、前記ゲート層の厚さに略等しい厚さを有する第2のトランジスタゲートを画定することと、
前記基板において、前記第2のトランジスタゲートに隣接して第4のドープ領域を形成することと、
を含み、
前記第3のドープ領域は、前記第4のドープ領域よりも前記基板内に深く延び、前記第1のトランジスタゲートの最終的な厚さは、前記第2のトランジスタゲートの厚さに略等しく、
前記第1のトランジスタゲートは、前記第2のトランジスタゲートが形成されるよりも前に形成される、
方法。 - 前記第1の誘電体を配置することは、1つ又は複数の誘電層を配置することを含む、請求項26に記載の方法。
- 1つ又は複数の誘電層を配置することは、酸化物層、窒化物層、及び酸化物(ONO)層を順次配置することを含む、請求項27に記載の方法。
- 前記窒化物層を配置することは、シリコンが豊富な窒化物層を配置することを含む、請求項28に記載の方法。
- 複数のメモリセルを形成することは、
前記第1の領域での前記キャップ層及び前記ゲート層を通してエッチングして、前記第1の誘電体上に配置される前記メモリゲートを画定することと、
前記第2の誘電体を、少なくとも前記第1の領域における前記メモリゲート及び前記基板上に配置することと、
第2のゲート層を前記第2の誘電体上に配置することと、
前記第2のゲート層をエッチングして、前記第2の誘電体上に、前記メモリゲートの前記側壁に隣接して配置される選択ゲートを画定することと、
前記第1及び第2のドープ領域を前記基板内に形成することと、
を含む、請求項26に記載の方法。 - 前記第2のゲート層を配置することは、ポリシリコン層を配置することを含む、請求項30に記載の方法。
- 前記第2のゲート層をエッチングすることは、エッチングバックプロセスを実行して、前記メモリゲートの前記側壁に隣接して自己整合する前記選択ゲートを画定することを含む、請求項30に記載の方法。
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