JP2012119590A - プラズマ処理装置用電極板 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板3の放電面3aから厚さ方向途中まで形成された第1穴部11aと、放電面3aとは反対面3bから第1穴部11aの軸芯c1と平行な軸芯c2に沿って厚さ方向途中まで形成された第2穴部11bとが、互いに連通して形成される複数の通気孔11を有するとともに、第1穴部11aと第2穴部11bとの間に第1穴部11aの開口面積以下の開口面積を有するオリフィス21が設けられている。
【選択図】 図3
【解決手段】電極板3の放電面3aから厚さ方向途中まで形成された第1穴部11aと、放電面3aとは反対面3bから第1穴部11aの軸芯c1と平行な軸芯c2に沿って厚さ方向途中まで形成された第2穴部11bとが、互いに連通して形成される複数の通気孔11を有するとともに、第1穴部11aと第2穴部11bとの間に第1穴部11aの開口面積以下の開口面積を有するオリフィス21が設けられている。
【選択図】 図3
Description
本発明は、プラズマ処理装置においてプラズマ生成用ガスを厚さ方向に通過させながら放電するプラズマ処理装置用電極板に関する。
半導体デバイス製造プロセスに使用されるプラズマエッチング装置やプラズマCVD装置等のプラズマ処理装置は、チャンバー内に、高周波電源に接続される上部電極と下部電極とを、例えば、上下方向に対向配置し、下部電極の上に被処理基板を配置した状態として、上部電極に形成した通気孔からエッチングガスを被処理基板に向かって流通させながら高周波電圧を印加することによりプラズマを発生させ、被処理基板にエッチング等の処理を行う構成とされている。
このプラズマ処理装置で使用される上部電極として、一般に、シリコン製の電極板を冷却板に固定し重ね合わせた積層電極板が用いられており、プラズマ処理中に上昇する電極板の熱は、冷却板を通して放熱されるように構成されている。
また、電極板に設けられる通気孔は、通常は、その厚さ方向に平行に形成されているが(特許文献1参照)、プラズマ処理を繰り返し行うことにより、プラズマにさらされる部分が削られて消耗するため、通気孔の径が大きく変化する。特に通気孔のプラズマ発生領域側の被処理基板に対向する開口部は、ラッパ状に拡大するように削られる。これに伴って、プラズマの一部がエッチングガスの流れに逆らって逆流し、通気孔から電極板の背面に向けてプラズマが入り込むと、冷却板の一部がスパッタされて、被処理基板が汚染されるおそれがある。
また、電極板に設けられる通気孔は、通常は、その厚さ方向に平行に形成されているが(特許文献1参照)、プラズマ処理を繰り返し行うことにより、プラズマにさらされる部分が削られて消耗するため、通気孔の径が大きく変化する。特に通気孔のプラズマ発生領域側の被処理基板に対向する開口部は、ラッパ状に拡大するように削られる。これに伴って、プラズマの一部がエッチングガスの流れに逆らって逆流し、通気孔から電極板の背面に向けてプラズマが入り込むと、冷却板の一部がスパッタされて、被処理基板が汚染されるおそれがある。
そこで、プラズマが冷却板に到達することを阻止し、冷却板の損傷及び被処理基板の汚染を防ぐため、特許文献2には、電極板の厚さ方向に平行に形成された垂直細孔と、厚さ方向に対して傾斜して形成された傾斜細孔とからなる通気孔を形成した電極板、さらに、電極板の厚さ方向に対してそれぞれ異なる傾斜を有する傾斜細孔を接続して形成された、くの字型の通気孔を有する電極板が提案されている。また、特許文献3には、垂直細孔と傾斜細孔との接続部よりも垂直細孔の先端を延長した通気孔を有する電極板が提案されている。
しかしながら、特許文献2及び特許文献3のように、電極板の厚さ方向に対して傾斜する傾斜細孔は接合部を合わせることが難しいため、電極板に複数設けられる通気孔の接合部の形状が不均一になる場合がある。通気孔の接合部が不均一に形成された場合、エッチングガスの流れが不均一となり、被処理基板の場所によってエッチング深さがばらつき、被処理基板全体に均一なエッチング処理ができなくなるおそれがある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、プラズマの逆流を防止して冷却板の損傷を防ぐことができ、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
