JP4693970B2 - ゲート酸化膜形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、特にゲート酸化膜として好適なジルコニウム系膜に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ULSIの進展に伴い、トランジスタのソース−ドレイン間距離は一層短くなって来ている。同時に、ゲート酸化膜の厚さも薄膜化の一途を辿っている。因みに、その膜厚は10nm以下になることが予想されている。
【0003】
ところで、現在、ゲート酸化膜はSiO2で出来ているが、このSiO2製ゲート酸化膜の厚さが3nm以下の厚さに至ると、ソースとドレイン間に溜められた電荷はゲート酸化膜を通り抜けてしまうようになる。
【0004】
このような問題を解決する為に金属酸化膜が提案され始めた。
【0005】
しかし、単に、金属酸化膜であれば良いと言うものではない。
【0006】
例えば、下層のシリコンを酸化しないことが必要である。
【0007】
そして、ジルコニウムは、シリコンとの界面に珪酸ジルコニウム(ZrSiO4)を形成することから、シリコンを酸化しないと言うことが報告されている。
【0008】
従って、ジルコニウム酸化膜はゲート酸化膜として好都合なことが判る。
【0009】
ところで、ジルコニウム酸化膜の形成方法はスパッタによっていた。
【0010】
しかし、スパッタ法は、一般的に、成膜に時間が掛かり過ぎる。
【0011】
又、段差被膜性に劣る。例えば、表面が平坦ではなく、凹凸があるような基板に膜を形成しようとした場合、凹部の底の面には膜が形成されないようなことがある。膜が形成されても、その膜は均一なものでなく、斑状のものであったりする。
【0012】
従って、本発明が解決しようとする第1の課題は、ジルコニウム系のゲート酸化膜を形成できる技術を提供することである。
【0013】
又、本発明が解決しようとする第2の課題は、綺麗なジルコニウム系膜を効率良く形成できる技術を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
前記の課題は、Zr,Siを主成分とするゲート酸化膜を化学気相成長方法により形成する方法であって、
下記一般式[I]で表される化合物を供給し分解する工程と、
下記一般式[II]で表される化合物を供給し分解する工程
とを具備する
ことを特徴とするZr,Siを主成分とするゲート酸化膜の形成方法によって解決される。
一般式[I]
(R1R2N)4Zr
〔但し、R1,R2はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。〕
一般式[II]
(R 1 R 2 N) n SiH 4−n
〔但し、R 1 ,R 2 はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、R 1 とR 2 とは互いに異なっていても同じであってもよい。nは1〜4の整数。〕
【0015】
又、Zr,Siを主成分とする酸化膜の上にZrを主成分とする酸化膜を有するゲート酸化膜を化学気相成長方法により形成する方法であって、
下記一般式[I]で表される化合物を供給し分解する工程と、下記一般式[II]で表される化合物を供給し分解する工程とを具備し、
前記工程によってZr,Siを主成分とする酸化膜が形成された後、下記一般式[I]で表される化合物を供給し分解する工程を更に具備する
ことを特徴とするZr,Siを主成分とする酸化膜の上にZrを主成分とする酸化膜を有するゲート酸化膜の形成方法によって解決される。
一般式[I]
(R 1 R 2 N) 4 Zr
〔但し、R 1 ,R 2 はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、R 1 とR 2 とは互いに異なっていても同じであってもよい。〕
一般式[II]
(R 1 R 2 N) n SiH 4−n
〔但し、R 1 ,R 2 はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、R 1 とR 2 とは互いに異なっていても同じであってもよい。nは1〜4の整数。〕
【0016】
特に、上記(R1R2N)4ZrのR1,R2がメチル基及びエチル基の群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とするゲート酸化膜の形成方法によって解決される。中でも、(Me2N)4Zr,(Et2N)4Zr及び/又は(Et(Me)N)4Zrで表される化合物からなることを特徴とするゲート酸化膜の形成方法によって解決される。又、(R 1 R 2 N) n SiH 4−n が(Et 2 N) 4 Si,(Et 2 N) 3 SiH,(Et 2 N) 2 SiH 2 ,(Me 2 N) 4 Si,(Me 2 N) 3 SiH,(Me 2 N) 2 SiH 2 〔但し、Meはメチル基、Etはエチル基。〕の群の中から選ばれるいずれかであることを特徴とするゲート酸化膜の形成方法によって解決される。
【0017】
上記化合物を用いることによって、ゲート酸化膜を効率良く形成できる。
【0018】
すなわち、(R1R2N)4Zrと該Zr化合物と同タイプの(R 1 R 2 N) n SiH 4−n Si化合物とを併用することによって、シリコンとジルコニウムとを主成分として含む酸化膜を形成でき、このようなジルコニウム系の膜は良好なゲート酸化膜となる。
【0023】
本発明において、(R1R2N)4Zrで表される化合物とSi化合物とが共に用いられる場合、Si化合物と(R1R2N)4Zrとの割合(重量比)は、好ましくは、前者:後者=1:100〜1000:1である。更に好ましくは、1:50〜100:1である。
【0024】
上記のジルコニウム系膜形成材料は、溶媒を更に含む形態のものが好ましい。すなわち、上記のジルコニウム系膜形成材料は溶媒中に溶解してなる形態のものが好ましい。
【0025】
このような溶媒は、上記ジルコニウム系膜形成材料が溶解されるものであれば良い。中でも好ましいものとしては、溶媒が炭素数5〜40の炭化水素系化合物及び炭素数2〜40のアミン系化合物の群の中から選ばれる化合物である。
【0028】
そして、本発明の実施によって、例えば0.5〜10nm(特に、5nm以下)の厚さのゲート酸化膜が形成されたLSI等の素子が得られる。
【0029】
【発明の実施の形態】
本発明になるジルコニウム系膜形成材料は、ゲート酸化膜を形成する為の材料であって、前記ゲート酸化膜形成材料は、(R1R2N)4Zr〔但し、R1,R2はアルキル基(特に、炭素数1〜12のアルキル基)、及びシリコン系化合物の基(特に、Me3Si−,Me2SiH−,MeSiH2−)の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。〕で表される化合物を有する。又、ゲート酸化膜を形成する為の材料であって、前記ゲート酸化膜形成材料は、(R1R2N)4Zr〔但し、前記に同じ。〕で表される化合物と、Si化合物とを有する。又、酸化膜を形成する為の材料であって、前記酸化膜形成材料は、(R1R2N)4Zr〔但し、前記に同じ。〕で表される化合物を有する。又、酸化膜を形成する為の材料であって、前記酸化膜形成材料は、(R1R2N)4Zr〔但し、前記に同じ。〕で表される化合物と、Si化合物とを有する。
【0030】
特に、上記(R1R2N)4ZrにおけるR1,R2はメチル基及びエチル基の群の中から選ばれるいずれかである。中でも、(Me2N)4Zr,(Et2N)4Zr及び/又は(Et(Me)N)4Zrで表される化合物である。
【0031】
上記Si化合物は、好ましくは、(R1R2N)nSiH4−n〔但し、R1,R2はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。nは1〜4の整数。〕で表される化合物である。中でも、(Et2N)4Si,(Et2N)3SiH,(Et2N)2SiH2,(Me2N)4Si,(Me2N)3SiH,(Me2N)2SiH2〔但し、Meはメチル基、Etはエチル基。〕の群の中から選ばれるいずれかである。
【0032】
(R1R2N)4Zrで表される化合物とSi化合物とが共に用いられる場合、Si化合物と(R1R2N)4Zrとの割合(重量比)は、好ましくは、前者:後者=1:100〜1000:1である。更に好ましくは、1:50〜100:1である。
【0033】
本発明のジルコニウム系膜形成材料は、必要に応じて、溶媒を更に含む。すなわち、上記のジルコニウム系膜形成材料は溶媒中に溶解してなる形態のものが好ましい。このような溶媒は、上記ジルコニウム系膜形成材料が溶解されるものであれば良い。中でも好ましいものとしては、溶媒が炭素数5〜40の炭化水素系化合物及び炭素数2〜40のアミン系化合物の群の中から選ばれる化合物である。具体的に挙げると、炭化水素系の溶媒としては、例えばノルマルデカン、ノルマルヘプタン、テトラデカン、キシレン、トルエンが挙げられる。アミン系の溶媒としては、例えばトリエチルアミン、ビス(トリメチルシリル)アミン、ジエチルアミン、ピリジンが挙げられる。溶媒の量は、上記ジルコニウム系膜形成材料100重量部に対して溶媒が1〜10000重量部、特に100〜2000重量部であるのが好ましい。
【0034】
本発明のジルコニウム系膜形成材料は、化学気相成長方法によりジルコニウム系膜を形成する為のものである。
【0035】
本発明になる膜形成方法は、化学気相成長方法により基板にジルコニウム系酸化膜を形成する方法であって、上記のジルコニウム系膜形成材料を用いる。又、上記のジルコニウム系膜形成材料を基板上に供給し、分解させることにより基板上にジルコニウム系酸化膜を形成する。
【0036】
そして、本発明の実施によって、例えば0.5〜10nm(特に、5nm以下)の厚さのゲート酸化膜が形成されたLSI等の素子が得られる。
【0037】
以下、具体的な実施例を挙げて説明する。
【0038】
【実施例1】
図1は、本発明になる化学気相成長方法が実施される装置の概略図である。
【0039】
尚、図1中、1a,1bは容器、3は加熱器、4は分解反応炉、5はSi基板、6はガス流量制御器である。
【0040】
そして、図1の装置を用いてSi基板5上にZr酸化膜を作製した。
【0041】
すなわち、容器1a内に(Et2N)4Zrを入れて100℃に加熱すると共に、窒素ガス(キャリアーガス)を30ml/分の割合で供給した。そして、気化された(Et2N)4Zrはキャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉4に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入された。尚、この時、系内は真空に排気されている。又、Si基板5は500℃に加熱されている。
【0042】
その結果、Si基板5上に膜が設けられた。
【0043】
この膜を元素分析により調べた処、Zrを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によればZrの酸化膜であることが判った。
【0044】
尚、形成された膜厚は分解堆積時間に比例していた。そして、数nmの厚さのものも簡単に作成できた。
【0045】
【実施例2】
実施例1において、(Et2N)4Zrの代わりに(Me2N)4Zrを用いた以外は同様に行い、Si基板5上にZrの酸化膜を形成した。
【0046】
【実施例3】
実施例1において、(Et2N)4Zrの代わりに(Et(Me)N)4Zrを用いた以外は同様に行い、Si基板5上にZrの酸化膜を形成した。
【0047】
【実施例4】
図1の装置を用いてSi基板5上にZr系酸化膜を作製した。
【0048】
すなわち、容器1a内に(Et2N)4Zrを入れて100℃に加熱すると共に、窒素ガス(キャリアーガス)を30ml/分の割合で供給した。
【0049】
又、容器1b内に(Et2N)3SiHを入れて80℃に加熱すると共に、窒素ガス(キャリアーガス)を30ml/分の割合で供給した。
【0050】
気化された(Et2N)4Zrと(Et2N)3SiHとはキャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉4に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入された。尚、この時、系内は真空に排気されている。又、Si基板5は500℃に加熱されている。
【0051】
その結果、Si基板5上に膜が設けられた。
【0052】
この膜を元素分析により調べた結果、ZrとSiとを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によれば酸化膜であることが判った。
【0053】
上記ZrとSiとを主成分とする酸化膜を有する基板に対して、(Et2N)4Zrを用いて実施例1と同様に行い、膜を形成した。
【0054】
この膜を元素分析により調べた結果、Zrを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によれば酸化膜であることが判った。
【0055】
すなわち、二段階のCVDにより、Si基板上に珪酸ジルコニウム膜が、その上に酸化ジルコニウム膜が形成されていることが判った。
【0056】
【実施例5】
図2の装置を用いてSi基板5上にZr系酸化膜を作製した。
【0057】
すなわち、(Et2N)4Zrと(Et2N)3SiHとの等量混合物を容器1a内に入れ、液体流量制御器7を通して気化器2に送った。尚、この気化器2では150℃にして気化させている。
【0058】
気化された(Et2N)4Zrと(Et2N)3SiHとはキャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉4に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入された。尚、この時、系内は真空に排気されている。又、Si基板5は500℃に加熱されている。
【0059】
その結果、Si基板5上に膜が設けられた。
【0060】
この膜を元素分析により調べた処、ZrとSiとを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によれば酸化膜であることが判った。
【0061】
上記ZrとSiとを主成分とする酸化膜を有する基板に対して、(Et2N)4Zrを用いて実施例1と同様に行い、膜を形成した。
【0062】
この膜を元素分析により調べた結果、Zrを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によれば酸化膜であることが判った。
【0063】
すなわち、二段階のCVDにより、Si基板上に珪酸ジルコニウム膜が、その上に酸化ジルコニウム膜が形成されていることが判った。
【0064】
【実施例6〜10】
実施例5において、(Et2N)3SiHの代わりに、(Et2N)4Si,(Et2N)2SiH2,(Me2N)4Si,(Me2N)3SiH,(Me2N)2SiH2を用いた以外は同様に行い、Si基板5上にZrとSiとの酸化膜を形成した。
【0065】
【実施例11】
図2の装置を用いてSi基板5上にZr酸化膜を作製した。
【0066】
すなわち、(Me2N)4Zrとノルマルデカンとの混合物(前者:後者=1:5)を容器1a内に入れ、液体流量制御器7を通して気化器2に送った。尚、この気化器2では150℃にして気化させている。
【0067】
気化された(Me2N)4Zrとノルマルデカンとはキャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉4に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入された。尚、Si基板5は500℃に加熱されている。
【0068】
その結果、Si基板5上に膜が設けられた。
【0069】
この膜を元素分析により調べた処、Zrを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によれば酸化膜であることが判った。
【0070】
【実施例12】
図2の装置を用いてSi基板5上にZr系酸化膜を作製した。
【0071】
すなわち、(Me2N)4Zrとノルマルデカンとの混合物(前者:後者=1:5)を容器1a内に入れ、液体流量制御器7を通して気化器2に送った。尚、この気化器2では150℃にして気化させている。
【0072】
又、(Me2N)3SiHとノルマルヘプタンとの混合物(前者:後者=1:5)を容器1b内に入れ、液体流量制御器7を通して気化器2に送った。尚、この気化器2では130℃にして気化させている。
【0073】
気化された(Me2N)4Zr及びノルマルデカン、(Me2N)3SiH及びノルマルヘプタンは、キャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉4に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入された。尚、Si基板5は500℃に加熱されている。
【0074】
その結果、Si基板5上に膜が設けられた。
【0075】
この膜を元素分析により調べた処、ZrとSiを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によれば酸化膜であることが判った。
【0076】
【実施例13】
図2の装置を用いてSi基板5上にZr酸化膜を作製した。
【0077】
すなわち、(Me2N)4Zrと5%のジエチルアミンを含むノルマルデカンとの混合物(前者:後者=1:6)を容器1a内に入れ、液体流量制御器7を通して気化器2に送った。尚、この気化器2では150℃にして気化させている。
【0078】
気化された(Me2N)4Zr等はキャリアーガスと共に配管を経て分解反応炉4に導かれた。又、同時に、反応ガスとして酸素が導入された。尚、Si基板5は500℃に加熱されている。
【0079】
その結果、Si基板5上に膜が設けられた。
【0080】
この膜を元素分析により調べた処、Zrを主成分とするものであることが判った。又、X線回折によれば酸化膜であることが判った。
【0081】
【発明の効果】
ゲート酸化膜として好適なジルコニウム系酸化膜が効率良く、かつ、綺麗に出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】CVD装置の概略図
【図2】CVD装置の概略図
Claims (8)
- Zr,Siを主成分とするゲート酸化膜を化学気相成長方法により形成する方法であって、
下記一般式[I]で表される化合物を供給し分解する工程と、
下記一般式[II]で表される化合物を供給し分解する工程と、
酸素を供給する工程
とを具備する
ことを特徴とするZr,Siを主成分とするゲート酸化膜の形成方法。
一般式[I]
(R1R2N)4Zr
〔但し、R1,R2はアルキル基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。〕
一般式[II]
(R1R2N)nSiH4−n
〔但し、R1,R2はアルキル基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。nは1〜4の整数。〕 - Zr,Siを主成分とする酸化膜の上にZrを主成分とする酸化膜を有するゲート酸化膜を化学気相成長方法により形成する方法であって、
下記一般式[I]で表される化合物を供給し分解する工程と、下記一般式[II]で表される化合物を供給し分解する工程と、酸素を供給する工程とを具備し、
前記工程によってZr,Siを主成分とする酸化膜が形成された後、下記一般式[I]で表される化合物を供給し分解する工程と、酸素を供給する工程とを更に具備する
ことを特徴とするZr,Siを主成分とする酸化膜の上にZrを主成分とする酸化膜を有するゲート酸化膜の形成方法。
一般式[I]
(R1R2N)4Zr
〔但し、R1,R2はアルキル基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。〕
一般式[II]
(R1R2N)nSiH4−n
〔但し、R1,R2はアルキル基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。nは1〜4の整数。〕 - R1,R2がメチル基およびエチルの群の中から選ばれるいずれかである
ことを特徴とする請求項1又は請求項2のゲート酸化膜の形成方法。 - (R1R2N)nSiH4−nが(Et2N)4Si,(Et2N)3SiH,(Et2N)2SiH2,(Me2N)4Si,(Me2N)3SiH,(Me2N)2SiH2〔但し、Meはメチル基、Etはエチル基。〕の群の中から選ばれるいずれかである
ことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかのゲート酸化膜の形成方法。 - 一般式[I]で表される化合物を供給し分解する工程と一般式[II]で表される化合物を供給し分解する工程とにおける一般式[I]:一般式[II]との供給割合(重量比)が後者:前者=1:100〜1000:1である
ことを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかのゲート酸化膜の形成方法。 - 一般式[I],[II]で表される化合物が溶媒中に溶解してなる
ことを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかのゲート酸化膜の形成方法。 - 溶媒が炭素数5〜40の炭化水素系化合物及び炭素数2〜40のアミン系化合物の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする請求項6のゲート酸化膜の形成方法。 - Zr,Siを主成分とするゲート酸化膜がSi基板上に形成される
ことを特徴とする請求項1〜請求項7いずれかのゲート酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000280245A JP4693970B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | ゲート酸化膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2000280245A JP4693970B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | ゲート酸化膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002093803A JP2002093803A (ja) | 2002-03-29 |
