JP6368332B2 - フィルタおよびデュプレクサ - Google Patents
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Description
圧電基板10:42°回転YカットX伝搬タンタル酸リチウム基板
ヤング率 :254Gpa
ポアソン比:0.21
線熱膨張係数:16.1ppm/℃(X方向)、9.5ppm(Y方向)/℃、10.7ppm/℃(Z方向)
支持基板28:サファイア基板
ヤング率:470GPa
ポアソン比:0.245
線熱膨張係数:7.35ppm/℃
サンプルAの圧電基板10の厚さT11:0.28mm
サンプルBの圧電基板10の厚さT12:0.03mm
サンプルBの支持基板28の厚さT13:0.25mm
チップ11の短辺の長さL1:0.88mm
チップ11の長辺の長さL2:1.03mm
実装基板20の線熱膨張係数:0ppm/℃
バンプ22:Au層(膜厚:12.5μm)
バンプ22の径:75μm
距離L3:0.165mm
距離L4:0.1475mm
距離L5:0.10mm
距離L6:0.05mm
サンプルA1:16.10ppm/℃
サンプルA2:15.35ppm/℃
サンプルA3:14.47ppm/℃
サンプルA4:13.98ppm/℃
サンプルA5:13.12ppm/℃
サンプルA6:12.83ppm/℃
サンプルA7:12.61ppm/℃
サンプルB1:9.55ppm/℃
サンプルB2:9.31ppm/℃
サンプルB3:8.95ppm/℃
サンプルB4:8.65ppm/℃
サンプルB5:8.30ppm/℃
サンプルB6:8.17ppm/℃
サンプルB7:8.08ppm/℃
図10は、実施例1の変形例1に用いられるチップの平面図である。図10に示すように、直列共振器S3および並列共振器P2に加え、並列共振器P3のX方向にもバンプ22bが設けられている。直列共振器S3と並列共振器P3はバンプ22bを共有している。その他の構成は、実施例1と同じであり説明を省略する。
図11は、実施例1の変形例2に用いられるチップの平面図である。図11に示すように、直列共振器S3および並列共振器P2のX方向に延伸する中線54に対しバンプ22aおよび22bが−Y方向にシフトして設けられている。その他の構成は実施例1と同じであり、説明を省略する。
図12は、実施例1の変形例3に用いられるチップの平面図である。図12に示すように、直列共振器S3のX方向に位置するバンプ22aおよび22bの平面視形状は楕円形である。並列共振器P2のX方向に位置するバンプ22aおよび22bの平面視形状は矩形である。その他の構成は実施例1と同じであり、説明を省略する。
図13は、実施例1の変形例4に用いられるチップの平面図である。図13に示すように、並列共振器P3の弾性波の伝搬方向はY方向である。並列共振器P3のY方向にバンプ22aおよび22bが設けられている。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
16 櫛型電極
18 金属膜
20 実装基板
22 バンプ
28 支持基板
30 IDT
32 反射器
Claims (12)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたIDTを有し、入力端子と出力端子との間に直列に接続された複数の直列共振器と、
前記圧電基板上に設けられたIDTを有し、前記入力端子と前記出力端子との間の線路に対し並列に接続された1または複数の並列共振器と、
前記圧電基板上に設けられ、前記複数の直列共振器のうち最も***振周波数の高い直列共振器である第1共振器の弾性波の伝搬方向に設けられた第1バンプを含む1または複数のバンプと、
前記圧電基板の弾性波の伝搬方向の線熱膨張係数より小さい線熱膨張係数を有し、前記1または複数のバンプを用い前記圧電基板をフリップチップ実装する実装基板と、
を具備し、
前記第1共振器は前記複数の直列共振器のうち一部の直列共振器と***振周波数が異なり、前記一部の直列共振器の少なくとも1つの直列共振器の前記弾性波の伝搬方向には前記1または複数のバンプは設けられていないフィルタ。 - 前記一部の直列共振器のいずれにおいても前記弾性波の伝搬方向には前記1または複数のバンプは設けられていない請求項1記載のフィルタ。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたIDTを有し、入力端子と出力端子との間に直列に接続された1または複数の直列共振器と、
前記圧電基板上に設けられたIDTを有し、前記入力端子と前記出力端子との間の線路に対し並列に接続された複数の並列共振器と、
前記複数の並列共振器のうち最も共振周波数の低い並列共振器である第1共振器の弾性波の伝搬方向に設けられた第1バンプを含む1または複数のバンプと、
前記圧電基板の弾性波の伝搬方向の線熱膨張係数より小さい線熱膨張係数を有し、前記1または複数のバンプを用い前記圧電基板をフリップチップ実装する実装基板と、を具備し、
前記第1共振器は前記複数の並列共振器のうち一部の並列共振器と共振周波数が異なり、前記一部の並列共振器の少なくとも1つの並列共振器の前記弾性波の伝搬方向には前記1または複数のバンプは設けられていないフィルタ。 - 前記一部の並列共振器のいずれにおいても前記弾性波の伝搬方向には前記1または複数のバンプは設けられていない請求項3記載のフィルタ。
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられたIDTを有し、入力端子と出力端子との間に直列に接続された複数の直列共振器と、
前記圧電基板上に設けられたIDTを有し、前記入力端子と前記出力端子との間の線路に対し並列に接続された複数の並列共振器と、
前記圧電基板上に設けられ、前記複数の直列共振器のうち最も***振周波数の高い直列共振器と、前記複数の並列共振器のうち最も共振周波数の低い並列共振器と、である第1共振器の各々の弾性波の伝搬方向に設けられた第1バンプを含む1または複数のバンプと、
前記圧電基板の弾性波の伝搬方向の線熱膨張係数より小さい線熱膨張係数を有し、前記1または複数のバンプを用い前記圧電基板をフリップチップ実装する実装基板と、
を具備し、
前記複数の直列共振器のうち少なくとも1つは他の直列共振器と共振周波数が異なり、
前記複数の並列共振器のうち少なくとも1つは他の並列共振器と共振周波数が異なり、
前記第1共振器は、前記複数の直列共振器と前記複数の並列共振器とにそれぞれ設けられ、
前記複数の直列共振器のうち前記第1共振器以外の直列共振器の前記弾性波の伝搬方向には前記1または複数のバンプはいずれも設けられておらず、
前記複数の並列共振器のうち前記第1共振器以外の並列共振器の前記弾性波の伝搬方向には前記1または複数のバンプはいずれも設けられていないフィルタ。 - 前記第1バンプは前記第1共振器の前記弾性波の伝搬方向の両側に設けられている請求項1から5いずれか一項記載のフィルタ。
- 前記第1バンプは、前記第1共振器の開口の弾性波の伝搬方向に設けられている請求項1から6のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記第1バンプと前記第1共振器との距離は、前記1または複数のバンプのうち前記第1共振器以外の第2共振器の弾性波の伝搬方向に設けられた第2バンプと前記第2共振器との距離より小さい請求項1から7のいずれか一項記載のフィルタ。
- 前記第1共振器は、前記1または複数の直列共振器と前記1または複数の並列共振器のうち前記第1共振器以外の第2共振器と弾性波の伝搬方向が異なる請求項5記載のフィルタ。
- 前記第1バンプは、ダミーまたはグランドに接続されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項記載のフィルタ。
- 請求項1から10のいずれか一項記載のフィルタを含むデュプレクサ。
- 請求項5に記載のフィルタを含み、
共通端子と第1端子との間に接続された第1フィルタと、
前記第1フィルタの通過帯域より高い通過帯域を有し、前記共通端子と第2端子との間に接続された第2フィルタと、
を具備し、
前記第1フィルタが前記フィルタのとき、前記第1共振器は直列共振器であり、
前記第2フィルタが前記フィルタのとき、前記第1共振器は並列共振器であるデュプレクサ。
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