JP6420260B2 - 磁気ディスク用基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスク用基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法に関する。

ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気ディスク装置に搭載される情報記録媒体の一つとして磁気ディスクがある。磁気ディスクは、基板上に磁性層等の薄膜を形成して構成されたものであり、その基板としてアルミ合金基板やガラス基板が用いられてきた。最近では、高記録密度化の追求に呼応して、アルミ合金基板と比べて磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔をより狭くすることが可能なガラス基板の占める比率が次第に高くなってきている。また、磁気ディスク用基板の表面は磁気ヘッドの浮上高さを極力下げることができるように、高精度に研磨して高記録密度化を実現している。近年、ＨＤＤの更なる大記録容量化の要求は増すばかりであり、これを実現するためには、磁気ディスク用基板においても更なる高品質化が必要になってきており、より平滑でより清浄な基板表面であることが求められている。

上述したように高記録密度化にとって必要な低フライングハイト（浮上量）化のために磁気ディスク表面の高い平滑性は必要不可欠である。磁気ディスク表面の高い平滑性を得るためには、結局、高い平滑性の基板表面が求められるため、高精度にガラス基板表面を研磨する必要があるが、それだけでは十分ではなく、研磨後の洗浄によって基板表面の付着異物を取り除いて清浄な基板表面を得る必要がある。
従来の方法としては、研磨に関しては、たとえば特許文献１には、１−メチル−２−ピロリドン、１−エチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の窒素含有化合物及び砥粒を含有する研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法が開示されており、特に半導体装置の製造に用いられるシリコン単結晶やアモルファスシリコン、ポリシリコン等のシリコン基板を高い研磨速度で研磨するのに好適であることが開示されている。また、洗浄に関しては、たとえば特許文献２には、多価アミンを含有する研磨液を用いて研磨した後、基板をアルカリ（ｐＨ８〜１３）洗浄する方法が開示されている。

国際公開第２００９／０９６４９５号 特開２０１２−１０７２２６号公報

現在のＨＤＤにおいては、例えば２．５インチ型（直径６５ｍｍ）の磁気ディスク１枚に５００ギガバイト程度の情報を収納することが可能になっているが、更なる高記録密度化、例えば７５０ギガバイト、更には１テラバイトの実現が要求されるようになってきている。このような近年のＨＤＤの大容量化の要求に伴い、基板表面品質の向上の要求は今まで以上に厳しいものとなってきている。上記のような例えば７５０ギガバイトの磁気ディスク向けの次世代基板においては、メディア特性に与える基板の影響が大きくなるので、基板表面の粗さだけでなく、異物付着等による表面欠陥が存在しないことについても現行品からの更なる改善が求められる。

次世代基板においてはメディア特性に与える基板の影響が大きくなるのは以下のような理由による。
磁気ヘッドの浮上量（磁気ヘッドと媒体（磁気ディスク）表面との間隙）の大幅な低下（低浮上量化）が挙げられる。こうすることで、磁気ヘッドと媒体の磁性層との距離が近づくため、より小さい磁性粒子の信号も拾うことができるようになり、高記録密度化を達成することができる。近年、従来以上の低浮上量化を実現するために、ＤＦＨ（Dynamic Flying Height）という機能が磁気ヘッドに搭載されている。これは、磁気ヘッドの記録再生素子部の近傍に極小のヒーター等の加熱部を設けて、記録再生素子部周辺のみを媒体表面方向に向けて突き出す機能である。今後、このＤＦＨ機能によって、磁気ヘッドの素子部と媒体表面との間隙は、２ｎｍ未満または１ｎｍ未満と極めて小さくなると見られている。このような状況下で、基板表面の平均粗さを極めて小さくしたところで、従来問題とならなかった極く小さな異物（例えば小さいもので主表面の面内方向の長さが１０〜４０ｎｍ程度）の付着等によって僅かに凸状となる程度の表面欠陥が存在すると、そのまま媒体表面においても凸状欠陥となるので、磁気ヘッドの衝突の危険性が高まる。

ところで、本発明者らの検討によると、上記特許文献に開示された方法をはじめとする従来の様々な精密研磨技術、精密洗浄技術を用いても、あるいはそれらを単純に組み合わせて用いただけでは、研磨材の洗浄残りを抑制して、基板表面欠陥を十分に低減させることが困難であることがわかってきた。
近年のＨＤＤの大容量化の要求に伴う基板表面品質の向上の要求は今まで以上に厳しいものとなってきており、従来の改善手法によって基板表面品質の更なる向上を実現することには限界がある。

本発明はこのような従来の課題を解決すべくなされたものであって、その目的は、第１に、研磨砥粒の洗浄残りを抑制して、基板表面欠陥を十分に低減させることが可能な磁気ディスク用基板の製造方法を提供することであり、第２に、精密研磨で得られた平滑な表面粗さをできる限り悪化させずに洗浄処理を行うことが可能で、その結果、低粗さ（高平滑性）を達成できる磁気ディスク用基板の製造方法を提供することであり、第３に、本発明により得られる高品質表面の基板を用いた磁気ディスクの製造方法を提供することである。

磁気ディスク用基板として好適な高い平滑性のガラス基板表面を得るためには、特に仕上げ研磨においては小さな粒径のコロイダルシリカ砥粒を用いてガラス基板表面の精密研磨を行うことが好適であるが、コロイダルシリカ砥粒はガラスと成分が似ているため、研磨終了時に基板表面に強く付着してガラス基板表面に残留しやすく、一旦強く付着すると研磨後に洗浄処理を行っても基板表面から除去されずに洗浄残りとなり、異物欠陥（表面欠陥）となってしまう。この場合、たとえばアルカリ度の高いアルカリ薬液で洗浄することにより、ガラスの表面がエッチングされるため、固着した異物であっても除去することは可能である。しかしながら、アルカリ洗浄では、アルカリ度が高いほどガラスに対するエッチング効果が大きくなるので、アルカリ洗浄によって基板表面の粗さが上昇してしまい、精密研磨で得られた超平滑な表面粗さを維持することができなくなる。

そこで、本発明者らは、上記従来の課題を解決するための手段を模索した結果、研磨処理に用いる研磨液中に、特定のアミド基あるいはウレア基を有する物質を添加剤として含有させることにより、研磨終了時に基板表面に強く付着してガラス基板表面に残留し、あるいは研磨終了時に基板表面に残留するコロイダルシリカ砥粒がそのままガラス基板表面に強く付着して、研磨後に洗浄処理を行っても洗浄残りの欠陥となることを抑制できることを見出した。また、洗浄の際、特に強い洗浄条件（たとえばアルカリ度の高い）を適用しなくても高い洗浄性が得られるため、洗浄による基板表面の粗さ上昇を抑え、精密研磨で得られた超平滑な表面粗さを維持できることも見出した。さらには、この場合、研磨時の研磨速度が低下するような問題は生じないことも見出した。

本発明者らは、得られたこれらの知見に基づき、更に鋭意研究の結果、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下の構成を有する。

（構成１）
円板状の基板を、表面に研磨パッドが配備された一対の定盤で挟み、前記円板状の基板の研磨面にコロイダルシリカを研磨砥粒として含む研磨液を供給して前記円板状の基板の主表面を研磨する研磨処理を含む磁気ディスク用基板の製造方法であって、前記研磨液は、下記一般式Ｉで示される物質を添加剤として含有することを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
一般式Ｉ
Ｒ_１−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ_２
（式中、Ｒ_１はアルキル基または水素原子を表し、Ｒ_２はアルキル基または−ＮＨ−Ｒ_３を表す。Ｒ_３はアルキル基を表す。Ｒ_１とＲ_２は互いに同一の基であっても異なる基であってもよい。また、Ｒ_１とＲ_２が結合して環を形成してもよい。また、Ｒ_２が−ＮＨ−Ｒ_３である場合、Ｒ_１とＲ_３が結合して環を形成してもよい。）

（構成２）
前記一般式Ｉで示される物質の分子量が、５００以下であることを特徴とする構成１に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
（構成３）
前記一般式Ｉで示される物質は、前記一般式ＩにおいてＲ_１とＲ_２が結合して形成された環状構造、あるいはＲ_１とＲ_３が結合して形成された環状構造を有することを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。

（構成４）
前記一般式Ｉで示される物質は、２−ピロリドン、２−ピペリドン、グリシン無水物からなる群より選ばれた１種以上の物質であることを特徴とする構成３に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
（構成５）
前記一般式Ｉで示される物質の研磨液中の含有量は、０．０１重量％〜１０重量％の範囲内であることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。

（構成６）
前記研磨液は、アルカリ性に調整されたものであることを特徴とする構成１乃至５のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
（構成７）
前記研磨処理は、複数の研磨処理のうち最後の研磨処理であることを特徴とする構成１乃至６のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。

（構成８）
前記磁気ディスク用基板は、ガラス基板であることを特徴とする構成１乃至７のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
（構成９）
構成１乃至８のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法により製造された磁気ディスク用基板上に、少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。

本発明によれば、研磨砥粒の洗浄残りを抑制して、基板表面欠陥を十分に低減させることが可能な磁気ディスク用基板の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、精密研磨で得られた平滑な表面粗さをできる限り悪化させずに洗浄処理を行うことが可能で、その結果、低粗さ（高平滑性）を達成できる磁気ディスク用基板の製造方法を提供することができる。このような本発明によれば、基板主表面の粗さをよりいっそう低減し、なお且つ異物付着等による表面欠陥を従来品より低減することができる高品質の磁気ディスク用基板を製造することが可能である。本発明によって得られる磁気ディスク用基板は、特に基板表面品質への要求が現行よりもさらに厳しいものとなっている次世代用の基板として好適に使用することが可能である。また、本発明によって得られる基板を利用し、たとえばＤＦＨ機能を搭載した低浮上量設計の磁気ヘッドと組み合わせた場合においても長期に安定した動作が可能な信頼性の高い磁気ディスクを得ることができる。

磁気ディスク用ガラス基板の断面図である。 磁気ディスク用ガラス基板の全体斜視図である。 両面研磨装置の概略構成を示す縦断面図である。

以下、本発明の実施の形態を詳述する。本実施の形態では、主に、磁気ディスク用基板として好適な磁気ディスク用ガラス基板について説明する。
磁気ディスク用ガラス基板は、通常、ガラス基板成型、研削処理、端面研磨処理、主表面研磨処理、化学強化処理、等の処理を経て製造される。なお、処理の順序は上記に限定されるものではない。

この磁気ディスク用ガラス基板の製造は、まず、溶融ガラスからダイレクトプレスにより円板状のガラス基板（ガラスディスク）を成型する。なお、このようなダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で製造された板ガラスから所定の大きさに切り出してガラス基板（ガラスディスク）を得てもよい。
次に、この成型したガラス基板（ガラスディスク）に寸法精度及び形状精度を向上させるための研削処理を行う。この研削処理は、通常両面研削装置を用い、ダイヤモンド等の硬質砥粒を用いてガラス基板主表面の研削を行う。こうしてガラス基板主表面を研削することにより、所定の板厚、平坦度に加工するとともに、所定の表面粗さを得る。

この研削処理の終了後は、ブラシ研磨等による端面研磨処理を経て、高精度な主表面（鏡面）を得るための主表面研磨処理を行う。ガラス基板の研磨方法としては、コロイダルシリカを研磨砥粒として含有する研磨液を供給しながら、ポリウレタン等の研磨パッドを用いて行うのが好適である。

このような研磨処理に用いられる研磨液は、研磨砥粒と溶媒である水の組合せであり、さらに研磨液のｐＨを調整するためのｐＨ調整剤や、その他の添加剤が必要に応じて含有されている。
コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を組成するには、例えば純水を用い、さらに必要な添加剤を添加して研磨液とすればよい。

また、研磨処理（特に仕上げ（精密）研磨処理（後述の実施例における後段の第２研磨処理））に適用される上記研磨液は、研磨速度向上の観点から酸性域に調整されたものが用いられることが好適である。例えば、硫酸を研磨液に添加して、ｐＨを酸性の好適な範囲に調整することができる。研磨速度向上の観点から、ｐＨは５以下であることが好ましく、より好ましくは４以下である。また、最終洗浄での表面粗さの増加を低減する観点から、ｐＨは１以上であることが好ましく、より好ましくは２以上である。両者のバランスを考慮すると、本発明では、ｐＨは１〜５の範囲であることが好ましく、２〜４の範囲がより好ましい。

また、本発明の研磨液はアルカリ性で用いることも好適である。アルカリ性で研磨することによって、研磨後の洗浄処理で洗浄力の高いアルカリ性の洗浄液を使用した場合にｐＨの変化が少なくて済むため、基板の表面粗さの上昇を最小限にすることが可能となる。特に本発明の研磨処理が最終研磨処理の場合、後に続く洗浄処理は最終洗浄処理となるため、洗浄処理後は極めて清浄な表面が求められる。そこで、最終洗浄処理では、異物のリフトオフ効果により高い洗浄力が得られるアルカリ性の薬液を用いた洗浄処理を行うことが好ましいが、アルカリ性の薬液は表面粗さを上昇させてしまう場合があるので注意を要する。ここで、本発明の研磨液をアルカリ性で用いることにより、最終洗浄処理による表面粗さの上昇（悪化）を極めて小さく抑制して、最終洗浄処理後の基板の表面粗さを低減することが可能となる。
研磨液のｐＨは、表面粗さ低減の観点から、ｐＨが１０以上であることが好ましく、より好ましくは１１以上である。このように研磨液をアルカリ性に調整する場合、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシドや、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどを適宜添加して調整すればよい。

本発明において、研磨液に含有されるコロイダルシリカ砥粒は、平均粒径が１０〜１００ｎｍ程度のものを使用するのが研磨効率の点からは好ましい。特に、仕上げ研磨処理（後述の実施例の後段の第２研磨処理。最終研磨処理とも言う）に用いる研磨液に含有されるコロイダルシリカ砥粒は、本発明においては、表面粗さのいっそうの低減を図る観点から、平均粒径が１０〜４０ｎｍ程度のものを使用するのが好ましく、特に１０〜２０ｎｍ程度の微細なものが好ましい。なお、前述のとおり、とりわけ次世代基板に要求される表面品質レベルでは、このような微細な砥粒がガラス基板表面に強く付着して洗浄残りとなった表面欠陥をも低減する必要があるので、微細なコロイダルシリカ砥粒を用いても表面欠陥を低減できる本発明は好適である。特に１０〜２０ｎｍの微細なコロイダルシリカ砥粒が基板表面に付着した場合は洗浄除去しにくいので本発明が好適である。なお、本発明で表面欠陥と言う場合、基板表面に異物が残留した状態も含む。また、コロイダルシリカ砥粒の研磨液中の含有量は、１〜２０重量％の範囲内であることが研磨速度と生産コストの観点から好ましい。

なお、本発明において、上記平均粒径とは、光散乱法により測定された粒度分布における粉体の集団の全体積を１００％として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが５０％となる点の粒径（以下、「累積平均粒子径（５０％径）」と呼ぶ。）を言う。本発明において、累積平均粒子径（５０％径）は、具体的には、粒子径・粒度分布測定装置を用いて測定することができる。

また、本発明に用いるコロイダルシリカ砥粒は、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を用いることができる。このような砥粒は、不純物の量が極めて少ないため純度が高く、凝集しやすい性質を持っている。また、研磨処理後のガラス基板表面に強固に付着しやすく、本発明を適用することが有効である。

本発明においては、上記研磨処理に適用する研磨液に、下記一般式Ｉで示される物質（以下、「本発明添加剤」と呼ぶ。）を添加剤として含有させることを特徴とするものである。
一般式Ｉ
Ｒ_１−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ_２
式中、Ｒ_１はアルキル基または水素原子を表し、Ｒ_２はアルキル基または−ＮＨ−Ｒ_３を表す。Ｒ_３はアルキル基を表す。Ｒ_１とＲ_２は互いに同一の基であっても異なる基であってもよい。また、Ｒ_１とＲ_２が結合して環を形成してもよい。また、Ｒ_２が−ＮＨ−Ｒ_３である場合、Ｒ_１とＲ_３が結合して環を形成してもよい。

上記Ｒ_１またはＲ_２で表されるアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基などが挙げられる。また、上記Ｒ_３で表されるアルキル基としては、上記Ｒ_１またはＲ_２で表されるアルキル基と同様の例示が挙げられる。
上記Ｒ_２がアルキル基の場合は、本発明添加剤は、アミド基を有する化合物であり、上記Ｒ_２が−ＮＨ−Ｒ_３の場合は、本発明添加剤は、ウレア基を有する化合物である。
上記Ｒ_１とＲ_２は互いに同一の基であっても異なる基であってもよい。
また、上記Ｒ_１とＲ_２が結合して、５員環あるいは６員環などの環構造（ラクタム）を形成してもよい。また、上記Ｒ_２が−ＮＨ−Ｒ_３である場合、上記Ｒ_１とＲ_３が結合して、５員環あるいは６員環などの環構造を形成してもよい。

本発明添加剤の代表的な具体例としては、以下の化合物が挙げられる。
環状ラクタム系化合物としては、例えば、２−ピロリドン、２−ピペリドン、グリシン無水物などが挙げられる。
環状ウレア系化合物としては、例えば、２−イミダゾリジノン、テトラヒドロ−２−ピリミジノン、ヒダントイン、グリコールウリル、アラントインなどが挙げられる。
また、非環状構造の化合物としては、例えば、アセトアミド（Ｒ_１＝水素原子、Ｒ_２＝メチル基）、Ｎ−メチルアセトアミド（Ｒ_１，Ｒ_２＝メチル基）、Ｎ−エチルプロピオン酸アミド（Ｒ_１，Ｒ_２＝エチル基）、Ｎ−プロピルブチルアミド（Ｒ_１，Ｒ_２＝プロピル基）、などが挙げられる。
上記例示化合物はあくまでも一例であって、本発明添加剤は上記例示化合物に限定されるものではない。

本発明添加剤を研磨液に添加剤として含有することにより、研磨処理後に特に強い条件の洗浄処理を行わなくても、通常の洗浄処理によって研磨砥粒の洗浄残りの欠陥となることを抑制できる理由は以下のように推測される。

本発明添加剤は、アミド基を有するため、分極した構造との共役状態となっていると考えられる。
本発明添加剤は共役状態にあることにより安定化する。そして、非局在化した電子により、本発明添加剤におけるアミド基の水素結合性が高い。したがって、本発明添加剤は、そのアミド基の水素結合によってコロイダルシリカ砥粒表面に吸着し、コロイダルシリカ砥粒表面は本発明添加剤による適当な（つまり、ちょうど良い）付着力で覆われているものと考えられる。また、水を分散媒とした研磨処理ではガラス基板表面は常にシラノール基で覆われており、本発明添加剤のアミド基はガラス基板表面のシラノール基と水素結合を形成するために、ガラス基板表面も本発明添加剤による適当な（つまり、ちょうど良い）付着力で覆われているものと考えられる。このように、研磨処理に適用する研磨液に本発明添加剤を含有させることにより、研磨処理中は、コロイダルシリカ砥粒表面も、ガラス基板表面も本発明添加剤によって適当な付着力で覆われるため、研磨処理終了後にガラス基板表面にコロイダルシリカ砥粒が残留していてもガラス基板表面に強く付着（あるいは吸着）することを抑制できる。そして、研磨処理後に洗浄処理を行えば、ガラス基板表面に残留しているコロイダルシリカ砥粒は容易に除去されるので、従来のように砥粒が基板表面に強く吸着して、洗浄処理を行っても洗浄残りの欠陥となることを防ぐことが可能である。また、洗浄処理の際、特にエッチング力が強い条件で洗浄処理を行わなくても上記のように容易に洗浄可能であるため、洗浄処理による基板表面の粗さ上昇を抑え、精密研磨で得られた超平滑な表面粗さを維持することができる。

また、本発明添加剤は、水素結合程度の付着力でコロイダルシリカ砥粒あるいはガラス基板表面を覆っているため、研磨処理中に砥粒表面とガラス基板表面との相互作用を妨げることはなく、研磨時の研磨速度が低下するような問題は生じない。
以上は本発明添加剤がアミド基を有する化合物である場合を説明したが、本発明添加剤がウレア基を有する化合物である場合にも同様な理由によって本発明の作用効果が得られる。

以上のように、本発明添加剤によるガラス基板表面を覆う効果が得られるため、本発明は特にガラス基板の研磨処理に好適である。また、本発明は、上述のとおりコロイダルシリカを研磨砥粒として用いる研磨処理に好適であるので、ＮｉＰ合金膜を表面に有するアルミニウム合金基板をコロイダルシリカを研磨砥粒として含む研磨液を用いて研磨する場合にも有効である。

なお、本発明添加剤は、上記一般式Ｉにおいて、Ｎ原子に結合する一方は例えばアルキル基（Ｒ_１）であるが、もう一方は水素原子（Ｈ）である。これに対して、Ｎ原子に結合する２つの結合基がいずれもアルキル基である場合は、立体障害によりコロイダルシリカ砥粒やガラス基板表面との水素結合が阻害されると考えられる。この結果、本発明の作用効果は得られ難い。

本発明添加剤の分子量は、５００以下であることが好ましい。分子量が５００より大きいと、添加剤分子の拡散速度が低下し、コロイダルシリカ砥粒やガラス基板の表面が研磨されることにより生じる新しい表面に添加剤分子が到達する時間が遅くなるので、添加剤による研磨砥粒等の表面への吸着が不十分となる場合がある。このため、シリカ砥粒の研磨面への残留が十分抑制できない場合がある。また、添加剤分子が一度砥粒等の表面へ吸着した後、脱離しにくくなることによって、研磨レートが低下する場合がある。なお、上記観点から、添加剤の分子量はより好ましくは１６０以下、さらに好ましくは１１５以下、最も好ましくは１００以下である。

また、本発明添加剤は、前記一般式ＩにおいてＲ_１とＲ_２が結合して形成された環状構造、あるいはＲ_１とＲ_３が結合して形成された環状構造を有することが好ましい。環状構造をとることで、本発明添加剤の立体構造が固定されるため、非環状構造をとる場合よりも、Ｎ−Ｃ周辺に非局在化した電子による砥粒やガラス表面のシラノール基への水素結合を阻害しにくくなるのでより好ましい。
本発明添加剤は、上記の環状構造を有する場合、アミド基を有する環状ラクタム系化合物であることが好ましい。水素結合性が特に強いからである。中でも、２−ピロリドン、２−ピペリドン、グリシン無水物は、５員環または６員環であるため比較的安定性が高く、また、水に良く溶けるため特に好適である。これらは、分子量が１１４以下と比較的小さく拡散速度が速いことも好適な理由である。

また、本発明添加剤の研磨液中の含有量（添加量）は、０．０１重量％〜１０重量％の範囲内であることが好適である。含有量が０．０１重量％未満であると、本発明の作用効果が十分に得られない場合がある。また、含有量が１０重量％よりも多いと、コロイダルシリカ砥粒やガラス基板の表面が添加剤によって過剰に覆われてしまい、研磨レートが低下する場合がある。また、含有量が１０重量％よりも多いと、粘度が上がりすぎて研磨抵抗が増える場合がある。さらに、含有量が１０重量％よりも多いと、スラリーがゲル化する場合がある。本発明添加剤の研磨液中の含有量のより好ましくは、０．１重量％〜３重量％の範囲内である。
また、本発明において、研磨液は、酸化剤を含有しないことが好ましい。本発明の添加剤と酸化剤とを両方含むと、添加剤中のアミド基やウレア基が酸化剤と反応して添加剤が分解してしまい、本発明の効果が得られない場合がある。

本発明では、研磨処理における研磨方法は特に限定されるものではないが、例えば、ガラス基板と研磨パッドとを接触させ、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら、研磨パッドとガラス基板とを相対的に移動させて、ガラス基板の表面を鏡面状に研磨すればよい。
例えば図３は、ガラス基板の研磨処理に用いることができる遊星歯車方式の両面研磨装置の概略構成を示す縦断面図である。図３に示す両面研磨装置は、太陽歯車２と、その外方に同心円状に配置される内歯歯車３と、太陽歯車２及び内歯歯車３に噛み合い、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じて公転及び自転するキャリア４と、このキャリア４に保持された被研磨加工物１を挟持可能な研磨パッド７がそれぞれ貼着された上定盤５及び下定盤６と、上定盤５と下定盤６との間に研磨液を供給する研磨液供給部（図示せず）とを備えている。

