JPH11325960A - 磁気検出素子とその製造方法および磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出素子とその製造方法および磁気検出装置Info
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- B82—NANOTECHNOLOGY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に抵抗器およびコンデンサを半田付けし
ており、作業に時間がかかるため、磁気検出装置の生産
効率が低く、製造コストが嵩んでいた。抵抗器およびコ
ンデンサを組付けるための設置スペースが基板上に必要
となるため、磁気検出素子の小型化が困難であった。 【解決手段】 基板上に形成され、磁界の変化を検出す
る巨大磁気抵抗素子と、基板上に形成され、磁界の変化
に基づいて所定の演算処理を行う集積回路と、集積回路
の入力側および出力側にそれぞれ設けられた入力側保護
抵抗器および出力側保護抵抗器とを備えてなり、入力側
抵抗器および出力側抵抗器を、集積回路を形成するため
の金属膜と同一の金属膜で構成した。
ており、作業に時間がかかるため、磁気検出装置の生産
効率が低く、製造コストが嵩んでいた。抵抗器およびコ
ンデンサを組付けるための設置スペースが基板上に必要
となるため、磁気検出素子の小型化が困難であった。 【解決手段】 基板上に形成され、磁界の変化を検出す
る巨大磁気抵抗素子と、基板上に形成され、磁界の変化
に基づいて所定の演算処理を行う集積回路と、集積回路
の入力側および出力側にそれぞれ設けられた入力側保護
抵抗器および出力側保護抵抗器とを備えてなり、入力側
抵抗器および出力側抵抗器を、集積回路を形成するため
の金属膜と同一の金属膜で構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば歯車状磁
性回転体の回転数を検出する磁気検出装置に関するもの
である。
性回転体の回転数を検出する磁気検出装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図２６は、従来の磁気検出装置の要部を
拡大して示す図である。図２７および図２８は、従来の
磁気検出装置の内部構造を概略的に示す側断面図および
底面図である。なお、図２８の底面図は、図２７におけ
る磁気検出装置のケースを取り外した状態を示すもので
ある。図２６に示すように、従来の磁気検出装置は、磁
気検出装置本体１と、磁気検出装置本体１に連結された
コネクタ２とを備えている。
拡大して示す図である。図２７および図２８は、従来の
磁気検出装置の内部構造を概略的に示す側断面図および
底面図である。なお、図２８の底面図は、図２７におけ
る磁気検出装置のケースを取り外した状態を示すもので
ある。図２６に示すように、従来の磁気検出装置は、磁
気検出装置本体１と、磁気検出装置本体１に連結された
コネクタ２とを備えている。
【０００３】図２７に示すように、磁気検出装置本体１
は、円筒形状の合成樹脂製のケース３と、ケース３内に
収納された電気回路本体４と、電気回路本体４の先端部
（図２７中左側）に設けられた直方体形状の永久磁石５
と、この永久磁石５の前面に設けられ、巨大磁気抵抗素
子（以下、ＧＭＲ素子と称す）が内蔵された磁気検出素
子６とを備えている。また、図２８に示すように、電気
回路本体４は、合成樹脂性の基板７と、この基板７に設
けられた抵抗器８およびコンデンサ９と、抵抗器８、コ
ンデンサ９および磁気検出素子６を電気的に接続する配
線１０とを備えている。
は、円筒形状の合成樹脂製のケース３と、ケース３内に
収納された電気回路本体４と、電気回路本体４の先端部
（図２７中左側）に設けられた直方体形状の永久磁石５
と、この永久磁石５の前面に設けられ、巨大磁気抵抗素
子（以下、ＧＭＲ素子と称す）が内蔵された磁気検出素
子６とを備えている。また、図２８に示すように、電気
回路本体４は、合成樹脂性の基板７と、この基板７に設
けられた抵抗器８およびコンデンサ９と、抵抗器８、コ
ンデンサ９および磁気検出素子６を電気的に接続する配
線１０とを備えている。
【０００４】上記磁気検出装置では、磁気検出素子に接
近して設けられた歯車状の磁性回転体１１の回転によ
り、磁気検出素子６には、磁性回転体１１の凹部１２と
凸部１３とが交互に接近し、そのため磁気検出素子６に
印加される永久磁石５の磁界が変化する。この磁界の変
化は、磁気検出素子６の内部のＧＭＲ素子（図示せず）
により電圧の変化として検出される。このようにＧＭＲ
素子に発生した電圧の変化は、磁気検出素子６内の差動
増幅回路、比較回路を経てパルス波の電気信号として外
部に出力される。この電気信号は、コネクタ２の端子を
介してコンピュータユニット（図示せず）に伝送され、
磁性回転体１１の回転角度が検出される。なお、抵抗器
８およびコンデンサ９によりフィルタ回路が構成され、
このフィルタ回路により外来サージを含む外来ノイズが
磁気検出素子６内に侵入するのを防止している。
近して設けられた歯車状の磁性回転体１１の回転によ
り、磁気検出素子６には、磁性回転体１１の凹部１２と
凸部１３とが交互に接近し、そのため磁気検出素子６に
印加される永久磁石５の磁界が変化する。この磁界の変
化は、磁気検出素子６の内部のＧＭＲ素子（図示せず）
により電圧の変化として検出される。このようにＧＭＲ
素子に発生した電圧の変化は、磁気検出素子６内の差動
増幅回路、比較回路を経てパルス波の電気信号として外
部に出力される。この電気信号は、コネクタ２の端子を
介してコンピュータユニット（図示せず）に伝送され、
磁性回転体１１の回転角度が検出される。なお、抵抗器
８およびコンデンサ９によりフィルタ回路が構成され、
このフィルタ回路により外来サージを含む外来ノイズが
磁気検出素子６内に侵入するのを防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気検出素子で
は、基板７に抵抗器８およびコンデンサ９を半田により
固着しており、その作業に時間がかかるため、磁気検出
装置の生産効率が低く、また製造コストが嵩むという課
題があった。また、抵抗器８およびコンデンサ９を組付
けるための設置スペースが基板７に必要となるため、磁
気検出素子および磁気検出装置全体のサイズが大きくな
るという課題もあった。
は、基板７に抵抗器８およびコンデンサ９を半田により
固着しており、その作業に時間がかかるため、磁気検出
装置の生産効率が低く、また製造コストが嵩むという課
題があった。また、抵抗器８およびコンデンサ９を組付
けるための設置スペースが基板７に必要となるため、磁
気検出素子および磁気検出装置全体のサイズが大きくな
るという課題もあった。
【０００６】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、生産効率を向上させると共
に、製造コストの低減を図り、さらに、小型化を図った
磁気検出素子、その製造方法および磁気検出装置を提供
することを目的とするものである。
ためになされたものであり、生産効率を向上させると共
に、製造コストの低減を図り、さらに、小型化を図った
磁気検出素子、その製造方法および磁気検出装置を提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の磁気検出素子
は、基板上に形成され、磁界の変化を検出する巨大磁気
抵抗素子と、基板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によ
って検出される磁界の変化に基づいて、所定の演算処理
を行う集積回路と、集積回路の入力側および出力側にそ
れぞれ設けられた入力側保護抵抗器および出力側保護抵
抗器とを備えてなり、入力側抵抗器および出力側抵抗器
を、集積回路を形成するための金属膜と同一の金属膜で
構成したことを特徴とする。
は、基板上に形成され、磁界の変化を検出する巨大磁気
抵抗素子と、基板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によ
って検出される磁界の変化に基づいて、所定の演算処理
を行う集積回路と、集積回路の入力側および出力側にそ
れぞれ設けられた入力側保護抵抗器および出力側保護抵
抗器とを備えてなり、入力側抵抗器および出力側抵抗器
を、集積回路を形成するための金属膜と同一の金属膜で
構成したことを特徴とする。
【０００８】また、この発明の他の磁気検出素子は、基
板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によって検出される
磁界の変化に基づいて、所定の演算処理を行う集積回路
と、集積回路上に形成され、平滑な表面を有する段差緩
衝層と、巨大磁気抵抗素子と共に段差緩衝層上に形成さ
れ、集積回路の入力側および出力側にそれぞれ接続され
る入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、入力側
保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、集積回路とを接
続する配線とを備えてなり、入力側抵抗器および出力側
