JP6437701B1 - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
ダイパッドフレームと、
前記ダイパッドフレームの上面のチップ領域に配置され、上面に第1電極が設けられ且つ下面に第2電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面との間に位置し、前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面とを電気的に接続するダイパッド用導電性接続部材と、
前記半導体チップ、前記ダイパッドフレーム、及び、前記ダイパッド用導電性接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記ダイパッドフレームは、
前記ダイパッドフレームの本体の端部の上側に設けられ且つ前記ダイパッドフレームの前記本体の上面から前記ダイパッドフレームの前記本体の上面と平行な方向に延在し、前記封止樹脂との密着性を向上するための突起部を、有し、
前記突起部の先端には、前記突起部の上面よりも部分的に上方に位置する係止部が設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体チップの上面に配置された第1のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面との間に位置し、前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第1のクリップ用導電性接続部材と、をさらに備える
ことを特徴とする。
前記係止部は、前記突起部の先端の上面から上方に突出する段差を有する
ことを特徴とする。
前記係止部は、前記突起部の先端の上面から上方に段階的に突出する複数の段差を有する
ことを特徴とする。
前記係止部の上部の高さは、前記ダイパッド用導電性接続部材の流れ止めをするように、前記ダイパッド用導電性接続部材の上部の高さよりも、高くなっている
ことを特徴とする。
前記突起部が延在する前記方向において、前記係止部の長さは、前記突起部のうち前記係止部を除く部分の長さよりも、短い
ことを特徴とする。
前記突起部は、前記ダイパッドフレームの前記本体の上面の端部の周囲に沿って、連続的に設けられている
ことを特徴とする。
前記係止部の端部は、矩形の形状、又は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
前記係止部は、前記突起部の先端を上方に押圧することで形成されている
ことを特徴とする。
前記封止樹脂の線膨張係数は、前記ダイパッドフレームの線膨張係数よりも、小さく、且つ、前記半導体チップの線膨張係数よりも、大きい
ことを特徴とする。
前記係止部は、前記突起部の先端を上方に複数回押圧することで形成されている
ことを特徴とする。
前記半導体チップは、
上面に前記第1電極よりも上面の面積が小さい第3電極が設けられている
ことを特徴とする。
前記半導体チップの上面に前記第1のクリップフレームと隣接して配置され、前記第1のクリップフレームよりも上面の面積が小さい第2のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第3電極と前記第2のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第2のクリップ用導電性接続部材と、をさらに備える
ことを特徴とする。
前記第1のクリップ用導電性接続部材、第2のクリップ用導電性接続部材、及びダイパッド用導電性接続部材は、はんだ部材である
ことを特徴とする。
前記半導体チップは、MOSトランジスタであり、
前記第1電極は、前記MOSトランジスタのソース電極であり、
前記第2電極は、前記MOSトランジスタのドレイン電極であり、前記第3電極は、前記MOSトランジスタのゲート電極である
ことを特徴とする。
前記ダイパッドフレームの前記突起部は、前記突起部Tの上面に、前記ダイパッドフレームの前記本体の端部に沿って延在するように、レーザ照射により形成された1つ又は複数のレーザ溝が設けられている
ことを特徴とする。
前記突起部の上面に前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、
前記レーザ溝のうち第1のレーザ溝の底は、前記第1のレーザ溝の幅の中心よりも前記半導体チップが配置されるチップ領域側に偏って位置している
ことを特徴とする。
前記突起部の上面の前記第1のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部Tの上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記係止部側に、傾いている
ことを特徴とする。
前記突起部の上面の前記レーザ溝が延在する長さ方向に垂直な前記レーザ溝の断面形状は、V字形状またはU字形状を有し、前記レーザ溝のうち第2のレーザ溝の底は、前記第2のレーザ溝の幅の中心よりも前記係止部側に偏って位置している
ことを特徴とする。
前記突起部の上面の前記第2のレーザ溝が形成される溝領域に対する前記レーザ照射の方向は、前記突起部の上面の前記溝領域を通る垂直線から、前記半導体チップが配置されるチップ領域側に、傾いている
ことを特徴とする。
前記レーザ照射によって、前記レーザ溝の内面および前記レーザ溝の周縁部が粗面化され、前記ダイパッドフレームの上面において、前記ダイパッド用導電性接続部材の濡れ広がりを抑制するようになっている
ことを特徴とする。
前記ダイパッドフレームは、第1の辺、一端が前記第1の辺の一端に交わる第2の辺、一端が前記第1の辺の他端に一端が交わる第3の辺、及び、一端が前記第2の辺の他端に交わり且つ他端が前記第3の辺に交わる第4の辺を有し、
前記突起部及び前記係止部は、前記第1、第2、及び第3の辺に沿った領域に形成されており、且つ、前記第4の辺に沿った領域には形成されておらず、
前記ダイパッドフレームの上面の前記第4の辺に沿った前記領域には、前記本体を貫通し、前記封止樹脂との密着性を向上するための貫通孔が形成されており、
前記突起部の上面に、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って延在するように、レーザ照射により形成された前記レーザ溝が設けられており、
前記第4の辺に沿って、前記貫通孔が形成された前記領域と前記チップ領域との間に、レーザ照射により形成された1つ又は複数の追加レーザ溝が設けられている
ことを特徴とする。
前記レーザ溝は、前記ダイパッドフレームの前記第1、第2、及び第3の辺に沿って連続的に設けられており、
前記追加レーザ溝の本数は、前記レーザ溝の本数よりも、多い
ことを特徴とする。
前記レーザ溝と前記追加レーザ溝とが連通し、前記半導体チップが配置される前記ダイパッドフレームのチップ領域の外周を囲むように、形成されている
ことを特徴とする。
前記ダイパッドフレームを構成する導電性金属材料は、銅材、又は、銅材にSn、Zn、Fe、Cr、Niの何れかの異種金属を添加した合金であり、前記ダイパッドフレームの表面はめっき処理されていない
ことを特徴とする。
前記係止部の下面と前記突起部の下面との間の段差の高さは、前記係止部の上面と前記突起部の上面との間の段差の高さ以上である
ことを特徴とする。
前記係止部の下面は、前記係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記第1のクリップフレームの上面の端部には、前記半導体チップの上面から離間するように、前記第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部が設けられており、
前記クリップ用係止部の下面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記クリップ用係止部の上面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって下方に傾斜している
ことを特徴とする。
前記係止部の下面に繋がる前記突起部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
前記係止部の下面の端部は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする。
Gate Bipolar Transistor)、他のFET等を適用するようにしてもよい。
DF ダイパッドフレーム(リードフレーム)
CX 半導体チップ
A2 ダイパッド用導電性接続部材
H 封止樹脂
CF1 第1のクリップフレーム
A1 第1のクリップ用導電性接続部材
CF2 第2のクリップフレーム
A3 第2のクリップ用導電性接続部材
DF1 第1の辺
DF2 第2の辺
DF3 第3の辺
DF4 第4の辺
T 突起部
B 本体
LM レーザ溝
LM1、LM2、LM3 レーザ溝
LM4a、LM4b、LM4c、LM4d 追加レーザ溝
Claims (15)
- ダイパッドフレームと、
前記ダイパッドフレームの上面のチップ領域に配置され、上面に第1電極が設けられ且つ下面に第2電極が設けられた半導体チップと、
前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面との間に位置し、前記半導体チップの前記第2電極と前記ダイパッドフレームの上面とを電気的に接続するダイパッド用導電性接続部材と、
前記半導体チップの上面に配置された第1のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面との間に位置し、前記半導体チップの前記第1電極と前記第1のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第1のクリップ用導電性接続部材と、
前記半導体チップ、前記ダイパッドフレーム、前記ダイパッド用導電性接続部材、前記第1のクリップフレーム、及び、前記第1のクリップ用導電性接続部材を封止する封止樹脂と、を備え、
前記ダイパッドフレームは、前記ダイパッドフレームの本体の端部の上側に設けられ且つ前記ダイパッドフレームの前記本体の上面から前記ダイパッドフレームの前記本体の上面と平行な方向に延在し、前記封止樹脂との密着性を向上するための突起部を、有し、
前記突起部の先端には、前記突起部の上面よりも部分的に上方に位置する係止部が設けられており、
前記第1のクリップフレームの上面の端部には、前記半導体チップの上面から離間するように、前記第1のクリップフレームの上面よりも部分的に上方に位置するクリップ用係止部が設けられている
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記係止部は、前記突起部の先端の上面から上方に突出する段差を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部は、前記突起部の先端の上面から上方に段階的に突出する複数の段差を有する
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部の上部の高さは、前記ダイパッド用導電性接続部材の流れ止めをするように、前記ダイパッド用導電性接続部材の上部の高さよりも、高くなっている
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体モジュール。 - 前記突起部が延在する前記方向において、前記係止部の長さは、前記突起部のうち前記係止部を除く部分の長さよりも、短い
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記突起部は、前記ダイパッドフレームの前記本体の上面の端部の周囲に沿って、連続的に設けられている
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部の端部は、矩形の形状、又は、湾曲した形状を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部は、前記突起部の先端を上方に押圧することで形成されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記封止樹脂の線膨張係数は、前記ダイパッドフレームの線膨張係数よりも、小さく、且つ、前記半導体チップの線膨張係数よりも、大きい
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記係止部は、前記突起部の先端を上方に複数回押圧することで形成されている
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体チップは、
上面に前記第1電極よりも上面の面積が小さい第3電極が設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体チップの上面に前記第1のクリップフレームと隣接して配置され、前記第1のクリップフレームよりも上面の面積が小さい第2のクリップフレームと、
前記半導体チップの前記第3電極と前記第2のクリップフレームの下面とを電気的に接続する第2のクリップ用導電性接続部材と、をさらに備える
ことを特徴とする請求項11に記載の半導体モジュール。 - 前記第1のクリップ用導電性接続部材、第2のクリップ用導電性接続部材、及びダイパッド用導電性接続部材は、はんだ部材である
ことを特徴とする請求項12に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体チップは、MOSトランジスタであり、
前記第1電極は、前記MOSトランジスタのソース電極であり、
前記第2電極は、前記MOSトランジスタのドレイン電極であり、前記第3電極は、前記MOSトランジスタのゲート電極である
ことを特徴とする請求項12に記載の半導体モジュール。 - 前記クリップ用係止部の下面は、前記クリップ用係止部の端部に向かって上方に傾斜している
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
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