JP6398827B2 - プラズマ処理装置用電極板の製造方法 - Google Patents
プラズマ処理装置用電極板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6398827B2 JP6398827B2 JP2015060799A JP2015060799A JP6398827B2 JP 6398827 B2 JP6398827 B2 JP 6398827B2 JP 2015060799 A JP2015060799 A JP 2015060799A JP 2015060799 A JP2015060799 A JP 2015060799A JP 6398827 B2 JP6398827 B2 JP 6398827B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- electrode plate
- base plate
- plate
- vent hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
そして、このように通気孔内部の加工ダメージ部が除去され、各通気孔の開口径が均一に設けられた電極板においては、加工ダメージ部に起因するパーティクルの発生を防止でき、エッチングガスを均一に供給することができる。したがって、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行うことができ、被処理基板の微細加工が可能となる。
図1は、本実施形態のプラズマ処理装置用電極板の製造方法を工程順に示したフローチャートである。また、図2は、図1に示すプラズマ処理装置用電極板の製造方法の各工程を説明するプラズマ処理装置用電極板3(以下、電極板と称す。)となる素板31又は孔空き素板32の要部断面図である。
まず、本実施形態で製造される電極板3が用いられるプラズマ処理装置として、プラズマエッチング装置について説明する。プラズマエッチング装置100は、図5に示すように、真空チャンバー2内の上側に電極板(上側電極)3が設けられるとともに、下側に上下動可能な架台(下側電極)4が電極板3と相互間隔をおいて平行に設けられる。この場合、上側の電極板3は絶縁体5により真空チャンバー2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台4の上に、静電チャック6と、その周りを囲むシリコン製の支持リング7とが設けられており、静電チャック6上に支持リング7により周縁部を支持した状態でウエハ(被処理基板)8が載置されるようになっている。また、真空チャンバー2の上側には、エッチングガス供給管21が設けられ、このエッチングガス供給管21から送られてきたエッチングガスは、拡散部材9を経由した後、電極板3に設けられた通気孔33を通してウエハ8に向かって流され、真空チャンバー2の側部の排出口22から外部に排出される構成とされる。一方、電極板3と架台4との間には、高周波電源10により高周波電圧が印加されるようになっている。
各通気孔33は、ドリル加工の後にエッチング処理を施すことにより形成され、例えば厚さ12mmとされる電極板3に対して開口径(穴径)が0.5mmで形成される。また、各通気孔33は、ウエハ8との対向面の開口径の標準偏差(分散の平方根)が0.003以下に形成されている。
次に、マスキング工程(S1)において、図2(a)に示すように、素板31の表裏面30a,30bをマスキング35により被覆する。具体的には、例えば、ポリエステル、ポリ塩化ビニル等を材料としたマスキングテープをゴム系、シリコーン系又はアクリル系の接着剤を使用して素板31の表裏面30a,30bにそれぞれ接着することにより、素板31の表裏面30a,30bを被覆する。
最後に、洗浄工程(S5)において、孔空き素板32を洗浄して電極板3に仕上げる。孔空き素板32の洗浄は、具体的には、ポリッシング工程(S4)後の孔空き素板32を純水等の洗浄液に一定時間浸漬するとともに、洗浄液中で孔空き素板32を揺動させる等して行う。
エッチング処理装置200は、孔空き素板32の厚さ方向に貫通して形成された複数の通気孔33Pに、エッチング液Fを通過させることによりエッチング処理を施す装置である。このエッチング処理装置200は、図3及び図4に示すように、孔空き素板32の周縁部34(詳細には、マスキング35の周縁部)が密接させられる開口端部を有する箱体210を、その箱体210と孔空き素板32(マスキング35)とで囲まれた空間部210aに所望の圧力でエッチング液Fを供給する流体供給装置204を備える。
そして、孔空き素板32は、周縁部34(マスキング35の周縁部)がパッキン206に当接するように載置されて、クランプ207によりパッキン206に向けて押圧される。これにより、孔空き素板32は、通気孔33Pが閉鎖されない状態で箱体210に固定され、孔空き素板32の一方の表面30b(詳細にはマスキング35の表面)により空間部210aの一面を形成する。
次に、液体供給装置204からエッチング液Fを空間部210aに供給する。このとき、空間部210aの内圧を予め確認しておき、圧力ゲージ209により空間部210aの内圧が適切な大きさとなるようにエッチング液Fの供給を調整する。これにより、空間部210aに供給されたエッチング液Fは、開口部202aに装着された孔空き素板32の各通気孔33Pを通じて孔空き素板32の裏面30bから表面30aに流出し、空間部210aの内圧に応じた流速で通気孔33Pの内部をエッチング液Fが通過する。
また、各電極板を、図5に示すプラズマエッチング装置100に取り付けるとともに、予めCVD法によりSiO2層を形成したウエハを対向して取り付け、以下の条件でエッチング実験を実施し、100時間処理後にウエハ上に発生した0.2μm以上の大きさ(粒径)のパーティクルの個数を計測した。
ウエハサイズ:φ300mm
チャンバー内圧力:26.7Pa(200mTorr)
エッチングガス組成:90sccmCHF3+4sccmO2+150sccmHe
高周波電力:2kW
周波数:20kHz なお、sccmとは、standard cc/minの略であり、1atm(大気圧1013Pa)で、0℃あるいは25℃などの一定温度で規格化された1分間あたりの流量(cc)をいう。
3 電極板(プラズマ処理装置用電極板)
4 架台
5 絶縁体
6 静電チャック
7 支持リング
8 ウエハ(被処理基板)
9 拡散部材
10 高周波電源
11 冷却板
12 貫通孔
21 エッチングガス供給管
22 排出口
30a 表面
30b 裏面
31 素板
32 孔空き素板
33 通気孔(エッチング処理後)
34 周縁部
33P 通気孔(エッチング処理前)
35 マスキング
100 プラズマエッチング装置
200 エッチング処理装置
201 胴体部
202 天板
202a 開口部
204 液体供給装置
206 パッキン
207 クランプ
208 配管
209 圧力ゲージ
210 箱体
210a 空間部
Claims (2)
- 電極板となる素板の表裏面を被覆するマスキングを施すマスキング工程と、
前記素板を前記マスキングごとドリル加工によって該素板の厚さ方向に貫通する通気孔を複数形成して孔空き素板を形成する通気孔加工工程と、
該通気孔加工工程後に前記孔空き素板にエッチング処理を施すエッチング工程とを有し、