本発明の電極板は、電極板の放電面から厚さ方向途中まで形成された第1穴部と、前記放電面とは反対面から前記第1穴部の軸芯と平行な軸芯に沿って厚さ方向途中まで形成された第2穴部とが、互いに連通して形成される複数の通気孔を有するとともに、前記第1穴部と前記第2穴部との間に前記第1穴部の開口面積以下の開口面積を有するオリフィスが設けられていることを特徴とする。
第1穴部と第2穴部との連通部に第1穴部の開口面積以下の開口面積を有するオリフィスが設けられているので、プラズマの逆流を防止し、プラズマの冷却板への到達を阻止することができる。両穴部とも平行に形成されるので、両穴部の先端部の一部が重なるように加工位置を設定すれば、オリフィスを容易に形成することができる。これにより、各通気孔からのエッチングガスの流れを均一に保つことが可能であり、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができる。
また、本発明の電極板において、前記第1穴部と前記第2穴部とは、これらの軸芯方向と直交する方向にずれて配置されており、前記オリフィスは、前記第1穴部と前記第2穴部とを前記軸芯方向と直交する方向に連通するように設けられているとよい。
この場合、通気孔は、途中のオリフィスで屈曲して設けられるので、エッチングガスの流れを均一に保ちつつ、プラズマの逆流をより確実に阻止することができる。
この場合、通気孔は、途中のオリフィスで屈曲して設けられるので、エッチングガスの流れを均一に保ちつつ、プラズマの逆流をより確実に阻止することができる。
さらに、本発明の電極板において、前記第1穴部と前記第2穴部の軸芯が、前記電極板の放電面に対して垂直に設けられているとよい。
この場合、両穴部はドリル加工によって容易に形成することができる。両穴部とも電極板の表面に垂直に形成されるので、両穴部及びオリフィスの位置を高精度に管理することができ、各通気孔からのエッチングガスの流れを均一に保つことが可能である。
この場合、両穴部はドリル加工によって容易に形成することができる。両穴部とも電極板の表面に垂直に形成されるので、両穴部及びオリフィスの位置を高精度に管理することができ、各通気孔からのエッチングガスの流れを均一に保つことが可能である。
本発明によれば、電極板への均一な通気孔の加工を容易にし、プラズマの逆流を防止することができるので、冷却板に損傷を与えることがなく、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができる。
以下、本発明の電極板の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
まず、この電極板が用いられるプラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置1について説明する。
このプラズマエッチング装置1は、図1の概略断面図に示されるように、真空チャンバー2内の上部に電極板(上部電極)3が設けられるとともに、下部に上下動可能な架台(下部電極)4が電極板3と相互間隔をおいて平行に設けられている。この場合、上部の電極板3は絶縁体5により真空チャンバー2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台4の上には、静電チャック6と、その周りを囲むシリコン製の支持リング7とが設けられており、静電チャック6の上に、支持リング7により周縁部を支持した状態でウエハ(被処理基板)8を載置するようになっている。また、真空チャンバー2の上部にはエッチングガス供給管9が設けられ、このエッチングガス供給管9から送られてきたエッチングガスは拡散部材10を経由した後、電極板3に設けられた通気孔11を通してウエハ8に向かって流され、真空チャンバー2の側部の排出口12から外部に排出される構成とされている。一方、電極板3と架台4との間には高周波電源13により高周波電圧が印加されるようになっている。
まず、この電極板が用いられるプラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置1について説明する。
このプラズマエッチング装置1は、図1の概略断面図に示されるように、真空チャンバー2内の上部に電極板(上部電極)3が設けられるとともに、下部に上下動可能な架台(下部電極)4が電極板3と相互間隔をおいて平行に設けられている。この場合、上部の電極板3は絶縁体5により真空チャンバー2の壁に対して絶縁状態に支持されているとともに、架台4の上には、静電チャック6と、その周りを囲むシリコン製の支持リング7とが設けられており、静電チャック6の上に、支持リング7により周縁部を支持した状態でウエハ(被処理基板)8を載置するようになっている。また、真空チャンバー2の上部にはエッチングガス供給管9が設けられ、このエッチングガス供給管9から送られてきたエッチングガスは拡散部材10を経由した後、電極板3に設けられた通気孔11を通してウエハ8に向かって流され、真空チャンバー2の側部の排出口12から外部に排出される構成とされている。一方、電極板3と架台4との間には高周波電源13により高周波電圧が印加されるようになっている。
また、電極板3は、シリコンによって円板状に形成されており、その背面には熱伝導性に優れるアルミニウム等からなる冷却板14が固定され、この冷却板14にも電極板3の通気孔11に連通するように、この通気孔11と同じピッチで貫通孔15が形成されている。そして、電極板3は、背面が冷却板に接触した状態でねじ止め等によってプラズマ処理装置1内に固定される。電極板3の詳細構造については後述する。
プラズマエッチング装置1では、高周波電源13から高周波電圧を印加してエッチングガスを供給すると、このエッチングガスは拡散部材10を経由して、電極板3に設けられた通気孔11を通って電極板3と架台4との間の空間に放出され、この空間内でプラズマとなってウエハ8に当り、このプラズマによるスパッタリングすなわち物理反応と、エッチングガスの化学反応とにより、ウエハ8の表面がエッチングされる。
また、ウエハ8の均一なエッチングを行う目的で、発生したプラズマをウエハ8の中央部に集中させ、外周部へ拡散するのを阻止して電極板3とウエハ8との間に均一なプラズマを発生させるために、通常、プラズマ発生領域16がシリコン製のシールドリング17で囲われた状態とされている。
また、ウエハ8の均一なエッチングを行う目的で、発生したプラズマをウエハ8の中央部に集中させ、外周部へ拡散するのを阻止して電極板3とウエハ8との間に均一なプラズマを発生させるために、通常、プラズマ発生領域16がシリコン製のシールドリング17で囲われた状態とされている。
次に、電極板3の詳細構造について図2から図4を参照しながら説明する。
本実施形態の電極板3には、厚さ方向に延びる通気孔11が複数形成されている。この通気孔11は、プラズマエッチングを行う際に、電極板3とウエハ8との間にエッチングガスを供給するために用いられる。なお、電極板3は、単結晶シリコン、柱状晶シリコン、又は多結晶シリコンにより円板状に形成されている。
本実施形態の電極板3には、厚さ方向に延びる通気孔11が複数形成されている。この通気孔11は、プラズマエッチングを行う際に、電極板3とウエハ8との間にエッチングガスを供給するために用いられる。なお、電極板3は、単結晶シリコン、柱状晶シリコン、又は多結晶シリコンにより円板状に形成されている。
通気孔11は、電極板3の放電面3aから厚さ方向途中まで垂直に形成された第1穴部11aと、放電面3aの反対面3bから厚さ方向途中まで垂直に形成された第2穴部11bとを有するとともに、これら両穴部11a,11bが電極板3の厚さ方向と直交する方向に軸芯c1,c2をずらして配置されていることにより、両穴部11a,11bを電極板3の厚さ方向と直交する方向に連通するオリフィス21が形成されている。
オリフィス21は、両穴部11a,11bの先端部で、その側部どうしが重なることにより形成され、図4に示すように、矩形状に開口して設けられる。本実施形態においては、両穴部11a,11bをドリルにより加工し、図2から図4に示すように、各穴部11a,11bの先端部の側部が重なるように加工位置を設定することでオリフィス21を形成している。
オリフィス21は、両穴部11a,11bの先端部で、その側部どうしが重なることにより形成され、図4に示すように、矩形状に開口して設けられる。本実施形態においては、両穴部11a,11bをドリルにより加工し、図2から図4に示すように、各穴部11a,11bの先端部の側部が重なるように加工位置を設定することでオリフィス21を形成している。
