JP6452315B2 - 増幅器 - Google Patents
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Description
図1を参照して、この発明の実施の形態1の増幅器について説明する。
図中、1はトランジスタ(能動素子)である。トランジスタ1は、例えば、ソース端子を電気的に接地した電界効果トランジスタ(Field effect transistоr,FET)で構成されている。トランジスタ1は、ゲート端子に入力された信号の振幅を増幅して、ドレイン端子から出力する。
図2は、増幅器100の動作周波数の2倍波周波数を用いた等価回路を示している。トランジスタ1のゲート端子と入力端子5との間に、2つのインダクタLw1,L1が直列に接続されている。インダクタLw1のインダクタンス成分(誘導成分)は、ワイヤ2aのインダクタンス成分と対応している。インダクタL1のインダクタンス成分は、伝送線路3aのインダクタンス成分と対応している。
図4は、従来の増幅器の反射係数ΓTR及び反射係数ΓRをスミスチャート上に表した説明図である。ここで、抵抗素子Rの抵抗成分は0Ω、キャパシタCのキャパシタンス成分は0.56ピコファラド(pF)、インダクタL1のインダクタンス成分は0.20ナノヘンリー(nH)、インダクタLw1のインダクタンス成分は0.20nH、キャパシタCp1のキャパシタンス成分は0.36pF、キャパシタCp2のキャパシタンス成分は0.37pFである。また、入力信号の周波数は14〜16ギガヘルツ(GHz)であり、終端抵抗は50Ωである。
図7は、増幅器100の動作周波数の基本波周波数を用いた等価回路を示している。なお、図2に示す2倍波周波数の等価回路と同様の回路素子には同一符号を付して説明を省略する。
図8は、図7に示すインダクタLw1と接合部a間の点Xからトランジスタ1を見たインピーダンスZxと、接合部bと入力端子5間の点Yからトランジスタ1を見たインピーダンスZyとをスミスチャート上に表した説明図である。スミスチャートでは、インピーダンスに含まれる抵抗成分の値が小さいほど、スミスチャートの中央部を横切る軸(抵抗軸)の左側に表される。
図10を参照して、実施の形態1と異なる形状の並列共振回路を用いた増幅器について説明する。なお、図1に示す実施の形態1の増幅器100と同様の構成部材には同一符号を付して説明を省略する。
すなわち、2倍波周波数においては、高調波処理回路に薄膜抵抗7を設けたことにより、反射振幅|ΓTR|の値が1未満になる。これにより、トランジスタ1が負性抵抗を有する場合にも、反射振幅|ΓTR|に反射利得を積算した値を1未満とすることで、不要な発振を抑制することができる。
Claims (8)
- 入力信号を増幅する能動素子と、
前記入力信号が入力される入力端子と前記能動素子との間に接続したインダクタと、該インダクタに対して並列に接続したキャパシタとを有し、前記能動素子の動作周波数に対する高調波周波数によって並列共振状態に設定してなる並列共振回路と、
前記キャパシタに対して直列に接続した抵抗素子と、
を具備し、
前記キャパシタは、間隙部を介して互いに対向した1対の櫛形電極からなるインターデジタルキャパシタで構成し、
前記抵抗素子は、いずれか一方の前記櫛形電極に設けた薄膜抵抗で構成したことを特徴とする増幅器。 - 前記薄膜抵抗は、1対の前記櫛形電極のうち前記能動素子により近い前記櫛形電極の一部に設けたことを特徴とする請求項1記載の増幅器。
- 入力信号を増幅する能動素子と、
前記入力信号が入力される入力端子と前記能動素子との間に接続したインダクタと、該インダクタに対して並列に接続したキャパシタとを有し、前記能動素子の動作周波数に対する高調波周波数によって並列共振状態に設定してなる並列共振回路と、
前記キャパシタに対して直列に接続した抵抗素子と、
を具備し、
前記キャパシタは、1対の金属電極間に絶縁体層を介在させてなる金属絶縁体金属キャパシタで構成し、
前記抵抗素子は、いずれか一方の前記金属電極に接続した薄膜抵抗で構成したことを特徴とする増幅器。 - 前記薄膜抵抗は、1対の前記金属電極のうち前記能動素子により近い前記金属電極に接続したことを特徴とする請求項3記載の増幅器。
- 前記インダクタは、前記高調波周波数に対応する波長の4分の1長さ未満の電気長を有する伝送線路で構成したことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の増幅器。
- 前記伝送線路は、細線状の電極を折り曲げてなるメアンダーライン線路で構成したことを特徴とする請求項5記載の増幅器。
- 前記並列共振回路は、前記動作周波数の2倍又は3倍の前記高調波周波数によって並列共振状態に設定してなることを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載の増幅器。
- 前記能動素子は、ソース端子を電気的に接地した電界効果トランジスタで構成し、
前記インダクタは、前記電界効果トランジスタのゲート端子に接続した
ことを特徴とする請求項1から請求項7のうちのいずれか1項記載の増幅器。
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