前記エッチング工程は、前記孔空き素板の一方の表面に開口端部を密接させた状態に箱体を固定し、該箱体と前記孔空き素板とで囲まれた空間部にエッチング液を加圧状態で供給することにより、前記エッチング液を前記通気孔を通じて前記一方の表面から他方の表面に流出させて行い、その際の各通気孔の内部を通過する前記エッチング液の流速を3ml/min以上に設定するプラズマ処理装置用電極板の製造方法。 - 前記エッチング工程における前記通気孔の内部を通過する前記エッチング液の流速は、9ml/min未満とする請求項1に記載のプラズマ処理装置用電極板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015060799A JP6398827B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015060799A JP6398827B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016181385A JP2016181385A (ja) | 2016-10-13 |
JP6398827B2 true JP6398827B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=57132104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015060799A Active JP6398827B2 (ja) | 2015-03-24 | 2015-03-24 | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6398827B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11380557B2 (en) * | 2017-06-05 | 2022-07-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for gas delivery in semiconductor process chambers |
JP7054046B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-04-13 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板およびプラズマ処理装置用電極板の製造方法 |
JP7392524B2 (ja) | 2020-03-05 | 2023-12-06 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用内壁部材及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4982931B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理装置及びこの構成部品の洗浄方法 |
US9314854B2 (en) * | 2013-01-30 | 2016-04-19 | Lam Research Corporation | Ductile mode drilling methods for brittle components of plasma processing apparatuses |
JP6179171B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2017-08-16 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用シリコン製電極板及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-03-24 JP JP2015060799A patent/JP6398827B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016181385A (ja) | 2016-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI528433B (zh) | 用於電漿切割半導體晶圓的方法與設備 | |
JP2014150252A (ja) | プラズマ処理装置の脆性部品のための延性モード穴開け方法 | |
TW201145426A (en) | Gas distribution showerhead with coating material for semiconductor processing | |
JP6398827B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 | |
JP2015095509A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP6188587B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP6377449B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5895603B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板 | |
JP6281276B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板の製造方法 | |
JP4045592B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP6500705B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 | |
JP2007273707A (ja) | ウエハとほぼ同じ寸法のシリコン電極板を用いてウエハ表面を均一にプラズマエッチングする方法。 | |
JPH09129605A (ja) | プラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板 | |
JP2012119590A (ja) | プラズマ処理装置用電極板 | |
JP6421611B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 | |
JP4883368B2 (ja) | プラズマエッチング用単結晶シリコン電極板 | |
JP5742347B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板 | |
JP2009038209A (ja) | 均一なエッチングを行うことができるシリコン電極板 | |
JP2012222271A (ja) | プラズマ処理装置用電極板 | |
JP6179171B2 (ja) | プラズマ処理装置用シリコン製電極板及びその製造方法 | |
JPH08134667A (ja) | プラズマエッチング用陽極電極板 | |
JP6287462B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 | |
JP4117438B2 (ja) | パーティクル発生の少ないプラズマエッチング用シリコン電極板 | |
JP6850986B2 (ja) | プラズマ処理装置用の電極板の洗浄装置及び製造方法 | |
JPH10265976A (ja) | プラズマエッチング電極の製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6398827 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |