JP5187361B2 - 高周波モジュール - Google Patents

Description

この発明は、複数の通信信号を共通アンテナで送受信する高周波モジュールに関する。

従来、それぞれに異なる周波数帯域を利用した複数の通信信号を共通アンテナで送受信する高周波モジュールが各種考案されている。例えば、特許文献１に記載の高周波モジュールは、スイッチＩＣと複数のデュプレクサを備える。スイッチＩＣの共通端子には、アンテナが接続し、スイッチＩＣの各個別端子にそれぞれデュプレクサが接続している。

そして、特許文献１に示すような従来の高周波モジュールは、図１に示すような回路構成を備える。図１は従来の高周波モジュール１０Ｐの回路構成図である。なお、ここでは、受信系回路のみを簡略的に説明する。スイッチＩＣ１１は、共通端子ＰＩＣ０と、各個別端子ＰＩＣ１１−ＰＩＣ１６を備える。

ＧＳＭ８５０通信信号およびＧＳＭ９００通信信号を受信する場合、スイッチＩＣ１１は、共通端子ＰＩＣ０と個別端子ＰＩＣ１３とを接続する。これにより、アンテナＡＮＴで受信したＧＳＭ８５０通信信号やＧＳＭ９００通信信号は、個別端子ＰＩＣ１３へ伝送される。

個別端子ＰＩＣ１３には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１、ＳＡＷ２からなるＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２が接続している。個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ１との間には、直列接続インダクタＬ１１と当該インダクタＬ１１の一方端をグランドへ接続するキャパシタＣ１１とからなる位相回路が接続している。個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間には、直列接続キャパシタＣ２１と当該キャパシタＣ２１の一方端をグランドへ接続するインダクタＬ２１とからなる位相回路が接続している。これらの位相回路は、ＧＳＭ８５０通信信号に対してＳＡＷフィルタＳＡＷ２側がオープン（反射係数が最大）となり、ＧＳＭ９００通信信号に対してＳＡＷフィルタＳＡＷ１側がオープン（反射係数が最大）となるように素子値が決定されている。これにより、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ２間のアイソレーションを所定レベル以上に確保する。

同様に、ＧＳＭ１８００通信信号およびＧＳＭ１９００通信信号を受信する場合、スイッチＩＣ１１は、共通端子ＰＩＣ０と個別端子ＰＩＣ１４とを接続する。これにより、アンテナＡＮＴで受信したＧＳＭ１８００通信信号やＧＳＭ１９００通信信号は、個別端子ＰＩＣ１４へ伝送される。

個別端子ＰＩＣ１４には、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３、ＳＡＷ４からなるＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４が接続している。個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷ３との間には、直列接続インダクタＬ３１と当該インダクタＬ３１の一方端をグランドへ接続するキャパシタＣ３１とからなる位相回路が接続している。個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷ４との間には、直列接続キャパシタＣ４１と当該キャパシタＣ４１の一方端をグランドへ接続するインダクタＬ４１とからなる位相回路が接続している。これらの位相回路は、ＧＳＭ１８００通信信号に対してＳＡＷフィルタＳＡＷ４側がオープン（反射係数が最大）となり、ＧＳＭ１９００通信信号に対してＳＡＷフィルタＳＡＷ３側がオープン（反射係数が最大）となるように素子値が決定されている。これにより、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３，ＳＡＷ４間のアイソレーションを所定レベル以上に確保する。

特開２００５−６４７７８号公報

しかしながら、上述のような従来の高周波モジュール１０Ｐでは、スイッチＩＣ１１の一つの個別端子に接続するＳＡＷデュプレクサを構成するＳＡＷフィルタの通過帯域が近接している。すなわち、それぞれのＳＡＷフィルタで通過させる通信信号の周波数帯域が近接している。

このため、個別端子から出力される二つの通信信号のそれぞれに対して、自身の周波数帯域に対して十分に低損失な通過特性で且つ相手の周波数帯域に対して十分な反射特性を得られるように、設定できない場合が生じる。

したがって、本発明の目的は、複数の通信信号を共通アンテナで切り替えて受信する構成であって、複数の通信信号の内、二つの通信信号の周波数が近接しても、それぞれに個別のポートへ低損失で伝送できる高周波モジュールを実現することにある。

この発明は、共通端子および複数の個別端子を備えたスイッチＩＣと、該スイッチＩＣの個別端子に接続し、通信信号毎に通過帯域が設定された複数のフィルタと、を備えた高周波モジュールに関する。この高周波モジュールでは、複数のフィルタは、互いに周波数帯域が近接する第１通信信号および第２通信信号の周波数をそれぞれ通過帯域とする第１帯域通過フィルタおよび第２帯域通過フィルタと、第１通信信号および第２通信信号に対して周波数が離間した第３通信信号の周波数を通過帯域とする第３帯域通過フィルタとを、備える。スイッチＩＣの第１個別端子に第１帯域通過フィルタと第３帯域通過フィルタとが接続する。スイッチＩＣの第２個別端子に第２帯域通過フィルタが接続する。第１帯域通過フィルタと第１個別端子との間および第３帯域通過フィルタと第１個別端子との間の少なくとも一方に、位相をシフトさせる位相回路が備えられている。

この構成では、周波数が近接する第１通信信号と第２通信信号が、スイッチＩＣの異なる個別端子を介して伝送される。また、周波数が離間した第１通信信号と第３通信信号とがスイッチＩＣの同じ個別端子を介して伝送される。これにより、一つの個別端子で複数の通信信号を伝送する構成であっても、同じ個別端子を伝送する二つの通信信号の周波数が離間しており、近接する周波数の通信信号が別の個別端子で伝送されるので、互いに高いアイソレーションを確保する構成が容易に実現できる。また、通信信号毎に別々の個別端子をもうけるよりも、高周波モジュールが小型になる。また、通信信号が伝送する経路に位相回路が備えられることで、位相をオープン側にシフトさせて周波数帯域の略全域を略オープンの位置に配置することができる。これにより、さらにアイソレーションを高くすることができる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第３通信信号に相当する通信信号が複数存在する場合に、第１帯域通過フィルタに対して周波数帯域内での位相変化が少なく且つ反射強度が大きい通信信号を第３通信信号に設定する。

この構成では、第１通信信号および第２通信信号に対して周波数が離間した通信信号が複数存在する場合の第３通信信号の設定基準を示している。このような設定を行うことで、より確実且つ容易に第１帯域通過フィルタを含む第１通信信号の伝送経路と、第３帯域通過フィルタを含む第３通信信号の伝送経路との間のアイソレーションを高いレベルで確保できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１通信信号の周波数は、第３通信信号の周波数よりも低周波数であり、第１帯域通過フィルタと第１個別端子との間に備えられている位相回路は、低域通過フィルタ型である。
または、この発明の高周波モジュールでは、第１通信信号の周波数は、第３通信信号の周波数よりも低周波数であり、第２帯域通過フィルタと第２個別端子との間に、低域通過フィルタ型の位相回路が備えられている。

この構成では、相対的に低周波数の通信信号が伝送する経路に低域通過型フィルタが備えられることで、アイソレーションをより向上させることができる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第３通信信号と周波数が近接する第４通信信号の周波数を通過帯域とする第４帯域通過フィルタを備える。スイッチＩＣの第３個別端子には第４帯域通過フィルタが接続する。

この構成では、上述の第１通信信号、第２通信信号、第３通信信号とは別の第４通信信号も高周波モジュールで送受信する場合を示す。この第４通信信号は、例えば、上述の第３通信信号の候補が複数あった場合における、第３通信信号として選択されなかった通信信号などである。そして、第３通信信号と第４通信信号とが別の個別端子を介して伝送されるので、第１、第２、第３、第４通信信号間のアイソレーションを高いレベルで確保できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第３通信信号と周波数が近接する第４通信信号の周波数を通過帯域とする第４帯域通過フィルタを備える。スイッチＩＣの第２個別端子に第４帯域通過フィルタが接続する。

この構成でも、上述の第１通信信号、第２通信信号、第３通信信号とは別の第４通信信号も高周波モジュールで送受信する場合を示す。そして、第３通信信号と第４通信信号とが別の個別端子を介して伝送されるので、第１、第２、第３、第４通信信号間のアイソレーションを高いレベルで確保できる。また、第２通信信号と第４通信信号とを同じ個別端子を介して伝送するので個別端子数を低減でき、高周波モジュールが、より小型に実現できる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１通信信号および第２通信信号の周波数は、第４通信信号の周波数よりも低周波数であり、第３帯域通過フィルタと第１個別端子との間に備えられている位相回路は、高域通過フィルタ型である。
または、この発明の高周波モジュールでは、第１通信信号および第２通信信号の周波数は第４通信信号の周波数よりも低周波数であり、第４帯域通過フィルタとこれに接続する個別端子との間に、高域通過フィルタ型の位相回路が備えられている。

この構成では、相対的に高周波数の通信信号が伝送する経路に高域通過型フィルタが備えられることで、アイソレーションをより向上させることができる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１帯域通過フィルタ、第２帯域通過フィルタ、第３帯域通過フィルタ、および第４帯域通過フィルタは、誘電体からなる積層体に実装される実装型フィルタである。第１帯域通過フィルタ、第２帯域通過フィルタ、第３帯域通過フィルタ、および第４帯域通過フィルタは、次のいずれかの実装態様からなる。（Ａ）第１帯域通過フィルタと第３帯域通過フィルタとが近接して実装される、（Ｂ）第２帯域通過フィルタと第４帯域通過フィルタとが近接して実装される、（Ｃ）第１帯域通過フィルタと第３帯域通過フィルタとが近接して実装され且つ第２帯域通過フィルタと第４帯域通過フィルタとが近接して実装される。

この構成では、各帯域通過フィルタの具体的な実装態様を示している。そして、このように通過帯域が離れた帯域通過フィルタを近接させることで、高周波モジュールを小型化する場合にも、アイソレーションを確保することができる。

また、この発明の高周波モジュールでは、第１帯域通過フィルタ、第２帯域通過フィルタ、第３帯域通過フィルタ、および第４帯域通過フィルタから、次のいずれかの態様でパッケージ型デュプレクサを形成する。（Ａ）第１帯域通過フィルタと第３帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成する、（Ｂ）第２帯域通過フィルタと第４帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成する、（Ｃ）第１帯域通過フィルタと第３帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成し且つ第２帯域通過フィルタと第４帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成する。

この構成では、各帯域通過フィルタを組み合わせた具体的なデュプレクサの構成態様を示している。そして、このように通過帯域が離れた帯域通過フィルタでデュプレクサを構成することで、小型で且つ高いアイソレーションを確保した高周波モジュールを実現できる。

この発明によれば、周波数が近接する二つの通信信号を含む複数の通信信号を共通アンテナで切り替えて送受信する構成であっても、周波数が近接する二つの通信信号のそれぞれを、それぞれ個別のポートへ低損失で伝送できる。

従来の高周波モジュール１０Ｐの回路構成図である。 第１の実施形態の高周波モジュール１０Ａの回路図である。 第１の実施形態における通信信号の組み合わせを決定する概念を説明するためのスミスチャートである。 第１の実施形態の高周波モジュール１０Ａと従来の高周波モジュール１０ＰのＧＳＭ９００通信信号の通過特性を示す図である。 第１の実施形態の高周波モジュール１０Ａの積層図である。 第２の実施形態の高周波モジュール１０Ｂの回路構成図である。 第３の実施形態の高周波モジュール１０Ｃの回路構成図である。 第４の実施形態の高周波モジュール１０Ｄの回路構成図である。 第５の実施形態の高周波モジュール１０Ｅの回路構成図である。 第６の実施形態の高周波モジュール１０Ｆの回路構成図である。 第６の実施形態の高周波モジュール１０Ｆの積層図である。 第７の実施形態の高周波モジュール１０Ｇの回路構成図である。 第８の実施形態の高周波モジュール１０Ｈの回路構成図である。 第９の実施形態の高周波モジュール１０Ｊの回路構成図である。

本発明の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。本実施形態では、高周波モジュールとして、ＧＳＭ８５０（８５０ＭＨｚ帯の周波数），ＧＳＭ９００（９００ＭＨｚ帯の周波数），ＧＳＭ１８００（１８００ＭＨｚ帯の周波数），ＧＳＭ１９００（１９００ＭＨｚ帯の周波数）の通信信号を送受信する高周波スイッチモジュールを例に説明する。図２は本実施形態の高周波スイッチモジュール１０Ａの回路図である。

高周波モジュール１０Ａは、スイッチＩＣ１１、アンテナ側整合回路１２、第１送信側フィルタ１３Ａ、第２送信側フィルタ１３Ｂ、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２，ＳＤＰ３４を備えている。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２はＳＡＷフィルタＳＡＷ１とＳＡＷフィルタＳＡＷ２とからなる。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４はＳＡＷフィルタＳＡＷ３とＳＡＷフィルタＳＡＷ４とからなる。

