JP6512715B2 - 薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ - Google Patents
薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6512715B2 JP6512715B2 JP2016543714A JP2016543714A JP6512715B2 JP 6512715 B2 JP6512715 B2 JP 6512715B2 JP 2016543714 A JP2016543714 A JP 2016543714A JP 2016543714 A JP2016543714 A JP 2016543714A JP 6512715 B2 JP6512715 B2 JP 6512715B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensing element
- element array
- image sensor
- magnetoresistive
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 126
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 23
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 6
- 230000007787 long-term memory Effects 0.000 claims description 3
- 241000711508 Turkey coronavirus Species 0.000 description 16
- 238000003491 array Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- KTTXLLZIBIDUCR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-5-(2,4-dichlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC=C1C1=CC(Cl)=CC(Cl)=C1 KTTXLLZIBIDUCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
- G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/091—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V30/00—Character recognition; Recognising digital ink; Document-oriented image-based pattern recognition
- G06V30/10—Character recognition
- G06V30/22—Character recognition characterised by the type of writing
- G06V30/224—Character recognition characterised by the type of writing of printed characters having additional code marks or containing code marks
- G06V30/2253—Recognition of characters printed with magnetic ink
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Inspection Of Paper Currency And Valuable Securities (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
a)少なくとも1つの感知素子アレイであって、少なくとも1つの磁気抵抗感知素子を備える少なくとも1つの感知素子アレイと、
b)少なくとも1つの感知素子アレイ基板であって、前記各感知素子アレイが1つの前記感知素子アレイ基板の上端面上に位置され、前記各感知素子アレイ基板が下端面を更に備える、少なくとも1つの感知素子アレイ基板と、
c)誘導面であって、前記感知素子アレイの幾何学的中心を通過するとともに前記感知素子アレイ基板の前記上端面と平行な誘導面と、
d)システム回路網であって、前記感知素子アレイに電子的に接続される1つ以上の用途集積回路を備えるシステム回路網と、
を備え、
前記媒体へ向かう方向で、前記電子サブアセンブリが前記誘導面と平行な最大延在面を有し、最大延在距離が前記誘導面と前記最大延在面との間に形成され、前記最大延在距離を減少させる前記集積回路及び前記感知素子アレイ基板の位置配置及び電気的接続により、前記最大延在距離が150μm以下にされる、薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
1.ハウジング61及び充填材62を除く薄型磁気抵抗イメージセンサアレイの磁性素子及び電子素子の全てを含む電子サブアセンブリ又は真性センサアレイアセンブリ、
2.電子サブアセンブリ及び充填材62を含む成形サブアセンブリ、
3.ハウジング61及びパッケージ化された電子サブアセンブリを含む密封アセンブリ。
Claims (10)
- 磁気マークを担持する媒体から画像を読み取るための薄型磁気抵抗イメージセンサアレイであって、電子サブアセンブリを備え、該電子サブアセンブリは、
少なくとも1つの感知素子アレイであって、少なくとも1つの磁気抵抗感知素子を備える少なくとも1つの感知素子アレイと、
少なくとも1つの感知素子アレイ基板(50)であって、前記各感知素子アレイが1つの前記感知素子アレイ基板(50)の上端面上に位置され、前記各感知素子アレイ基板(50)が下端面を更に備える、少なくとも1つの感知素子アレイ基板(50)と、
誘導面であって、前記感知素子アレイの幾何学的中心を通過するとともに前記感知素子アレイ基板(50)の前記上端面と平行な誘導面と、
少なくとも1つのASIC基板(51)であって、前記感知素子アレイ基板(50)及び前記ASIC基板(51)が長手方向に配置され、前記感知素子アレイ基板(50)をその前記下端面側で支持する少なくとも1つのASIC基板(51)と、
その上端部が感知素子アレイ基板(50)の上端よりも低いバンプ(53)で電気的に絶縁保護されるボンディングパット(52)によって前記ASIC基板(51)と接続されるPCB(68)であって、前記ASIC基板(51)をその下端面側で支持するPCB(68)と、
システム回路網であって、前記感知素子アレイに電子的に接続される1つ以上の用途集積回路を備えるシステム回路網と、
を備え、
複数の前記用途集積回路の一部又は全部が前記ASIC基板の上端面上及び/又は下端面上に集積され、
前記システム回路網が貫通チップビア及び半田バンプを備え、前記貫通チップビア及び半田バンプは、前記システム回路網に対して長手方向の電気的接続の一部又は全部をもたらし、
前記貫通チップビア(55)によりもたらされる長手方向の電気的接続は、前記感知素子アレイ基板(50)の前記上端面から前記感知素子アレイ基板(50)の前記下端面まで及び前記ASIC基板(51)の上端面から前記ASIC基板(51)の下端面までの長手方向の電気的接続を備え、
前記感知素子アレイ基板(50)から前記ASIC基板(51)までの長手方向の電気的接続は、前記貫通チップビア(55)及び半田バンプによってもたらし、
