JP6387888B2 - 誘導性負荷駆動装置 - Google Patents
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Description
以下、誘導性負荷駆動装置の第1実施形態について説明する。図1に示されるように、本実施形態の誘導性負荷駆動装置20は電子制御装置1に搭載されている。以下では、便宜上、誘導性負荷駆動装置20を「駆動装置20」と略記する。はじめに、電子制御装置1の概要について説明する。
駆動装置20は、上側プリドライバ21と、下側プリドライバ22と、バイアス電圧生成部23と、異常検出部24と、ブートストラップコンデンサC1とを備えている。
比較器240は、異常検出部24の入力電圧Vinと上側電圧閾値Vth10との比較結果に応じた信号を出力する。上側電圧閾値Vth10は、バイアス電圧VBIの基準電圧値V0よりも大きい値であって、入力電圧Vinが電源電圧VBまで上昇したか否かを検出することができるように予め実験等により設定されている。比較器240は、入力電圧Vinが上側電圧閾値Vth10未満である場合には、論理ローレベルの信号を出力する。比較器240は、入力電圧Vinが上側電圧閾値Vth10以上である場合には、論理ハイレベルの信号を出力する。これにより、入力電圧Vinがバイアス電圧VBIである場合には、すなわち誘導性負荷3に電源電圧VB側の短絡が生じていない場合には、比較器240は論理ローレベルの信号を出力する。これに対し、入力電圧Vinが電源電圧VBまで増加した場合には、すなわち誘導性負荷3に電源電圧VB側の短絡が生じた場合には、比較器240は論理ハイレベルの信号を出力する。よって、比較器240の出力信号が論理ハイレベルを示しているか否かを判定することにより、誘導性負荷3の電源電圧VB側の短絡を検出することができる。
VC=VB−VF−VBI (f1)
車載バッテリの経年劣化等により電源電圧VBが低下し、電源電圧VBが電圧閾値Vth2以下になると、バイアス電圧VBIが低電圧値V1に設定される。これにより、基準電圧値V0と低電圧値V1との差分値「V0−V1」の分だけブートストラップコンデンサC1の充電電圧VCが増加する。例えば低電圧値V1が「0[V]」に設定されている場合には、ブートストラップコンデンサC1の充電電圧VCは基準電圧値V0の分だけ増加する。その結果、上側MOSFET30をオンさせるために必要なゲート電圧G10を得ることができるため、より確実に上側MOSFET30をオンさせることができる。
次に、第1実施形態の駆動装置20の第1変形例について説明する。
本変形例の電子制御装置1では、図2に示される処理をバイアス電圧生成部23が実行する。すなわち、図2示される処理を駆動装置20が実行する。このような構成であっても、第1実施形態の電子制御装置1と同様の作用及び効果を得ることができる。
次に、第1実施形態の駆動装置20の第2変形例について説明する。
図3に示されるように、本変形例の電子制御装置1では、ブートストラップコンデンサC1の高電位側に、ダイオードD1を介して昇圧回路25が電気的に接続されている。昇圧回路25は、電源電圧VBを昇圧するとともに、当該昇圧電圧をダイオードD1を介してブートストラップコンデンサC1に印加する。すなわち、本変形例の電子制御装置1では、ブートストラップコンデンサC1に印加される電圧として、昇圧回路25により昇圧された電圧が用いられている。このような構成であっても、第1実施形態の電子制御装置1と同様の作用及び効果を得ることができる。
次に、第1実施形態の駆動装置20の第3変形例について説明する。
図4に示されるように、本変形例の電子制御装置1には、ブートストラップコンデンサC1の高電位側に電圧を印加する電源回路として、並列接続される第1電源回路26及び第2電源回路27が設けられている。第1電源回路26は、電源電圧VBをダイオードD1を介してブートストラップコンデンサC1に印加する回路である。第2電源回路27は、電源電圧VBを昇圧する昇圧回路28を備えている。第2電源回路27は、昇圧回路28により昇圧された電圧をダイオードD2を介してブートストラップコンデンサC1に印加する。すなわち、本変形例の電子制御装置1では、ブートストラップコンデンサC1に印加される電圧として、電源電圧VB、もしくは昇圧回路28の昇圧電圧が用いられている。このような構成であっても、第1実施形態の電子制御装置1と同様の作用及び効果を得ることができる。
次に、駆動装置20の第2実施形態について説明する。以下、第1実施形態の駆動装置20との相違点を中心に説明する。
本実施形態の電子制御装置1では、誘導性負荷3のコイルLへの給電経路として、電源電圧VBから第1上側MOSFET30aを介した給電経路、及び昇圧回路33から第2上側MOSFET30bを介した給電経路の2つの給電経路を利用することが可能となっている。これにより、例えば誘導性負荷3が車両エンジンのインジェクタの場合には、第1上側MOSFET30aをオフさせた状態で、第2上側MOSFET30b及び下側MOSFET31を共にオンさせれば、昇圧回路33に昇圧された電圧がインジェクタに印加されるため、インジェクタを開弁させることができる。インジェクタが開弁した後、第2上側MOSFET30bをオフさせ、第1上側MOSFET30a及び下側MOSFET31を共にオンさせれば、電源電圧VBがインジェクタに印加されるため、インジェクタを開弁状態に維持することができる。
次に、駆動装置20の第3実施形態について説明する。以下、第1実施形態の駆動装置20との相違点を中心に説明する。
図7に示されるように、時刻t2で上側MOSFET30がオフ状態からオン状態に切り替わるとする。この場合、時刻t2から所定時間Tだけ前の時刻t1の時点でバイアス電圧VBIが基準電圧値V0から低電圧値V1に低下する。これにより、図7(C)に示されるように、時刻t1でブートストラップコンデンサC1の低電位側の電圧が基準電圧値V0から低電圧値V1に低下する。その結果、図7(D)に示されるように、ブートストラップコンデンサC1の充電電圧VCが「VB−VF−V0」から「VB−VF−V1」まで増加する。例えば低電圧値V1が「0[V]」であれば、ブートストラップコンデンサC1の充電電圧VCは「VB−VF」まで増加する。
本実施形態では、上側MOSFET30がオンされる時刻t2の時点ではバイアス電圧VBIが「VB−VF−V0」から「VB−VF−V1」に増加している。したがって、時刻t2の時点で上側MOSFET30をオンさせるために必要なゲート電圧G10を得ることができる。また、時刻t1以前は、基準電圧値V0に設定されたバイアス電圧VBIがブートストラップコンデンサC1の低電位側に印加されているため、異常検出部24による異常検出が可能となる。
なお、上記各実施形態は、以下の形態にて実施することもできる。
・異常検出部24の構成は適宜変更可能である。例えば、異常検出部24は、誘導性負荷3の電源電圧VB側の短絡及び接地側の短絡のいずれか一方を検出するものであってもよい。
D3:ダイオード
3:誘導性負荷
20:駆動装置(誘導性負荷駆動装置)
23:バイアス電圧生成部
24:異常検出部
25,28:昇圧回路
30:上側MOSFET(上側スイッチング素子)
30a:第1上側MOSFET(第1上側スイッチング素子)
30b:第2上側MOSFET(第2上側スイッチング素子)
31:下側MOSFET(下側スイッチング素子)
40:第1上側駆動部
50:第2上側駆動部
Claims (6)
- 誘導性負荷(3)の高電位側に接続される上側スイッチング素子(30)と、前記誘導性負荷の低電位側に接続される下側スイッチング素子(31)と、を有し、前記上側スイッチング素子及び前記下側スイッチング素子をオン/オフさせることにより前記誘導性負荷を駆動させる誘導性負荷駆動装置(20)であって、
前記上側スイッチング素子をオンさせるために必要な電圧を電源電圧に基づいて生成するブートストラップコンデンサ(C1)と、
前記ブートストラップコンデンサの低電位側にバイアス電圧を印加するバイアス電圧生成部(23)と、を備え、
前記電源電圧の変化に基づいて前記バイアス電圧を変化させることを特徴とする誘導性負荷駆動装置。 - 請求項1に記載の誘導性負荷駆動装置において、
前記電源電圧が所定の電圧閾値以下になることに基づいて前記バイアス電圧を低下させることを特徴とする誘導性負荷駆動装置。 - 請求項1又は2に記載の誘導性負荷駆動装置において、
前記誘導性負荷の短絡を検出する異常検出部(24)を更に備え、
前記異常検出部は、前記バイアス電圧に基づいて前記誘導性負荷の異常を検出することを特徴とする誘導性負荷駆動装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の誘導性負荷駆動装置において、
前記上側スイッチング素子がオフ状態からオン状態に切り替わる時点から所定時間前に前記バイアス電圧を変更することを特徴とする誘導性負荷駆動装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の誘導性負荷駆動装置において、
前記上側スイッチング素子は、並列接続された第1上側スイッチング素子(30a)と第2上側スイッチング素子(30b)とにより構成され、
前記第1上側スイッチング素子には、前記電源電圧が印加され、
前記第2上側スイッチング素子には、前記電源電圧を昇圧した昇圧電圧が印加され、
前記電源電圧を動作電源とし、前記第1上側スイッチング素子を駆動させる第1上側駆動部(40)と、
前記昇圧電圧を動作電源とし、前記第2上側スイッチング素子を駆動させる第2上側駆動部(50)と、
前記第1上側スイッチング素子の下流側であって、且つ前記第1上側スイッチング素子と前記第2上側スイッチング素子との接続点よりも上流側に配置されるダイオード(D3)と、を備えることを特徴とする誘導性負荷駆動装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の誘導性負荷駆動装置において、
前記電源電圧を昇圧する昇圧回路(25,28)を更に備え、
前記ブートストラップコンデンサに印加される電圧として、前記電源電圧、及び前記昇圧回路により昇圧された電圧の少なくとも一方が用いられていることを特徴とする誘導性負荷駆動装置。
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