JP6465028B2 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents
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Description
21,22,23,24,25:SAWデュプレクサ
26,27:SAWフィルタ
30:スイッチIC
41,42,43,44,45,46:位相回路
51,52:フィルタ回路
60:アンテナ整合回路
100:通信装置
101:RFIC
102:送信制御部
103:復調部
L1,L2,L3,L4,GLt1,GLt2,DLt1,DLt2,LB1a,LB2a,LB3a,LB5a,LB6a,LB1t,LB2t,LB3t,LB4t,LB5t:インダクタ
C1,C2,C3,GCc1,GCc2,GCu1,GCu2,GCu3,DCc1,DCu2,DCu3:キャパシタ
GND:内部グランド導体パターン
PGND:外部グランド用ランド
PMa:アンテナ接続用端子
PM1,PM2,PM3,PM4,PM5,PM6,PM7,PM8,PM9,PM10,PM11,PM12,PM13,PM14:フロントエンド接続用端子
PM20,PM21,PM22,PM23,PM24:制御用端子
PS0:共通端子
PS1,PS2,PS3,PS4,PS5,PS6,PS7,PS8,PS9:被選択端子
PS20,PS21,PS22,PS23,PS24:制御信号入力端子
Claims (13)
- 第1周波数帯域における第1通信信号を送受信する第1送受信回路と、
前記第1周波数帯域と異なる周波数帯域を有する第2周波数帯域における第2通信信号を送受信する第2送受信回路と、
アンテナ接続用端子と複数の被選択端子とを有するスイッチ回路と、
前記第1送受信回路と、前記第2送受信回路と、前記複数の被選択端子の1つであり前記第1通信信号と前記第2通信信号とで共通利用される共通端子とに接続される接続点と、
前記接続点と前記第1送受信回路とに接続される回路素子を有し、前記第1周波数帯域で前記接続点から見て前記第2送受信回路側が高周波的開放状態となり、前記第2周波数帯域で前記接続点から見て前記第1送受信回路側が高周波的開放状態となるように位相調整する位相回路と、を備え、
前記位相回路は、前記接続点と前記第1送受信回路との間に接続された帯域阻止フィルタを含み、
前記帯域阻止フィルタは、前記第1周波数帯域内にある特定周波数帯域の高調波周波数を含む減衰域と、該減衰域の外側の高周波側および低周波側に設けられる通過帯域とを有し、該低周波側の通過帯域内に前記第1周波数帯域を含み、
前記第1送受信回路による前記第1通信信号の送受信における前記第1通信信号の送信と、前記第2送受信回路による前記第2通信信号の送受信における前記第2通信信号の受信とは、同時に行われる、
高周波モジュール。 - 前記減衰域と前記第2周波数帯域とは周波数帯域が重なる、
請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記第1送受信回路は、前記第1通信信号の送信信号および受信信号を分波する分波回路であって、
前記第2送受信回路は、前記第2通信信号の送信信号および受信信号を分波する分波回路である、
請求項1または請求項2に記載の高周波モジュール。 - 前記位相回路は、並列共振回路を備え、
前記並列共振回路は、
前記接続点と前記第1送受信回路との間に直列接続される第1インダクタと、
該第1インダクタに並列接続される第1キャパシタと、を備える、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 前記位相回路は、
前記並列共振回路の前記第1送受信回路側とグランドとの間に接続される第2インダクタを備える、
請求項4に記載の高周波モジュール。 - 前記位相回路は、
前記接続点と前記第2送受信回路との間に直列接続される第2キャパシタと、
該第2キャパシタの前記第2送受信回路側とグランドとの間に接続される第3インダクタをさらに備える、
請求項5に記載の高周波モジュール。 - 導体パターンが形成された誘電体層を複数積層してなる積層体を備え、
前記第2インダクタと前記第3インダクタの一方は、前記導体パターンにより前記積層体の内部に形成されたコイル状導体であり、
前記第2インダクタと前記第3インダクタの他方は前記積層体の表面に実装された実装型インダクタ部品である、
請求項6に記載の高周波モジュール。 - 前記積層体は、内部にグランド用導体を複数備え、
前記第2インダクタが接続されるグランド導体と、前記第3インダクタが接続されるグランド導体は異なる、
請求項7に記載の高周波モジュール。 - 導体パターンが形成された誘電体層を複数積層してなる積層体を備え、
前記第2インダクタと前記第3インダクタは、前記導体パターンにより前記積層体の内部に形成されたコイル状導体であり、
前記第1送受信回路を構成する第1回路素子と、前記第2送受信回路を構成する第2回路素子は、前記積層体の表面に実装されており、
前記第2インダクタを形成するコイル状導体は、前記第1回路素子の実装領域の下に配置され、
前記第3インダクタを形成するコイル状導体は、前記第2回路素子の実装領域の下に配置されている、
請求項6に記載の高周波モジュール。 - 前記第1回路素子および前記第2回路素子は、圧電共振子を用いたデュプレクサを備える、
請求項9に記載の高周波モジュール。 - 前記スイッチ回路は、前記積層体の表面に実装されたダイオード型スイッチ素子を備える、
請求項7乃至請求項10のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 前記第1通信信号と前記第2通信信号を同時に送信する同時送信、又は、前記第1通信信号と前記第2通信信号を同時に受信する同時受信のいずれかが行われる、
請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の高周波モジュール。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載の高周波モジュールと、
該高周波モジュールに接続する前記第1通信信号と前記第2通信信号に共通のアンテナと、
前記高周波モジュールに接続し、前記第1通信信号と前記第2通信信号に対して、二つの通信信号を同時に送信する同時送信、二つの通信信号を同時に受信する同時受信、一方の通信信号を送信し他方の通信信号を受信する同時送受信のいずれかを選択して送受信制御を行うRFICと、
を備える通信装置。
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