JP6416129B2 - 放射源コレクタ及び製造方法 - Google Patents

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Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１３年２月１５日に出願された米国仮出願第６１／７６５，１０８号、２０１３年５月２３日に出願された米国仮出願第６１／８２６，７５４号、及び２０１３年８月２０日に出願された米国仮出願第６１／８６７，７９６号の利益を主張する。これらの出願はその全体が参照により本願にも組み入れられる。
[0002] 本発明は、リソグラフィ装置において用いられる多層ミラーを製造する方法、そのようなミラー自体、及びそのようなミラーを含むリソグラフィ装置に関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
[0004] リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
[0005] パターン印刷の限界の理論的な推定値は式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
Figure 0006416129
[0006] 但し、λは、使用される放射の波長、ＮＡは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは、印刷される特徴のフィーチャサイズ（すなわちクリティカルディメンション）である。式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成することができることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又は、ｋ１の値の減少によるものである。
[0007] 露光波長を短縮し、それによって印刷可能な最小サイズを縮小するため、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍのように５〜１０ｎｍの範囲内の、１０ｎｍ未満の波長を有するＥＵＶ放射を使用できることが提案されている。このような放射は極端紫外線放射又は軟ｘ線放射と呼ばれている。可能な放射源には例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子蓄積リングにより与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
[0008] ＥＵＶ放射はプラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザ、及びプラズマを封じ込めるための放射源を含んでもよい。プラズマは例えば、適切な材料（例えばスズ）の粒子、又はＸｅガスもしくはＬｉ蒸気等の適切なガスもしくは蒸気の流れのような燃料に、レーザビームを向けることによって生成することができる。その結果生ずるプラズマは例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、これは放射コレクタを使用して収集される。放射コレクタは、放射を受け、放射をビームに合焦する鏡像化垂直入射コレクタであってもよい。放射源は、プラズマを支える真空環境を提供する閉鎖構造又はチャンバを含んでもよい。このような放射システムは通常レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ばれる。
[0009] 格子コレクタミラーを含むＥＵＶコレクタミラーは、ＥＵＶ放射を反射させる目的で、金属又は半金属若しくはセラミックの基板をモリブデン−シリコン多層スタックでコーティングしたものである。モリブデン−シリコン多層スタックは、放射源で生成された水素イオン等の揮発性の種に露呈され得る。水素イオン等の揮発性の種に連続して露呈されると、モリブデン−シリコン層内に水素が意図しないのに含まれることがある。この意図しない水素の包含によって、モリブデン−シリコン多層スタックの表面上にブリスタが形成され得る。このようなブリスタの形成は、例えば反射率の低下や局所的な合焦特性の変化を招くことで、ミラーの光学特性を劣化させる恐れがある。
[0010] モリブデン−シリコン層にイオンが到達することを阻止するように、モリブデン−シリコン多層スタックの表面にキャッピング層を設けることは既知である。しかしながら、キャッピング層の使用は、ミラーの反射率を低下させる傾向がある。別の代替案は、隣接したモリブデン−シリコン層間の界面の粗さを増大させることである。しかしながら、水素イオンの意図しない包含が低減してある程度の有利な効果は得られるものの、これもミラー表面の反射率を低下させてしまう。
[0011] ＥＵＶ放射源の使用中にブリスタを形成しにくい多層ミラーが必要とされている。
[0012] 本発明の第１の態様によれば、交互に配置された第１材料及びシリコンの層の対の多層スタックを備えた多層ミラーを製造する方法が提供される。この方法は、交互に配置された第１材料の層及びシリコンの層の対のスタックを堆積することであって、スタックが基板によって支持されている、ことと、第１材料の少なくとも第１層をドーパント材料でドープすることと、を含む。
[0013] 特に他の規定がない限り、ドープすることは、製造プロセス中に材料の構造内にドーパント材料を意図的に組み込むことを意味すると見なされるものとする。特に、ドープすることは、例えば使用中の材料への汚染物質の意図しない包含は含まない。例えば、シリコン層の堆積中又はシリコン層を含むコンポーネントの製造中の、シリコン層内への水素の原子又は分子（本明細書では概して「水素」と呼ぶ）の意図的な組み込みを、ドープすることと見なす。しかしながら、シリコン層を含むコンポーネントの使用中のシリコン層内への水素の意図しない包含は、ドープすることとは見なさない。
[0014] 特に他の規定がない限り、ドーパントは、製造中に材料の構造内に意図的に組み込まれるドーパント材料を意味すると見なされるものとする。特に、ドーパント材料への言及は、例えば使用中に材料内に意図せず包含される汚染物質を含むことは意図していない。
[0015] 本発明の第１の態様に従って、製造中に多層ミラー内の第１材料の層をドープすると、後にＥＵＶ放射源内で見出され得るような環境において使用している間に、第１材料の層内に水素が意図せず包含されることを防止するか又は少なくとも著しく抑制することができる。そのような環境では、ＥＵＶ誘発プラズマによって水素ラジカル又はイオンが生成されることがある。これらの水素ラジカル又はイオンが多層ミラーの層内に包まれると、最終的にミラー表面にブリスタを発生させ、ミラーの性能を劣化させる恐れがある。驚くべきことに、ミラー内の１つ以上の層をドープすると、多層ミラー内への水素の意図しない包含を防止するか又は少なくとも抑制することによって、ブリスタ形成の傾向を低減させ得ることがわかっている。
[0016] 第１材料はモリブデンとすればよい。モリブデン−シリコン多層ミラーは、ＥＵＶ放射に対して反射性の表面を与える。あるいは、第１材料は炭素とすればよい。炭素−シリコン多層ミラーは、モリブデン−シリコン多層ミラーと比べて反射率が向上したミラーを提供することができる。
[0017] 第１材料の１つ以上の層において用いるドーパント材料は水素とすればよい。第１材料の第１層に水素を組み込むと、使用中にミラー（第１材料の層を含む）が水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層がそれ以上水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0018] ドープすることは、第１材料の第１層内に少なくとも２０原子パーセント水素を組み込むことを含み得る。第１材料の第１層内に少なくとも２０原子パーセント水素を組み込むと、使用中にミラー（第１材料の層を含む）が水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0019] ドープすることは、第１材料の第１層内に４０原子パーセントまでの水素を組み込むことを含み得る。第１材料の第１層内に４０原子パーセントまでの水素を組み込むと、第１材料の層を水素で効果的に飽和させ得るので、入射する水素をそれ以上受容することが不可能となる。
[0020] 第１材料の１つ以上の層において用いるドーパント材料は、例えばヘリウム等の希ガスとしてもよい。第１材料の層においてドーパントとして使用可能な別の希ガスはネオンである。第１材料の第１層内に希ガスを組み込むと、使用中にミラー（第１材料の層を含む）が水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0021] ドープすることは、第１材料の第１層内に１０原子パーセントまでの希ガスを組み込むことを含み得る。第１材料の第１層内に１０原子パーセントまでの希ガスを組み込むと、使用中にミラー（第１材料の層を含む）が水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0022] ドープすることは、第１材料の第１層の堆積中に第１材料の第１層内にドーパント材料を組み込むことを含み得る。第１材料の第１層の堆積中にドープすると、第１材料の第１層の構造内にドーパント材料を安定的に組み込むことができ、その後ドーパント材料は第１材料の構造内で拡散せず、個々のドーパント原子又は分子は第１材料の構造内で結合される。
[0023] ドープすることは、気相ドーパント材料の存在下で第１材料の第１層を堆積することを含み得る。気相ドーパント材料を用いると、従来の材料堆積技法を、気相ドーパントが存在することのみ修正して用いることができる。気相ドーパントの濃度は、ドープしている第１材料の第１層内のドーピング密度を制御するように変更することができる。
[0024] あるいは、ドープすることは、堆積中に第１材料の第１層にドーパントイオン又はドーパントプラズマを照射することを含み得る。
[0025] 別の代替案において、ドープすることは、第１材料の第１層の堆積後に第１材料の第１層内にドーパント材料を組み込むことを含み得る。例えばドープすることは、第１材料の第１層の堆積後であるが後に続くシリコン層の堆積前に、第１材料の第１層にドーパントイオン又はドーパントプラズマを照射することを含み得る。
[0026] 第１材料の第１層は、基板から最も遠くに配置されている第１材料の層とすればよい。
[0027] 多層ミラーの構造は、基板上に堆積された、交互に配置された第１材料の層及びシリコンの層の対を含む。基板から最も遠い（すなわち最後に堆積された）ミラーのシリコン層は、ミラーの表面を画定する露出表面を有する。ミラーの表面は、ミラーに入射する放射を最初に受ける。基板から最も遠いシリコン層は、その下に第１材料の層があり、共に対を形成する。基板から最も遠いシリコン層を含む対は、基板から最も遠い層対である。従って、基板から最も遠い対内の第１材料の層は基板から最も遠い第１材料の層である。
[0028] あるいは、基板から最も遠いシリコン層、第１材料の層、又は対は、それぞれ、ミラーの表面に最も近いシリコン層、第１材料の層又は対と呼ぶことができる。
[0029] あるいは、第１材料の層及びシリコンの層を逆にして、ミラーの表面が基板から最も遠い第１材料の層によって画定され、これが最後に堆積されるようにすることも可能である。
[0030] 基板から最も遠い第１材料の層をドープすると、（第１材料の他の層をドープすることに比べて）ミラーに最大の保護が与えられる。これは、ミラーの表面に最も近い第１材料の層が、ミラーに入射する最も大きい水素フルエンス（ｆｌｕｅｎｃｅ）（すなわち第１材料の他の層よりも大きい）を受けるからである。最大の水素フルエンスを受けるこの層をドープすると、この層内への水素の意図しない包含が防止されるだけでなく、表面に最も近い層を水素が貫通するのを阻止又は制限することで、表面から遠い（すなわち基板に近い）層が、入射する水素から守られる。
[0031] この方法は、少なくとも第１シリコン層を水素でドープすることをさらに備えることができる。第１シリコン層の追加のドープによって、多層ミラー使用中の意図しない水素の包含からの保護レベルを高める。第１シリコン層で用いるドーパントは、第１材料の第１層で用いるドーパントと同じか又は異なるものとすることができる。さらに、シリコン層及び第１材料層にドーパントを組み込む方法は、同じか又は異なるものとすることができる。
[0032] 製造中に多層ミラー内の第１シリコン層をドープすると、後にＥＵＶ放射源内で見出され得るような環境において使用している間に、そのシリコン層内に水素が意図せず包含されることを防止するか又は少なくとも著しく抑制することができる。そのような環境では、ＥＵＶ誘発プラズマによって水素ラジカル又はイオンが生成されることがある。これらの水素ラジカル又はイオンが多層ミラーの１つ以上のシリコン層内に包まれると、最終的にミラー表面にブリスタを発生させ、ミラーの性能を劣化させる恐れがある。ミラー内の１つ以上のシリコン層内でドーパントとして水素を用いると、多層ミラーのシリコン層内へのそれ以上の水素の意図しない包含が防止又は制限されることによって、ブリスタ形成を防止又は少なくとも抑制させ得ることが思いがけず明らかになっている。
[0033] ドープすることは、第１シリコン層内に少なくとも１０原子パーセント水素を組み込むことを含み得る。第１シリコン層内で少なくとも１０原子パーセント水素を用いると、多層ミラーの使用中にシリコンがそれ以上水素を受容する容量を著しく低減又は皆無にするので、使用中に水素が意図されずそれ以上包含されることが防止又は少なくとも著しく抑制される。
[0034] ドープすることは、第１シリコン層内に３０原子パーセントまでの水素を組み込むことを含み得る。第１シリコン層内に３０原子パーセントまでの水素を組み込むと、シリコン層を水素で効果的に飽和させて、入射する水素をそれ以上受容することが不可能となるので、使用中にシリコン層を含むミラーが水素ラジカル又はイオンに露呈されている時にそのシリコン層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0035] 第１シリコン層は、基板から最も遠くに配置されているシリコン層とすればよい。基板から最も遠いシリコン層をドープすると、単一シリコン層又は任意のタイプの層が提供することができる最大の保護がミラーに与えられる。ミラーの表面に最も近いシリコン層は、ミラー内の（シリコン又は第１の材料の）あらゆる層の中で最も大きいミラー入射水素フルエンスを受ける。最大の水素フルエンスを受けるこの層をドープすると、この層内への水素の意図しない包含が防止又は少なくとも著しく制限されるだけでなく、表面に最も近い層を水素が貫通するのを阻止又は制限することで、表面から遠い層が、入射する水素から守られる。
[0036] ドープすることは、第１シリコン層の堆積中に第１シリコン層内に水素を組み込むことを含み得る。第１シリコン層の堆積中にドープすると、シリコン層の構造内にドーパント材料を安定的に組み込むことができ、その後ドーパント材料は第１材料の構造内で拡散せず、個々のドーパント原子又は分子は第１材料の構造内で結合される。
[0037] 本発明の第２の態様によれば、交互に配置された第１材料の層及びシリコンの層の対の多層スタックを備える多層ミラーが提供される。スタックは基板によって支持され、第１材料の少なくとも第１層はドーパント材料でドープされている。
[0038] 上述のように、製造中に多層ミラー内の第１材料の第１層をドープすると、後にＥＵＶ放射源内で見出され得るような環境において使用している間に、第１材料のその層内に水素が意図せず包含されることが防止されるか又は少なくとも著しく制限される。ミラーを構成する１つ以上の層内でドーパントを使用すると、多層ミラーの層内への水素の意図しない包含が防止又は少なくとも著しく制限されることによって、ブリスタ形成を防止又は少なくとも抑制することができる。
[0039] 第１材料はモリブデンとすればよい。モリブデン−シリコン多層ミラーは、ＥＵＶ放射に対して反射性の表面を与える。あるいは、第１材料は炭素とすればよい。炭素−シリコン多層ミラーは、モリブデン−シリコン多層ミラーと比べて性能が向上した表面を提供することができる。
[0040] ドーパント材料は水素とすればよい。第１材料の第１層に水素を組み込むと、使用中にミラー（第１材料の層を含む）が水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0041] ドーパント材料は、第１材料の第１層の少なくとも２０原子パーセント水素に相当し得る。第１材料の第１層内に少なくとも２０原子パーセント水素を組み込むと、使用中にミラー（第１材料の層を含む）が水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0042] ドーパント材料は、第１材料の第１層の４０原子パーセントまでの水素に相当し得る。第１材料の第１層内に４０原子パーセントまでの水素を組み込むと、第１材料の層を水素で効果的に飽和させ得るので、入射する水素をそれ以上受容することが不可能となる。
[0043] 第１材料の１つ以上の層において用いるドーパント材料は、例えばヘリウム等の希ガスとしてもよい。第１材料の層においてドーパントとして使用可能な別の希ガスはネオンである。第１材料の第１層内に希ガスを組み込むと、使用中にミラー（第１材料の層を含む）が水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0044] 希ガスドーパント材料は、第１材料の第１層の１０原子パーセントまでに相当し得る。第１材料の第１層内に１０原子パーセントまでの希ガスを組み込むと、使用中に水素ラジカル又はイオンに露呈されている時に第１材料のその層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0045] 第１材料の第１層は、基板から最も遠くに配置されている第１材料の層とすればよい。上述のように、基板から最も遠い（すなわちミラーの表面に最も近い）第１材料の層をドープすると、第１材料の単一の層が提供することができる最大の保護がミラーに与えられる。ミラーの表面に最も近い第１材料の層は、ミラー内の第１材料のあらゆる層の中で最も大きいミラー入射水素フルエンスを受ける。この層をドープすると、この層内への水素の意図しない包含が防止又は少なくとも著しく制限されるだけでなく、表面に最も近い第１材料の層を水素が貫通するのを阻止又は少なくとも著しく制限することで、表面から遠い層が、入射する水素から守られ得る。
[0046] 多層ミラーは、水素をドープされた少なくとも第１シリコン層をさらに備えることができる。第１シリコン層の追加のドープによって、多層ミラー使用中の意図しない水素の包含からの保護レベルを高めることができる。シリコン層で用いるドーパントは、第１材料の層で用いるドーパントと同じか又は異なるものとすることができる。さらに、シリコン層及び第１材料層にドーパントを組み込む方法は、同じか又は異なるものとすることができる。
[0047] 製造中に多層ミラー内の第１シリコン層をドープすると、後にＥＵＶ放射源内で見出され得るような環境において使用している間に、そのシリコン層内に水素が意図せず包含されることを防止するか又は少なくとも著しく抑制することができる。そのような環境では、ＥＵＶ誘発プラズマによって水素ラジカル又はイオンが生成されることがある。これらの水素ラジカル又はイオンが多層ミラーの１つ以上のシリコン層内に包まれると、最終的にミラー表面にブリスタを発生させ、ミラーの性能を劣化させる恐れがある。ミラー内の１つ以上のシリコン層内でドーパントとして水素を用いると、多層ミラーのシリコン層内へのそれ以上の水素の意図しない包含が防止又は制限されることによって、ブリスタ形成を防止又は少なくとも抑制させ得ることが思いがけず明らかになっている。
[0048] 水素は、第１シリコン層の少なくとも１０原子パーセントに相当し得る。第１シリコン層内で少なくとも１０原子パーセント水素を用いると、多層ミラーの使用中にシリコンがそれ以上水素を受容する容量を著しく低減させるので、使用中に水素が意図されずそれ以上著しく包含されることが防止される。
[0049] 水素は、第１シリコン層の３０原子パーセントまでに相当し得る。第１シリコン層内に３０原子パーセントまでの水素を組み込むと、シリコン層を水素で効果的に飽和させて、入射する水素をそれ以上受容することが不可能となるので、使用中にシリコン層を含むミラーが水素ラジカル又はイオンに露呈されている時にそのシリコン層が水素を意図せず包含することに抵抗する能力を著しく高めることができる。
[0050] 第１シリコン層は、基板から最も遠くに配置されているシリコン層とすればよい。上述のように、基板から最も遠いシリコン層をドープすると、単一シリコン層が提供することができる最大の保護がミラーに与えられる。基板から最も遠い（すなわちミラーの表面に最も近い）シリコン層は、ミラー内のあらゆるシリコン層の中で最も大きいミラー入射水素フルエンスを受ける。最大のフルエンスを受けるこの層をドープすると、この層内への水素の意図しない包含が防止又は少なくとも著しく制限されるだけでなく、表面に最も近い層を水素が貫通するのを阻止又は少なくとも著しく抑制することで、表面から遠い層が、入射する水素から守られる。
[0051] また、本発明の第２の態様によれば、多層ミラーを備えるリソグラフィ装置が提供される。
[0052] 本発明の第３の態様によれば、交互に配置された第１材料及び第２材料の層の対の多層スタックを備えた多層ミラーを製造する方法が提供される。この方法は、交互に配置された第１材料の層及び第２材料の層の対のスタックを堆積することであって、スタックが基板によって支持されている、ことと、第１材料の少なくとも第１層を第１金属ドーパントでドープすることと、を含む。
[0053] この方法は、多層ミラー上にキャッピング層を堆積することをさらに備え得る。このようなキャッピング層は、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＣ、及びＢ４Ｃから成る群からの材料と組み合わせることができる。キャッピング層（例えばＺｒＮキャッピング層）と組み合わせてそのような材料を用いると、大きな水素蓄積がキャッピング層に限定されることが保証される。
[0054] この方法は、キャッピング層を第２金属ドーパントでドープすることをさらに含むことができる。
[0055] 第１の金属ドーパントは、第２金属ドーパントとは異なってもよい。
[0056] 第１金属ドーパントは、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含み得る。
[0057] 第２金属ドーパントは、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含み得る。
[0058] 第１材料はシリコンを含むことができる。
[0059] 第２材料はモリブデンを含むことができる。
[0060] 本発明の第４の態様によれば、交互に配置された第１材料及び第２材料の層の対の多層スタックを備え、このスタックが基板によって支持された多層ミラーが提供される。第１材料の少なくとも第１層は第１金属ドーパントでドープされている。
[0061] 多層ミラーは、キャッピング層をさらに備えてもよい。
[0062] キャッピング層は第２金属ドーパントでドープしてもよい。
[0063] 第１金属ドーパントは、第２金属ドーパントとは異なってもよい。
[0064] 第１金属ドーパントは、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含み得る。
[0065] 第２金属ドーパントは、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含み得る。
[0066] 第１材料はシリコンを含むことができる。
[0067] 第２材料はモリブデンを含むことができる。
[0068] 本発明の別の特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思い付くであろう。
[0069] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
[0070] 本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0071] リソグラフィ装置１００のさらに詳細な図である。 [0072] 図１及び図２の装置の放射源ＳＯのさらに詳細な図である。 [0073] 本発明の一実施形態に従った、図３の放射源において使用可能な多層ミラーを概略的に示す。 [0074] 本発明の一実施形態に従った、図３の放射源において使用可能な多層ミラーを概略的に示す。 [0075] 本発明の一実施形態に従った、図３の放射源において使用可能な多層ミラーを概略的に示す。 [0076] 本発明の一実施形態に従った、図３の放射源において使用可能な多層ミラーを概略的に示す。 [0077] 本発明の一実施形態に従った多層ミラーの製造において使用可能な方法のステップを示す。 [0078] 本発明の一実施形態に従った、図３の放射源において使用可能な多層ミラーを概略的に示す。
[0079] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことでさらに明白になろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。ある要素が最初に出現する図面は、対応する参照番号の左端の１つ又は複数の数字によって示される。
[0080] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
[0081] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」、「いくつかの実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
[0082] 図１は、本発明の一実施形態による放射源ＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。この装置は以下を備えている。
[0083] 放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ。
[0084] パターニングデバイス（例えばマスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築されると共に、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ。
[0085] 基板（例えばレジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するように構築されると共に、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ。
[0086] パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイからなる）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳ。