このような両面研磨装置によって、研磨処理時には、キャリア４に保持された被研磨加工物１、即ちガラス基板を上定盤５及び下定盤６とで挟持するとともに、上下定盤５，６の研磨パッド７と被研磨加工物１との間に研磨液を供給しながら、太陽歯車２や内歯歯車３の回転に応じてキャリア４が公転及び自転しながら、被研磨加工物１の上下両面が研磨される。

特に仕上げ研磨用の研磨パッドとしては、軟質ポリッシャの研磨パッド（スウェードパッド）であることが好ましい。研磨パッドの硬度はアスカーＣ硬度で、６０以上８０以下とすることが好適である。研磨パッドのガラス基板との当接面は、発泡ポアが開口した発泡樹脂、取り分け発泡ポリウレタンとすることが好ましい。このようにして研磨を行うと、ガラス基板の表面を平滑な鏡面状に研磨することができる。

本発明においては、洗浄処理後のガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）と、洗浄処理直前のガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）との差が、０．０６ｎｍ以内とすることが可能であり、より好ましくは０．０５ｎｍ以下、さらに０．０３ｎｍ以下、またさらに好ましくは０．０２ｎｍ以下とすることも可能である。
すなわち、本発明によれば、強いガラスエッチング力を有する洗浄方法（たとえばアルカリ度の高いアルカリ洗浄）を適用しない場合でも、研磨処理後の洗浄による基板表面の粗さ上昇を抑えることが可能である。

また、洗浄処理直前のガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）が、０．２０ｎｍ以下の超平滑な表面であることが好ましい。本発明によれば、研磨処理後の洗浄による基板表面の粗さ上昇を抑えることができるので、研磨処理によって得られた上記超平滑な基板表面粗さをできる限り悪化させないようにすることが可能である。
また、最終仕上げ研磨における取代は、板厚換算で０．１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。取代が０．１μｍより少ないと表面粗さを０．２０ｎｍ以下にできない場合がある。また、取代が１０μｍより多いと主表面の端部のＲｏｌｌ−ｏｆｆ（ロール・オフ）傾向が強まり、外周側における磁気ヘッドの浮上を阻害するおそれがある。

また、研磨時に基板にかける荷重は、研磨速度と研磨品質の観点から５０〜２００ｇ／ｃｍ^２であることが好ましい。
また、本発明においては、キャリアに複数の基板を同時に保持させ、遊星歯車運動をさせて、複数の基板の両面を同時に研磨することが好ましい。特に、１回の研磨処理（１バッチ）では５０枚以上の基板を同時に研磨処理することが好ましい。

なお、通常、主表面研磨処理は、前記のように研削処理で残留した傷や歪みを除去するための第１研磨処理と、この第１研磨処理で得られた平坦な表面を維持しつつ、ガラス基板主表面の表面粗さを平滑な鏡面に仕上げる第２研磨処理の２段階を経て行われることが一般的である（但し、３段階以上の多段階研磨を行うこともある）が、この場合、少なくとも後段の第２研磨処理、つまり複数の研磨処理のうちの最終仕上げ研磨処理において本発明を適用することが好ましい。

本発明においては、ガラス基板を構成するガラス（の硝種）は、アルミノシリケートガラスとすることが好ましい。また、アモルファスのアルミノシリケートガラスとするとさらに好ましい。このようなガラス基板は表面を鏡面研磨することにより平滑な鏡面に仕上げることができ、また加工後の強度が良好である。このようなアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ₂が５８重量％以上７５重量％以下、Ａｌ₂Ｏ₃が５重量％以上２３重量％以下、Ｌｉ₂Ｏが３重量％以上１０重量％以下、Ｎａ₂Ｏが４重量％以上１３重量％以下を主成分として含有するアルミノシリケートガラス（ただし、リン酸化物を含まないアルミノシリケートガラス）を用いることができる。さらに、例えば、ＳｉＯ₂ を６２重量％以上７５重量％以下、Ａｌ₂Ｏ₃を５重量％以上１５重量％以下、Ｌｉ₂ Ｏを４重量％以上１０重量％以下、Ｎａ₂ Ｏを４重量％以上１２重量％以下、ＺｒＯ₂を５．５重量％以上１５重量％以下、主成分として含有するとともに、Ｎａ₂Ｏ／ＺｒＯ₂ の重量比が０．５以上２．０以下、Ａｌ₂Ｏ₃ ／ＺｒＯ₂ の重量比が０．４以上２．５以下であるリン酸化物を含まないアモルファスのアルミノシリケートガラスとすることができる。

また、次世代基板の特性として耐熱性を求められる場合もある。この場合の耐熱性ガラスとしては、例えば、モル％表示にて、ＳｉＯ_２を５０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜６％、ＢａＯを０〜２％、Ｌｉ_２Ｏを０〜３％、ＺｎＯを０〜５％、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏを合計で３〜１５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを合計で１４〜３５％、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＨｆＯ_２を合計で２〜９％、含み、モル比［（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）］が０．８５〜１の範囲であり、且つモル比［Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）］が０〜０．３０の範囲であるガラスを好ましく用いることができる。
なお、本発明は、特に磁気ディスク用ガラス基板に好適であるが、ガラス基板以外の例えばアルミニウム基板（ＮｉＰ／Ａｌ）にも適用することが可能である。

本発明においては、上記研磨処理後のガラス基板の表面は、算術平均表面粗さＲａが０．２０ｎｍ以下、特に０．１５ｎｍ以下、更に好ましくは０．１０ｎｍ以下であることが好ましい。更に、最大粗さＲｍａｘが２．０ｎｍ以下、特に１.５ｎｍ以下、更に好ましくは１.０ｎｍ以下であることが好ましい。なお、本発明においてＲａ、Ｒｍａｘというときは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６０１：１９８２に準拠して算出される粗さのことである。Ｒａは算術平均粗さ、Ｒｍａｘは最大高さである。これらの表面は、鏡面であることが好ましい。
また、本発明において上記表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて１μｍ×１μｍの範囲を２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときに得られる表面形状の表面粗さとすることが実用上好ましい。

本発明においては、主表面研磨処理の前または後に、化学強化処理を施すことができる。化学強化処理の方法としては、例えば、ガラス転移点の温度を超えない温度領域でイオン交換を行う低温型イオン交換法などが好ましい。化学強化処理とは、溶融させた化学強化塩とガラス基板とを接触させることにより、化学強化塩中の相対的に大きな原子半径のアルカリ金属元素と、ガラス基板中の相対的に小さな原子半径のアルカリ金属元素とをイオン交換し、ガラス基板の表層に該イオン半径の大きなアルカリ金属元素を浸透させ、ガラス基板の表面に圧縮応力を生じさせる処理のことである。化学強化処理されたガラス基板は耐衝撃性に優れているので、例えばモバイル用途のＨＤＤに搭載するのに特に好ましい。化学強化塩としては、硝酸カリウムや硝酸ナトリウムなどのアルカリ金属硝酸を好ましく用いることができる。

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によって、図１および図２に示すように、両主表面１１，１１と、その間に外周側端面１２、内周側端面１３を有する円板状のガラス基板１が得られる。外周側端面１２は、側壁面１２ａと、その両側の主表面との間にある面取面１２ｂ、１２ｂによりなる。内周側端面１３についても同様の形状である。

以上説明したように、本発明によれば、研磨砥粒の洗浄残りを抑制して、基板表面欠陥を十分に低減させることが可能となる。また、本発明によれば、精密研磨で得られた平滑な表面粗さをできる限り悪化させずに洗浄処理を行うことが可能で、その結果、低粗さ（高平滑性）を達成できる。したがって、このような本発明によれば、基板主表面の粗さをよりいっそう低減し、なお且つ異物付着等による表面欠陥を従来品より低減することができる高品質の磁気ディスク用ガラス基板を製造することが可能である。本発明によって得られる磁気ディスク用ガラス基板は、特に基板表面品質への要求が現行よりもさらに厳しいものとなっている次世代用の基板として好適に使用することが可能である。

また、本発明は、以上の磁気ディスク用基板を用いた磁気ディスクの製造方法についても提供する。本発明において磁気ディスクは、本発明により得られる磁気ディスク用基板の上に少なくとも磁性層（磁気記録層）を形成して製造される。磁性層の材料としては、異方性磁界の大きな六方晶系であるＣｏＣｒＰｔ系やＣｏＰｔ系強磁性合金を用いることができる。磁性層の形成方法としてはスパッタリング法、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法によりガラス基板等の上に磁性層を成膜する方法を用いることが好適である。

また、磁性層の上に、保護層、潤滑層をこの順に形成することが好ましい。保護層としてはアモルファスの水素化炭素系保護層が好適である。また、潤滑層としては、パーフルオロポリエーテル系化合物の潤滑剤を用いることができる。
本発明によって得られる磁気ディスク用ガラス基板を用いることにより、たとえばＤＦＨ機能を搭載した低浮上量設計の磁気ヘッドと組み合わせた場合においても長期に安定した動作が可能な信頼性の高い磁気ディスクを得ることができる。

以下に実施例を挙げて、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
以下の（１）粗研削処理、（２）形状加工処理、（３）精研削処理、（４）端面研磨処理、（５）主表面第１研磨処理、（６）化学強化処理、（７）主表面第２研磨処理、を経て本実施例の磁気ディスク用ガラス基板を製造した。

（１）粗研削処理
まず、溶融ガラスから上型、下型、胴型を用いたダイレクトプレスにより直径６６ｍｍφ、厚さ１．０ｍｍの円盤状のアルミノシリゲートガラスからなるガラス基板を得た。なお、このようなダイレクトプレス以外に、ダウンドロー法やフロート法で製造された板ガラスから所定の大きさに切り出してガラス基板を得てもよい。このアルミノシリケートガラスとしては、ＳｉＯ_２：５８〜７５重量％、Ａｌ_２Ｏ_３：５〜２３重量％、Ｌｉ_２Ｏ：３〜１０重量％、Ｎａ_２Ｏ：４〜１３重量％を含有する化学強化可能なガラスを使用した。

次いで、このガラス基板に寸法精度及び形状精度の向上させるためアルミナ系の遊離砥粒を用いて粗研削処理を行った。この粗研削処理は両面研削装置を用いて行った。

（２）形状加工処理
次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の中央部分に孔を空けると共に、外周端面の研削をして直径を６５ｍｍφとした後、外周端面および内周端面に所定の面取り加工を施した。一般に、２．５インチ型ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）では、外径が６５ｍｍの磁気ディスクを用いる。

（３）精研削処理
この精研削処理は両面研削装置を用い、ダイヤモンド砥粒を樹脂で固定したペレットが貼り付けられた上下定盤の間にキャリアにより保持したガラス基板を密着させてクーラントを供給しつつ行なった。
上記精研削処理を終えたガラス基板を洗浄した。

（４）端面研磨処理
次いで、ブラシ研磨により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の端面（内周、外周）を研磨した。そして、上記端面研磨を終えたガラス基板を洗浄した。

（５）主表面第１研磨処理
次に、上述した研削処理で残留した傷や歪みを除去するための第１研磨処理を前述の図３に示す両面研磨装置を用いて行なった。両面研磨装置においては、研磨パッド７が貼り付けられた上下研磨定盤５，６の間にキャリア４により保持したガラス基板を密着させ、このキャリア４を太陽歯車２と内歯歯車３とに噛合させ、上記ガラス基板を上下定盤５，６によって挟圧する。その後、研磨パッドとガラス基板の研磨面との間に研磨液を供給して各歯車と上下定盤をそれぞれ回転させることによって、ガラス基板が定盤５，６上で自転しながら公転して遊星歯車機構により両面を同時に研磨加工するものである。具体的には、ポリシャ（研磨パッド）として硬質ポリシャ（硬質発泡ウレタン）を用い、第１研磨処理を実施した。研磨液としては、酸化セリウム（平均粒径１μｍ）を研磨砥粒として含む中性に調整されたものを使用した。また、研磨荷重は１００ｇ／ｃｍ^２、取代は板厚換算で３０μｍとした。研磨後の基板表面の粗さはＲａで０．５ｎｍ以下であった。また、研磨後の基板表面は鏡面であった。
上記第１研磨処理を終えたガラス基板を洗浄した。