例えば、板厚tが5mm以上30mm以下とされる電極板に対して、両穴部11a,11bは同径に設けられており、その穴径d1,d2は0.3mm以上1.0mm以下に形成されている。また、オリフィス21の開口面積は、図4に示すように、両穴部11a,11bの軸芯間距離wと、両穴部11a,11bの厚さ方向の重なり距離Lとによって調整可能であり、重なり距離Lは、0.5mm以上、板厚tの1/3以下とされ、オリフィスの開口面積は、0.05mm2以上、両穴部11a,11bの開口面積以下に形成されている。
なお、通気孔11は、両穴部11a,11bとなる下穴のドリル加工後に、その表面を平滑化するためのエッチング処理を施して形成される。オリフィス21は、両穴部11a,11bのドリル加工時に形成されるようにしてもよいが、ドリルによる両穴部11a,11bの下穴形成時においては形成せずに、エッチング処理の際に形成されるようにしてもよい。
なお、通気孔11は、両穴部11a,11bとなる下穴のドリル加工後に、その表面を平滑化するためのエッチング処理を施して形成される。オリフィス21は、両穴部11a,11bのドリル加工時に形成されるようにしてもよいが、ドリルによる両穴部11a,11bの下穴形成時においては形成せずに、エッチング処理の際に形成されるようにしてもよい。
このように構成した電極板3においては、通気孔11を構成する第1穴部11aと第2穴部11bとの連通部に、第1穴部11aの開口面積以下となる開口面積を有するオリフィス21を形成していることから、放電面3a側からのプラズマの逆流を防止することができる。また、オリフィス21を、電極板3の厚さ方向と直交する方向に連通して設けるとともに、通気孔11の途中をクランク状に屈曲して設けているので、エッチングガスの流れを均一に保ちつつ、プラズマの逆流を防止して、プラズマの冷却板14への到達を確実に阻止することができる。
上述実施形態のように、両穴部11a,11bの垂直穴は、ドリル加工によって容易に形成することができ、ドリルによる穴部の先端部の側部が重なるように加工位置を設定することで、オリフィス21も容易に形成することができる。また、両穴部とも電極板3の表面に垂直に形成されるので、両穴部11a,11b及びオリフィス21の位置を高精度に管理することができ、各通気孔11からのエッチングガスの流れを均一に保つことが可能である。これにより、被処理基板に面内均一なプラズマ処理を行わせることができる。
なお、上述実施形態においては、第1穴部11aと第2穴部11bとを同径に設けていたが、それぞれ異なる径で形成してもよい。その際、プラズマの逆流を防止するため、放電面側の第1穴部は、その反対面側の第2穴部よりも小径とすることが好ましい。
なお、上述実施形態においては、第1穴部11aと第2穴部11bとを同径に設けていたが、それぞれ異なる径で形成してもよい。その際、プラズマの逆流を防止するため、放電面側の第1穴部は、その反対面側の第2穴部よりも小径とすることが好ましい。
図5から図6は、本発明の電極板の第2実施形態を示している。この実施形態の電極板30においては、図6に示すように、電極板30の放電面30aから厚さ方向途中まで垂直に第1穴部31aを形成するとともに、放電面30aの反対面30bから第1穴部31aと同一軸芯上に厚さ方向途中まで垂直に第2穴部31bを形成して、両穴部31a,31bの間にオリフィス22を設けることにより互いに連通させている。つまり、両穴部31a,31bの軸芯c11,c12及びオリフィス22が、同一線上に配置され、電極板30を厚さ方向に沿って貫通するように通気孔31が形成されている。本実施形態においては、両穴部31a,31bをドリルにより加工しており、ドリル先端の切刃により形成されるテーパ部32a,32bの一部が重なるように穴部31a,31bの加工深さを設定することにより、円形のオリフィス22を形成している。
この場合、第1実施形態と同様に、板厚tが5mm以上30mm以下とされる電極板に対して、両穴部31a,31bは同径に設けられており、その穴径d11,d12は0.3mm以上1.0mm以下に形成されている。また、オリフィス22の開口面積は、両穴部31a,31bの開口面積以下に形成されている。
このように構成した電極板30では、通気孔31を構成する両穴部31a,31bを同一線上に並べて加工し、両穴部31a,31bの先端部の一部を重ねて形成することにより、両穴部31a,31bの開口面積以下となる開口面積のオリフィス22を形成している。これにより、放電面30a側からのプラズマの逆流を防止し、プラズマが冷却板へ到達することを阻止することができる。
なお、本発明の平行な軸芯とは、第1実施形態のように両穴部31a,31bの軸芯c1,c2を直交する方向にずらして配置されたもの、及び第2実施形態のように軸芯c11,c12を同一線上に並べて配置したものの両方を含むものとする。
なお、本発明の平行な軸芯とは、第1実施形態のように両穴部31a,31bの軸芯c1,c2を直交する方向にずらして配置されたもの、及び第2実施形態のように軸芯c11,c12を同一線上に並べて配置したものの両方を含むものとする。
また、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、前述の第2実施形態においては、ドリル先端の切刃により形成されるテーパ部32a,32bの一部を重ねて加工することでオリフィス22を形成していたが、図7に示す電極板40のように、両穴部41a,41bの間に、これらよりも小径の連通穴42を設けることによりオリフィス23を形成し、通気孔41を構成してもよい。
また、上記実施形態においては、通気孔を構成する両穴部をドリル加工により形成したが、レーザ加工によって形成することも可能であり、両穴部を放電面に対して傾斜させて形成してもよい。
例えば、前述の第2実施形態においては、ドリル先端の切刃により形成されるテーパ部32a,32bの一部を重ねて加工することでオリフィス22を形成していたが、図7に示す電極板40のように、両穴部41a,41bの間に、これらよりも小径の連通穴42を設けることによりオリフィス23を形成し、通気孔41を構成してもよい。
また、上記実施形態においては、通気孔を構成する両穴部をドリル加工により形成したが、レーザ加工によって形成することも可能であり、両穴部を放電面に対して傾斜させて形成してもよい。
1 プラズマエッチング装置
2 真空チャンバー
3,30,40 電極板
3a,30a 放電面
3b,30b 反対面
4 架台(下部電極)
5 絶縁体
6 静電チャック
7 支持リング
8 ウエハ(被処理基板)
9 エッチングガス供給管
10 拡散部材
11,31,41 通気孔
11a,31a,41a 第1穴部
11b,31b,41b 第2穴部
12 排出口
13 高周波電源
14 冷却板
15 貫通孔
16 プラズマ発生領域
17 シールドリング
21,22,23 オリフィス
32a,32b テーパ部
42 連通穴
2 真空チャンバー
3,30,40 電極板
3a,30a 放電面
3b,30b 反対面
4 架台(下部電極)
5 絶縁体
6 静電チャック
7 支持リング
8 ウエハ(被処理基板)
9 エッチングガス供給管
10 拡散部材
11,31,41 通気孔
11a,31a,41a 第1穴部
11b,31b,41b 第2穴部
12 排出口
13 高周波電源
14 冷却板
15 貫通孔
16 プラズマ発生領域
17 シールドリング
21,22,23 オリフィス
32a,32b テーパ部
42 連通穴
Claims (3)
- 電極板の放電面から厚さ方向途中まで形成された第1穴部と、前記放電面とは反対面から前記第1穴部の軸芯と平行な軸芯に沿って厚さ方向途中まで形成された第2穴部とが、互いに連通して形成される複数の通気孔を有するとともに、前記第1穴部と前記第2穴部との間に前記第1穴部の開口面積以下の開口面積を有するオリフィスが設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置用電極板。
- 前記第1穴部と前記第2穴部とは、これらの軸芯方向と直交する方向にずれて配置されており、前記オリフィスは、前記第1穴部と前記第2穴部とを前記軸芯方向と直交する方向に連通するように設けられていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置用電極板。
- 前記第1穴部と前記第2穴部の軸芯が、前記電極板の放電面に対して垂直に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置用電極板。
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