[0087] 照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
[0088] 支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否か等の条件に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を用いて、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にできるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して確実に所望の位置に来るようにしてもよい。
[0089] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
[0090] パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフトマスク、ハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
[0091] 照明システムのような投影システムは、使用する露光放射、又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。その他のガスは放射を吸収しすぎるため、ＥＵＶ放射用には真空を使用することが望ましいことがある。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いてビーム経路全体に真空環境を設けてもよい。
[0092] 本明細書で示すように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。
[0093] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
[0094] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受光する。ＥＵＶ放射を生成する方法は、物質を、少なくとも１つの元素、例えば、キセノン、リチウム又はスズを有し、ＥＵＶ範囲の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態に変換するステップを含むが、必ずしもこれに限定されない。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いそのような１つの方法では、必要な輝線放出元素を有する物質の小滴、流れ、又はクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することで必要なプラズマを生成できる。放射源ＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するレーザ（図１には示さず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、放射源内に配置された放射コレクタを用いて収集される出力放射、例えば、ＥＵＶ放射を放出する。例えばＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザ及び放射源は別個の構成要素であり得る。
[0095] そのような場合、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、レーザビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを備えたビームデリバリシステムを利用して、レーザから放射源へと渡される。
[0096] 放電生成プラズマ（「ＤＰＰ」）と呼ばれることが多い他の方法においては、放電を用いて燃料を気化させることで、ＥＵＶ放出プラズマを生成する。燃料は、ＥＵＶ範囲内に１つ以上の輝線を有するキセノン、リチウム、又はスズ等の元素とすればよい。放電は電力供給部によって生成可能である。電力供給部は、放射源の一部を形成するものか、又は放射源に電気的接続を介して接続された別個の構成要素とすることができる。
[0097] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタを備えていてもよい。通常、少なくとも、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス及びファセット瞳ミラーデバイスのような他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
[0098] 放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡで反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）を利用して、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサＰＳ１を利用して、放射ビームＥＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせしてもよい。
[0099] 図示する装置は、以下のモードの少なくとも１つで用いることができる。
[00100] １．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
[0100] ２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
[0101] ３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
[0102] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
[0103] 図２は、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をさらに詳細に示す。放射源ＳＯは、この放射源ＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持することができるように構築及び配置されている。放電生成プラズマ源によって、ＥＵＶ放射を発するプラズマ２１０を形成することができる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気のようなガス又は蒸気を用いて、極めて高温のプラズマ２１０を生成して電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出させることで生成可能である。極めて高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって少なくとも部分的に電離したプラズマを生じることにより生成される。効率的な放射発生のために、例えば分圧が１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎの蒸気、又は他のいずれかの適切なガスもしくは蒸気が必要となる場合がある。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するため、励起したスズ（Ｓｎ）のプラズマを供給する。
[0104] 高温のプラズマ２１０が発した放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ、放射源チャンバ２１１の開口内又は開口の後ろに位置決めされた任意選択の気体バリア又は汚染トラップ２３０（場合によっては汚染バリア又はホイルトラップとも称される）を介して送出される。汚染トラップ２３０はチャネル構造を含むことができる。また、汚染トラップ２３０は、気体バリア又は気体バリアとチャネル構造との組み合わせを含むことができる。本明細書でさらに示す汚染トラップ又は汚染バリア２３０は、少なくとも、当技術分野において既知のチャネル構造を含む。
[0105] コレクタチャンバ２１２は、いわゆるかすめ入射コレクタとすることができる放射コレクタＣＯを含み得る。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１及び下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断した放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射させて、仮想放射源点ＩＦに合焦させることができる。仮想放射源点ＩＦは一般に中間焦点と称され、放射源は、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２２１に又はその近傍に位置するように構成されている。仮想放射源点ＩＦは、放射を発するプラズマ２１０の像である。
[0106] この後、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角度分布を与えると共にパターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度均一性を与えるように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２及びファセット瞳ミラーデバイス２４を含むことができる。支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射されると、パターニングされたビーム２６が形成され、このパターニングされたビーム２６は、投影システムＰＳにより、反射要素２８、３０を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
[0107] 一般に、照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、図示するよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意に存在し得る。さらに、図示するよりも多くのミラーが存在する場合があり、例えば、投影システムＰＳには、図２に示すものに比べて１つから６つの追加の反射要素が存在することがある。
[0108] 図２に示すようなコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の単なる一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子状のコレクタとして示されている。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸方向に対称に配置され、このタイプのコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて好適に用いられる。
[0109] あるいは、放射源ＳＯは、図３に示すようにＬＰＰ放射システムの一部とすることも可能である。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）等の燃料内にレーザエネルギを堆積するように配置され、これによって数十ｅＶの電子温度を有する高度に電離したプラズマ２１０を生成する。これらのイオンの下方遷移及び再結合の間に発生した高エネルギ放射が、プラズマから放出され、近垂直入射コレクタ光学部品ＣＯによって収集され、閉鎖構造２２０の開口２２１に合焦される。
[0110] 図４は、図３の垂直入射コレクタ光学部品ＣＯの一部を形成するコレクタミラー３００の第１の実施形態を概略的に示す。図示のように、コレクタ光学部品ＣＯは本発明の一態様による多層ミラー３００を含み、ミラー３００は、交互に配置されたモリブデン層３１０及びシリコン層３２０の対を複数含んで、基板３３０の上に多層スタックを画定する。多層ミラーはさらに、第１のドープシリコン層３４０及び第１のドープモリブデン層３５０も含む。一般に、連続するモリブデン層及びシリコン層の間の拡散を回避するために、これらの層間にバリア層（図には示していない）を設けることができる。そのようなバリア層は、例えばＢ４Ｃ等の炭化ホウ素から生成すればよい。
[0111] 多層ミラー３００は、使用の際に水素が内部に存在し得るプラズマ放射源のためのコレクタミラーとして特定的に用いられる。例えば、ＬＰＰ放射源においてデブリ及び付着物の除去を行うために水素を使用することがある。このようなコレクタミラーをプラズマ放射源の近くに位置付ける必要があり得る場合、従来技術のミラーでは、水素がミラーに当たってブリスタ形成を発生させるリスクがある。そのような損傷は、多層ミラー３００の反射率の低下又は多層ミラー３００の光学焦点の劣化を引き起こすことで、光学性能の低下を招きかねない。本発明の多層ミラー３００は、多層ミラー３００の最上層の構造内にドーパントを組み込むことで、そのようなブリスタ形成又は劣化のリスクを低減又は解消する。ドーパントは、使用中に意図しないのに水素が多層ミラー３００の層内に含まれることを阻止するように機能する。
[0112] 従来の多層ミラーにおいて、多層スタックのシリコン最上層３２０を保護するために、放射源ＳＯの使用中に多層スタック及び基板３３０を水素原子又はイオンのボンバード（ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ）から遮蔽する保護領域を用いることは既知である。しかしながら本発明では、ＥＵＶ放射源内での使用中にさらされる苛酷な動作条件に露呈される前に、多層ミラーの１つ以上の層内に水素又はドーパント材料を組み込むことによって、多層スタックを水素ボンバードから保護する。
[0113] 本明細書において用いる場合、「上」、「最上」、「外側」、及び「内側」という言葉は、関連する１つ又は複数の図面に示される機構に対応するが、便宜的に用いるに過ぎない。コレクタ光学部品ＣＯの「最上」又は「上」層に言及する場合、これは、コレクタ光学部品ＣＯに入射する放射を最初に受光すると共に基板３３０から最も遠い層を指し示すことを意図している。この取り決めに従い、スタックの「下方」層は、スタックの「上方」層よりも後に入射放射を受光する。
[0114] 本発明の多層ミラーの製造は、基板上へのスパッタリング及び／又は化学蒸着等の標準的な多層堆積法によって実行可能である。しかしながら、堆積中にシリコン層及び／又はモリブデン層内へドーパントを組み込んで、使用時にこれらの層内に水素種がさらに包含されることを防ぐ。例えば、水素リッチな環境においてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を堆積して、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜を生成することができる。ａ−Ｓｉ膜をスパッタリングによって堆積する場合、スパッタリングガスに水素ガスを追加することができる。あるいは、プラズマエンハンス化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）等のＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜を堆積する場合、前駆体ガスとしてＳｉＨ４を用いるか、又は追加の前駆体ガスとしてＨ２を用いることで、水素を組み込むことができる。
[0115] このように堆積したａ−Ｓｉ膜内の水素濃度は、１０〜３０原子百分率（原子％）に達することができる。堆積中にこのような高い割合の濃度を含ませることで、ａ−Ｓｉ材料を効果的に飽和させる。これは、通常使用におけるイオンボンバード中に、それ以上の水素の取り込みが防止されることを意味する。実際、ａ−Ｓｉ膜に関して行われた研究によって、ａ−Ｓｉ膜が組み込むことができる水素量に限度があることが示されている。いったんａ−Ｓｉ膜が所定の水素フルエンスを受容したら、さらに水素フルエンスが増大しても水素保持量が増大し続けることはない。この条件を用いて、ａ−Ｓｉ層がミラー製造中に有効水素飽和容量に達したことを保証することで、多層ミラーの通常使用時にそれ以上の水素の取り込みを防止する。
[0116] また、堆積後でなく堆積中に水素を含ませることで、組み込まれた水素は安定的にａ−Ｓｉ構造に結合されるので、水素はその後ａ−Ｓｉ構造内で拡散せず、個々のドーパント原子又は分子はａ−Ｓｉ構造内で結合される。例えば、シリコンのダングリングボンドを水素原子によって終端させることができる。あるいは、水素分子をａ−Ｓｉ構造内のボイドに組み込むことができる。このように含ませた水素はａ−Ｓｉ材料内で拡散しないので、水素イオン又は分子はそれ以上移動しない。実験的な研究によって、このように多層スタック内のａ−Ｓｉ層に組み込まれた水素は隣接層に拡散しないことが示されている。例えば、ａ−Ｓｉ層に３０原子％の水素が組み込まれたミラーにおいて、隣接するモリブデン層を検査した結果、モリブデン層に存在する水素はわずか０．５原子％であることが明らかになった。これは、含ませた水素がａ−Ｓｉ構造内で安定的に接合された（ｂｏｎｄ）か又は少なくとも結合された程度を示している。
[0117] 水素をａ−Ｓｉ構造内に組み込むことで、ａ−Ｓｉ材料内で水素がそれ以上拡散することが防止されるか又は少なくとも著しく抑えられる。水素の高い初期濃度（例えば３０原子％）は、ａ−Ｓｉ材料を水素によって効果的に飽和させるので、ａ−Ｓｉ材料が露呈され得る水素プラズマからの反応性イオン、原子、又は分子でボンバードされた場合であっても、それ以上の水素を受容することは防止されるか又は著しく抑えられる。
[0118] ａ−Ｓｉ堆積における堆積中の水素の組み込みは実証されているが、モリブデンのマグネトロンスパッタリング中のスパッタリングガスに水素を追加した場合、高度に水素化されたモリブデン膜は生成されない。実際、このように堆積したモリブデン膜では、水素保持は無視できる程度であることが示されている。実験により、モリブデン膜の堆積中のスパッタリングガスに水素を追加した結果、得られる水素濃度は約０．５原子％であることが示されている。しかしながら、ＥＵＶ放射源内で用いられるもの等のプラズマ条件に露呈されたモリブデン膜を調べると、通常の使用条件の間にモリブデン材料内に著しい量の水素が組み込まれ得ることが示されている。そのような条件下で、２０原子％の高さのモリブデン膜内の水素濃度が観察されており、このような高濃度は多層ミラー表面でのブリスタ形成に関連している。従って、使用中のモリブデン膜内の水素の取り込みを防ぐことにより、ブリスタ形成及びこれに伴う性能劣化が防止される。ａ−Ｓｉについて行われるものと同様の手法、すなわち堆積中にモリブデンを水素で効果的に飽和させることで、使用中に水素がそれ以上取り込まれるのを防ぐ。
[0119] モリブデン層内の２０原子％から４０原子％の水素ドーパント濃度によって、使用中にモリブデン層がそれ以上の水素を意図せずに包むことが防止される。実験的な研究により、モリブデン層内の２０原子％の水素濃度は、水素にさらに露呈されても増大し続けないことが示されている。従って、製造中にモリブデン層に２０原子％水素をドープすると、使用中に著しい量の水素が意図せず含まれることを防ぐ可能性が高い。４０原子％の水素濃度は、モリブデン層に組み込むことが可能な最大水素量を表す。
[0120] 成長中のモリブデン層を水素プラズマに露呈させることによって、モリブデン膜に水素を組み込むことができる。あるいは、水素プラズマ又はイオン源内に発生させた水素イオンを、モリブデン層の成長中にこの層に入射させてもよい。形成中に水素に露呈されたモリブデン層は、水素で効果的に飽和させることができる。この場合も、モリブデン層が水素を組み込む容量の上限に達したら、それ以上水素に露呈しても水素をさらに保持することはできず、その後のブリスタ形成も生じない。
[0121] 使用時に、ＥＵＶ誘発プラズマで生成された水素イオンは、本発明の実施形態によるミラーの多層スタックの上部シリコン層内に一時的に組み込まれ得る。しかしながら、シリコン層及び隣接するモリブデン層がすでに保持可能な量の水素を含んでいて、全ての可能な捕獲サイト（ｔｒａｐ ｓｉｔｅ）がふさがっているならば、一時的に組み込まれた水素種は多層スタック内に保持されない。
[0122] 水素を用いて多層スタック内の可能な水素捕獲サイトを飽和させることに加えて、他のドーパントを同様に用いることも可能である。例えばヘリウムを含ませると、モリブデンが水素を受容する能力が低減する。ヘリウムをスタック層内に組み込むことで、そうでなければ水素を受容することができた捕獲サイト又は空きがふさがり、水素の受容が不可能となる。あるいは、他の希ガスによってヘリウムと同じ機能を実行することも可能である。
[0123] モリブデン内の希ガスドーパント濃度は、水素ドーパントより低い濃度で効果的に作用する。例えば１０原子％ヘリウムまでの濃度によって、モリブデン層が使用中に水素を意図せず含むことが防止される。
[0124] ヘリウム又は他の希ガスは、多層スタックの１つ以上の層を堆積する際にそれらの層内に組み込まれる。この希ガス組み込みは、堆積中に各層を希ガスプラズマ又はイオンビームに露呈することで達成される。あるいは、単に希ガスを含む環境で層を堆積することによって、層の構造内に充分な希ガスを組み込むことも可能であり得る。このような気相ドーピングを行うと、せいぜい既存の堆積手順のわずかな変更しか必要でない簡単な希ガスドーピング方法が提供される。さらに、気相ドーピングを用いると、入射イオンが層の界面又は内部構造に損傷を与えるリスクが低減する。
[0125] 別の代替的な方法は、多層ミラーの各層の堆積後であってその後の層の堆積前に、各層をドーパント種の低エネルギプラズマ又はイオンビームに露呈させることである。そのような処理のいくつかでは、ドーパント種が層の表面にのみ配置されるのではなく層を貫通するのを可能とするため、ドーピング後アニーリングプロセスが必要となる場合がある。しかしながら、堆積後の層ごとの処理で高エネルギイオンを用いると、堆積した層に損傷を与える恐れがあるので、その場合は回避するべきである。さらに、堆積後の層ごとの技法によって与えられる高レベルドーピングの使用自体がブリスタ形成を引き起こす可能性があり、これはドーピングにおいて防止又は少なくとも大幅な抑制が望まれる現象（ｅｆｆｅｃｔ）である。従って、満足できるレベルのドーパント包含を達成するためにそのような堆積後の層ごとの処理を用いる際には、注意が必要である。
[0126] このように、水素又は希ガス等の他のドーパントを安定した結合構成で含ませることは、使用中に水素がさらに取り込まれるのを防ぎ、従って多層ミラー内での水素ブリスタ形成を防止する。
[0127] キャッピング層を設ける等、多層ミラーにおけるブリスタ形成の問題に対する代替的な解決策は、寿命が限られている。キャッピング層を用いると、その下のスタック層に水素が組み込まれる速度を遅くすることによって水素ブリスタ形成の開始を遅延させることができる。しかしながら、ＥＵＶ放射源内で見出される苛酷な動作条件（すなわち水素プラズマ）に長期にわたって露呈された後では、キャッピングされた多層ミラーであっても、水素への露呈によるブリスタ形成が起こる。また、キャッピング層を用いた多層ミラーでは、キャッピング層の取り外し及び再度の取り付けを伴う定期的な修繕を行う必要があり得る。さらに、キャッピング層の使用は多層スタックの初期反射率を低下させる可能性がある。そのような反射率の低下は、ミラーが用いられるＥＵＶ放射源の全体的な効率を低下させるので、できる限り回避するべきである。しかしながら、本発明の一実施形態による多層ミラーにキャッピング層を設けてもよいことは認められよう。
[0128] 多層ミラー内の金属層又は半金属層にドーパントを組み込むことで得られる別の効果は、多層ミラーの反射率を上昇させ得ることである。水素の包含によって、モリブデン−シリコン多層ミラーの反射率の向上が可能となることが示されている。
[0129] これまでの記載ではモリブデン−シリコン多層ミラーについてのみ検討したが、適宜、モリブデン層を代替的な材料で置き換えることも可能である。代替的な材料は屈折率に応じて選択すればよい。代替的な層とシリコン層との屈折率の差が、多層ミラーの使用が意図されるＥＵＶ放射の特定波長におけるミラーの反射特性を決定する。例えば、モリブデン層を炭素層で置き換えることができる。
[0130] モリブデン層に関して記載したようなドーププロセスは、例えば炭素層等の代替的な層にも適用可能である。
[0131] 多層ミラーを水素プラズマに露呈させた場合、多層ミラーの最上層が最も大きい水素フルエンスを受け、その後に直下の層等が続くことは認められよう。各層は水素マイグレーションに対するバリアとして機能し、スタック内の次の層をある程度保護する。従って、多層ミラー内の全ての層を処理すれば、水素の包含及びそれによるブリスタ形成からの最大レベルの保護が得られるが、著しい性能上の利点をもたらすために多層ミラー内の全ての層をそのように処理することは必須ではない。図４に示す実施形態では、最上シリコン層３５０及び最上モリブデン層３４０がドープされているが、一例として、さらに保護が必要な場合はスタック対の各々の１０の最上層に処理を行ってもよい。所望の場合、多層スタック内の全ての層を上述の方法でドープすることも可能であることは認められよう。
[0132] 層の処理によって得られる性能上の利点は、これに伴う処理コストに照らして検討するべきである。処理に伴うコストは例えば、従来の層と比較した、処理を行った各層の堆積のために必要な時間の延長分であり得る。あるいは、多層ミラー内へのドーパント組み込みにより、ドーパントを含有する層に追加の応力が加わる可能性がある。
[0133] 従って、層の処理に伴うマイナスの影響又はコストがなければ含まれるはずであるドープ層の数よりも少なくすることが最適であり得る。このように、層をドープすることにより得られる利点と、追加ドープ層を含むことによるマイナスの結果との間で、妥協点を探る。場合によっては、図４に示すように、多層ミラーの最初の層対のみに処理を行うことが有益であり得る。あるいは、場合によっては、多層ミラーの最初の２つの層対のみに処理を行うことが有益であり得る。
[0134] さらに、これまで層対の処理について検討したが、個々の層の処理を行うことも可能である。例えば、モリブデン−シリコン多層ミラー内のモリブデン層のみを処理することで、ブリスタ形成抵抗を著しく向上させ得る。多層ミラーの水素プラズマへの露呈中のモリブデン層内の水素組み込みは特に重要であり、以降の分析においてシリコン層よりもモリブデン層に高濃度の水素が観察されることが示されている。従って、モリブデン層のみを処理することで満足のいく改善が得られる。図５は、多層ミラー４００が複数のシリコン層４２０及び複数のモリブデン層４１０を含む実施形態を示す。多層ミラー４００は、最上モリブデン層である単一のドープモリブデン層４４０を含む。
[0135] 図６は、多層ミラー５００が複数のシリコン層５２０及び複数のモリブデン層５１０を含むさらに代替的な実施形態を示す。多層ミラー５００は、最上モリブデン層である２つのドープモリブデン層５４０を含む。さらに別の実施形態では、複数のモリブデン層をドープすることが可能であることは認められよう。いくつかの実施形態では、多層ミラー内の全てのモリブデン層をドープしてもよい。
[0136] 図７は、多層ミラー６００がモリブデン−シリコン多層スタックを備え、続いて例えば炭素−シリコン多層スタック等の代替的な材料の別の多層スタックを備えるさらに別の代替的な実施形態を示す。多層ミラー６００は、複数のシリコン層６２０及び複数のモリブデン層６１０を含む。このような実施形態では、多層スタックの層のいずれか又は全てをドープすることも可能である。例えば図７に示すモリブデン−シリコン多層スタックは、複数のドープしていないモリブデン層６１０及びドープしていないシリコン層６２０から成る。多層ミラー６００はさらに、ドープした炭素層６６０及びドープしていないシリコン層６７０から成る炭素−シリコン多層スタックを含む。
[0137] 多層ミラー６００は、最上炭素層である２つのドープ炭素層６６０を含む。さらに別の実施形態では、単一の炭素層をドープしてもよいことは認められよう。シリコン層６７０はドープされていない。しかしながら代替的な実施形態では、シリコン層６７０の１つ以上をドープすることも可能である。あるいは、炭素−シリコン多層スタックはさらに別の炭素−シリコン層対から成り、これを構成する層又は層対の１つ以上をドープしてもよい。いくつかの実施形態では、多層ミラー内の全ての層をドープすることができる。
[0138] 図８は、図５又は図６に示したアーキテクチャを有するミラー多層ミラーの製造に使用可能な手順７００を示す。最初にステップ７０１において基板を提供する。次にモリブデン層を堆積する。しかしながらステップ７０２では、まず層をドープするか否かを決定する。モリブデン層をドープしない場合、手順はステップ７０３に進み、ドープしていないモリブデン層を堆積する。ドープしていないモリブデン層を堆積した後、ステップ７０４において、ドープしていないモリブデン層を堆積後にドープするか否かを決定する。ドープしていないモリブデン層をドープする場合、手順はステップ７０５に進み、ドープしていないモリブデン層をドープする。次いで手順はステップ７０６に進み、シリコン層を堆積する。あるいは、ドープしていないモリブデン層をドープしていないままにする場合、ドーピングステップ７０５を行わず、手順はステップ７０４から直接ステップ７０６に進む。ステップ７０６においてシリコン層を堆積した後、ステップ７０７において、さらに層が必要であるか否かの決定を行う。イエスの場合、手順はステップ７０２に戻り、プロセスを繰り返す。ノーの場合、手順はステップ７０８において終了する。
[0139] あるいは、ステップ７０２において、モリブデン層をドープすると決定した場合、手順はステップ７０９に進み、ドープしたモリブデン層を堆積する。次いで手順は直接ステップ７０６に進み、シリコン層を堆積する。
[0140] 手順７００を用いて、いかなる数のモリブデン層及びシリコン層の対から成る多層ミラーも堆積することが可能であることは認められよう。さらに、手順７００は、モリブデン層及びシリコン層の双方を含む多層ミラー内の１つ以上のモリブデン層のドープのみを示すが、シリコン層及びモリブデン層の双方を単一の手順でドープすることも可能であることは認められよう。手順７００のステップ７０６におけるシリコンの堆積は、手順７００のステップ７０２、７０３、７０４、７０５、及び７０９により説明したモリブデンの堆積及びドープに関連したものと同等のステップを組み込むことができる。
[0141] このようにして、図４に示すような、ドープしたシリコン層及びドープしていないシリコン層の双方、並びにドープしたモリブデン層及びドープしていないモリブデン層の双方を組み込んだ多層ミラーを、図８に示す手順によって堆積することができる。
[0142] さらに、図８に示したものと同様の手順を用いて、図７を参照して上述したような複合型のモリブデン−シリコン及び炭素−シリコン多層ミラーを堆積することも可能である。
[0143] 層対のみから成る多層スタックを記載したが、本発明の実施形態は、層対の間又は単一の対の層間に追加の中間層を含むことができ、この場合も、交互に配置された第１の材料層及びシリコン層の対から成る多層スタックと見なされる。例えば、モリブデン及びシリコンの層対の各々を中間層によって分離することができる。中間層は例えば、隣接した層対間での更なる水素の拡散を防止し得る拡散バリアとして機能することができる。拡散バリア層は、例えば炭化ホウ素の層から成ることができる。あるいは、中間層を他の目的のために組み込んでもよい。
[0144] また、層の処理を異なる深さ及び異なる程度で行うことも可能である。最上層は、ドーパント種で効果的に飽和させて、使用中にそれ以上の水素を組み込むことができない程度まで処理することができるが、それに続く（下方の）層では、適切な性能の向上を維持しながらドーピング密度を低下させることも可能である。このように、最上層対は、ドーパントの包含を飽和させるのに必要なレベルの１００％に処理することができ（例えばモリブデン内の４０原子％水素、及びシリコン内の３０原子％水素）、２番目の層対は、そのレベルの８０％で処理することができる（例えばモリブデン内の３２原子％水素、シリコン内の２４原子％水素）。３番目の層対は、飽和レベルの６０％で処理することができる等とし、最後の６番目の層対は処理を行わない。
[0145] ドープする層の数を決定する場合のもう一つの検討事項は、ミラーに入射するＥＵＶの波長である。例えば１３．５ｎｍでの高い反射率に最適化させたミラーは、特に有利なドープ層数を含む層構造を有することができる。しかしながら、別のＥＵＶ波長（例えば５ｎｍ）での高い反射率に最適化させたミラーに調節を行うには、入射する水素からの同程度の保護を達成するために異なる数の層にドープする必要があり得る。
[0146] 図９は、図３の垂直入射コレクタ光学部品ＣＯの一部を形成するコレクタミラー９００のさらに別の実施形態を概略的に示す。図示のように、コレクタ光学部品ＣＯは、複数のシリコン層９２０、複数のモリブデン層９１０、及び基板９３０を備えた多層ミラー９００を含む。図９はコレクタミラー９００の概略的な例示に過ぎない。他の例示した実施形態と同様、コレクタミラー９００は、図示するよりも多くのシリコン層９２０及び多くのモリブデン層９１０を備える場合がある。多層ミラー９００は、最上シリコン層である２つのドープシリコン層９２１を含む。ドープシリコン層９２１は、第１の金属ドーパントによってドープされている。第１の金属ドーパントは、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含むことができ、又は別の金属ドーパントとしてもよい。ドープシリコン層９２１内の第１の金属ドーパントの濃度は、最大で１５原子％とすればよい。
[0147] 多層ミラー９００にはさらにキャッピング層９５０が設けられている。キャッピング層９５０は例えば、ＳｉＮｘ層又はダイアモンド状炭素の層とすればよい。キャッピング層９５０は、第２の金属ドーパントによってドープすることができる。第２の金属ドーパントは、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含むことができ、又は別の金属ドーパントとしてもよい。キャッピング層９５０内の第２の金属ドーパントの濃度は、最大で１５原子％とすればよい。第１及び第２の金属ドーパントは、相互に同じであってもよく、相互に異なっていてもよい。
[0148] 多層ミラー９００の製造は、少なくともドープしたシリコン層９２１及び／又はキャピング層９５０をマグネトロンスパッタリングプロセスを介して送出することによって実行可能である。独立したマグネトロンスパッタリングデバイスを用いて、第１及び／又は第２の金属ドーパントを多層ミラー９００に送出することができると共に、別のマグネトロンスパッタリングデバイスを用いて、シリコン及び／又はキャッピング層９５０を同時に多層ミラー９００に送出する。あるいは、マグネトロンスパッタリングデバイスを用いて、すでに第１の金属ドーパントでドープされたシリコンを多層ミラー９００に送出することができる。マグネトロンスパッタリングデバイスを用いて、すでに第２の金属ドーパントでドープされたキャッピング層９５０を多層ミラー９００に送出することができる。ドープしたシリコン層９２１及び／又はキャッピング層９５０は、イオン研磨／高密度化ステップによってさらに調製することができる。イオン研磨／高密度化ステップにより、例えばドープしたシリコン層９２１及び／又はキャッピング層９５０における孔及び／又は欠陥の数を減らすことで、これらの層が高品質であることを保証することができる。ドープしたシリコン層９２１及び／又はキャッピング層９５０の調製は、これに加えて又はこの代わりに、例えばレーザを用いて実行可能なアニーリングステップを含むことも可能である。アニーリングステップにより、ドープしたシリコン層９２１及び／又はキャッピング層９５０において化合物が形成され、これらの層が水素を保持する傾向を低減させ得る。
[0149] １つ以上のシリコン層９２１及び／又はキャッピング層９５０を金属ドーパントでドープすると、多層ミラー９００の使用中にシリコン層９２１及び／又はキャッピング層９５０内に受容可能な水素量を著しく低減させることができる。従って金属ドーパントは、使用中に多層ミラー９００内に水素が意図せず含まれるのを阻止するように機能することができる。これは、水素によって引き起こされる多層ミラー９００のブリスタ形成又は劣化のリスクを低減又は解消することができる。
[0150] 従来技術のキャッピング層は、ＥＵＶ放射源内で見出される苛酷な動作条件（例えば水素プラズマの存在）に露呈された後、著しくエッチングされることがある。炭素を１つ以上の金属ドーパントでドープすると、水素の存在下での炭素のエッチングレートを実質的に低下させることができる。例えば、１つ以上の金属ドーパントでドープしたダイアモンド状炭素を含むキャッピング層９５０では、従来技術のキャッピング層に比べて、エッチングに対する耐性を実質的に増大させることができる。
[0151] 金属ドーパントは、シリコンからの水素の脱着に対する触媒として作用することができる。従って、シリコン層を金属ドーパントでドープすると、シリコン層からの水素の脱着温度を低下させることができる。例えばドープしたシリコン層９２１からの水素の脱着温度は、シリコン層９２１をドープするために用いる第１の金属ドーパントによって低下させることができる。ドープしたシリコン層９２１からの水素の脱着温度の低下により、アニーリングステップを用いて、ドープしたシリコン層９２１から水素を除去することが可能となる。例えばＥＵＶ放射源内で見出される苛酷な動作条件（例えば水素プラズマの存在）に露呈される期間中に、水素の一部がキャッピング層９５０を破って、１つ以上のドープしたシリコン層９２１内へと吸収されることがある。多層ミラー９００をアニーリングステップに露呈させることで、ドープしたシリコン層からこの水素を取り除くことができる。アニーリングステップは例えば、多層ミラー９００を加熱することができるレーザビームに多層ミラー９００を露呈させることを含み得る。レーザビームは、ドープしたシリコン９２１を、ドープしたシリコン９２１からの水素の脱着温度より高い温度に加熱することができ、従ってドープしたシリコン９２１から水素を除去することができる。シリコン層９２１を金属ドーパントでドープすることによってドープしたシリコン９２１からの水素の脱着温度を低下させると、多層ミラー９００を有害な熱負荷にさらすことなく、アニーリングステップによって、ドープしたシリコン９２１からの水素の脱着温度より高い温度にドープしたシリコン９２１を加熱することができる。ドープしたシリコン９２１から水素を取り除くアニーリングステップは、リソグラフィ装置に一体化されたレーザを用いて、リソグラフィ装置内部で行うことができる。あるいは、多層ミラー９００をリソグラフィ装置から取り外し、リソグラフィ装置の外部で、ドープしたシリコン９２１から水素を取り除くためのアニーリングステップを実行してもよい。
[0152] 第２の金属ドーパントでドープしたキャッピング層９５０が存在することで、ドープしたシリコン９２１からの水素の脱着温度をさらに低下させることができる。第２の金属ドーパントは、キャッピング層９５０からドープしたシリコン９２１内へと拡散して、シリコンからの水素の脱着に対する触媒として作用することができる。従って、ドープしたキャッピング層９５０は、アニーリングステップによってドープしたシリコン９２１から水素を取り除くことをさらに容易とする。
[0153] ２つのドープしたシリコン層９２１を有する多層ミラー９００について説明したが、本発明の実施形態は単一のドープしたシリコン層９２１を備えてもよいことは認められよう。本発明の別の実施形態は、３つ以上のドープしたシリコン層９２１を備えることも可能である。例えばいくつかの実施形態は、３つ、４つ、又はそれ以上のドープしたシリコン層９２１を備えることができる。モリブデン層９１０もドープしてもよい。例えばモリブデン層９１０は、本発明の他の実施形態に関連付けて上述したように、水素、希ガス、又はヘリウムでドープすることができる。
[0154] キャッピング層９５０は金属ドーパントでドープすることができる。あるいはキャッピング層９５０は、ドープしないことも可能であり、又は当技術分野において既知のような半金属材料でドープすることもできる。本発明のいくつかの実施形態では、多層ミラーがキャッピング層９５０を含まない場合もある。
[0155] コレクタ光学部品の文脈で説明したが、本発明の実施形態はいかなる多層ミラーでも使用可能であることは理解されよう。
[0156] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
[0157] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
[0158] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
[0159] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
（条項）
１． 交互に配置された第１材料の層及び第２材料の層の対の多層スタックを備えた多層ミラーを製造する方法であって、
交互に配置された前記第１材料の層及び前記第２材料の層の対のスタックを堆積させることであって、前記スタックが基板によって支持されている、堆積させることと、
前記第１材料の少なくとも第１層を第１金属ドーパントでドープすることと、を含む方法。
２． 前記多層ミラー上にキャッピング層を堆積させることをさらに含む、条項１に記載の方法。
３． 前記キャッピング層を第２金属ドーパントでドープすることをさらに含む、条項２に記載の方法。
４． 前記第１金属ドーパントが前記第２金属ドーパントとは異なる、条項３に記載の方法。
５． 前記第１金属ドーパントが、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含む、条項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
６． 前記第２金属ドーパントが、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含む、条項３〜５のいずれか１項に記載の方法。
７． 前記第１材料がシリコンを含む、条項６に記載の方法。
８． 前記第２材料がモリブデンを含む、条項７に記載の方法。
９． 交互に配置された第１材料の層及び第２材料の層の対の多層スタックを備え、前記スタックが基板によって支持され、前記第１材料の少なくとも第１層が第１金属ドーパントでドープされている、多層ミラー。
１０． キャッピング層をさらに備える、条項９に記載の多層ミラー。
１１． 前記キャッピング層が第２金属ドーパントでドープされている、条項１０に記載の多層ミラー。
１２． 前記第１金属ドーパントが前記第２金属ドーパントとは異なる、条項１１に記載の多層ミラー。
１３． 前記第１金属ドーパントが、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含む、条項９〜１２のいずれか１項に記載の多層ミラー。
１４． 前記第２金属ドーパントが、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｆｅ、及びＳｎの１つ以上を含む、条項１１又は１２に記載の多層ミラー。
１５． 前記第１材料がシリコンを含む、条項９〜１４のいずれか１項に記載の多層ミラー。
１６． 前記第２材料がモリブデンを含む、条項９〜１５のいずれか１項に記載の多層ミラー。

Claims (7)

  1. 交互に配置された第１材料の層及びシリコンの層の対の多層スタックを備えた多層ミラーを製造する方法であって、
    基板上に、交互に配置された前記第１材料の層及び前記シリコンの層の対のスタックを配置することと、
    前記第１材料の少なくとも第１層をドーパント材料でドープすることと、
    を含み、
    前記第１材料の前記第１層をドープすることが、前記第１材料の前記第１層内に、少なくとも２０原子パーセント水素を組み込む、又は、１０原子パーセントまでの希ガスを組み込むことを含む、
    方法。
  2. ドープすることが、前記第１材料の前記第１層の堆積中に前記第１材料の前記第１層内に前記ドーパント材料を組み込むことを含む、請求項１に記載の方法。
  3. ドープすることが、気相ドーパント材料の存在下で前記第１材料の前記第１層を堆積させることを含む、請求項２に記載の方法。
  4. 第１シリコン層内に少なくとも１０原子パーセント水素を組み込むことによって、少なくとも前記第１シリコン層を水素でドープすることをさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
  5. ドープすることが、前記第１シリコン層の堆積中に前記第１シリコン層内に前記水素を組み込むことを含む、請求項４に記載の方法。
  6. 交互に配置された第１材料の層及びシリコンの層の対の多層スタックと、
    前記多層スタックを支持する基板と、を備え、
    前記第１材料の少なくとも第１層が、少なくとも２０原子パーセント水素又は１０原子パーセントまでの希ガスでドープされている、多層ミラー。
  7. 請求項６に記載の多層ミラーを備えるリソグラフィ装置。
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