（６）化学強化処理
次に、上記洗浄を終えたガラス基板に化学強化を施した。硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合した溶融塩である化学強化液中に上記洗浄・乾燥済みのガラス基板を浸漬して化学強化処理を行なった。化学強化を終えたガラス基板を洗浄した。

（７）主表面第２研磨処理
次いで上記の第１研磨処理で使用したものと同様の両面研磨装置を用い、ポリシャをアスカーＣ硬度が７０の軟質ポリシャ（スウェードタイプ）の研磨パッド（発泡ポリウレタン製）に替えて第２研磨処理を実施した。この第２研磨処理は、上述した第１研磨処理で得られた平坦な表面を維持しつつ、例えばガラス基板主表面の表面粗さをＲａで０．２ｎｍ以下、Ｒｍａｘで２ｎｍ以下の平滑な鏡面に仕上げるための鏡面研磨処理である。研磨液としては、１０重量％のコロイダルシリカ（平均粒径１５ｎｍ）を研磨砥粒として含む研磨液中に、２−ピロリドンを１．０重量％の含有量（添加量）で含有させたものを使用した。なお、研磨液のｐＨは、予め硫酸を添加して酸性（ｐＨ＝２）に調整した。また、研磨荷重は１００ｇ／ｃｍ^２、取代は板厚換算で３μｍとした。

次に、上記第２研磨処理を終えたガラス基板を洗浄処理（最終洗浄処理）した。具体的には、アルカリ性洗剤を純水に添加した洗浄槽に浸漬して、超音波洗浄を行った。その後、ガラス基板を純水で十分にリンスした後、乾燥させた。

上記各処理を経て得られた１００枚のガラス基板について、上記最終洗浄処理後のガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）と、上記最終洗浄処理直前（つまり第２研磨処理終了後）のガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）をそれぞれ原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて測定し、その差（ΔＲａ：洗浄処理後のＲａから洗浄処理前のＲａを引いた値）を求めたところ、０．０６ｎｍ以内であった。なお、上記表面粗さの値は製造したガラス基板から任意に選択した１０枚の平均値である。また、以下の実施例２〜１２においてもΔＲａは同様に０．０６ｎｍ以内であった。
また、得られた１００枚のガラス基板から任意に選択した１０枚に対して異物欠陥の評価を実施した。選択したガラス基板１０枚の表裏の主表面をレーザー式の表面検査装置にて観察し、検出された表面欠陥のうち１面あたり１０点ずつをＳＥＭ及びＥＤＳで分析した。そして、シリカ砥粒の残留が原因である欠陥のカウント数に応じてレベル１〜４に分けた。すなわち、上記カウント数が１個以下の場合をレベル１、２〜３個の場合をレベル２、４〜５個の場合をレベル３、６個以上の場合をレベル４とした。レベル１が最も欠陥が少なく、レベル１〜３が合格である。レベル４はシリカ砥粒の残留が多く不合格である。なお、上記カウント数は１面あたりの平均値である。
また、本実施例の上記第２研磨処理における研磨速度は、上記本発明添加剤を研磨液に含有させなかった場合と同等であった。

（実施例２〜１２）
上記実施例１における主表面第２研磨処理に用いた研磨液に含有させる本発明添加剤を表１に示す物質にそれぞれ替えた研磨液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜１２のガラス基板を作製した。

（比較例１〜６）
上記実施例１における主表面第２研磨処理に用いた研磨液に含有させる本発明添加剤を表１に示す物質にそれぞれ替えた研磨液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１〜６のガラス基板を作製した。

上記実施例２〜１２、及び比較例１〜６で作製したガラス基板についても、実施例１と同様に異物欠陥評価を行い、その結果を纏めて下記表１に示した。

上記表１の結果から以下のことがわかる。
１．本発明の実施例によれば、研磨処理に適用する研磨液に本発明添加剤を添加剤として含有することにより、比較例に対して異物検出数を大幅に少なくすることが可能であり、異物表面欠陥を十分に低減させることができる。
また、実施例１〜８と実施例９〜１２との対比から、本発明添加剤は特に環状構造を有する化合物が好ましい。
また、実施例１〜３と実施例４〜８との対比から、本発明添加剤は特に、ウレア系化合物よりも、アミド系化合物が好ましい。この理由は、ウレア基の酸素原子の電子がアミド基の酸素原子の電子よりも非局在化しにくいためと推察される。
２．これに対して、比較例１〜５では、本発明添加剤とは異なる種類の添加剤を研磨液に含有させても、洗浄後のシリカ砥粒の残留が原因である異物欠陥が多く検出された。この異物欠陥を少なくするためにはたとえばエッチング力の強いアルカリ洗浄を行う必要があり、洗浄後の基板表面の粗さ上昇が大きくなる。また、研磨液に添加剤を添加しない比較例６においても、異物欠陥が多く検出された。

（実施例１３〜１６）
上記実施例１における主表面第２研磨処理に用いた研磨液に含有させる本発明添加剤（２−ピロリドン）を表２に示す含有量（添加量）にそれぞれ変更した研磨液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１３〜１６のガラス基板を作製した。
上記第２研磨処理時の研磨速度を求め、その結果を纏めて以下の表２に示した。また、実施例１の結果についてもあわせて示した。なお、表２に示す研磨速度は、実施例１の研磨速度を１としたときの相対値（つまり、実施例１３，１４，１５又は１６の研磨速度／実施例１の研磨速度）である。この研磨速度の比が０．９０以上あれば実用上問題はない。

上記表２に示されるように、本発明添加剤の含有量が１０重量％以下であれば、研磨速度の低下は小さく実用上問題とならない。しかし、含有量が１０重量％を超えると研磨速度が急激に低下してしまう。なお、実施例１３〜１６における異物欠陥評価は実施例１とほぼ同等であった。

（実施例１７〜１９）
上記実施例１における主表面第２研磨処理に用いた研磨液のｐＨを表３に示すｐＨ（アルカリ性領域）にそれぞれ調整した研磨液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１７〜１９のガラス基板を作製した。なお、研磨液のｐＨは、予めテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを添加して調整した。
上記最終洗浄処理前後のガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）の差（ΔＲａ）を上記実施例１と同様にして求め、その結果を纏めて以下の表３に示した。また、実施例１の結果についてもあわせて示した。

上記表３の結果から、本発明の研磨液をアルカリ性で用いることにより、最終洗浄処理による表面粗さの上昇を極めて小さく抑制することが可能である。研磨液のｐＨは、表面粗さ低減の観点からは、ｐＨが１０以上であることが好適である。

（実施例２１〜３２、比較例７〜１２）
上記主表面第２研磨処理に用いる研磨液として、１０重量％のコロイダルシリカ（平均粒径１５ｎｍ）を研磨砥粒として含む研磨液中に、表４に示す各添加剤を１．０重量％の含有量（添加量）で含有させたものを使用した。研磨液のｐＨは、予めテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを添加して全てアルカリ性（ｐＨ＝１２．５）に調整した。また、研磨荷重は１００ｇ／ｃｍ^２、取代は板厚換算で３μｍとした。
上記主表面第２研磨処理に上記のようにして調製した研磨液をそれぞれ用いたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２１〜３２及び比較例７〜１２のガラス基板を作製した。
上記実施例１と同様にして異物欠陥評価を行い、その結果を纏めて以下の表４に示した。また、上記最終洗浄処理前後のガラス基板主表面の表面粗さの差（ΔＲａ）についても上記実施例１と同様にして求めた。

本発明の研磨液をアルカリ性で用い、アルカリ性で研磨することにより、酸性研磨（上記表１の結果）と比較して、異物欠陥数のレベルは同等ながら、ΔＲａは全てのサンプルで０．０３ｎｍ以下となった。よって、アルカリ性研磨は、表面粗さ低減の観点で有利である。

（磁気ディスクの製造）
上記実施例１で得られた磁気ディスク用ガラス基板に以下の成膜工程を施して、垂直磁気記録用磁気ディスクを得た。
すなわち、上記ガラス基板上に、ＣｒＴｉ系合金薄膜からなる付着層、ＣｏＴａＺｒ合金薄膜からなる軟磁性層、ＮｉＷからなるシード層、Ｒｕ薄膜からなる下地層、ＣｏＣｒＰｔ系合金からなる垂直磁気記録層、カーボン保護層、潤滑層を順次成膜した。保護層は、磁気記録層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのもので、水素化カーボンからなり、耐磨耗性が得られる。また、潤滑層は、アルコール変性パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤をディップ法により形成した。
得られた磁気ディスクについて、ＤＦＨヘッドを備えたＨＤＤに組み込み、８０℃かつ８０％ＲＨの高温高湿環境下においてＤＦＨ機能を作動させつつ１ヶ月間のロードアンロード耐久性試験を行ったところ、特に障害も無く、良好な結果が得られた。なお、他の実施例で得られた磁気ディスク用ガラス基板を用いた場合も同様の結果が得られた。

１ ガラス基板
２ 太陽歯車
３ 内歯歯車
４ キャリア
５ 上定盤
６ 下定盤
７ 研磨パッド
１１ 基板の主表面
１２，１３ 基板の端面

Claims (7)

1. 円板状の基板を、表面に研磨パッドが配備された一対の定盤で挟み、前記円板状の基板の研磨面にコロイダルシリカを研磨砥粒として含む研磨液を供給して前記円板状の基板の主表面を研磨する研磨処理と、該研磨処理後に行う最終洗浄処理とを含む磁気ディスク用基板の製造方法であって、
   前記磁気ディスク用基板はガラス基板であり、
   前記研磨液は、溶媒は水であり、さらに下記一般式Ｉで示される物質（但し、２−ピロリドンを除く。）を添加剤として含有し、
   下記一般式Ｉで示される物質（但し、２−ピロリドンを除く。）の研磨液中の含有量は、０．０１重量％〜１０重量％の範囲内であり、
   前記研磨液は、ｐＨが１０以上のアルカリ性に調整されたものであり、
   前記最終洗浄処理は少なくともアルカリ洗浄を含み、前記最終洗浄処理後の前記ガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）と、前記最終洗浄処理直前の前記ガラス基板主表面の表面粗さ（Ｒａ）との差（ΔＲａ：洗浄処理後のＲａから洗浄処理前のＲａを引いた値）が０．０３ｎｍ以下である
   ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
   一般式Ｉ
   Ｒ_１−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ_２
   （式中、Ｒ_１はアルキル基または水素原子を表し、Ｒ_２はアルキル基または−ＮＨ−Ｒ_３を表す。Ｒ_３はアルキル基を表す。Ｒ_１とＲ_２は互いに同一の基であっても異なる基であってもよい。また、Ｒ_１とＲ_２が結合して環を形成してもよい。また、Ｒ_２が−ＮＨ−Ｒ_３である場合、Ｒ_１とＲ_３が結合して環を形成してもよい。）
2. 前記一般式Ｉで示される物質の分子量が、５００以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
3. 前記一般式Ｉで示される物質は、２−ピペリドン、グリシン無水物、２−イミダゾリジノン、テトラヒドロ−２−ピリミジノン、ヒダントイン、グリコールウリル、アラントイン、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチルプロピオン酸アミド、Ｎ−プロピルブチルアミドからなる群より選ばれた１種以上の物質であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
4. 前記一般式Ｉで示される物質は、前記一般式ＩにおいてＲ_１とＲ_２が結合して形成された環状構造、あるいはＲ_１とＲ_３が結合して形成された環状構造を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
5. 前記一般式Ｉで示される物質は、２−ピペリドン、グリシン無水物からなる群より選ばれた１種以上の物質であることを特徴とする請求項４に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
6. 前記研磨処理は、複数の研磨処理のうち最後の研磨処理であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気ディスク用基板の製造方法により製造された磁気ディスク用基板上に、少なくとも磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。

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