JP6493049B2 - 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6493049B2 JP6493049B2 JP2015142262A JP2015142262A JP6493049B2 JP 6493049 B2 JP6493049 B2 JP 6493049B2 JP 2015142262 A JP2015142262 A JP 2015142262A JP 2015142262 A JP2015142262 A JP 2015142262A JP 6493049 B2 JP6493049 B2 JP 6493049B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mesh
- data
- value
- region
- correction map
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 12
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 77
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 77
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 69
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000009877 rendering Methods 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Compression Or Coding Systems Of Tv Signals (AREA)
Description
図1は、描画データが持つ、影響半径の小さい現象に起因するパターン寸法変動を抑制するためのドーズ量情報を、そのデータサイズを圧縮して出力するデータ圧縮方法を説明するフローチャートである。図1に示すように、この方法は、設計データD1及び補正条件パラメータの入力工程(ステップS102)と、マップ形式のドーズ量情報(補正マップ)を持つ描画データの作成工程(ステップS104)と、補正マップを圧縮する工程(ステップS106)と、圧縮した補正マップを持つ描画データを出力する工程(ステップS108)と、を備える。
上記第1の実施形態では、メッシュ値の差分表現のビット数が固定であったが、可変であってもよい。差分表現のビット数を可変とする場合のヘッダ部及び値部の例を以下の表2及び図7に示す。この例では、圧縮前のメッシュ値が10ビットであるとしている。
上記第1の実施形態では、メッシュ値を、1つ前のメッシュ値からの差分により表現していたが、1つ以上前のメッシュ値と、1つ以上後ろのメッシュ値との線形補間により求めるようにしてもよい。
上記第3の実施形態の線形補間にあたり、補間区間となる連続する複数のメッシュ領域のメッシュ値を最小二乗法で関数近似し、補間端点のメッシュ値をこの近似関数から求めてもよい。2つの補間端点の間に位置する補間区間内のメッシュ値は、2つの補間端点を結ぶ1次式による補間値となる。
上記第1〜第4の実施形態による圧縮方法でデータ圧縮された補正マップは、データ長(データサイズ)の異なるメッシュが混在する。例えば、表1に示すようなデータ構造となるように圧縮した場合、1つのメッシュに対応するデータは、12ビット、8ビット、又は2ビットとなる。
上記第1〜第4の実施形態による圧縮方法のうち1つだけを用いて補正マップを圧縮してもよいし、複数の圧縮方法を使用し、領域に応じて圧縮方法を切り替えてもよい。複数の圧縮方法を用いる場合は、圧縮方法が切り替わる箇所に、以降のメッシュ値の圧縮方法を示す圧縮タイプ識別フラグと、その圧縮方法で圧縮されたメッシュ数とを示すインデックスを設ける。
202 補正部
204 圧縮部
220 制御部
230 描画部
Claims (4)
- 荷電粒子ビーム描画装置により描画される対象物上の描画領域をメッシュ状に分割したメッシュ領域毎のドーズ量情報を含む補正マップを持つ補正マップ付き描画データを入力する工程と、
第1メッシュ領域に隣接する第2メッシュ領域のドーズ量情報を、前記第1メッシュ領域のドーズ量情報に基づく表現に変換して、前記第2メッシュ領域のドーズ量情報のデータを圧縮する工程と、
前記複数のメッシュ領域毎のデータが圧縮されたドーズ量情報を含む圧縮補正マップを持つ圧縮補正マップ付き描画データを出力する工程と、
を備え、
前記第2メッシュ領域のドーズ量情報を、前記第1メッシュ領域のドーズ量情報からの差分表現に変換し、差分値の大きさに応じて差分表現のデータ長を変えることを特徴とする描画データ作成方法。 - 前記補正マップは、第3メッシュ領域、第4メッシュ領域及び第5メッシュ領域を含み、
前記第5メッシュ領域は、前記第3メッシュ領域と前記第4メッシュ領域との間に位置し、
前記第5メッシュ領域のドーズ量情報を、前記第3メッシュ領域のドーズ量情報と前記第4メッシュ領域のドーズ量情報を線形補間して定まるものであることを示す表現に変換することを特徴とする請求項1に記載の描画データ作成方法。 - 前記描画領域を前記メッシュ領域より大きい複数の区画に分割した際の各区画の原点に対応するメッシュ領域のデータが、前記圧縮補正マップ内のどこに位置するかを示すポインタを、前記圧縮補正マップ付き描画データに付加して出力することを特徴とする請求項1又は2に記載の描画データ作成方法。
- 荷電粒子ビームによって基板上の描画領域にパターンを描画する描画部と、
前記描画領域をメッシュ状に分割したメッシュ領域毎のドーズ量情報を含み、第1メッシュ領域に隣接する第2メッシュ領域のドーズ量情報を、前記第1メッシュ領域のドーズ量情報に基づく表現に変換してデータ圧縮した圧縮補正マップを持つ圧縮補正マップ付き描画データが入力され、描画データに対してデータ変換処理を行ってショットデータを生成し、前記圧縮補正マップを展開してドーズ量を算出し、前記ショットデータ及び算出したドーズ量に基づいて前記描画部を制御する制御部と、
を備え、
前記圧縮補正マップ付き描画データは、前記第2メッシュ領域のドーズ量情報が、前記第1メッシュ領域のドーズ量情報からの差分で表現されており、差分表現のデータ長が差分値の大きさに応じて異なっていることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015142262A JP6493049B2 (ja) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
TW105119209A TWI609403B (zh) | 2015-07-16 | 2016-06-17 | Drawing data creation method and charged particle beam drawing device |
US15/203,994 US10199199B2 (en) | 2015-07-16 | 2016-07-07 | Drawing data creation method and charged particle beam drawing apparatus |
KR1020160089131A KR20170009771A (ko) | 2015-07-16 | 2016-07-14 | 묘화 데이터 작성 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 |
KR1020180070502A KR102355187B1 (ko) | 2015-07-16 | 2018-06-19 | 묘화 데이터 작성 방법 및 하전 입자빔 묘화 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015142262A JP6493049B2 (ja) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017027988A JP2017027988A (ja) | 2017-02-02 |
JP6493049B2 true JP6493049B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=57776323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015142262A Active JP6493049B2 (ja) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10199199B2 (ja) |
JP (1) | JP6493049B2 (ja) |
KR (2) | KR20170009771A (ja) |
TW (1) | TWI609403B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6679933B2 (ja) * | 2016-01-05 | 2020-04-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データ作成方法 |
JP6662248B2 (ja) | 2016-09-01 | 2020-03-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法 |
US10963450B2 (en) * | 2017-01-25 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Optimizing offline map data updates |
JP6963967B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2021-11-10 | Hoya株式会社 | パターン描画方法、フォトマスクの製造方法、及び表示装置用デバイスの製造方法 |
JP7463154B2 (ja) | 2020-03-24 | 2024-04-08 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、データ処理装置、描画方法、および描画データ生成方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3121098B2 (ja) * | 1992-03-17 | 2000-12-25 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光の方法と装置 |
JPH10153851A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Sony Corp | 露光データの補正方法,露光方法,フォトマスク,半導体装置,露光データの補正装置,露光装置及び半導体装置の製造装置 |
JPH11102853A (ja) | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置 |
JP2862532B2 (ja) * | 1998-03-30 | 1999-03-03 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線描画方法およびその装置 |
JP3340387B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2002-11-05 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
JP2003077790A (ja) | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画装置における補正データチェック方法および装置 |
JP2005215016A (ja) | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Jeol Ltd | 電子ビーム描画におけるデータ圧縮方法および電子ビーム描画方法 |
JP2008236202A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Fujifilm Corp | 画像処理装置、画像形成装置、画像形成システム、及び画像形成方法 |
JP5217442B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2013-06-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光データ作成方法及び露光方法 |
JP5480555B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-04-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2012060054A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2014013793A (ja) | 2012-07-03 | 2014-01-23 | Canon Inc | 荷電粒子線描画装置および物品製造方法 |
JP6057672B2 (ja) * | 2012-11-05 | 2017-01-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6283180B2 (ja) * | 2013-08-08 | 2018-02-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2015095538A (ja) * | 2013-11-12 | 2015-05-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画データの作成方法 |
JP2016184605A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データ作成方法 |
-
2015
- 2015-07-16 JP JP2015142262A patent/JP6493049B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-17 TW TW105119209A patent/TWI609403B/zh active
- 2016-07-07 US US15/203,994 patent/US10199199B2/en active Active
- 2016-07-14 KR KR1020160089131A patent/KR20170009771A/ko active Search and Examination
-
2018
- 2018-06-19 KR KR1020180070502A patent/KR102355187B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI609403B (zh) | 2017-12-21 |
KR20170009771A (ko) | 2017-01-25 |
KR20180074631A (ko) | 2018-07-03 |
US20170018404A1 (en) | 2017-01-19 |
TW201712721A (zh) | 2017-04-01 |
JP2017027988A (ja) | 2017-02-02 |
US10199199B2 (en) | 2019-02-05 |
KR102355187B1 (ko) | 2022-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6493049B2 (ja) | 描画データ作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP3612166B2 (ja) | 荷電ビーム描画データ作成方法および装置 | |
TWI603365B (zh) | Charged particle beam drawing device and drawing data creation method | |
JP2016018995A (ja) | 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化 | |
JP2012084659A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
TW201506531A (zh) | 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束之照射量調變係數之取得方法 | |
TWI710006B (zh) | 描畫資料產生方法、記錄程式之電腦可讀取記錄媒體以及多帶電粒子束描畫裝置 | |
JP6662248B2 (ja) | 描画データの作成方法 | |
TWI704591B (zh) | 描繪資料作成方法 | |
JP4828460B2 (ja) | 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体 | |
KR101908617B1 (ko) | 묘화 데이터 작성 방법 | |
JP2010072593A (ja) | レイアウト表示装置及びレイアウト表示方法 | |
JP4529398B2 (ja) | ダミーパターン情報生成装置、パターン情報生成装置、マスク作成方法、ダミーパターン情報生成方法、プログラム及び上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP5068549B2 (ja) | 描画データの作成方法及びレイアウトデータファイルの作成方法 | |
JP7506870B2 (ja) | マスク情報調整装置、マスクデータ調整方法、プログラム | |
WO2022269951A1 (ja) | 電子ビーム描画装置、電子ビーム描画方法、および記録媒体 | |
JP2008085248A (ja) | 荷電粒子ビーム描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画データの変換方法 | |
JP2010067808A (ja) | 描画装置、描画データの変換方法及び描画方法 | |
JP2010015480A (ja) | 描画装置及び描画装置入力用データの作成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6493049 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |