JP6457086B2 - 口径比を大きくした有機発光ダイオードディスプレイ - Google Patents
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Description
本発明は、概してディスプレイに関し、特に有機発光ダイオードディスプレイに関する。
Claims (20)
- 画素のアレイであって、前記画素のアレイのそれぞれの画素がアノード及びカソードを有する有機発光ダイオードを有し、前記画素のアレイのそれぞれの画素が少なくとも1つの駆動トランジスタ及び少なくとも1つのスイッチングトランジスタを含むトランジスタを有する薄膜トランジスタ回路を有する、画素のアレイと、
水平制御線であって、前記トランジスタ内のゲートに連結されており、前記アレイ内の前記画素の行に制御信号を供給する、水平制御線と、
前記アレイ内の前記画素の列と関連付けられたデータ線と、
前記アレイ内の前記画素の列と関連付けられた電圧初期化線と、
を備え、各画素において、前記スイッチングトランジスタが、前記電圧初期化線のうちの1つを該画素内の前記有機発光ダイオードの前記アノードに連結し、前記薄膜トランジスタ回路が、前記トランジスタ用の半導体チャネルを形成する半導体層と、前記半導体層に隣接するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に隣接し、ゲートを形成するようにパターン化されているゲート層と、前記トランジスタ用のソース−ドレイン端子を形成するようにパターン化されているソース−ドレイン層と、前記ソース−ドレイン層上の誘電体層と、前記画素内で前記アノードを形成するようにパターン化されている金属アノード層と、前記誘電体層と前記金属アノード層との間に介在する有機不活性化層と、前記金属アノード層の一部分から形成されておらず、前記電圧初期化線を形成するようにパターン化されている追加金属層と、を含む、ディスプレイ。 - 前記追加金属層が前記誘電体層と前記有機不活性化層との間に介在する、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記誘電体層を貫通し、前記追加金属層を前記ソース−ドレイン層に電気的に接続するビアを更に備え、
前記誘電体層が窒化ケイ素層を含む、請求項2に記載のディスプレイ。 - 各画素の前記薄膜トランジスタ回路がコンデンサを含み、前記追加金属層が、前記コンデンサ用の電極を形成するようにパターン化されている一部分を有する、請求項2に記載のディスプレイ。
- 前記ソース−ドレイン層が、各画素内の前記コンデンサ用の追加電極を形成する一部分を有し、前記誘電体層が、前記コンデンサ用の前記電極を形成するようにパターン化されている前記追加金属層の前記一部分と、前記追加電極を形成する前記ソース−ドレイン層の前記一部分との間に介在し、
前記ディスプレイが、前記ソース−ドレイン層と前記ゲート層との間に介在する層間誘電体を更に備える、請求項4に記載のディスプレイ。 - 前記追加金属層が、前記トランジスタの下にシールド層を形成する一部分を有する、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記半導体層と前記追加金属層との間にバッファ層を更に備える、請求項6に記載のディスプレイ。
- 各画素の前記薄膜トランジスタ回路がコンデンサを含み、前記追加金属層が、前記コンデンサ用の電極を形成するようにパターン化されている一部分を有する、請求項7に記載のディスプレイ。
- 前記ゲート層が、各画素内の前記コンデンサ用の追加電極を形成する一部分を有する、請求項8に記載のディスプレイ。
- 前記半導体層が、各画素内の前記コンデンサ用の追加電極を形成する一部分を有し、
前記ディスプレイが、前記ソース−ドレイン層と前記ゲート層との間に介在する第1及び第2の層間誘電体層を更に備え、前記追加金属層が前記第1の層間誘電体層と前記第2の層間誘電体層との間に介在する、請求項8に記載のディスプレイ。 - 前記追加金属層が前記ゲート層と前記ソース−ドレイン層との間に介在する、請求項1に記載のディスプレイ。
- 各画素の前記薄膜トランジスタ回路がコンデンサを含み、前記追加金属層が、前記コンデンサ用の電極を形成するようにパターン化されている一部分を有する、請求項10に記載のディスプレイ。
- 前記ゲート層が、各画素内の前記コンデンサ用の追加電極を形成する一部分を有する、請求項12に記載のディスプレイ。