高周波モジュール１０Ａは誘電体層を所定層数だけ積層してなる積層体と、当該積層体内に形成される回路素子および積層体の天面に実装される回路素子により形成される。

スイッチＩＣ１１およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２，ＳＤＰ３４は実装型回路素子であり、積層体の天面に実装される。

アンテナ側整合回路１２および個別端子側フィルタ１３Ａ，１３Ｂは、概略的にはインダクタおよびキャパシタにより構成されている。アンテナ側整合回路１２および個別端子側フィルタ１３Ａ，１３Ｂを構成するインダクタおよびキャパシタは、積層体内に形成された内層電極パターンと実装型回路素子とのいずれかにより、適宜形成されている。

スイッチＩＣ１１は、共通端子ＰＩＣ０と、複数（本実施形態では６個）の個別端子ＰＩＣ１１−ＰＩＣ１６を備える。スイッチＩＣ１１には、駆動電圧Ｖｄｄ、制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３が与えられる。スイッチＩＣ１１は、駆動電圧Ｖｄｄが印加されることで駆動し、制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３のＨｉ，Ｌｏｗの組合せにより、共通端子ＰＩＣ０を個別端子ＰＩＣ１１−ＰＩＣ１６のいずれか一つに接続する。

スイッチＩＣ１１の共通端子ＰＩＣ０はアンテナ側整合回路１２を介して高周波モジュール１０ＡのアンテナポートＰａｎに接続されている。アンテナ側整合回路１２は、インダクタおよびキャパシタの接続構成を適宜設定することで、位相整合回路兼ＥＳＤ保護回路として機能する回路である。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１１は、第１送信側フィルタ１３Ａを介して、高周波モジュール１０Ａの第１送信信号入力ポートＰｔＬに接続されている。第１送信信号入力ポートＰｔＬには、ＧＳＭ８５０通信信号の送信信号もしくはＧＳＭ９００通信信号の送信信号が入力される。第１送信側フィルタ１３Ａは、ＧＳＭ８５０通信信号およびＧＳＭ９００通信信号の送信周波数帯域を通過帯域に含み、これらの２次高調波および３次高調波を含む高次高調波を減衰帯域に含む特性を有する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１２は、第２送信側フィルタ１３Ｂを介して、高周波モジュール１０Ａの第２送信信号入力ポートＰｔＨに接続されている。第２送信信号入力ポートＰｔＨには、ＧＳＭ１８００通信信号の送信信号もしくはＧＳＭ１９００通信信号の送信信号が入力される。第２送信側フィルタ１３Ｂは、ＧＳＭ１８００通信信号およびＧＳＭ１９００通信信号の送信周波数帯域を通過帯域に含み、これらの２次高調波および３次高調波を含む高次高調波を減衰帯域に含む特性を有する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２のＳＡＷフィルタＳＡＷ１およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ３に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ８５０通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ａの第１受信信号出力ポートＰｒＬ１に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ１８００通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ａの第３受信信号出力ポートＰｒＨ１に接続している。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ１との間にはインダクタＬＡが接続され、当該インダクタＬＡのＳＡＷフィルタＳＡＷ１側はキャパシタＣＡによりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡとキャパシタＣＡとからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。この低域通過フィルタ回路からなる位相回路を設け、インダクタＬＡおよびキャパシタＣＡの素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ８５０通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ１側の伝送経路と、ＧＳＭ１８００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ３側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。すなわち、同じ個別端子ＰＩＣ１３に接続する相対的に低周波数側であるＳＡＷフィルタＳＡＷ１側の伝送経路と、当該ＳＡＷフィルタＳＡＷ１の通過帯域から所定周波数以上離間した相対的に高周波数側であるＳＡＷフィルタＳＡＷ３側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２のＳＡＷフィルタＳＡＷ２およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ４に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ９００通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ａの第２受信信号出力ポートＰｒＬ２に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ１９００通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ａの第４受信信号出力ポートＰｒＨ２に接続している。

個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間にはインダクタＬＢが接続され、当該インダクタＬＢのＳＡＷフィルタＳＡＷ２側はキャパシタＣＢによりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＢとキャパシタＣＢとからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。この低域通過フィルタ回路からなる位相回路を設け、インダクタＬＢおよびキャパシタＣＢの素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＧＳＭ１９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ４側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。すなわち、同じ個別端子ＰＩＣ１４に接続する相対的に低周波数側であるＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、当該ＳＡＷフィルタＳＡＷ２の通過帯域から所定周波数以上離間して相対的に高周波数側であるＳＡＷフィルタＳＡＷ４側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

なお、このような一つの個別端子に接続する通信信号の組み合わせは、次に示す概念に基づいて設定する。図３は、通信信号の組み合わせを決定する概念を説明するためのスミスチャートである。図３（Ａ）はＧＳＭ８５０通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ１の入力インピーダンス特性を示し、図３（Ｂ）はＧＳＭ９００通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ２の入力インピーダンス特性を示す。図３（Ｃ）はＧＳＭ１８００通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ３の入力インピーダンス特性を示し、図３（Ｄ）はＧＳＭ１９００通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ４の入力インピーダンス特性を示す。

図３（Ａ）に示すように、ＧＳＭ８５０通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、ＧＳＭ９００通信信号の周波数帯域よりも、ＧＳＭ１８００通信信号の周波数帯域の方が、入力インピーダンスが高くなる（スミスチャートの外周側になる）。

同様に、図３（Ｃ）に示すように、ＧＳＭ１８００通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、ＧＳＭ１９００通信信号の周波数帯域よりも、ＧＳＭ８５０通信信号の周波数帯域の方が、入力インピーダンスが高くなる。

したがって、個別端子ＰＩＣ１３に対して、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１を含むＧＳＭ８５０通信信号用の伝送経路とＳＡＷフィルタＳＡＷ２を含むＧＳＭ９００通信信号用の伝送経路とを接続する構成（従来構成）よりも、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１を含むＧＳＭ８５０通信信号用の伝送経路とＳＡＷフィルタＳＡＷ３を含むＧＳＭ１８００通信信号用の伝送経路とを接続する構成（本実施形態の構成）の方が、アイソレーションを高くすることができる。

さらに、図３（Ｃ）に示すように、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３におけるＧＳＭ８５０通信信号の周波数帯域内での入力インピーダンスの変化量（実線で囲んだ部分）は、ＧＳＭ１９００通信信号の周波数帯域内での入力インピーダンスの変化量（実線で囲んだ部分）よりも小さい。したがって、上述のインダクタとキャパシタによる位相回路により、位相をオープン側（スミスチャートの右端）にシフトさせた場合に、ＧＳＭ８５０通信信号の周波数帯域の略全域をほぼオープンの位置に配置することができる。これにより、さらにアイソレーションを高くすることができる。

また、図３（Ｂ）に示すように、ＧＳＭ９００通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、ＧＳＭ８５０通信信号の周波数帯域よりも、ＧＳＭ１９００通信信号の周波数帯域の方が、入力インピーダンスが高くなる（スミスチャートの外周側になる）。

同様に、図３（Ｄ）に示すように、ＧＳＭ１９００通信信号用のＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、ＧＳＭ１８００通信信号の周波数帯域よりも、ＧＳＭ９００通信信号の周波数帯域の方が、入力インピーダンスが高くなる。

したがって、個別端子ＰＩＣ１４に対して、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３を含むＧＳＭ１８００通信信号用の伝送経路とＳＡＷフィルタＳＡＷ４を含むＧＳＭ１９００通信信号用の伝送経路とを接続する構成（従来構成）よりも、ＳＡＷフィルタＳＡＷ２を含むＧＳＭ９００通信信号用の伝送経路とＳＡＷフィルタＳＡＷ４を含むＧＳＭ１９００通信信号用の伝送経路とを接続する構成（本実施形態の構成）の方が、アイソレーションを高くすることができる。

さらに、図３（Ｄ）に示すように、ＳＡＷフィルタＳＡＷ４におけるＧＳＭ９００通信信号の周波数帯域内での入力インピーダンスの変化量（実線で囲んだ部分）は、ＧＳＭ１８００通信信号の周波数帯域内での入力インピーダンスの変化量（実線で囲んだ部分）よりも小さい。したがって、上述のインダクタとキャパシタによる位相回路により、位相をオープン側にシフトさせた場合に、ＧＳＭ９００通信信号の周波数帯域の略全域をほぼオープンの位置に配置することができる。これにより、さらにアイソレーションを高くすることができる。

図４は、本実施形態の高周波モジュール１０Ａと従来の高周波モジュール１０ＰのＧＳＭ９００通信信号の受信信号の通過特性を示す図であり、図４（Ａ）が本実施形態の高周波モジュール１０Ａの場合を示し、図４（Ｂ）が従来の高周波モジュール１０Ｐの場合を示す。

図４に示すように、本実施形態の構成を用いることで、損失が改善され、低損失にＧＳＭ９００通信信号の受信信号を伝送することができる。なお、図示していないが、本実施形態の構成を用いることで、上述の図３の各スミスチャートに示す関係からもわかるように、他の通信信号も同様に損失が改善されている。

以上のように、本実施形態に示すように、一つの個別端子に対して周波数帯域が離間する二つの通信信号を割り当てることで、一つの個別端子に対して周波数帯域が近接した二つの通信信号を割り当てる従来構成よりも、低損失な高周波モジュールを実現することができる。

このような回路構成の高周波モジュール１０Ａは、次に示すような構造からなる。具体的には、高周波モジュール１０Ａは、複数の誘電体層ＰＬ１−ＰＬ１４を積層してなる積層体と、該積層体の天面に実装された各種実装型回路素子からなる。図５は、本実施形態の高周波モジュール１０Ａの積層図である。なお、図５は、積層体の天面側の最上層を第１層ＰＬ１として、最下層を第１４層ＰＬ１４として示しており、底面側から電極パターンを平面視した図である。そして、図５の各層に記載の丸印は、層間を接続する導電性ビアホールである。

第１層ＰＬ１には、実装型回路素子であるスイッチＩＣ１１、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２，ＳＤＰ３４、インダクタＬＡ，ＬＢ、キャパシタＣＡ，ＣＢを実装する素子実装用ランドが、天面側に形成されている。

ここで、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２は、上述のＳＡＷフィルタＳＡＷ１とＳＡＷフィルタＳＡＷ２とを単一の筐体に組み込んだ実装型回路素子である。また、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４は、上述のＳＡＷフィルタＳＡＷ３とＳＡＷフィルタＳＡＷ４とを単一の筐体に組み込んだ実装型回路素子である。

第２層ＰＬ２および第３層ＰＬ３には、第１層ＰＬ１の各素子実装用ランドを、積層体の下層側の各電極部に引き回す配線パターン電極が形成されている。

第４層ＰＬ４には、内層グランド電極ＧＮＤが略全面に形成されている。

第５層ＰＬ５から第１２層ＰＬ１２には、上述の実装型回路素子で実現される回路素子を除く、アンテナ側整合回路１２、第１送信側フィルタ１３Ａ、第２送信側フィルタ１３Ｂを構成する各回路素子が内層電極パターンにより形成されている。

第１３層ＰＬ１３には、内層グランド電極ＧＮＤが略全面に形成されている。

積層体の底面を構成する第１４層ＰＬ１４の底面側には、各種外部接続用ランドが形成されている。第１４層ＰＬ１４を平面視した中央には、外部接続用グランド電極ＧＮＤが形成されている。

第１４層ＰＬ１４の長手方向に沿った一方の側辺付近には、当該長手方向に沿って、第１受信信号出力ポートＰｒＬ１、第２受信信号出力ポートＰｒＬ２、第３受信信号出力ポートＰｒＨ１、第４受信信号出力ポートＰｒＨ２にそれぞれ対応する外部接続用ランドが配列形成されている。

第１４層ＰＬ１４の長手方向に沿った他方の側辺付近には、当該長手方向に沿って、駆動電圧Ｖｄｄおよび制御電圧Ｖｃ１−Ｖｃ３を印加するための外部接続用ランド（図２のＶｄｄ，Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３に対応）および、アンテナポートＰａｎに対応する外部接続用ランドが配列形成されている。

第１４層ＰＬ１４の短手方向に沿った一方の側辺付近には、第１送信信号入力ポートＰｔＬおよび第２送信信号入力ポートＰｔＨに対応する外部接続用ランドが形成されている。

第１４層ＰＬ１４の短手方向に沿った他方の側辺付近には、当該短手方向に沿って、第１，第２入出力ポートＰｕｍｔ１，Ｐｕｍｔ２に対応する外部接続用ランドが形成されている。

以上のような構造により、積層体と当該積層体に実装される実装回路部品とからなる高周波モジュール１０Ａが形成される。

このような構造において、上述のように、スイッチＩＣ１１の一つの個別端子に複数のＳＡＷフィルタが接続する構造を用いることで、個別端子毎に一つのＳＡＷフィルタＳＡＷ１を接続する構造よりも、積層体を小型化することができる。

その上で、上述の本実施形態の構成（個別端子に接続する二個のＳＡＷフィルタＳＡＷの接続の組み合わせを工夫すること）で、通信信号の電送経路間で高いアイソレーションを確保できる小型の高周波モジュールを実現することができる。

次に、第２の実施形態に係る高周波モジュールについて図を参照して説明する。図６は本実施形態の高周波モジュール１０Ｂの回路構成図である。

本実施形態の高周波モジュール１０Ｂは、第１の実施形態に示した高周波モジュール１０Ａに対して、スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３，ＰＩＣ１４に接続する回路構成が異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、異なる箇所のみを説明する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ３との間には、キャパシタＣＡ２が接続され、当該キャパシタＣＡ２のＳＡＷフィルタＳＡＷ３側はインダクタＬＡ２によりグランドへ接続されている。これにより、キャパシタＣＡ２とインダクタＬＡ２とからなるＬ型の高域通過フィルタ回路が構成される。この高域通過フィルタ回路からなる位相回路を設け、キャパシタＣＡ２およびインダクタＬＡ２の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ８５０通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ１側の伝送経路と、ＧＳＭ１８００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ３側の伝送経路との間に、さらに高いアイソレーションを確保することができる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ４との間には、キャパシタＣＢ２が接続され、当該キャパシタＣＢ２のＳＡＷフィルタＳＡＷ４側はインダクタＬＢ２によりグランドへ接続されている。これにより、キャパシタＣＢ２とインダクタＬＢ２とからなるＬ型の高域通過フィルタ回路が構成される。この高域通過フィルタ回路からなる位相回路を設け、キャパシタＣＢ２およびインダクタＬＢ２の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＧＳＭ１９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ４側の伝送経路との間に、さらに高いアイソレーションを確保することができる。

次に、第３の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図７は本実施形態の高周波モジュール１０Ｃの回路構成図である。

本実施形態の高周波モジュール１０Ｃは、ＧＳＭ９００通信信号、ＧＳＭ１８００通信信号、ＧＳＭ１９００通信信号を切り替えて送受信する高周波モジュールである。高周波モジュール１０Ｃは、高周波モジュール１０Ａに対して、基本的にスイッチＩＣ１１の受信系の回路構成が異なるものであるので、当該受信系の回路構成のみを具体的に説明する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３は、単体のＳＡＷフィルタＳＡＷ２およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ３に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｃの第２受信信号出力ポートＰｒＬ２に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｃの第３受信信号出力ポートＰｒＨ１に接続している。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間にはインダクタＬＡ３が接続され、当該インダクタＬＡ３のＳＡＷフィルタＳＡＷ２側はキャパシタＣＡ３によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡ３とキャパシタＣＡ３とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ３との間にはキャパシタＣＡ４が接続され、当該キャパシタＣＡ４のＳＡＷフィルタＳＡＷ３側はインダクタＬＡ４によりグランドへ接続されている。これにより、キャパシタＣＡ４とインダクタＬＡ４とからなるＬ型の高域通過フィルタ回路が構成される。

これらの低域通過フィルタ回路および高域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＡ３，ＬＡ４およびキャパシタＣＡ３，ＣＡ４の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＧＳＭ１８００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ３側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４はＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ４に接続している。このＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４として、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３と一体形成されているが、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３と異なる個別端子に接続されているので、ＧＳＭ１９００通信信号の伝送経路も、他の通信信号（ＧＳＭ１８００通信信号等）の伝送回路に対して高いアイソレーションを確保することができる。

次に、第４の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図８は本実施形態の高周波モジュール１０Ｄの回路構成図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｄも、第３の実施形態の高周波モジュール１０Ｃと同様に、ＧＳＭ９００通信信号、ＧＳＭ１８００通信信号、ＧＳＭ１９００通信信号を切り替えて送受信する高周波モジュールである。そして、第３の実施形態の高周波モジュール１０Ｃに対して、ＳＡＷフィルタＳＡＷ４が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３が個別端子ＰＩＣ１４に接続したものである。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３は、単体のＳＡＷフィルタＳＡＷ２およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ４に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｄの第２受信信号出力ポートＰｒＬ２に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｄの第４受信信号出力ポートＰｒＨ２に接続している。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間にはインダクタＬＡ５が接続され、当該インダクタＬＡ５のＳＡＷフィルタＳＡＷ２側はキャパシタＣＡ５によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡ５とキャパシタＣＡ５とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ４との間にはキャパシタＣＡ６が接続され、当該キャパシタＣＡ６のＳＡＷフィルタＳＡＷ４側はインダクタＬＡ６によりグランドへ接続されている。これにより、キャパシタＣＡ６とインダクタＬＡ６とからなるＬ型の高域通過フィルタ回路が構成される。

これらの低域通過フィルタ回路および高域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＡ５，ＬＡ６およびキャパシタＣＡ５，ＣＡ６の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＧＳＭ１９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ４側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４はＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ３に接続している。このＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４として、ＳＡＷフィルタＳＡＷ４と一体形成されているが、ＳＡＷフィルタＳＡＷ４と異なる個別端子に接続されているので、ＧＳＭ１８００通信信号の伝送経路も、他の通信信号（ＧＳＭ１９００通信信号等）の伝送回路に対して高いアイソレーションを確保することができる。

次に、第５の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図９は本実施形態の高周波モジュール１０Ｅの回路構成図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｅは、高周波モジュール１０Ａに対して、基本的にスイッチＩＣ１１の受信系の回路構成が異なるものであるので、当該受信系の回路構成のみを具体的に説明する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２のＳＡＷフィルタＳＡＷ１に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｅの第５受信信号出力ポートＰｒＬ１に接続している。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２のＳＡＷフィルタＳＡＷ２およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ３に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｅの第５受信信号出力ポートＰｒＬ２に接続している。すなわち、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２の平衡端子は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ２で共通化されている。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｅの第６受信信号出力ポートＰｒＨ１に接続している。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１７は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ１４に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１７に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｅの第６受信信号出力ポートＰｒＨ２に接続している。すなわち、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４の平衡端子は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ２で共通化されている。このように、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２，ＳＤＰ３４の平衡端子が共通化されることで、高周波モジュール１０Ｅをさらに小型化できる。また、さらに、積層体の配線パターン等に対する設計の自由度も向上することができる。

個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間にはインダクタＬＡ７が接続され、当該インダクタＬＡ７のＳＡＷフィルタＳＡＷ２側はキャパシタＣＡ７によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡ７とキャパシタＣＡ７とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷ３との間にはキャパシタＣＡ８が接続され、当該キャパシタＣＡ８のＳＡＷフィルタＳＡＷ３側はインダクタＬＡ８によりグランドへ接続されている。これにより、キャパシタＣＡ８とインダクタＬＡ８とからなるＬ型の高域通過フィルタ回路が構成される。

これらの低域通過フィルタ回路および高域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＡ７，ＬＡ８およびキャパシタＣＡ７，ＬＡ８の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＧＳＭ１８００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ３側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

次に、第６の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１０は本実施形態の高周波モジュール１０Ｆの回路構成図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｆは、高周波モジュール１０Ａに対して、基本的にスイッチＩＣ１１の受信系の回路構成が異なるものであるので、当該受信系の回路構成のみを具体的に説明する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３はＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１３のＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ３に接続している。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１３は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ３が単一の筐体に組み込まれた回路素子である。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｆの第１受信信号出力ポートＰｒＬ１に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｆの第３受信信号出力ポートＰｒＨ１に接続している。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ１との間にはインダクタＬＡ１０が接続され、当該インダクタＬＡ１０のＳＡＷフィルタＳＡＷ１側はキャパシタＣＡ１０によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡ１０とキャパシタＣＡ１０とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

この低域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＡ１０およびキャパシタＣＡ１０の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ８５０通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ１側の伝送経路と、ＧＳＭ１８００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ３側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。すなわち、個別端子ＰＩＣ１３にそれぞれ接続するＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ３で単一のＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１３を構成していても、上述の実施形態と同様の作用効果が得られる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４はＳＡＷデュプレクサＳＤＰ２４のＳＡＷフィルタＳＡＷ２，ＳＡＷ４に接続している。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ２４は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ２，ＳＡＷ４が単一の筐体に組み込まれた回路素子である。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｆの第２受信信号出力ポートＰｒＬ２に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｆの第４受信信号出力ポートＰｒＨ２に接続している。

個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間にはインダクタＬＢ１０が接続され、当該インダクタＬＢ１０のＳＡＷフィルタＳＡＷ２側はキャパシタＣＢ１０によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＢ１０とキャパシタＣＢ１０とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

この低域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＢ１０およびキャパシタＣＢ１０の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＧＳＭ１９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ４側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。すなわち、個別端子ＰＩＣ１４にそれぞれ接続するＳＡＷフィルタＳＡＷ２，ＳＡＷ４で単一のＳＡＷデュプレクサＳＤＰ２４を構成していても、上述の実施形態と同様の作用効果が得られる。

なお、本実施形態の高周波モジュール１０Ｆは、上述の第１の実施形態に示した高周波モジュール１０Ａのように、近接する周波数帯域を通過帯域とするＳＡＷフィルタ同士を、単一の筐体に組み込んだ構造ではなく、離間した周波数帯域を通過帯域とするＳＡＷフィルタ同士を、単一の筐体に組み込んだ構造である。

このような構造であっても、第１の実施形態等と同様に、積層体で高周波モジュールを実現することができる。図１１は本実施形態の高周波モジュール１０Ｆの積層図である。なお、本実施形態の高周波モジュール１０Ｆの積層構造は、第１の実施形態に示した高周波モジュール１０Ａの積層構造とほぼ同じであるので、詳細な説明は省略する。

ただし、本実施形態の積層構造では、個別端子とＳＡＷデュプレクサとの間に形成する位相回路のキャパシタを積層体の内部電極パターンにより形成している。このように、所望とする各特性に基づいて、キャパシタを積層体内に設けてもよい。この際、内層グランド電極に近接する層に一方の対向電極を形成し、他方の対向電極を内層グランド電極により兼用するようにするとよりよく、さらに正確に所望のアイソレーションを得ることができる。

次に、第７の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１２は本実施形態の高周波モジュール１０Ｇの回路構成図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｇも、高周波モジュール１０Ｆと同様に、高周波モジュール１０Ａに対して、基本的にスイッチＩＣ１１の受信系の回路構成が異なるものであるので、当該受信系の回路構成のみを具体的に説明する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３はＳＡＷデュプレクサＳＤＰ２３のＳＡＷフィルタＳＡＷ２，ＳＡＷ３に接続している。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ２３は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ２，ＳＡＷ３が単一の筐体に組み込まれた回路素子である。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｇの第２受信信号出力ポートＰｒＬ２に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｇの第３受信信号出力ポートＰｒＨ１に接続している。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間にはインダクタＬＡ１１が接続され、当該インダクタＬＡ１１のＳＡＷフィルタＳＡＷ２側はキャパシタＣＡ１１によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡ１１とキャパシタＣＡ１１とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

この低域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＡ１１およびキャパシタＣＡ１１の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＧＳＭ１８００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ３側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。すなわち、個別端子ＰＩＣ１３にそれぞれ接続するＳＡＷフィルタＳＡＷ２，ＳＡＷ３で単一のＳＡＷデュプレクサＳＤＰ２３を構成していても、上述の実施形態と同様の作用効果が得られる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４はＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１４のＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ４に接続している。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１４は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ４が単一の筐体に組み込まれた回路素子である。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｇの第１受信信号出力ポートＰｒＬ１に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｇの第４受信信号出力ポートＰｒＨ２に接続している。

個別端子ＰＩＣ１４とＳＡＷフィルタＳＡＷ１との間にはインダクタＬＢ１１が接続され、当該インダクタＬＢ１１のＳＡＷフィルタＳＡＷ１側はキャパシタＣＢ１１によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＢ１１とキャパシタＣＢ１１とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

この低域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＢ１１およびキャパシタＣＢ１１の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ８５０通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ１側の伝送経路と、ＧＳＭ１９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ４側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。すなわち、個別端子ＰＩＣ１４にそれぞれ接続するＳＡＷフィルタＳＡＷ１，ＳＡＷ４で単一のＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１４を構成していても、上述の実施形態と同様の作用効果が得られる。

次に、第８の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１３は本実施形態の高周波モジュール１０Ｇの回路構成図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｈは、高周波モジュール１０Ａに対して、基本的にスイッチＩＣ１１の受信系の回路構成が異なるものであるので、当該受信系の回路構成のみを具体的に説明する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１８はＳＡＷデュプレクサＳＤＰ５６のＳＡＷフィルタＳＡＷ５，ＳＡＷ６に接続している。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ５６は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ５，ＳＡＷ６が単一の筐体に組み込まれた回路素子である。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ５は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ８５０通信信号の受信周波数帯域およびＧＳＭ９００通信信号の受信周波数帯域の両方を含む周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ５は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１８に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｈの第５受信信号出力ポートＰｒＬ１２に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ６は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ１８００通信信号の受信周波数帯域およびＧＳＭ１９００通信信号の受信周波数帯域の両方を含む周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ６は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１８に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｆの第６受信信号出力ポートＰｒＨ１２に接続している。

個別端子ＰＩＣ１８とＳＡＷフィルタＳＡＷ５との間にはインダクタＬＡ２０が接続され、当該インダクタＬＡ２０のＳＡＷフィルタＳＡＷ５側はキャパシタＣＡ２０によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡ２０とキャパシタＣＡ２０とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。

個別端子ＰＩＣ１８とＳＡＷフィルタＳＡＷ６との間にはキャパシタＣＢ２０が接続され、当該キャパシタＣＢ２０のＳＡＷフィルタＳＡＷ６側はインダクタＬＢ２０によりグランドへ接続されている。これにより、キャパシタＣＢ２０とインダクタＬＢ２０とからなるＬ型の高域通過フィルタ回路が構成される。

これらの低域通過フィルタ回路および高域通過フィルタ回路からなる各位相回路を設け、インダクタＬＡ２０，ＬＢ２０およびキャパシタＣＡ２０，ＣＢ２０の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ８５０通信信号およびＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ５側の伝送経路と、ＧＳＭ１８００通信信号およびＧＳＭ１９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ６側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

そして、本実施形態の構成を用いることで、スイッチＩＣ１１の個別端子数、ＳＡＷフィルタおよびＳＡＷデュプレクサ数、外部接続用のポート数を低減することができる。これにより、より小型の高周波モジュールを実現することができる。

次に、第９の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１４は本実施形態の高周波モジュール１０Ｊの回路構成図である。本実施形態の高周波モジュール１０Ｊは、上述の各実施形態に示した、ＧＳＭ系の通信信号とともに、ＴＤＳＣＤＭＡ系の二つの通信信号、具体的には、ＴＤＳＣＤＭＡ１．９通信信号（１．９ＧＨｚ帯の周波数）およびＴＤＳＣＤＭＡ２．０通信信号（２．０ＧＨｚ帯の周波数）を、単独のアンテナＡＮＴで切り替えて送受信する高周波モジュールである。なお、本実施形態の高周波モジュール１０Ｊも基本的な構成および概念は第１の実施形態に示した高周波モジュール１０Ａと同じである。以下では、第１の実施形態の高周波モジュール１０Ａと異なる箇所についてのみ具体的な説明を行う。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ２１は、第３送信側フィルタ１３Ｃを介して、高周波モジュール１０Ｊの第３送信信号入力ポートＰｔＣＤに接続されている。第３送信信号入力ポートＰｔＣＤには、ＴＤＳＣＤＭＡ１．９通信信号の送信信号もしくはＴＤＳＣＤＭＡ２．０通信信号の送信信号が入力される。第３送信側フィルタ１３Ｃは、ＴＤＳＣＤＭＡ１．９通信信号およびＴＤＳＣＤＭＡ２．０通信信号の送信周波数帯域を通過帯域に含み、これらの２次高調波および３次高調波を含む高次高調波を減衰帯域に含む特性を有する。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１３は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２のＳＡＷフィルタＳＡＷ１およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ７８のＳＡＷフィルタＳＡＷ７に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ８５０通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ１は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ａの第１受信信号出力ポートＰｒＬ１に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ７は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＴＤＳＣＤＭＡ１．９通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ７は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１３に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ａの第７受信信号出力ポートＰｒＣＤ１に接続している。

個別端子ＰＩＣ１３とＳＡＷフィルタＳＡＷ１との間にはインダクタＬＡ３０が接続され、当該インダクタＬＡ３０のＳＡＷフィルタＳＡＷ１側はキャパシタＣＡ３０によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＡ３０とキャパシタＣＡ３０とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。この低域通過フィルタ回路からなる位相回路を設け、インダクタＬＡ３０およびキャパシタＣＡ３０の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ８５０通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ１側の伝送経路と、ＴＤＳＣＤＭＡ１．９通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ７側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１９は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ１２のＳＡＷフィルタＳＡＷ２およびＳＡＷデュプレクサＳＤＰ７８のＳＡＷフィルタＳＡＷ８に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ９００通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ２は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１９に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｊの第２受信信号出力ポートＰｒＬ２に接続している。

ＳＡＷフィルタＳＡＷ８は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＴＤＳＣＤＭＡ２．０通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ８は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１９に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｊの第８受信信号出力ポートＰｒＣＤ２に接続している。

個別端子ＰＩＣ１９とＳＡＷフィルタＳＡＷ２との間にはインダクタＬＢ３０が接続され、当該インダクタＬＢ３０のＳＡＷフィルタＳＡＷ２側はキャパシタＣＢ３０によりグランドへ接続されている。これにより、インダクタＬＢ３０とキャパシタＣＢ３０とからなるＬ型の低域通過フィルタ回路が構成される。この低域通過フィルタ回路からなる位相回路を設け、インダクタＬＢ３０およびキャパシタＣＢ３０の素子値を適宜設定することで、ＧＳＭ９００通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ２側の伝送経路と、ＴＤＳＣＤＭＡ２．０通信信号を伝送するＳＡＷフィルタＳＡＷ８側の伝送経路との間に高いアイソレーションを確保することができる。

スイッチＩＣ１１の個別端子ＰＩＣ１４は、ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４のＳＡＷフィルタＳＡＷ３，ＳＡＷ４に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ１８００通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ３は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｊの第３受信信号出力ポートＰｒＨ１に接続している。ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡平衡変換機能付きＳＡＷフィルタであり、ＧＳＭ１９００通信信号の受信周波数帯域を通過帯域とするフィルタである。ＳＡＷフィルタＳＡＷ４は、不平衡端子が個別端子ＰＩＣ１４に接続し、平衡端子が高周波モジュール１０Ｊの第４受信信号出力ポートＰｒＨ２に接続している。

ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４の不平衡端子側は、ＳＡＷフィルタＳＡＷ３，ＳＡＷ４で共通の端子である。ＳＡＷデュプレクサＳＤＰ３４の当該共通端子と個別端子ＰＩＣ１４との間の伝送線路は、所定の位置において、インダクタＬ２２によってグランドに接続されている。

このような構成であっても、低損失で小型の高周波モジュールを実現することができる。

なお、各実施形態に示した各高周波モジュールは本願特徴を具体化する一部の例を示すものであり、少なくとも周波数が近接する二つの通信信号とこれら二つの通信信号の周波数から所定周波数以上離間した周波数の通信信号とを含む三つ以上の通信信号を、共通のアンテナで、スイッチＩＣおよびフィルタを用いて送受信する高周波モジュールであれば、上述の構成を適用することができる。また、上述の説明では、受信系回路のＳＡＷフィルタを用いた例を示したが、他のフィルタ回路を用いてもよい。

また、上述の説明では、周波数が近接する通信信号および周波数が離間する通信信号の具体的な概念を明確に示しているわけではないが、例えば近接する通信信号とは、互いの通信信号の周波数帯域が送信帯域と受信帯域とで部分的に重なるような場合や、同じオーダ（例えば１００ＭＨｚオーダ同士）のような場合を想定すればよい。そして、離間している周波数帯域とは、互いの周波数帯域が所定周波数間隔以上離間している場合や、異なるオーダ（例えば１００ＭＨｚオーダと１ＧＨｚオーダ）のような場合を想定すればよい。また、それぞれに異なる周波数帯域の通信信号が三つ存在する場合に、相対的に周波数帯域が近い二つの通信信号を近接する周波数の通信信号とし、相対的に他の二つの通信信号に対して周波数帯域が遠い通信信号を離間した周波数の通信信号としてもよい。

１０Ａ−１０Ｈ，１０Ｊ，１０Ｐ：高周波スイッチモジュール、１１：スイッチＩＣ、１２：アンテナ側整合回路、１３Ａ：第１送信側フィルタ、１３Ｂ：第２送信側フィルタ、１３Ｃ：第３送信側フィルタ、ＳＡＷ１，ＳＡＷ２，ＳＡＷ３，ＳＡＷ４，ＳＡＷ５，ＳＡＷ６，ＳＡＷ７，ＳＡＷ８：ＳＡＷフィルタ、ＳＤＰ１２，ＳＤＰ３４，ＳＤＰ１３，ＳＤＰ２４，ＳＤＰ１４，ＳＤＰ２３，ＳＤＰ５６，ＳＤＰ７８−ＳＡＷデュプレクサ

Claims (10)

1. 共通端子および複数の個別端子を備えたスイッチＩＣと、
   該スイッチＩＣの前記個別端子に接続し、通信信号毎に通過帯域が設定された複数のフィルタと、を備えた高周波モジュールであって、
   前記複数のフィルタは、互いに周波数帯域が近接する第１通信信号および第２通信信号の周波数をそれぞれ通過帯域とする第１帯域通過フィルタおよび第２帯域通過フィルタと、前記第１通信信号および前記第２通信信号に対して周波数が離間した第３通信信号の周波数を通過帯域とする第３帯域通過フィルタとを、少なくとも備え、
   前記スイッチＩＣの第１個別端子に前記第１帯域通過フィルタと第３帯域通過フィルタとが接続し、
   前記スイッチＩＣの第２個別端子に前記第２帯域通過フィルタが接続し、
   前記第１帯域通過フィルタと前記第１個別端子との間および前記第３帯域通過フィルタと前記第１個別端子との間の少なくとも一方に、位相をシフトさせる位相回路が備えられている、高周波モジュール。
2. 請求項１に記載の高周波モジュールであって、
   前記第３通信信号に相当する通信信号が複数存在する場合に、前記第１帯域通過フィルタに対して周波数帯域内での位相変化が少なく且つ反射強度が大きい通信信号を前記第３通信信号に設定する、高周波モジュール。
3. 請求項１または請求項２に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１通信信号の周波数は、前記第３通信信号の周波数よりも低周波数であり、
   前記第１帯域通過フィルタと第１個別端子との間に備えられている位相回路は、低域通過フィルタ型である、高周波モジュール。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１通信信号の周波数は、前記第３通信信号の周波数よりも低周波数であり、
   前記第２帯域通過フィルタと前記第２個別端子との間に、低域通過フィルタ型の位相回路が備えられている、高周波モジュール。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の高周波モジュールであって、
   前記第３通信信号と周波数が近接する第４通信信号の周波数を通過帯域とする第４帯域通過フィルタを備え、
   前記スイッチＩＣの第３個別端子に前記第４帯域通過フィルタが接続する、高周波モジュール。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の高周波モジュールであって、
   前記第３通信信号と周波数が近接する第４通信信号の周波数を通過帯域とする第４帯域通過フィルタを備え、
   前記スイッチＩＣの第２個別端子に前記第４帯域通過フィルタが接続する、高周波モジュール。
7. 請求項５または請求項６に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１通信信号および前記第２通信信号の周波数は前記第４通信信号の周波数よりも低周波数であり、
   前記第３帯域通過フィルタと前記第１個別端子との間に備えられている位相回路は、高域通過フィルタ型である、高周波モジュール。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１通信信号および前記第２通信信号の周波数は前記第４通信信号の周波数よりも低周波数であり、
   前記第４帯域通過フィルタとこれに接続する個別端子との間に、高域通過フィルタ型の位相回路が備えられている、高周波モジュール。
9. 請求項５乃至請求項８のいずれか一項に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１帯域通過フィルタ、前記第２帯域通過フィルタ、前記第３帯域通過フィルタ、および前記第４帯域通過フィルタは、誘電体からなる積層体に実装される実装型フィルタであり、
   前記第１帯域通過フィルタと前記第３帯域通過フィルタとが近接して実装されるか、または前記第２帯域通過フィルタと前記第４帯域通過フィルタとが近接して実装されるか、前記第１帯域通過フィルタと前記第３帯域通過フィルタとが近接して実装され且つ前記第２帯域通過フィルタと前記第４帯域通過フィルタとが近接して実装されている、高周波モジュール。
10. 請求項９に記載の高周波モジュールであって、
    前記第１帯域通過フィルタと前記第３帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成するか、または前記第２帯域通過フィルタと前記第４帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成するか、前記第１帯域通過フィルタと前記第３帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成し且つ前記第２帯域通過フィルタと前記第４帯域通過フィルタとでパッケージ型デュプレクサを構成している、高周波モジュール。

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