JP6502713B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
9,9A,9B,9C 反射部材
9b,9bA,9bB,9bC 反射部材本体部
9m,9mA,9mB,9mC 反射部
74,74A サセプター
75 保持プレート
76 ガイドリング
76a 傾斜面
77 支持ピン
Ar1 円環状領域
Ar2 円形領域
L0 仮想線
W 半導体ウェハー
WE 周縁部
Claims (3)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内において前記基板が載置されて該基板を保持するサセプターと、
前記チャンバーの下側に設けられており、前記サセプターに保持された前記基板の温度を、連続的に光を照射するランプによって光を照射することで第1温度まで到達させる予備的な熱処理を行う予備加熱部と、
前記チャンバーの上側に設けられており、前記サセプターに保持された状態で前記第1加熱部による前記予備的な加熱が施されている前記基板の表面温度を、フラッシュランプによってフラッシュ光を照射することで前記第1温度よりも高い第2温度まで上昇させる熱処理を行うフラッシュ加熱部と、
前記サセプター上に配置され、前記予備加熱部から発せられる光を反射させて前記基板の周縁部に照射する反射部を有する反射部材と、
を備え、
前記基板が、円板形状を有し、
前記サセプターが、
前記基板が載置される載置面を有するプレートと、
前記プレート上に立設され、前記基板を点接触によって支持する複数の支持ピンと、
を有し、
前記反射部材が、
前記プレート上のうちの前記基板の径よりも大きな内径を有する円環状の領域において周方向に沿って連続的または断続的に配置されており、
前記複数の支持ピンが、
前記プレート上のうちの前記円環状の領域よりも内側の領域上に立設されており、
前記反射部材が、
前記円環状の領域の内側に位置する円形領域の中心を通り且つ前記プレートに対して垂直な方向に伸びる仮想線に対向する第1傾斜面と、前記仮想線とは逆側に位置する第2傾斜面と、を有するとともに光透過性を有する反射部材本体部を含み、
前記第1傾斜面が、
前記プレートから上方に向けて前記仮想線から遠ざかる傾斜面とされ、
前記第2傾斜面が、
上方から前記プレートに向けて前記仮想線から遠ざかる傾斜面とされ、
前記反射部が、
前記第2傾斜面上に設けられていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置において、
前記反射部材が、
前記円環状の領域における周方向に沿って円環状に形成されており、
前記第1傾斜面は、前記プレートから上方に向けて広くなるテーパ面とされ、
前記反射部が、
前記周方向に沿って円環状に配置されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、
前記第2傾斜面が、
凹面状の面とされ、
前記反射部が、
凹面状の表面を有していることを特徴とする熱処理装置。
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