- 前記ソース−ドレイン層が、各画素内の前記コンデンサ用の追加電極を形成する一部分を有する、請求項12に記載のディスプレイ。
- 前記トランジスタの下の金属シールド層と、
前記金属シールド層と前記半導体層との間に介在する第1の誘電体バッファ層と、
前記追加金属層と前記金属シールド層との間に介在する第2の誘電体バッファ層と、
を更に備える、請求項1に記載のディスプレイ。 - 前記トランジスタの下の金属シールド層と、
前記金属シールド層と前記半導体層との間に介在する第1の誘電体バッファ層と、
第2の誘電体バッファ層と、
を更に備え、前記金属シールド層が、前記第1の誘電体バッファ層と前記第2の誘電体バッファ層との間に介在し、前記追加金属層が、前記第1の誘電体バッファ層と前記ゲート絶縁層との間に介在する、請求項1に記載のディスプレイ。 - 前記ソース−ドレイン層と前記ゲート層との間に層間誘電体層を更に備え、前記追加金属層が、前記層間誘電体層と前記ゲート絶縁層との間に介在し、前記ゲート層の一部分から形成される、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記追加金属層が前記ソース−ドレイン層の一部分から形成される、請求項1に記載のディスプレイ。
- 画素のアレイであって、前記画素のアレイのそれぞれの画素がアノード及びカソードを有する有機発光ダイオードを有し、前記画素のアレイのそれぞれの画素が少なくとも1つの駆動トランジスタ及び少なくとも1つのスイッチングトランジスタを含むトランジスタを有する薄膜トランジスタ回路を有する、画素のアレイと、
水平制御線であって、前記トランジスタ内のゲートに連結されており、前記アレイ内の前記画素の行に制御信号を供給する、水平制御線と、
前記アレイ内の前記画素の列と関連付けられたデータ線と、
前記アレイ内の前記画素の列と関連付けられた電圧初期化線と、
を備え、各画素において、前記スイッチングトランジスタが、前記電圧初期化線のうちの1つを該画素内の前記有機発光ダイオードの前記アノードに連結し、前記薄膜トランジスタ回路が、前記トランジスタ用の半導体チャネルを形成する半導体層と、前記半導体層に隣接するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に隣接し、ゲートを形成するようにパターン化されているゲート層と、前記トランジスタ用のソース−ドレイン端子を形成するようにパターン化されているソース−ドレイン層と、前記ソース−ドレイン層上の誘電体層と、前記画素内で前記アノードを形成するようにパターン化されている金属アノード層と、前記誘電体層と前記金属アノード層との間に介在する有機不活性化層と、前記金属アノード層の一部分から形成されておらず、前記電圧初期化線を形成するようにパターン化されている追加金属層と、を含み、前記追加金属層が、前記電圧初期化線とは別個であるシールド層を前記トランジスタの下に形成する一部分を有する、ディスプレイ。 - 画素のアレイであって、前記画素のアレイのそれぞれの画素がアノード及びカソードを有する有機発光ダイオードを有し、前記画素のアレイのそれぞれの画素が少なくとも1つの駆動トランジスタ及び少なくとも1つのスイッチングトランジスタを含むトランジスタを有する薄膜トランジスタ回路を有する、画素のアレイと、
水平制御線であって、前記トランジスタ内のゲートに連結されており、前記アレイ内の前記画素の行に制御信号を供給する水平制御線と、
前記アレイ内の前記画素の列と関連付けられたデータ線と、
前記アレイ内の前記画素の列と関連付けられた電圧初期化線と、
を備え、各画素において、前記スイッチングトランジスタが、前記電圧初期化線のうちの1つを該画素内の前記有機発光ダイオードの前記アノードに連結し、前記薄膜トランジスタ回路が、前記トランジスタ用の半導体チャネルを形成する半導体層と、前記半導体層に隣接するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層に隣接し、ゲートを形成するようにパターン化されているゲート層と、前記トランジスタ用のソース−ドレイン端子を形成するようにパターン化されているソース−ドレイン層と、前記ソース−ドレイン層上の誘電体層と、前記画素内で前記アノードを形成するようにパターン化されている金属アノード層と、前記誘電体層と前記金属アノード層との間に介在する有機不活性化層と、前記電圧初期化線を形成するようにパターン化されている前記ゲート層の一部と、を含む、ディスプレイ。
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