JP4693970B2 true JP4693970B2 (ja) | 2011-06-01 |
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ID=18765123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000280245A Expired - Fee Related JP4693970B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | ゲート酸化膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4693970B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6969539B2 (en) | 2000-09-28 | 2005-11-29 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide |
JP2003124460A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Atsushi Ogura | ゲート酸化膜、素子、ゲート酸化膜形成方法、ゲート酸化膜形成材料 |
WO2003083167A1 (en) | 2002-03-28 | 2003-10-09 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor deposition of silicon dioxide nanolaminates |
JP2006261434A (ja) | 2005-03-17 | 2006-09-28 | L'air Liquide Sa Pour L'etude & L'exploitation Des Procede S Georges Claude | シリコン酸化膜の形成方法 |
JP4554446B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2010-09-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN101460657A (zh) | 2006-06-02 | 2009-06-17 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 基于新型钛、锆和铪前体的高k介电膜的形成方法及其用于半导体制造的用途 |
JP5121196B2 (ja) | 2006-09-15 | 2013-01-16 | 株式会社Adeka | 金属アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
EP2257561B1 (en) | 2008-02-27 | 2017-11-08 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for forming a titanium-containing layer on a substrate using an atomic layer deposition (ald) process |
US9499571B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Germanium- and zirconium-containing compositions for vapor deposition of zirconium-containing films |
US9663547B2 (en) | 2014-12-23 | 2017-05-30 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Silicon- and Zirconium-containing compositions for vapor deposition of Zirconium-containing films |
US10106568B2 (en) | 2016-10-28 | 2018-10-23 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Hafnium-containing film forming compositions for vapor deposition of hafnium-containing films |
WO2023282104A1 (ja) | 2021-07-07 | 2023-01-12 | 株式会社Adeka | 化合物、薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法 |
-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000280245A patent/JP4693970B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002093803A (ja) | 2002-03-29 |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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