抵抗器と、配線を形成するための金属膜とを同一の金属
膜から作製されていることを特徴とする。
板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によって検出される
磁界の変化に基づいて、所定の演算処理を行う集積回路
と、集積回路上に形成され、平滑な表面を有する段差緩
衝層と、巨大磁気抵抗素子と共に段差緩衝層上に形成さ
れ、集積回路の入力側および出力側にそれぞれ接続され
る入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、入力側
保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、集積回路とを接
続する配線とを備えてなり、入力側抵抗器および出力側
抵抗器と、配線を形成するための金属膜とを同一の金属
膜から作製されていることを特徴とする。
【０００９】また、上記金属膜は、抵抗率が２×１０-6
Ω・ｃｍ以上の材料を用いたことを特徴とする。
Ω・ｃｍ以上の材料を用いたことを特徴とする。
【００１０】また、上記金属膜として、特にアルミを主
な材料とした金属膜を用いることを特徴とする。
な材料とした金属膜を用いることを特徴とする。
【００１１】また、上記金属膜により形成される入力側
抵抗器および出力側抵抗器の幅を１０〜２０μｍとした
ことを特徴とする。
抵抗器および出力側抵抗器の幅を１０〜２０μｍとした
ことを特徴とする。
【００１２】また、上記金属膜により形成される入力側
抵抗器および出力側抵抗器の厚さを１〜２μｍとしたこ
とを特徴とする。
抵抗器および出力側抵抗器の厚さを１〜２μｍとしたこ
とを特徴とする。
【００１３】また、上記入力側抵抗器および上記出力側
抵抗器を基板上に形成したことを特徴とする。
抵抗器を基板上に形成したことを特徴とする。
【００１４】この発明の磁気検出装置は、外周に沿って
凹凸を有し、回転軸を中心に回転する磁性回転体と、磁
性回転体の外周に対向するように配設される磁石と、磁
石の上記磁性回転体の外周に対向する面に付設される上
記磁気検出素子とを備えてなり、磁気検出素子は、磁性
回転体の回転に伴う上記磁性回転体と上記磁石との間の
磁界の変化を検出し、当該検出結果に基づき上記磁性回
転体の回転量を検出する。
凹凸を有し、回転軸を中心に回転する磁性回転体と、磁
性回転体の外周に対向するように配設される磁石と、磁
石の上記磁性回転体の外周に対向する面に付設される上
記磁気検出素子とを備えてなり、磁気検出素子は、磁性
回転体の回転に伴う上記磁性回転体と上記磁石との間の
磁界の変化を検出し、当該検出結果に基づき上記磁性回
転体の回転量を検出する。
【００１５】この発明の磁気検出素子の製造方法は、基
板上に形成した金属膜から、巨大磁気抵抗素子の出力を
処理する集積回路と、集積回路の入力側および出力側に
接続される入力側抵抗器および出力側抵抗とを形成する
ことを特徴とする。
板上に形成した金属膜から、巨大磁気抵抗素子の出力を
処理する集積回路と、集積回路の入力側および出力側に
接続される入力側抵抗器および出力側抵抗とを形成する
ことを特徴とする。
【００１６】また、上記入力側抵抗器および上記出力側
抵抗器を形成する工程と、入力側抵抗器および出力側抵
抗器と集積回路を接続する配線を形成する工程とを同一
工程で行うことを特徴とする。
抵抗器を形成する工程と、入力側抵抗器および出力側抵
抗器と集積回路を接続する配線を形成する工程とを同一
工程で行うことを特徴とする。
【００１７】この発明の他の磁気検出素子の製造方法
は、表面に段差のある集積回路上に、表面の平滑な段差
緩衝層を形成する工程と、段差緩衝層上に巨大磁気検出
素子および集積回路を接続する配線と、集積回路の入力
側抵抗器および出力側抵抗器とを同時に形成する工程と
を備えることを特徴とする。
は、表面に段差のある集積回路上に、表面の平滑な段差
緩衝層を形成する工程と、段差緩衝層上に巨大磁気検出
素子および集積回路を接続する配線と、集積回路の入力
側抵抗器および出力側抵抗器とを同時に形成する工程と
を備えることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１および図２
は、この発明の磁気検出装置の内部構造を概略的に示す
側面図および底面図である。なお、図２に示す磁気検出
装置は、図１に示すケース３を取り外した磁気検出装置
を示す底面図である。また、従来の技術と同一あるいは
相当する部分には同一の符号を付し、その説明を省略す
る。磁気検出装置１５は、磁気検出装置本体１６と、こ
の磁気検出装置本体１６に連結されたコネクタ２とを有
している。磁気検出装置本体１６は、円筒形状の合成樹
脂製のケース３、電気回路本体１７、永久磁石５および
磁気検出を行うための磁気検出素子１９を備える。ケー
ス３内に収納された電気回路本体１７は、合成樹脂製の
基板１８にコンデンサ９を配設し、コネクタ２の端子、
コンデンサ９および磁気検出素子１９を配線２０で接続
したものである。永久磁石５は、電気回路本体１７の先
端部に設けられており、また、磁気検出素子１９は、永
久磁石５の前面に設けられており、巨大磁気抵抗素子
（以下、ＧＭＲ素子と称す）を内蔵している。
は、この発明の磁気検出装置の内部構造を概略的に示す
側面図および底面図である。なお、図２に示す磁気検出
装置は、図１に示すケース３を取り外した磁気検出装置
を示す底面図である。また、従来の技術と同一あるいは
相当する部分には同一の符号を付し、その説明を省略す
る。磁気検出装置１５は、磁気検出装置本体１６と、こ
の磁気検出装置本体１６に連結されたコネクタ２とを有
している。磁気検出装置本体１６は、円筒形状の合成樹
脂製のケース３、電気回路本体１７、永久磁石５および
磁気検出を行うための磁気検出素子１９を備える。ケー
ス３内に収納された電気回路本体１７は、合成樹脂製の
基板１８にコンデンサ９を配設し、コネクタ２の端子、
コンデンサ９および磁気検出素子１９を配線２０で接続
したものである。永久磁石５は、電気回路本体１７の先
端部に設けられており、また、磁気検出素子１９は、永
久磁石５の前面に設けられており、巨大磁気抵抗素子
（以下、ＧＭＲ素子と称す）を内蔵している。
【００１９】図３は磁気検出装置の回路図であり、図４
は磁気検出素子の構成を概念的に示す図である。図３に
おいて、ブリッジ回路状に配設された検出抵抗器Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４を備える磁気検出部２１は、配線
２２を介して、図示しない差動増幅回路および比較回路
を含む集積回路２３に接続されている。なお、検出抵抗
器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４としては、巨大磁気検出
素子であるＧＭＲ素子を用いる。第１のフィルタ回路と
しての入力側フィルタ回路２４は、電源側に配設される
抵抗器Ｒ５と、基板１８上に搭載される電源側のコンデ
ンサ９とから構成される。また、第２のフィルタ回路と
しての出力側フィルタ回路２５は、出力側抵抗器Ｒ６
と、基板１８上に搭載されるコンデンサ９とから構成さ
れる。なお、集積回路２３へのノイズ侵入を防止するた
めの入力側フィルタ回路２４は、コンデンサ９のみで構
成してもよい。
は磁気検出素子の構成を概念的に示す図である。図３に
おいて、ブリッジ回路状に配設された検出抵抗器Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４を備える磁気検出部２１は、配線
２２を介して、図示しない差動増幅回路および比較回路
を含む集積回路２３に接続されている。なお、検出抵抗
器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４としては、巨大磁気検出
素子であるＧＭＲ素子を用いる。第１のフィルタ回路と
しての入力側フィルタ回路２４は、電源側に配設される
抵抗器Ｒ５と、基板１８上に搭載される電源側のコンデ
ンサ９とから構成される。また、第２のフィルタ回路と
しての出力側フィルタ回路２５は、出力側抵抗器Ｒ６
と、基板１８上に搭載されるコンデンサ９とから構成さ
れる。なお、集積回路２３へのノイズ侵入を防止するた
めの入力側フィルタ回路２４は、コンデンサ９のみで構
成してもよい。
【００２０】図４に示す磁気検出素子の電源側抵抗器Ｒ
５および出力側抵抗器Ｒ６は、共にアルミ製の金属膜を
写真製版技術等によりパターニングすることにより作製
されるものである。図４に示すように、磁気検出素子の
左半面にスパッタ法で形成された保護膜２６の下には、
集積回路２３が作製されている。抵抗器Ｒ５およびＲ６
は、図４に示す保護膜２６の左半面の下に形成された集
積回路２３を作製するために下地層（図示せず）上に成
膜されたアルミ膜（図４中左半面に形成されたもの）と
同一工程で形成された同一のアルミ膜である。すなわ
ち、入力側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６は、図４
中左半面に形成されたアルミ膜と同時に同一工程で右半
面に形成された金属膜としてのアルミ膜を、写真製版技
術等によりパターニングすることにより作製されるもの
