JP6492178B2 - ジルコニウム含有膜を蒸着するためのジルコニウム含有膜形成組成物 - Google Patents
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本出願は、本明細書においてその全体がすべての目的のために参照により援用されている、2014年12月23日に出願の米国特許出願公開第14/580,352号明細書の利益を主張する。
・R4、R5、R6およびR7は、独立して、H、F、CF3、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBuまたはtBuであり;
・R8およびR9は、独立して、H、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBuまたはtBuであり;
・R10は、Me、Et、nPr、iPr、nBu、iBu、sBu、またはtBuであり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NnPr2)3)であり;
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・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NtBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NMe2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NiBu2)3)であり;
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・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NsBu2)3)であり;
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・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NnPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NtBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NMe2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NnPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NtBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NMe2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NnPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NtBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NMe2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NEt2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NEtMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NnPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHnPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NiPr2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NnBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NiBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHiBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NsBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NtBu2)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OMe)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OEt)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OiPr)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OtBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OsBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OnBu)3)であり;
・ケイ素およびジルコニウム含有前駆体は((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OiBu)3)であり;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ98%w/w〜およそ100%w/wの前駆体を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ99%w/w〜およそ100%w/wの前駆体を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ5%w/w〜およそ50%w/wの前駆体を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ5.0%w/wの不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wの不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ1.0%w/wの不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのZr(OR10)4不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのZrCp(NR2)3不純物(ここで、各Rは独立して、H、C1−C5直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、C1−C5直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である)を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのZr(NR2)4不純物(ここで、各Rは独立して、H、C1−C5直鎖、分岐もしくは環式アルキル基、または、C1−C5直鎖、分岐もしくは環式フルオロアルキル基である)を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのアルコール不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのアルキルアミン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのアルキルイミン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのシクロペンタジエン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのジシクロペンタジエン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wの(シリル)シクロペンタジエン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのTHF不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのエーテル不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのペンタン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのシクロヘキサン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのヘプタン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのベンゼン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのトルエン不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wの塩化金属化合物不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのリチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルキルアミノ不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのリチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルコキシ不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0.0%w/w〜およそ2.0%w/wのリチウム、ナトリウムもしくはカリウムシクロペンタジエニル不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ1ppmwの金属不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwの金属不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのAs不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのBa不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのBe不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのBi不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのCd不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのCa不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのCr不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのCo不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのCu不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのGe不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのHf不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのZr不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのIn不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのFe不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのPb不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのLi不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのMg不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのMn不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのNi不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのK不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのNa不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのSr不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのTh不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのSn不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのTi不純物を含み;
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのU不純物を含み;および
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、およそ0ppbw〜およそ500ppbwのZn不純物を含む。
・ジルコニウム含有膜形成組成物は、10ppmw未満の金属汚染物の合計濃度を有し;
・入口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より上方に位置されており、かつ出口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より下方に位置されており;
・入口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より下方に位置されており、かつ出口流路の端部はジルコニウム含有膜形成組成物の表面より上方に位置されており;ならびに
・さらに、ダイヤフラムバルブを入口および出口に備える。
・反応体を反応器に導入;
・反応体をプラズマ処理;
・反応体を遠隔プラズマ処理;
・反応体をプラズマ処理せず;
・反応体は、H2、H2CO、N2H4、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2Me2、SiH2Et2、N(SiH3)3、これらの水素ラジカルおよびこれらの混合物からなる群から選択され;
・反応体はH2であり;
・反応体はNH3であり;
・反応体は、O2、O3、H2O、H2O2、NO、N2O、NO2、これらの酸素ラジカルおよびこれらの混合物からなる群から選択され;
・反応体は、O3、1Δg一重項酸素、1Σg +一重項酸素、3Σg −三重項酸素またはこれらの組み合わせであり;
・反応体はH2Oであり;
・反応体は被プラズマ処理O2であり;
・反応体はO3であり;
・反応体はジルコニウム含有前駆体であり;
・ジルコニウム含有前駆体は、ZrCp(NMe2)3、Zr(MeCp)(NMe2)3、Zr(EtCp)(NMe2)3、Zr(iPrCp)(NMe2)3、Zr(tBuCp)(NMe2)3、Zr(Cp)(NMeEt)3からなる群から選択され;
・ジルコニウム含有前駆体はZrCp(NMe2)3であり;
・反応器に導入する前にジルコニウム含有膜形成組成物およびジルコニウム含有前駆体を混合して混合物を形成;
・ジルコニウム含有膜形成組成物および反応体を反応器に同時に導入;
・反応器を化学蒸着用に構成;
・反応器をプラズマ促進化学蒸着用に構成;
・ジルコニウム含有膜形成組成物および反応体を順次にチャンバに導入;
・反応器を原子層堆積用に構成;
・反応器をプラズマ促進原子層堆積用に構成;
・反応器を空間原子層堆積用に構成;
・ジルコニウム含有膜は純粋なジルコニウム薄膜であり;
・純粋なジルコニウム膜は、およそ95原子%〜およそ100原子%のZr濃度を有し;
・ジルコニウム含有膜はジルコニウムシリサイド(ZrkSil(式中、kおよびlの各々は1以上6以下の範囲である整数である))であり;
・ジルコニウムシリサイドはZrSi2であり;
・ジルコニウム含有膜は酸化ジルコニウム(ZrmOn(式中、mおよびnの各々は1以上6以下の範囲である整数である))であり;
・酸化ジルコニウムはZrO2であり;
・ジルコニウム含有膜はケイ素−ドープ酸化ジルコニウム(ZroSipOq)(式中、oおよびpの各々は0以上1以下の範囲である少数であり、ならびにqは1以上6以下の範囲である整数である)であり;
・ケイ素−ドープ酸化ジルコニウムはZr(0.99〜0.5)Si(0.5〜0.01)O2であり;
・ジルコニウム含有膜は窒化ジルコニウム(ZrqNr(式中、qおよびrの各々は1以上6以下の範囲である整数である))であり;ならびに
・窒化ジルコニウムはZrNである。
一定の略語、符号および用語が以下の説明および特許請求の範囲を通して用いられており、以下が含まれる。
((CF3)Me2Si−Cp)(NHiPr)3、Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NnBu2)3、Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHnBu)3、Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NiBu2)3、Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHiBu)3、Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NsBu2)3、Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHsBu)3、Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NtBu2)3またはZr((CF3)Me2Si−Cp)(NHtBu)3が挙げられる。
Zr(NMe2)4(66.9g、0.25mol)のca.300mLのトルエン中の溶液に、室温で、新たに蒸留したTMSCpH(34.1g、0.25mol)を滴下した。混合物を一晩撹拌した。次いで、溶剤を減圧下で除去して、明るい黄色の液体を得た。次いで、材料を130℃、180mTorrで蒸留により精製して、68.9g(76%)の純粋な黄色の液体を得た。NMR1Hスペクトルを図3に示す。NMR1H(δ,ppm,C6D6):6.28(m,4H),2.94(s,18H),0.27(s,9H)。
Zr(NMe2)4(1.23g、4.6mmol)のca.20mLのトルエン中の溶液に、室温で、新たに蒸留したDMSCp(0.73g、4.6mmol)を滴下した。混合物を一晩撹拌した。次いで、溶剤を減圧下で除去して、明るい黄色の液体を得た。次いで、材料を120℃、14mTorrで蒸留により精製して、0.63g(40%)の純粋な黄色の液体を得た。NMR1Hスペクトルを図4に示す。NMR1H(δ,ppm,C6D6):6.26〜6.29(m,4H),4.65(m,1H),2.94(s,18H),0.27(d,6H)。
Zr(TMSCp)(NMe2)3(2.00g、5.5mmol)のca.20mLのTHF中の溶液に、0℃で、無水イソプロパノール(1.00g、16.6mmol)を滴下した。混合物を室温で一晩撹拌した。次いで、溶剤を減圧下で除去して、黄色の油を得た。次いで、材料を100℃で蒸留により精製して、1.28g(57%)の純粋な薄い黄色の油を得た。NMR1Hスペクトルを図5に示す。NMR1H(δ,ppm,C6D6):6.59(t,2H),6.42(t,2H),4.24(m,3H),1.16(d,18H),0.36(s,9H)。
60℃に加熱した容器において酸化性反応体としてのO3中に入れた、実施例1において調製した(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)を用いて、ALDテストを行った。典型的なALD条件を、約0.5Torrに固定した反応器圧力と共に用いた。完全表面飽和および反応を伴うALD挙動を、200〜450℃の温度範囲内においてケイ素ウェハ上で評価した。図9は、温度に応じた、(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)を用いるALDモードにおけるZrOの成長速度を示す。成長速度は、200℃〜375℃(前駆体が熱分解しない最大ALD温度)で0.56〜0.7Å/サイクルであると評価された。図10は、300℃および375℃における前駆体の導入時間に応じた、(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)を用いるALDモードにおけるZrOの成長速度を示す。375℃以下で観察された前駆体導入時間による安定した成長速度を伴う完全な飽和により、この前駆体における格段の熱安定性が実証されている。
Claims (12)
- 以下のいずれかのケイ素およびジルコニウム含有前駆体を含むジルコニウム含有膜形成組成物;
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHMe)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NEt2)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHEt)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NEtMe)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NnPr2)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHnPr)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NiPr2)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHiPr)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NnBu2)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHnBu)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NiBu2)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHiBu)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニ
ウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NsBu2)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHsBu)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NtBu2)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(NHtBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NMe2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHMe)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NEt2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHEt)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NEtMe)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NnPr2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHnPr)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NiPr2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHiPr)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NnBu2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHnBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NiBu2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHiBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NsBu2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHsBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NtBu2)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(NHtBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NMe2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHMe)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NEt2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHEt)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウ
ム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NEtMe)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NnPr2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHnPr)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NiPr2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHiPr)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NnBu2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHnBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NiBu2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHiBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NsBu2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHsBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NtBu2)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(NHtBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NMe2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHMe)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NEt2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHEt)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NEtMe)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NnPr2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHnPr)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NiPr2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHiPr)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NnBu2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHnBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NiBu2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(
IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHiBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NsBu2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHsBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NtBu2)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(NHtBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NMe2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHMe)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NEt2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHEt)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NEtMe)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NnPr2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHnPr)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NiPr2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHiPr)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NnBu2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHnBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NiBu2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHiBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NsBu2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHsBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NtBu2)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(NHtBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NMe2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHMe)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NEt2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム
(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHEt)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NEtMe)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NnPr2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHnPr)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NiPr2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHiPr)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NnBu2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHnBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NiBu2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHiBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NsBu2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHsBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NtBu2)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(NHtBu)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NMe2)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHMe)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NEt2)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHEt)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NEtMe)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NnPr2)3);(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHnPr)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NiPr2)3);(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHiPr)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NnBu2)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHnBu)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルア
ミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NiBu2)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHiBu)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NsBu2)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHsBu)3);(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NtBu2)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(NHtBu)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NMe2)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHMe)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NEt2)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHEt)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NEtMe)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NnPr2)3);(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHnPr)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NiPr2)3);(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHiPr)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NnBu2)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHnBu)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NiBu2)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHiBu)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NsBu2)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHsBu)3);(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NtBu2)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(NHtBu)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NMe2)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メチルアミノ
)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHMe)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NEt2)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHEt)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NEtMe)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NnPr2)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHnPr)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NiPr2)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロピルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHiPr)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジn−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NnBu2)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHnBu)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジイソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NiBu2)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHiBu)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジsec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NsBu2)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHsBu)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(ジt−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NtBu2)3);
および((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブチルアミノ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(NHtBu)3 )。 - 前記前駆体が、(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OMe)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OEt)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OnPr)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OiPr)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OtBu)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OsBu)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OnBu)3);
(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(TMS−Cp)(OiBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OMe)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OEt)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OnPr)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OiPr)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OtBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OsBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OnBu)3);
(ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(DMS−Cp)(OiBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OMe)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OEt)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OnPr)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OiPr)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OtBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OsBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OnBu)3);
(トリフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F3Si−Cp)(OiBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OMe)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OEt)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OnPr)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OiPr)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OtBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OsBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OnBu)3);
(ジフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(F2HSi−Cp)(OiBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OMe)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OEt)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OnPr)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OiPr)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OtBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OsBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OnBu)3);
(モノフルオロシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FH2Si−Cp)(OiBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OMe)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OEt)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OnPr)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OiPr)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OtBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OsBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OnBu)3);
(フルオロジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr(FMe2Si−Cp)(OiBu)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OMe)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OEt)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OnPr)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OiPr)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OtBu)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OsBu)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OnBu)3);
(トリス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)3Si−Cp)(OiBu)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OMe)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OEt)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OnPr)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OiPr)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OtBu)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OsBu)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OnBu)3);
(ビス(トリフルオロメチル)シリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)2HSi−Cp)(OiBu)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(メトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OMe)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(エトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OEt)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−プロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OnPr)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソプロポキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OiPr)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(t−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OtBu)3);
((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(sec−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OsBu)3);((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(n−ブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OnBu)3);
および((トリフルオロメチル)ジメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソブトキシ)ジルコニウム(IV)(Zr((CF3)Me2Si−Cp)(OiBu)3)からなる群から選択される、請求項2に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。 - 前記前駆体が、(トリメチルシリル)シクロペンタジエニルトリス(イソ−プロポキシ)ジルコニウム(IV)[Zr(TMS−Cp)(OiPr)3]である、請求項3に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
- 前記組成物が、95%w/w〜100%w/wの前記前駆体を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
- 前記組成物が、0.0%w/w〜5.0%w/wの不純物を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
- 前記不純物が、アルコール;アルキルアミン;ジアルキルアミン;アルキルイミン;シクロペンタジエン;ジシクロペンタジエン;アルキルゲルマン;THF;エーテル;ペンタン;シクロヘキサン;ヘプタン;ベンゼン;トルエン;塩化金属化合物;リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルキルアミド;リチウム、ナトリウムもしくはカリウムアルコキシ;および/または、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムシクロペンタジエニルを含む、請求項6に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
- 前記組成物が、0ppbw〜1ppmwの金属不純物を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
- 前記金属不純物が、アルミニウム(Al)、砒素(As)、バリウム(Ba)、ベリリウム(Be)、ビスマス(Bi)、カドミウム(Cd)、カルシウム(Ca)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、銅(Cu)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、インジウム(In)、鉄(Fe)、鉛(Pb)、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、カリウム(K)、ナトリウム(Na)、ストロンチウム(Sr)、トリウム(Th)、スズ(Sn)、チタン(Ti)、ウラニウム(U)、および/または亜鉛(Zn)を含む、請求項8に記載のジルコニウム含有膜形成組成物。
- ジルコニウム含有膜を基板上に堆積するプロセスであって、請求項1〜9のいずれか一項に記載のジルコニウム含有膜形成組成物の蒸気を基板が中に入れられた反応器に導入するステップと、ケイ素およびジルコニウム含有前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積するステップとを含むプロセス。
- 少なくとも1種の反応体を前記反応器に導入するステップをさらに含み、前記反応体が、H2、H2CO、N2H4、NH3、SiH4、Si2H6、Si3H8、SiH2M
e2、SiH2Et2、N(SiH3)3、これらの水素ラジカル、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項10に記載のプロセス。 - 少なくとも1種の反応体を前記反応器に導入するステップをさらに含み、前記反応体が、O2、O3、H2O、H2O2、NO、N2O、NO2、これらの酸素ラジカル、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項10に記載のプロセス。
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KR20180038823A (ko) | 2016-10-07 | 2018-04-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 금속 전구체, 이를 이용한 막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
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US10364259B2 (en) * | 2016-12-30 | 2019-07-30 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same |
US10925804B2 (en) | 2017-10-04 | 2021-02-23 | Sundance Spas, Inc. | Remote spa control system |
CN109338331A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-02-15 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种高介电常数的硅掺杂的氧化锆薄膜的制备方法及其产物 |
KR102679322B1 (ko) * | 2021-05-21 | 2024-06-28 | 에스케이트리켐 주식회사 | 4족 전이금속 함유 박막 형성용 전구체, 이를 이용한 4족 전이금속 함유 박막 형성 방법 및 상기 4족 전이금속 함유 박막을 포함하는 반도체 소자. |
WO2024116946A1 (ja) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び半導体装置 |
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US4931417A (en) | 1987-11-09 | 1990-06-05 | Chisso Corporation | Transition-metal compound having a bis-substituted-cyclopentadienyl ligand of bridged structure |
CA2070654C (en) * | 1990-10-05 | 2003-06-03 | Takuji Okamoto | Process for producing cyclic olefin based polymers, cyclic olefin copolymers, compositions and molded articles comprising the copolymers |
DE69310955T2 (de) * | 1992-03-03 | 1997-09-04 | Idemitsu Kosan Co | Pfropfcopolymer, Verfahren zu seiner Herstellung und Harzzusammensetzung, worin es enthalten ist |
US6428623B2 (en) | 1993-05-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed |
IT1272939B (it) | 1995-02-01 | 1997-07-01 | Enichem Spa | Catalizzatore metallocenico supportato per la (co)polimerizzazione delle olefine |
WO1996027032A1 (en) | 1995-02-28 | 1996-09-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition utilizing a precursor |
US5527752A (en) | 1995-03-29 | 1996-06-18 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Catalysts for the production of polyolefins |
IT1283010B1 (it) * | 1996-05-15 | 1998-04-03 | Enichem Spa | Complesso metallocenico supportato e procedimento per la sua prepa- razione |
US5986533A (en) | 1996-06-18 | 1999-11-16 | Dale Electronics, Inc. | Monolithic thick film inductor |
US6197683B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal nitride film by chemical vapor deposition and method of forming metal contact of semiconductor device using the same |
TW383427B (en) | 1998-04-03 | 2000-03-01 | United Microelectronics Corp | Method for etching tantalum oxide |
FI108375B (fi) | 1998-09-11 | 2002-01-15 | Asm Microchemistry Oy | Menetelmõ eristõvien oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
CA2248463A1 (en) | 1998-09-28 | 2000-03-28 | Scott Collins | Iminophosphonamide complexes for olefin polymerization |
US6445023B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Mixed metal nitride and boride barrier layers |
US6238734B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
JP3862900B2 (ja) | 1999-10-01 | 2006-12-27 | 株式会社トリケミカル研究所 | 導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法 |
US6743473B1 (en) | 2000-02-16 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of barriers from novel precursors |
FI117979B (fi) | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
US6984591B1 (en) | 2000-04-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Precursor source mixtures |
JP4868639B2 (ja) | 2000-06-12 | 2012-02-01 | 株式会社Adeka | 化学気相成長用原料及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
JP2004507551A (ja) | 2000-08-28 | 2004-03-11 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | ソース材料組成物および化学的蒸着法による基板上への金属膜形成方法 |
JP4693970B2 (ja) | 2000-09-14 | 2011-06-01 | 株式会社トリケミカル研究所 | ゲート酸化膜形成方法 |
JP3409290B2 (ja) | 2000-09-18 | 2003-05-26 | 株式会社トリケミカル研究所 | ゲート酸化膜形成材料 |
CN100442454C (zh) * | 2000-09-19 | 2008-12-10 | 马特森技术公司 | 形成介电薄膜的方法 |
US6943224B2 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-13 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Process for preparing supported transition metal catalyst systems and catalyst systems prepared thereby |
US6669990B2 (en) | 2001-06-25 | 2003-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Atomic layer deposition method using a novel group IV metal precursor |
ATE340800T1 (de) | 2001-10-26 | 2006-10-15 | Epichem Ltd | Vorlaeuferverbindungen für chemische dampfphasenabscheidung |
US6858547B2 (en) | 2002-06-14 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | System and method for forming a gate dielectric |
WO2004010469A2 (en) | 2002-07-18 | 2004-01-29 | Aviza Technology, Inc. | Atomic layer deposition of multi-metallic precursors |
TW200408015A (en) | 2002-08-18 | 2004-05-16 | Asml Us Inc | Atomic layer deposition of high K metal silicates |
US6689675B1 (en) | 2002-10-31 | 2004-02-10 | Intel Corporation | Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric |
US6844271B2 (en) | 2003-05-23 | 2005-01-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process of CVD of Hf and Zr containing oxynitride films |
US20050056219A1 (en) | 2003-09-16 | 2005-03-17 | Tokyo Electron Limited | Formation of a metal-containing film by sequential gas exposure in a batch type processing system |
JP2005104994A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 無機薄膜成膜方法 |
KR101012950B1 (ko) | 2003-10-15 | 2011-02-08 | 삼성전자주식회사 | 유기 절연체 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조된 유기절연체 |
JP2005171291A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Tosoh Corp | チタン含有薄膜およびその製造方法 |
JP2005209766A (ja) | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Mitsubishi Materials Corp | ハフニウム含有酸化膜の製造方法 |
US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
JP4666339B2 (ja) | 2004-05-14 | 2011-04-06 | 株式会社トリケミカル研究所 | 導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法 |
US20060062917A1 (en) | 2004-05-21 | 2006-03-23 | Shankar Muthukrishnan | Vapor deposition of hafnium silicate materials with tris(dimethylamino)silane |
US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
KR100728962B1 (ko) | 2004-11-08 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지르코늄산화막을 갖는 반도체소자의 캐패시터 및 그 제조방법 |
US7307177B2 (en) * | 2004-12-17 | 2007-12-11 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Metallocene complexes, their synthesis and use in catalyst systems for olefin polymerization |
WO2007005088A2 (en) | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Honeywell International Inc. | Vaporizable metalorganic compounds for deposition of metals and metal-containing thin films |
WO2007011459A1 (en) | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Polyalpha-olefin compositions and processes to produce the same |
GB2432363B (en) | 2005-11-16 | 2010-06-23 | Epichem Ltd | Hafnocene and zirconocene precursors, and use thereof in atomic layer deposition |
JP5128289B2 (ja) | 2005-12-06 | 2013-01-23 | 株式会社トリケミカル研究所 | ハフニウム系化合物、ハフニウム系薄膜形成材料、及びハフニウム系薄膜形成方法 |
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US9034761B2 (en) * | 2011-07-22 | 2015-05-19 | L'Air Liquide, SociétéAnonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Heteroleptic (allyl)(pyrroles-2-aldiminate) metal-containing precursors, their synthesis and vapor deposition thereof to deposit metal-containing films |
US8760845B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-06-24 | Nanya Technology Corp. | Capacitor dielectric comprising silicon-doped zirconium oxide and capacitor using the same |
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