前記媒体へ向かう方向で、前記電子サブアセンブリが前記誘導面と平行な最大延在面を有し、最大延在距離が前記誘導面と前記最大延在面との間に形成され、前記最大延在距離を減少させる前記用途集積回路及び前記感知素子アレイ基板(50)の位置配置及び電気的接続により、前記最大延在距離が150μm以下にされる、薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。 - 複数の前記用途集積回路の一部又は全部が前記感知素子アレイ基板の前記上端面上及び/又は前記下端面上に集積される請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 電源及び信号出力/入力デバイスを備え、前記電源及び前記信号出力/入力デバイスが前記システム回路網に電気的に接続される請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- フレキシブルプリント回路(60)を備え、前記フレキシブルプリント回路(60)及び/又は前記PCB(68)は、前記システム回路網に対する所要の電気的接続の一部又は全部をもたらし、前記電源及び前記信号出力/入力デバイスが前記フレキシブルプリント回路上及び/又は前記PCB上に形成される請求項3に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記電子サブアセンブリが外部にハウジング(61)を有し、前記ハウジング(61)がハウジング上端面及びハウジング下端面を有し、前記ハウジング下端面と前記誘導面との間の最大距離が150μm以下である請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記感知素子アレイ基板(50)よりも下側に位置される永久磁石と、前記永久磁石と前記感知素子アレイ基板(50)との間に位置される磁気バイアスデバイスとを備える請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記磁気抵抗感知素子は、TMR、AMR、GMR、及び/又は、ホール感知素子である請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記用途集積回路は、電力回路、電力選択スイッチ、素子選択回路、差動増幅回路、ADC回路、高速記憶回路、画像記憶回路、長期記憶回路、MCU回路、及び、入力/出力回路、データ解析器、並びに、データ信号変換器のうちの1つ以上を備える請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 充填材(62)を備え、前記充填材(62)が前記電子サブアセンブリ上に保護層を形成し、前記保護層が前記電子サブアセンブリから離間される或いは離間されない請求項1に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
- 前記ハウジング(61)と前記電子サブアセンブリとの間の隙間に充填されて前記電子サブアセンブリ上に覆われる充填材を備える請求項5に記載の薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310750924.9A CN103744038A (zh) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | 近距离磁电阻成像传感器阵列 |
CN201310750924.9 | 2013-12-31 | ||
PCT/CN2014/095246 WO2015101244A1 (zh) | 2013-12-31 | 2014-12-29 | 近距离磁电阻成像传感器阵列 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017512353A JP2017512353A (ja) | 2017-05-18 |
JP6512715B2 true JP6512715B2 (ja) | 2019-05-15 |
Family
ID=50501073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016543714A Active JP6512715B2 (ja) | 2013-12-31 | 2014-12-29 | 薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10371761B2 (ja) |
EP (1) | EP3091363B1 (ja) |
JP (1) | JP6512715B2 (ja) |
CN (1) | CN103744038A (ja) |
WO (1) | WO2015101244A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103336251B (zh) * | 2013-06-27 | 2016-05-25 | 江苏多维科技有限公司 | 磁电阻成像传感器阵列 |
CN103744038A (zh) | 2013-12-31 | 2014-04-23 | 江苏多维科技有限公司 | 近距离磁电阻成像传感器阵列 |
JP7033285B2 (ja) * | 2018-11-03 | 2022-03-10 | マグネデザイン株式会社 | 微細配線接合体およびその製造方法 |
DE102020111626A1 (de) * | 2020-04-29 | 2021-11-04 | Infineon Technologies Ag | Magnetsensorvorrichtung und verfahren zur herstellung desselben |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11325960A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気検出素子とその製造方法および磁気検出装置 |
US7526964B2 (en) | 2002-01-25 | 2009-05-05 | Jentek Sensors, Inc. | Applied and residual stress measurements using magnetic field sensors |
EP1535305A2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-06-01 | Brown University Research Foundation | Scanning magnetic microscope having improved magnetic sensor |
JP2005030872A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Toshiba Corp | 磁性体量検出装置 |
JP4338090B2 (ja) | 2005-03-24 | 2009-09-30 | Tdk株式会社 | 磁性粉付着媒体又は磁性膜付着媒体検出装置 |
CN103545332B (zh) | 2005-05-04 | 2016-08-10 | 盛投资有限责任公司 | 传感器模块以及包括传感器模块的装置的制造方法 |
US7747817B2 (en) * | 2006-06-28 | 2010-06-29 | Unity Semiconductor Corporation | Performing data operations using non-volatile third dimension memory |
US20080068815A1 (en) | 2006-09-18 | 2008-03-20 | Oliver Richard Astley | Interface Assembly And Method for Integrating A Data Acquisition System on a Sensor Array |