である。なお、集積回路２３は、図示しない差動増幅回
路および比較回路などから構成される。
５および出力側抵抗器Ｒ６は、共にアルミ製の金属膜を
写真製版技術等によりパターニングすることにより作製
されるものである。図４に示すように、磁気検出素子の
左半面にスパッタ法で形成された保護膜２６の下には、
集積回路２３が作製されている。抵抗器Ｒ５およびＲ６
は、図４に示す保護膜２６の左半面の下に形成された集
積回路２３を作製するために下地層（図示せず）上に成
膜されたアルミ膜（図４中左半面に形成されたもの）と
同一工程で形成された同一のアルミ膜である。すなわ
ち、入力側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６は、図４
中左半面に形成されたアルミ膜と同時に同一工程で右半
面に形成された金属膜としてのアルミ膜を、写真製版技
術等によりパターニングすることにより作製されるもの
である。なお、集積回路２３は、図示しない差動増幅回
路および比較回路などから構成される。
【００２１】アルミの抵抗率は、２．８×１０-6Ω・ｃ
ｍ程度と比較的大きいため、抵抗器Ｒ５およびＲ６の面
積を小さくできる。アルミの抵抗値は、銅の抵抗値の約
２倍であるため、銅製の部材で抵抗器を構成する場合の
約半分の面積で、同一の抵抗値を得ることができる。ま
た、一般的に電源側の抵抗器Ｒ５の抵抗値は２００Ω前
後であり、この抵抗値を保ちながら配線の面積を小さく
するためには、抵抗器Ｒ５およびＲ６を構成するアルミ
抵抗線の幅を狭くすると共に、厚さを薄くすればよい。
ｍ程度と比較的大きいため、抵抗器Ｒ５およびＲ６の面
積を小さくできる。アルミの抵抗値は、銅の抵抗値の約
２倍であるため、銅製の部材で抵抗器を構成する場合の
約半分の面積で、同一の抵抗値を得ることができる。ま
た、一般的に電源側の抵抗器Ｒ５の抵抗値は２００Ω前
後であり、この抵抗値を保ちながら配線の面積を小さく
するためには、抵抗器Ｒ５およびＲ６を構成するアルミ
抵抗線の幅を狭くすると共に、厚さを薄くすればよい。
【００２２】しかしながら、アルミ抵抗線の幅を極端に
狭くするとエレクトロマイグレーションの問題が生じ、
厚さを極端に薄くすればアルミ配線が断線しやすくなっ
てしまう。実験結果では、１〜２μｍ以上の厚さがあれ
ば断線が生じないことが確認できている。また、アルミ
抵抗線の幅１μｍ当りの電流値が１ｍＡ以下であれば、
エレクトロマイグレーションが発生しないことが確認で
きている。一般的に、磁気検出装置の消費電流は１０〜
２０ｍＡに抑えられることが多いので、アルミ抵抗線の
幅は１０〜２０μｍが適当である。例えば、アルミ抵抗
線の幅を１５μｍ、厚さを１．５μｍとして２００Ωの
抵抗を作製する場合、図４に示すような入力側抵抗器Ｒ
５および出力側抵抗器Ｒ６を構成するために必要なアル
ミ抵抗線の面積は、約４ｍｍ2となる。
狭くするとエレクトロマイグレーションの問題が生じ、
厚さを極端に薄くすればアルミ配線が断線しやすくなっ
てしまう。実験結果では、１〜２μｍ以上の厚さがあれ
ば断線が生じないことが確認できている。また、アルミ
抵抗線の幅１μｍ当りの電流値が１ｍＡ以下であれば、
エレクトロマイグレーションが発生しないことが確認で
きている。一般的に、磁気検出装置の消費電流は１０〜
２０ｍＡに抑えられることが多いので、アルミ抵抗線の
幅は１０〜２０μｍが適当である。例えば、アルミ抵抗
線の幅を１５μｍ、厚さを１．５μｍとして２００Ωの
抵抗を作製する場合、図４に示すような入力側抵抗器Ｒ
５および出力側抵抗器Ｒ６を構成するために必要なアル
ミ抵抗線の面積は、約４ｍｍ2となる。
【００２３】このような磁気検出装置では、図２６に示
した歯車形状の磁性回転体１１の回転に伴い、磁性回転
体１１の凹部１２と凸部１３とが交互に接近して、永久
磁石５と磁性回転体１１との間の距離が変化することに
より、磁気検出素子１９を貫く磁界が変化する。この磁
界の変化により、磁気検出素子１９内部の検出抵抗器Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の抵抗値が変化し、この結
果、ブリッジ回路の接続点Ａ、Ｂ間の電圧が変化する。
接続点Ａ、Ｂ間の電圧の変化は、集積回路２３内の図示
しない差動増幅回路および比較回路を介して、出力側フ
ィルタ回路２５に接続された集積回路２３の端子からパ
ルス信号として出力される。このパルス信号は、出力側
フィルタ回路２５およびコネクタ２の端子（図２参照）
を介して、図示しないコンピュータユニットに伝送さ
れ、コンピュータユニットは、伝送された信号に基づい
て、磁性回転体１１の回転角度を検出する。
した歯車形状の磁性回転体１１の回転に伴い、磁性回転
体１１の凹部１２と凸部１３とが交互に接近して、永久
磁石５と磁性回転体１１との間の距離が変化することに
より、磁気検出素子１９を貫く磁界が変化する。この磁
界の変化により、磁気検出素子１９内部の検出抵抗器Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４の抵抗値が変化し、この結
果、ブリッジ回路の接続点Ａ、Ｂ間の電圧が変化する。
接続点Ａ、Ｂ間の電圧の変化は、集積回路２３内の図示
しない差動増幅回路および比較回路を介して、出力側フ
ィルタ回路２５に接続された集積回路２３の端子からパ
ルス信号として出力される。このパルス信号は、出力側
フィルタ回路２５およびコネクタ２の端子（図２参照）
を介して、図示しないコンピュータユニットに伝送さ
れ、コンピュータユニットは、伝送された信号に基づい
て、磁性回転体１１の回転角度を検出する。
【００２４】次に、この発明の磁気検出装置の製造方法
について説明する。図５ないし図１０は、この発明の磁
気検出装置の磁気検出素子の製造工程の様子を概略的に
示す図である。図５に示す磁気検出素子１９は、表面全
体が保護膜２６に覆われた状態を示すものであり、左半
面の保護膜２６の下には、アルミ膜をパターニングした
集積回路２３が既に形成されており、左半面の保護膜２
６の下のアルミ膜は、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およ
びＲ４、電源側抵抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６を形成す
る前のものである。なお、上述したように、左半面の集
積回路２３を構成するアルミ膜と、右半面に形成された
アルミ膜とは、例えばスパッタ法等により、上述のよう
に予め同時に形成した同一の膜である。
について説明する。図５ないし図１０は、この発明の磁
気検出装置の磁気検出素子の製造工程の様子を概略的に
示す図である。図５に示す磁気検出素子１９は、表面全
体が保護膜２６に覆われた状態を示すものであり、左半
面の保護膜２６の下には、アルミ膜をパターニングした
集積回路２３が既に形成されており、左半面の保護膜２
６の下のアルミ膜は、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およ
びＲ４、電源側抵抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６を形成す
る前のものである。なお、上述したように、左半面の集
積回路２３を構成するアルミ膜と、右半面に形成された
アルミ膜とは、例えばスパッタ法等により、上述のよう
に予め同時に形成した同一の膜である。
【００２５】図５の磁気検出素子１９において、まず、
右半面の保護膜２６を写真製版技術を用いて除去し、図
６に示すように金属膜としてのアルミ膜２８を露出させ
る。次に、図７に示すように、写真製版技術を用いてア
ルミ膜２８を所定の形状にパターニングする。この時、
ワイヤボンディング用のパッド２９、電源側抵抗器Ｒ
５、出力側抵抗器Ｒ６、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３お
よびＲ４と集積回路２３を接続するための配線２２が形
成される。その後、図８に示すように、磁気検出素子１
９の表面全体にＧＭＲ素子膜３０を成膜する。さらに、
写真製版技術を用いて、図９に示すように、検出抵抗器
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のみが残るようにＧＭＲ素
子膜３０をパターニングする。そして最後に、図１０に
示すように、磁気検出素子１９の表面全体に保護膜３１
を成膜し、さらに、写真製版技術を用いてワイヤボンデ
ィング用のパッド２９を開口する。
右半面の保護膜２６を写真製版技術を用いて除去し、図
６に示すように金属膜としてのアルミ膜２８を露出させ
る。次に、図７に示すように、写真製版技術を用いてア
ルミ膜２８を所定の形状にパターニングする。この時、
ワイヤボンディング用のパッド２９、電源側抵抗器Ｒ
５、出力側抵抗器Ｒ６、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３お
よびＲ４と集積回路２３を接続するための配線２２が形
成される。その後、図８に示すように、磁気検出素子１
９の表面全体にＧＭＲ素子膜３０を成膜する。さらに、
写真製版技術を用いて、図９に示すように、検出抵抗器
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のみが残るようにＧＭＲ素
子膜３０をパターニングする。そして最後に、図１０に
示すように、磁気検出素子１９の表面全体に保護膜３１
を成膜し、さらに、写真製版技術を用いてワイヤボンデ
ィング用のパッド２９を開口する。
【００２６】以上説明したように、この発明の実施の形
態１の磁気検出装置によれば、磁気検出素子１９の出力
信号を処理する集積回路２３を保護する為の抵抗器Ｒ５
およびＲ６は、集積回路２３を構成するための金属膜と
してのアルミ膜と同時に形成した同一の金属膜としての
アルミ膜２８によって形成されているので、従来のよう
に、基板上に抵抗器を半田により固着する面倒な作業が
削減され、生産性が向上し、製作コストを低減させるこ
とができる。また、入力側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗
器Ｒ６となるアルミ部材を、幅１０〜２０μｍ、厚さ１
〜２μｍとしたので、エレクトロマイグレーションや断
線が生じにくく、信頼性の高い磁気検出装置を得ること
ができる。また、入力側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器
Ｒ６を小さな面積で構成できるので、磁気検出素子を小
型化できる。
態１の磁気検出装置によれば、磁気検出素子１９の出力
信号を処理する集積回路２３を保護する為の抵抗器Ｒ５
およびＲ６は、集積回路２３を構成するための金属膜と
してのアルミ膜と同時に形成した同一の金属膜としての
アルミ膜２８によって形成されているので、従来のよう
に、基板上に抵抗器を半田により固着する面倒な作業が
削減され、生産性が向上し、製作コストを低減させるこ
とができる。また、入力側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗
器Ｒ６となるアルミ部材を、幅１０〜２０μｍ、厚さ１
〜２μｍとしたので、エレクトロマイグレーションや断
線が生じにくく、信頼性の高い磁気検出装置を得ること
ができる。また、入力側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器
Ｒ６を小さな面積で構成できるので、磁気検出素子を小
型化できる。
【００２７】実施の形態２．図１１は、この発明の実施
の形態２に係る磁気検出装置の検知器を概略的に示す図
である。図１１に示すように、実施の形態１に係る磁気
検出素子と比較して、磁気検出素子３５は小さくなって
いる。図１１に示す磁気検出素子３５は、左半面に電源
側抵抗器Ｒ５と出力側抵抗器Ｒ６が形成されており、ま
た、実施の形態１の場合と同様に、磁気検出素子３５の
左半面、すなわち、図１１においては電源側抵抗器Ｒ５
と出力側抵抗器Ｒ６の下に、図示しない集積回路が形成
されている。なお、図１１に示す磁気検出素子３５は、
保護膜３１を形成する前の状態を示すものである。ま
た、このように、電源側抵抗器Ｒ５と出力側抵抗器Ｒ６
が図示しない集積回路上に形成されること以外は、実施
の形態１の磁気検出素子と同一の構造を有するものであ
り、その説明を省略する。
の形態２に係る磁気検出装置の検知器を概略的に示す図
である。図１１に示すように、実施の形態１に係る磁気
検出素子と比較して、磁気検出素子３５は小さくなって
いる。図１１に示す磁気検出素子３５は、左半面に電源
側抵抗器Ｒ５と出力側抵抗器Ｒ６が形成されており、ま
た、実施の形態１の場合と同様に、磁気検出素子３５の
左半面、すなわち、図１１においては電源側抵抗器Ｒ５
と出力側抵抗器Ｒ６の下に、図示しない集積回路が形成
されている。なお、図１１に示す磁気検出素子３５は、
保護膜３１を形成する前の状態を示すものである。ま
た、このように、電源側抵抗器Ｒ５と出力側抵抗器Ｒ６
が図示しない集積回路上に形成されること以外は、実施
の形態１の磁気検出素子と同一の構造を有するものであ
り、その説明を省略する。
【００２８】次に、この発明の磁気検出装置の磁気検出
素子３５の製造方法について説明する。図１２ないし図
１６は、この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置の
磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。図１
７は、図１１に示す磁気検出素子のＸ−Ｘ断面を概念的
に示す図である。図１２に示す磁気検出素子３５は、Ｇ
ＭＲ素子から構成される検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３お
よびＲ４と、電源側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６
とを形成する前の状態を示す図であって、表面全体に保
護膜３１が成膜されている。保護膜３１の下には、左半
面に図示しない集積回路が既に形成されており、右半面
には、集積回路を構成する差動増幅回路および比較回路
など（図示せず）を形成するためのアルミ膜と同一のア
ルミ膜が同一工程で形成されている。なお、右半面に
は、上述のアルミ膜ではなく、保護膜３１とは別に下地
層が形成されていてもよい。
素子３５の製造方法について説明する。図１２ないし図
１６は、この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置の
磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。図１
７は、図１１に示す磁気検出素子のＸ−Ｘ断面を概念的
に示す図である。図１２に示す磁気検出素子３５は、Ｇ
ＭＲ素子から構成される検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３お
よびＲ４と、電源側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６
とを形成する前の状態を示す図であって、表面全体に保
護膜３１が成膜されている。保護膜３１の下には、左半
面に図示しない集積回路が既に形成されており、右半面
には、集積回路を構成する差動増幅回路および比較回路
など（図示せず）を形成するためのアルミ膜と同一のア
ルミ膜が同一工程で形成されている。なお、右半面に
は、上述のアルミ膜ではなく、保護膜３１とは別に下地
層が形成されていてもよい。
【００２９】まず、この状態の磁気検出素子３５の表面
全体に例えばスパッタ法等により、ＧＭＲ素子膜を成膜
する（この状態は図示しない）。次に、図１３に示すよ
うに、ＧＭＲ素子膜に写真製版技術を用いて、検出抵抗
器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のみが残るようにパター
ニングする。その後、写真製版技術を用いて、図１４に
示すように、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、電源
側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６と、集積回路とを
電気的に接続させる孔部３６を保護膜３１に形成し、孔
部３６からアルミパッド３７を露出させる。そして、ア
ルミ膜を磁気検出素子３５の表面全体に例えばスパッタ
法等により成膜し、図１５に示す細線部のように写真製
版技術を用いてアルミ膜を所定の形状にパターニングす
る。この時、ワイヤボンディング用のパッド２９、電源
側抵抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ
２、Ｒ３およびＲ４と集積回路とを接続するための配線
２２を作製する。即ち、入力側抵抗器Ｒ５および出力側
抵抗器Ｒ６を形成する工程と、入力側抵抗器Ｒ５および
出力側抵抗器Ｒ６と集積回路２３を接続する配線２２を
形成する工程を兼ねている。最後に、磁気検出素子３５
の表面全体に保護膜を成膜した後、写真製版技術を用い
て、図１６に示すように、ワイヤボンディング用のパッ
ド２９を開口する。なお、このようにして作製された磁
気検出素子３５の図１１におけるＸ−Ｘ線断面は、図１
７に示すような構造となる。
全体に例えばスパッタ法等により、ＧＭＲ素子膜を成膜
する（この状態は図示しない）。次に、図１３に示すよ
うに、ＧＭＲ素子膜に写真製版技術を用いて、検出抵抗
器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のみが残るようにパター
ニングする。その後、写真製版技術を用いて、図１４に
示すように、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、電源
側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６と、集積回路とを
電気的に接続させる孔部３６を保護膜３１に形成し、孔
部３６からアルミパッド３７を露出させる。そして、ア
ルミ膜を磁気検出素子３５の表面全体に例えばスパッタ
法等により成膜し、図１５に示す細線部のように写真製
版技術を用いてアルミ膜を所定の形状にパターニングす
る。この時、ワイヤボンディング用のパッド２９、電源
側抵抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ
２、Ｒ３およびＲ４と集積回路とを接続するための配線
２２を作製する。即ち、入力側抵抗器Ｒ５および出力側
抵抗器Ｒ６を形成する工程と、入力側抵抗器Ｒ５および
出力側抵抗器Ｒ６と集積回路２３を接続する配線２２を
形成する工程を兼ねている。最後に、磁気検出素子３５
の表面全体に保護膜を成膜した後、写真製版技術を用い
て、図１６に示すように、ワイヤボンディング用のパッ
ド２９を開口する。なお、このようにして作製された磁
気検出素子３５の図１１におけるＸ−Ｘ線断面は、図１
７に示すような構造となる。
【００３０】以上説明したように、この発明の実施の形
態２の磁気検出装置によれば、磁気検出素子１９の出力
信号を処理する集積回路上に、集積回路を保護するため
の電源側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６を作製した
ので、磁気検出素子を小型化することができると共に、
基板等を小さくしたので、磁気検出装置の低コスト化を
図ることができる。
態２の磁気検出装置によれば、磁気検出素子１９の出力
信号を処理する集積回路上に、集積回路を保護するため
の電源側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６を作製した
ので、磁気検出素子を小型化することができると共に、
基板等を小さくしたので、磁気検出装置の低コスト化を
図ることができる。
【００３１】実施の形態３．図１８は、この発明の実施
の形態３に係る磁気検出素子の構成を概略的に示す図で
ある。図１９は、図１８に示す磁気検出素子のＹ−Ｙ線
断面を示す図である。実施の形態２では、保護膜３１上
に、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、電源側抵
抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６を直接形成したが、保護膜
上にレジストやポリイミド、もしくはＰＶＳＱ等の樹脂
層を介して形成すればさらに信頼性を向上させることが
できる。保護膜３１の下には局所的に集積回路２３が存
在するため、保護膜３１上には集積回路２３による段差
が生じる。このような保護膜３１上の段差は、配線２２
や電源側抵抗Ｒ５、および出力側抵抗Ｒ６の断線を引き
起こすおそれがあるため好ましくないものである。従っ
て、実施の形態３では、保護膜３１上に段差緩衝層とし
てのレジスト４１をスピンコート法で塗布して、この段
差を小さくする。なお、レジストの代わりにポリイミ
ド、もしくはＰＶＳＱ等の樹脂層を用いても同様であ
る。
の形態３に係る磁気検出素子の構成を概略的に示す図で
ある。図１９は、図１８に示す磁気検出素子のＹ−Ｙ線
断面を示す図である。実施の形態２では、保護膜３１上
に、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、電源側抵
抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６を直接形成したが、保護膜
上にレジストやポリイミド、もしくはＰＶＳＱ等の樹脂
層を介して形成すればさらに信頼性を向上させることが
できる。保護膜３１の下には局所的に集積回路２３が存
在するため、保護膜３１上には集積回路２３による段差
が生じる。このような保護膜３１上の段差は、配線２２
や電源側抵抗Ｒ５、および出力側抵抗Ｒ６の断線を引き
起こすおそれがあるため好ましくないものである。従っ
て、実施の形態３では、保護膜３１上に段差緩衝層とし
てのレジスト４１をスピンコート法で塗布して、この段
差を小さくする。なお、レジストの代わりにポリイミ
ド、もしくはＰＶＳＱ等の樹脂層を用いても同様であ
る。
【００３２】次に、この発明の磁気検出装置の磁気検出
素子４０の製造方法について説明する。図２０ないし図
２５は、この発明の実施の形態３における磁気検出素子
の製造工程を概念的に示す図である。図２０は、図１９
における保護膜３１を基板上の全体に形成した状態を示
す図である。このとき、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３お
よびＲ４、電源側抵抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６は、ま
だ形成されていない。保護膜３１の下には、左半面に集
積回路２３が形成されており、右側に集積回路２３を形
成するために形成されたアルミ膜と同一のアルミ膜が同
一工程で形成されているか、あるいは図１９に示す保護
膜３１が除去されずに残された状態となっている。
素子４０の製造方法について説明する。図２０ないし図
２５は、この発明の実施の形態３における磁気検出素子
の製造工程を概念的に示す図である。図２０は、図１９
における保護膜３１を基板上の全体に形成した状態を示
す図である。このとき、検出抵抗器Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３お
よびＲ４、電源側抵抗器Ｒ５、出力側抵抗器Ｒ６は、ま
だ形成されていない。保護膜３１の下には、左半面に集
積回路２３が形成されており、右側に集積回路２３を形
成するために形成されたアルミ膜と同一のアルミ膜が同
一工程で形成されているか、あるいは図１９に示す保護
膜３１が除去されずに残された状態となっている。
【００３３】次に、図２１に示すように、図２０に示す
保護膜３１の全体に、レジスト４１をスピンコート法に
より塗布する。そして、図２２に示すように、レジスト
４１の全体にＧＭＲ素子膜を成膜し（この状態は図示せ
ず）、さらに写真製版技術を用いて、検出抵抗器Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のみが残るようにＧＭＲ素子膜を
パターニングする。このようにして、レジスト４１上に
ＧＭＲ素子からなる検出抵抗器Ｒ１ないしＲ４を形成す
る。その後、写真製版技術を用いて、検出抵抗器Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、電源側抵抗器Ｒ５、および出力
側抵抗器Ｒ６と、これらの下に形成されている集積回路
２３との接続をとるために、該接続箇所のレジスト４１
および保護膜３１に孔部３６を形成し、図２３に示すよ
うに、アルミパッド３７を露出させる。
保護膜３１の全体に、レジスト４１をスピンコート法に
より塗布する。そして、図２２に示すように、レジスト
４１の全体にＧＭＲ素子膜を成膜し（この状態は図示せ
ず）、さらに写真製版技術を用いて、検出抵抗器Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のみが残るようにＧＭＲ素子膜を
パターニングする。このようにして、レジスト４１上に
ＧＭＲ素子からなる検出抵抗器Ｒ１ないしＲ４を形成す
る。その後、写真製版技術を用いて、検出抵抗器Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４、電源側抵抗器Ｒ５、および出力
側抵抗器Ｒ６と、これらの下に形成されている集積回路
２３との接続をとるために、該接続箇所のレジスト４１
および保護膜３１に孔部３６を形成し、図２３に示すよ
うに、アルミパッド３７を露出させる。
【００３４】その後、レジスト４１および検出抵抗器Ｒ
１ないしＲ４の上にアルミ膜を成膜し（この状態図示せ
ず）、さらに写真製版技術を用いて、図２４に示すよう
に所定の形状にパターニングする。この時、ワイヤボン
ディング用のパッド２９、電源側抵抗器Ｒ５、出力側抵
抗器Ｒ６、検出抵抗器Ｒ１ないしＲ４と、集積回路２３
とを接続するための配線２２を形成する。最後に、図２
５に示すように、図２４に示す素子の全体に保護膜４２
を成膜した後、写真製版技術を用いて孔部を形成すると
共に、ワイヤボンディング用のパッド２９を形成する。
１ないしＲ４の上にアルミ膜を成膜し（この状態図示せ
ず）、さらに写真製版技術を用いて、図２４に示すよう
に所定の形状にパターニングする。この時、ワイヤボン
ディング用のパッド２９、電源側抵抗器Ｒ５、出力側抵
抗器Ｒ６、検出抵抗器Ｒ１ないしＲ４と、集積回路２３
とを接続するための配線２２を形成する。最後に、図２
５に示すように、図２４に示す素子の全体に保護膜４２
を成膜した後、写真製版技術を用いて孔部を形成すると
共に、ワイヤボンディング用のパッド２９を形成する。
【００３５】以上のように、この発明の実施の形態３で
は、電源側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６を集積回
路に積層して形成しているので、磁気検出素子を小型化
することができ、製造コストを低減することができる。
は、電源側抵抗器Ｒ５および出力側抵抗器Ｒ６を集積回
路に積層して形成しているので、磁気検出素子を小型化
することができ、製造コストを低減することができる。
【００３６】実施の形態４．実施の形態１〜３では、Ｇ
ＭＲ素子を用いた磁気検出装置を例に挙げて説明してき
たが、ホール素子や磁気抵抗素子を用いた他の磁気検出
装置においても適用できることは言うまでもなく、さら
には、集積回路を有する磁気検出装置以外の装置におい
ても適用できる。
ＭＲ素子を用いた磁気検出装置を例に挙げて説明してき
たが、ホール素子や磁気抵抗素子を用いた他の磁気検出
装置においても適用できることは言うまでもなく、さら
には、集積回路を有する磁気検出装置以外の装置におい
ても適用できる。
【００３７】以上より、この発明の実施の形態４によれ
ば、ホール素子や磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置
や、集積回路を有しない磁気検出装置にも本願発明を適
用することができるので、これらの装置においても装置
の小型化および製造コストの低減を図ることができる。
ば、ホール素子や磁気抵抗素子を用いた磁気検出装置
や、集積回路を有しない磁気検出装置にも本願発明を適
用することができるので、これらの装置においても装置
の小型化および製造コストの低減を図ることができる。
【００３８】
【発明の効果】この発明の磁気検出素子は、基板上に形
成され、磁界の変化を検出する巨大磁気抵抗素子と、基
板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によって検出される
磁界の変化に基づいて、所定の演算処理を行う集積回路
と、集積回路の入力側および出力側にそれぞれ設けられ
た入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器とを備えて
なり、入力側抵抗器および出力側抵抗器を、集積回路を
形成するための金属膜と同一の金属膜で構成したことを
特徴とするので、検出素子出力信号の集積回路を、基板
上に抵抗を半田により固着する面倒な作業が削減され、
生産性が向上し、製作コストを低減させることができる
とともに、磁気検出装置を小型化することができる。
成され、磁界の変化を検出する巨大磁気抵抗素子と、基
板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によって検出される
磁界の変化に基づいて、所定の演算処理を行う集積回路
と、集積回路の入力側および出力側にそれぞれ設けられ
た入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器とを備えて
なり、入力側抵抗器および出力側抵抗器を、集積回路を
形成するための金属膜と同一の金属膜で構成したことを
特徴とするので、検出素子出力信号の集積回路を、基板
上に抵抗を半田により固着する面倒な作業が削減され、
生産性が向上し、製作コストを低減させることができる
とともに、磁気検出装置を小型化することができる。
【００３９】また、この発明の他の磁気検出素子は、基
板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によって検出される
磁界の変化に基づいて、所定の演算処理を行う集積回路
と、集積回路上に形成され、平滑な表面を有する段差緩
衝層と、巨大磁気抵抗素子と共に段差緩衝層上に形成さ
れ、集積回路の入力側および出力側にそれぞれ接続され
る入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、入力側
保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、集積回路とを接
続する配線とを備えてなり、入力側抵抗器および出力側
抵抗器と、配線を形成するための金属膜とを同一の金属
膜から作製されていることを特徴とするので、検出素子
出力信号の集積回路を、基板上に抵抗を半田により固着
する面倒な作業が削減され、生産性が向上し、製作コス
トを低減させることができるとともに、磁気検出装置を
小型化することができる。
板上に形成され、巨大磁気抵抗素子によって検出される
磁界の変化に基づいて、所定の演算処理を行う集積回路
と、集積回路上に形成され、平滑な表面を有する段差緩
衝層と、巨大磁気抵抗素子と共に段差緩衝層上に形成さ
れ、集積回路の入力側および出力側にそれぞれ接続され
る入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、入力側
保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、集積回路とを接
続する配線とを備えてなり、入力側抵抗器および出力側
抵抗器と、配線を形成するための金属膜とを同一の金属
膜から作製されていることを特徴とするので、検出素子
出力信号の集積回路を、基板上に抵抗を半田により固着
する面倒な作業が削減され、生産性が向上し、製作コス
トを低減させることができるとともに、磁気検出装置を
小型化することができる。
【００４０】また、上記金属膜は、抵抗率が２×１０-6
Ω・ｃｍ以上の材料を用いたことを特徴とするので、入
力側抵抗器および出力側抵抗器を小さな面積で構成する
ことができると共に、基板を小さくできるので、低コス
トで磁気検出素子を提供することができる。
Ω・ｃｍ以上の材料を用いたことを特徴とするので、入
力側抵抗器および出力側抵抗器を小さな面積で構成する
ことができると共に、基板を小さくできるので、低コス
トで磁気検出素子を提供することができる。
【００４１】また、上記金属膜として、特にアルミを主
な材料とした金属膜を用いることを特徴とするので、入
力側抵抗器および出力側抵抗器を小さな面積で構成する
ことができると共に、製作コストを低減することができ
る。
な材料とした金属膜を用いることを特徴とするので、入
力側抵抗器および出力側抵抗器を小さな面積で構成する
ことができると共に、製作コストを低減することができ
る。
【００４２】また、上記金属膜により形成される入力側
抵抗器および出力側抵抗器の幅を１０〜２０μｍとした
ことを特徴とするので、小さな面積で構成することが可
能となるとともに、エレクトロマイグレーションに対す
る耐量が高く、断線しにくい、信頼性の高い磁気検出装
置を得ることができる。
抵抗器および出力側抵抗器の幅を１０〜２０μｍとした
ことを特徴とするので、小さな面積で構成することが可
能となるとともに、エレクトロマイグレーションに対す
る耐量が高く、断線しにくい、信頼性の高い磁気検出装
置を得ることができる。
【００４３】また、上記金属膜により形成される入力側
抵抗器および出力側抵抗器の厚さを１〜２μｍとしたこ
とを特徴とするので、小さな面積で構成することが可能
となるとともに、エレクトロマイグレーションに対する
耐量が高く、断線しにくい、信頼性の高い磁気検出装置
を得ることができる。
抵抗器および出力側抵抗器の厚さを１〜２μｍとしたこ
とを特徴とするので、小さな面積で構成することが可能
となるとともに、エレクトロマイグレーションに対する
耐量が高く、断線しにくい、信頼性の高い磁気検出装置
を得ることができる。
【００４４】また、上記入力側抵抗器および上記出力側
抵抗器を基板上に形成したことを特徴とするので、入力
側抵抗器および出力側抵抗器と周辺の配線が断線しにく
く、信頼性の高い磁気検出装置を得ることができる。
抵抗器を基板上に形成したことを特徴とするので、入力
側抵抗器および出力側抵抗器と周辺の配線が断線しにく
く、信頼性の高い磁気検出装置を得ることができる。
【００４５】この発明の磁気検出装置は、外周に沿って
凹凸を有し、回転軸を中心に回転する磁性回転体と、磁
性回転体の外周に対向するように配設される磁石と、磁
石の上記磁性回転体の外周に対向する面に付設される上
記磁気検出素子とを備えてなり、磁気検出素子は、磁性
回転体の回転に伴う上記磁性回転体と上記磁石との間の
磁界の変化を検出し、当該検出結果に基づき上記磁性回
転体の回転量を検出するので、検出精度が高い磁気検出
装置を低コストで提供することができる。
凹凸を有し、回転軸を中心に回転する磁性回転体と、磁
性回転体の外周に対向するように配設される磁石と、磁
石の上記磁性回転体の外周に対向する面に付設される上
記磁気検出素子とを備えてなり、磁気検出素子は、磁性
回転体の回転に伴う上記磁性回転体と上記磁石との間の
磁界の変化を検出し、当該検出結果に基づき上記磁性回
転体の回転量を検出するので、検出精度が高い磁気検出
装置を低コストで提供することができる。
【００４６】この発明の磁気検出素子の製造方法は、基
板上に形成した金属膜から、巨大磁気抵抗素子の出力を
処理する集積回路と、集積回路の入力側および出力側に
接続される入力側抵抗器および出力側抵抗とを形成する
ことを特徴とするので、入力側抵抗器および出力側抵抗
器を形成するための金属膜を別個に形成する工程が不要
となり、製造工程を簡略化するとともに、歩留りを向上
させることができる。
板上に形成した金属膜から、巨大磁気抵抗素子の出力を
処理する集積回路と、集積回路の入力側および出力側に
接続される入力側抵抗器および出力側抵抗とを形成する
ことを特徴とするので、入力側抵抗器および出力側抵抗
器を形成するための金属膜を別個に形成する工程が不要
となり、製造工程を簡略化するとともに、歩留りを向上
させることができる。
【００４７】また、上記入力側抵抗器および上記出力側
抵抗器を形成する工程と、入力側抵抗器および出力側抵
抗器と集積回路を接続する配線を形成する工程とを同一
工程で行うことを特徴とするので、製造工程を簡略化す
ることができる。
抵抗器を形成する工程と、入力側抵抗器および出力側抵
抗器と集積回路を接続する配線を形成する工程とを同一
工程で行うことを特徴とするので、製造工程を簡略化す
ることができる。
【００４８】この発明の他の磁気検出素子の製造方法
は、表面に段差のある集積回路上に、表面の平滑な段差
緩衝層を形成する工程と、段差緩衝層上に巨大磁気検出
素子および集積回路を接続する配線と、集積回路の入力
側抵抗器および出力側抵抗器とを同時に形成する工程と
を備えることを特徴とするので、配線が断線しにくくな
り、信頼性の高い磁気検出素子を提供することができ
る。
は、表面に段差のある集積回路上に、表面の平滑な段差
緩衝層を形成する工程と、段差緩衝層上に巨大磁気検出
素子および集積回路を接続する配線と、集積回路の入力
側抵抗器および出力側抵抗器とを同時に形成する工程と
を備えることを特徴とするので、配線が断線しにくくな
り、信頼性の高い磁気検出素子を提供することができ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１の磁気検出装置の側
断面図である。
断面図である。
【図２】 図１のケースを除いた状態での底面図であ
る。
る。
【図３】 図１の磁気検出装置の電気回路図である。
【図４】 図１の磁気検出素子内部の集積回路の平面図
である。
である。
【図５】 この発明の磁気検出装置の磁気検出素子の製
造工程の様子を概略的に示す図である。
造工程の様子を概略的に示す図である。
【図６】 この発明の磁気検出装置の磁気検出素子の製
造工程の様子を概略的に示す図である。
造工程の様子を概略的に示す図である。
【図７】 この発明の磁気検出装置の磁気検出素子の製
造工程の様子を概略的に示す図である。
造工程の様子を概略的に示す図である。
【図８】 この発明の磁気検出装置の磁気検出素子の製
造工程の様子を概略的に示す図である。
造工程の様子を概略的に示す図である。
【図９】 この発明の磁気検出装置の磁気検出素子の製
造工程の様子を概略的に示す図である。
造工程の様子を概略的に示す図である。
【図１０】 この発明の磁気検出装置の磁気検出素子の
製造工程の様子を概略的に示す図である。
製造工程の様子を概略的に示す図である。
【図１１】 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装
置の検知器を概略的に示す図である。
置の検知器を概略的に示す図である。
【図１２】 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
【図１３】 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
【図１４】 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
【図１５】 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
【図１６】 この発明の実施の形態２に係る磁気検出装
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
置の磁気検出素子の製造工程を概略的に示す図である。
【図１７】 図１１に示す磁気検出素子のＸ−Ｘ断面を
概念的に示す図である。
概念的に示す図である。
【図１８】 この発明の実施の形態３に係る磁気検出素
子の構成を概略的に示す図である。
子の構成を概略的に示す図である。
【図１９】 図１８に示す磁気検出素子のＹ−Ｙ線断面
を示す図である。
を示す図である。
【図２０】 この発明の実施の形態３における磁気検出
素子の製造工程を概念的に示す図である。
素子の製造工程を概念的に示す図である。
【図２１】 この発明の実施の形態３における磁気検出
素子の製造工程を概念的に示す図である。
素子の製造工程を概念的に示す図である。
【図２２】 この発明の実施の形態３における磁気検出
素子の製造工程を概念的に示す図である。
素子の製造工程を概念的に示す図である。
【図２３】 この発明の実施の形態３における磁気検出
素子の製造工程を概念的に示す図である。
素子の製造工程を概念的に示す図である。
【図２４】 この発明の実施の形態３における磁気検出
素子の製造工程を概念的に示す図である。
素子の製造工程を概念的に示す図である。
【図２５】 この発明の実施の形態３における磁気検出
素子の製造工程を概念的に示す図である。
素子の製造工程を概念的に示す図である。
【図２６】 従来の磁気検出装置の要部を拡大して示す
図である。
図である。
【図２７】 従来の磁気検出装置の内部構造を概略的に
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図２８】 従来の磁気検出装置の内部構造を概略的に
示す底面図である。
示す底面図である。
１１ 磁性回転体、１８ 基板、１９、３５、４０ 磁
気検出素子、２２ 配線、２３ 集積回路、２８ アル
ミ膜（金属膜）、４１ レジスト（段差緩衝層）、Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ ＧＭＲ素子（巨大磁気検出素
子）、Ｒ５ 入力側抵抗器、Ｒ６ 出力側抵抗器。
気検出素子、２２ 配線、２３ 集積回路、２８ アル
ミ膜（金属膜）、４１ レジスト（段差緩衝層）、Ｒ
１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ ＧＭＲ素子（巨大磁気検出素
子）、Ｒ５ 入力側抵抗器、Ｒ６ 出力側抵抗器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 名田 拓嗣 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に形成され、磁界の変化を検出す
る巨大磁気抵抗素子と、 上記基板上に形成され、上記巨大磁気抵抗素子によって
検出される磁界の変化に基づいて、所定の演算処理を行
う集積回路と、 上記集積回路の入力側および出力側にそれぞれ設けられ
た入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器とを備えて
なり、 上記入力側抵抗器および出力側抵抗器を、上記集積回路
を形成するための金属膜と同一の金属膜で構成したこと
を特徴とする磁気検出素子。 - 【請求項２】 基板上に形成され、巨大磁気抵抗素子に
よって検出される磁界の変化に基づいて、所定の演算処
理を行う集積回路と、 上記集積回路上に形成され、平滑な表面を有する段差緩
衝層と、 上記巨大磁気抵抗素子と共に上記段差緩衝層上に形成さ
れ、上記集積回路の入力側および出力側にそれぞれ接続
される入力側保護抵抗器および出力側保護抵抗器と、 上記入力側保護抵抗器および上記出力側保護抵抗器と、
上記集積回路とを接続する配線とを備えてなり、 上記入力側抵抗器および出力側抵抗器と、上記配線を形
成するための金属膜とを同一の金属膜から作製されてい
ることを特徴とする磁気検出素子。 - 【請求項３】 上記金属膜は、抵抗率が２×１０-6Ω・
ｃｍ以上の材料を用いたことを特徴とする請求項１また
は２に記載の磁気検出素子。 - 【請求項４】 上記金属膜として、特にアルミを主な材
料とした金属膜を用いることを特徴とする請求項３に記
載の磁気検出素子。 - 【請求項５】 上記金属膜により形成される上記入力側
抵抗器および上記出力側抵抗器の幅を１０〜２０μｍと
したことを特徴とする請求項４に記載の磁気検出素子。 - 【請求項６】 上記金属膜により形成される上記入力側
抵抗器および上記出力側抵抗器の厚さを１〜２μｍとし
たことを特徴とする請求項４に記載の磁気検出素子。 - 【請求項７】 上記入力側抵抗器および上記出力側抵抗
器を上記基板上に形成したことを特徴とする請求項１に
記載の磁気検出素子。 - 【請求項８】 外周に沿って凹凸を有し、回転軸を中心
に回転する磁性回転体と、 上記磁性回転体の外周に対向するように配設される磁石
と、 上記磁石の上記磁性回転体の外周に対向する面に付設さ
れる請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の磁気検
出素子とを備えてなり、 上記磁気検出素子は、上記磁性回転体の回転に伴う上記
磁性回転体と上記磁石との間の磁界の変化を検出し、当
該検出結果に基づき上記磁性回転体の回転量を検出する
磁気検出装置。 - 【請求項９】 基板上に形成した金属膜から、巨大磁気
抵抗素子の出力を処理する集積回路と、該集積回路の入
力側および出力側に接続される入力側抵抗器および出力
側抵抗とを形成することを特徴とする磁気検出素子の製
造方法。 - 【請求項１０】 上記入力側抵抗器および出力側抵抗器
を形成する工程と、上記入力側抵抗器および出力側抵抗
器と上記集積回路を接続する配線を形成する工程とを同
一工程で行うことを特徴とする請求項９に記載の磁気検
出素子の製造方法。 - 【請求項１１】 表面に段差のある集積回路上に、表面
の平滑な段差緩衝層を形成する工程と、 上記段差緩衝層上に巨大磁気検出素子および集積回路を
接続する配線と、該集積回路の入力側抵抗器および出力
側抵抗器とを同時に形成する工程とを備えることを特徴
とする磁気検出素子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10132257A JPH11325960A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 磁気検出素子とその製造方法および磁気検出装置 |
| US09/176,427 US6204662B1 (en) | 1998-05-14 | 1998-10-21 | Magnetic field sensing element with processing circuit and input and output side resistors formed from same metal film |
| DE19853659A DE19853659B4 (de) | 1998-05-14 | 1998-11-20 | Magnetfelderfassungsvorrichting und Magnetfelderfassungsgerät |
| KR1019980057180A KR100305043B1 (ko) | 1998-05-14 | 1998-12-22 | 자기검출소자와그제조방법및자기검출장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10132257A JPH11325960A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 磁気検出素子とその製造方法および磁気検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11325960A true JPH11325960A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15077056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10132257A Pending JPH11325960A (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 磁気検出素子とその製造方法および磁気検出装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6204662B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11325960A (ja) |
| KR (1) | KR100305043B1 (ja) |
| DE (1) | DE19853659B4 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006308573A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Yamaha Corp | 三軸磁気センサおよびその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| DE10007868B4 (de) * | 2000-02-21 | 2010-02-18 | Robert Bosch Gmbh | Elektronische Steuerschaltung |
| DE10133123C2 (de) * | 2001-07-07 | 2003-05-08 | A B Elektronik Gmbh | GMR-Modul |
| JP2004003404A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-08 | Hitachi Ltd | 電子制御式絞り弁装置、当該装置等に用いられる非接触式回転角度検出装置、ホール素子の信号処理装置。 |
| DE102004047770B4 (de) * | 2004-09-30 | 2014-08-21 | Infineon Technologies Ag | Sensor zum Erzeugen eines Ausgangssignals aufgrund eines Messmagnetfelds sowie Verfahren zum Abgleichen und zum Betrieb eines solchen |
| US10145908B2 (en) * | 2013-07-19 | 2018-12-04 | Allegro Microsystems, Llc | Method and apparatus for magnetic sensor producing a changing magnetic field |
| CN103744038A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-23 | 江苏多维科技有限公司 | 近距离磁电阻成像传感器阵列 |
| US10649043B2 (en) | 2014-04-28 | 2020-05-12 | Infineon Technologies Ag | Magnetic field sensor device configured to sense with high precision and low jitter |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4687994A (en) * | 1984-07-23 | 1987-08-18 | George D. Wolff | Position sensor for a fuel injection element in an internal combustion engine |
| DE3870879D1 (de) * | 1988-10-13 | 1992-06-11 | Siemens Ag | Anordnung zur beruehrungsfreien erfassung der drehzahl eines rotierenden zahnrades. |
| US4948252A (en) | 1989-05-24 | 1990-08-14 | Litton Systems, Inc. | Sub-tau phase modulation in a fiber-optic rotation sensor |
| JP2959944B2 (ja) | 1993-12-28 | 1999-10-06 | 三菱電機株式会社 | 磁気センサとその製造方法 |
| US5631556A (en) | 1995-06-20 | 1997-05-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Rotation sensor device and method of manufacturing the same including a doubled up mounting bracket for electrical contact |
| JPH09329463A (ja) | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 検出装置 |
| JP3404249B2 (ja) | 1997-03-26 | 2003-05-06 | 三菱電機株式会社 | 磁気センサ |
-
1998
- 1998-05-14 JP JP10132257A patent/JPH11325960A/ja active Pending
- 1998-10-21 US US09/176,427 patent/US6204662B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-20 DE DE19853659A patent/DE19853659B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-22 KR KR1019980057180A patent/KR100305043B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006308573A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Yamaha Corp | 三軸磁気センサおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19853659A1 (de) | 1999-12-02 |
| DE19853659B4 (de) | 2004-11-18 |
| US6204662B1 (en) | 2001-03-20 |
| KR19990087015A (ko) | 1999-12-15 |
| KR100305043B1 (ko) | 2001-11-22 |
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