JP2752677B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に絶縁型半
導体装置の樹脂封止方法に関する。
〔従来の技術〕 従来、この種の絶縁型半導体装置の製造方法は、第４
図（ａ）に示すように、内部放熱板３の先端部に放熱板
支持用のリード９を設けて、樹脂成形時の放熱板位置精
度を確保していた。また、樹脂成形後支持リード部９を
切断しているので、ネジ穴近傍の樹脂側面には放熱板の
一部が露出していた（第４図（ｂ））。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止絶縁型半導体装置の製造方法
は、内部放熱板支持用のリードの一部が露出するため、
外部放熱板に取りつけた場合、外部放熱板〜支持用リー
ドの絶縁性能が低下するという欠点がある。
また、内部放熱板の支持用リード導出部〜外部放熱板
間距離を伸ばすため、ネジ穴近傍の内部放熱板厚を薄く
し、クランク状に曲げた部分から支持リードを導出した
放熱板を使用することが提案されているが、やはり支持
リードの露出は残るので、絶縁性能を十分向上させるこ
とができないという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止絶縁型半導体装置の製造方法は、ペ
レットを搭載する厚肉部と、ネジ穴近傍にクランク状の
加工を施した薄肉部から成る内部放熱板を使用し、樹脂
金型内に作りつけられた、固定ピンにより放熱板を表
面，裏面２方向から固定し、樹脂注入後硬化前に裏面固
定ピンを引き抜く工程を有している。
固定ピンは表面から放熱板厚肉部を、裏面から放熱板
薄肉部を好ましくは保持し、固定ピン先端は円錐形で頭
部は平面となっていることが望ましい。
上述した従来の樹脂封止絶縁型半導体装置に対して、
本発明においては放熱板の支持用リードを廃止し、成形
金型内の固定ピンで位置決めを行ない、成形時，樹脂硬
化前に裏面固定ピンを抜き、裏面ピン穴を埋める。ま
た、放熱板は、ネジ穴近傍にクランク状の加工を施し裏
面固定ピンの移動量を稼いでいる。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例の各工程
ごとの成形金型縦断面図である。厚肉部上にペレット１
を搭載し薄肉部にクランク加工２を施した放熱板３を金
型４と固定ピン６上に置き、放熱板裏面と金型面の間を
0.2〜0.6mm程開けておく、金型５を降して金型５と固定
ピン７により放熱板３を金型内に固定する（第１図−
（ａ），（ｂ））。次に、樹脂注入口８よりエポキシ樹
脂等を注入する（第１図−（ｃ））。樹脂注入完了後、
樹脂硬化前に固定ピン６を抜き、裏面ピン穴を埋める
（第１図−（ｄ））。尚、固定ピン先端は円錐台形とし
て、放熱板との接触面積を狭くする。
このようにして得られた樹脂封止半導体装置の透視斜
視図を第２図に示す。
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の他の実施例の各工程
での成形金型縦断面図である。まず、金型内に放熱板３
を固定するピン6,7で固定する（第３図−（ａ），
（ｂ））。次に樹脂注入口８よりエポキシ樹脂等を注入
する（第３図−（ｃ））。樹脂注入完了後樹脂硬化前に
固定するピン6,7を両方抜く（第３図−（ｄ））。
尚、固定ピン6,7の先端は、円錐台形として放熱板の
移動を防止する。
本実施例においては、表裏両面の固定ピンを抜くた
め、完全絶縁型半導体装置となる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、放熱板を金型4,5に作
りつけられた固定ピン6,7により、金型内に固定して樹
脂成形するため、金型内での放熱板位置精度は、従来並
となり、固定ピン６を成形途中で抜き裏面ピン穴を樹脂
で埋め、絶縁生能を向上する。
尚、放熱板先端がクランク状に加工され、薄肉部を上
部の金型５に近づけるため、固定ピン６の移動量は大き
くなり、固定ピン抜きによるボイド，ピンホールの発生
を抑えることができる。
また、ピン先端部を円錐台形にし放熱板との接触面積
を狭くして固定ピン６の移動時に、放熱板が固定ピン６
の移動方向について行くことを抑えることができる。
固定ピン７は放熱板厚肉部面を保持することにより、
放熱板位置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の各工程ごと
の成形金型縦断面図である。第２図は第１実施例の製品
透視図である。第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の
実施例の各工程ごとの成形金型縦断面図である。第４図
（ａ）は、従来品の製品透視図である。第４図（ｂ）は
第４図（ａ）の外形図である。 １……ペレット、２……クランク加工、３……放熱板、
４……金型、５……金型、６……固定ピン、７……固定
ピン、８……樹脂注入口、９……放熱板支持リード。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁型半導体装置の樹脂封止方法におい
    て、内部放熱板にペレットを搭載する厚肉部と先端部に
    クランク状の加工を施した薄肉部とを少なくとも設け、
    樹脂封止金型内に移動可能に設けられた長さの異なる２
    組の固定ピンを用いて表面からは短い方のピンで前記放
    熱板厚肉部を固定し、裏面からは長いピンで前記放熱板
    薄肉部を保持するように固定し、樹脂注入完了後硬化前
    に少なくとも裏面の固定ピンを引き抜く工程を有するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1247649B (it) * 1990-10-31 1994-12-28 Sgs Thomson Microelectronics Procedimento di incapsulamento in resina di un dispositivo a semiconduttore di potenza montato su dissipatore allontanando i reofori dal dissipatore mediante l'azione del controstampo in fase di chiusura dello stampo
IT1252575B (it) * 1991-12-20 1995-06-19 Sgs Thomson Microelectronics Stampo e procedimento per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore in plastica, con dissipatore metallico visibile per il controllo della saldatura
JP6824913B2 (ja) 2016-02-09 2021-02-03 三菱電機株式会社 電力用半導体装置及びその製造方法
WO2019038857A1 (ja) * 2017-08-23 2019-02-28 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US10777489B2 (en) 2018-05-29 2020-09-15 Katoh Electric Co., Ltd. Semiconductor module
JP6437701B1 (ja) * 2018-05-29 2018-12-12 新電元工業株式会社 半導体モジュール

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60130129A (ja) * 1983-12-16 1985-07-11 Nec Corp 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法
JPS6132434A (ja) * 1984-07-24 1986-02-15 Sanken Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法
IT1215023B (it) * 1986-08-27 1990-01-31 Sgs Microelettronica Spa Dispositivo e semiconduttore incapsulato in resina ed elettronicamente isolato e procedimento per lasua fabbricazione

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