US9170234B2 (en) * | 2006-11-01 | 2015-10-27 | Industry-Academic Cooperation Foundation, Chosun University | Magnetic sensor array and apparatus for detecting defect using the magnetic sensor array |
JP4894040B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2012-03-07 | 浜松光電株式会社 | 磁気センサ |
WO2008093699A1 (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気検出装置及びその製造方法 |
JP5056195B2 (ja) | 2007-06-21 | 2012-10-24 | パナソニック株式会社 | 紙幣識別装置 |
US20100156634A1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Intercept Logic, Inc. | Table top contraband sensing apparatus and method |
JP2010192060A (ja) | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Cis Electronica Industria & Comercio Ltda | センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法 |
CN102968845B (zh) * | 2012-10-31 | 2015-11-25 | 江苏多维科技有限公司 | 一种被磁偏置的敏感方向平行于检测面的验钞磁头 |
CN203038357U (zh) * | 2012-10-31 | 2013-07-03 | 江苏多维科技有限公司 | 一种被磁偏置的敏感方向平行于检测面的验钞磁头 |
CN202916902U (zh) * | 2012-10-31 | 2013-05-01 | 江苏多维科技有限公司 | 一种被磁偏置的敏感方向平行于检测面的验钞磁头 |
CN203275621U (zh) * | 2013-06-17 | 2013-11-06 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 一种磁传感器 |
CN203350427U (zh) * | 2013-06-27 | 2013-12-18 | 江苏多维科技有限公司 | 磁电阻成像传感器阵列 |
CN103336251B (zh) * | 2013-06-27 | 2016-05-25 | 江苏多维科技有限公司 | 磁电阻成像传感器阵列 |
CN103744038A (zh) | 2013-12-31 | 2014-04-23 | 江苏多维科技有限公司 | 近距离磁电阻成像传感器阵列 |
CN203759230U (zh) * | 2013-12-31 | 2014-08-06 | 江苏多维科技有限公司 | 一种磁电阻成像传感器阵列 |
-
2013
- 2013-12-31 CN CN201310750924.9A patent/CN103744038A/zh active Pending
-
2014
- 2014-12-29 EP EP14876525.8A patent/EP3091363B1/en active Active
- 2014-12-29 US US15/109,213 patent/US10371761B2/en active Active
- 2014-12-29 JP JP2016543714A patent/JP6512715B2/ja active Active
- 2014-12-29 WO PCT/CN2014/095246 patent/WO2015101244A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10371761B2 (en) | 2019-08-06 |
EP3091363A1 (en) | 2016-11-09 |
US20170003357A1 (en) | 2017-01-05 |
EP3091363B1 (en) | 2019-05-08 |
EP3091363A4 (en) | 2017-09-06 |
CN103744038A (zh) | 2014-04-23 |
JP2017512353A (ja) | 2017-05-18 |
WO2015101244A1 (zh) | 2015-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6512715B2 (ja) | 薄型磁気抵抗イメージセンサアレイ | |
KR101376987B1 (ko) | 자기 센서 장치 | |
CN102483443B (zh) | 磁场传感器 | |
US20150323568A1 (en) | Arrangement for measuring current | |
CN103336251B (zh) | 磁电阻成像传感器阵列 | |
JP6377882B1 (ja) | 磁気抵抗効果素子デバイスおよび磁気抵抗効果素子装置 | |
US10690733B2 (en) | Magnetic image sensor | |
JP5516773B2 (ja) | 磁気センサ装置 | |
JP2006284466A (ja) | 磁気検出センサおよび磁性体検出装置 | |
CN107305236A (zh) | 探针位置检查装置、半导体评价装置以及探针位置检查方法 | |
US10353021B2 (en) | Magnetic sensor device | |
CN107148641A (zh) | 图像读取装置 | |
JP2018128390A (ja) | 磁気センサとその製造方法 | |
CN203759230U (zh) | 一种磁电阻成像传感器阵列 | |
US10168396B2 (en) | Low fly height in-plane magnetic image sensor chip | |
US11614500B2 (en) | Integrated magnetometer and method of detecting a magnetic field | |
JP2006317218A (ja) | 磁性量検知型磁気センサ装置 | |
CN203350427U (zh) | 磁电阻成像传感器阵列 | |
US7114237B2 (en) | Manufacturing method for precise multi-pole magnetic components | |
CN203858698U (zh) | 一种低飞移高度面内磁性图像识别传感器芯片 | |
JP2018189388A (ja) | 磁界センサ | |
JP2009180596A (ja) | 磁界プローブ | |
JP2019120594A (ja) | 磁気センサ | |
JPH02309274A (ja) | 磁気インクパターン検出器及び磁気抵抗素子搭載方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180813 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190124 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20190208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190408 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6512715 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |